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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第380页 > DG613AZ/883
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
高速,低毛刺D / CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
快Switching-吨
ON
: 12纳秒
低电荷注入:
"2
pC
宽带: 500兆赫
5 V CMOS逻辑兼容
低R
DS ( ON)
: 18
W
低静态功耗: 1.2纳瓦
单电源供电
好处
D
D
D
D
D
D
提高数据吞吐量
最小开关瞬变
提高系统性能
轻松连接
低插入损耗
最低功耗
应用
D
D
D
D
D
D
D
D
快速采样和保持
同步解调器
像素率的视频切换
磁盘/磁带驱动器
DAC去毛刺
开关电容滤波器
砷化镓场效应管驱动器
卫星接收机
描述
该DG611 /六百一十三分之六百十二功能,高速低电容
横向DMOS开关。电荷注入已经被最小化
以优化在快速采样和保持应用程序的性能。
与低功耗CMOS控制逻辑开关FET和
驱动程序。外延层可以防止闭锁。
该DG611和DG612的区别仅在于它们回应
相反的逻辑电平。多功能DG613有两个常
开放和两个常闭开关。它可以给出的各种
配置,包括4 SPST , SPDT 2 ,一个DPDT 。
有关更多信息,请参阅应用说明AN207
( FaxBack号70605 ) 。
每个开关进行同样在两个方向开启时,
拦截高达16 V
p-p
当关闭。电容已
最小化,确保快速切换和低突波能量。对
实现这样的快速和干净的开关性能,将
DG611 /六百十三分之六百一十二都建立在日前,Vishay Siliconix公司专有
D / CMOS工艺。这个过程结合了n沟道DMOS
功能框图及引脚配置
DG611
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
双列直插式
和SOIC
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
9
10
关键
S
1
V–
NC
GND
S
4
4
5
6
7
8
3
2
DG611
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
1
20
19
18
17
LCC
顶视图
16
15
14
11
12 13
S
2
V+
NC
V
L
S
3
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
DG611
ON
关闭
逻辑“0”的
v
1 V
逻辑“1”的
w
4 V
DG612
关闭
ON
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
文档编号: 70057
S- 00399 -REV 。 G, 13 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG613
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
双列直插式
和SOIC
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
V
L
S
3
D
3
IN
3
GND
S
4
关键
S
1
V–
4
5
6
7
8
9
10
11 12
13
LCC
顶视图
15
14
3
2
DG613
D
1
IN
1
NC
1
IN
2
D
2
19
18
17
16
S
2
V+
20
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
SW
1
, SW
4
关闭
ON
逻辑“0”的
v
1 V
逻辑“1”的
w
4 V
NC
0
V
L
S
3
1
SW
2
, SW
3
ON
关闭
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
订购信息
温度范围
DG611/612
16引脚塑料DIP
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
DG611DJ
DG612DJ
DG611DY
DG612DY
DG611AK / 883 , 5962-9325501MEA
DG612AK / 883 , 5962-9325502MEA
DG611AZ / 883 , 5962-9325501M2A
DG612AZ / 883 , 5962-9325502M2A
产品型号
16引脚CERDIP
-55 125℃
55 125_C
LCC-20
DG613
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
LCC-20
DG613DJ
DG613DY
DG613AK / 883 , 5962-9325503MEA
DG613AZ / 883 , 5962-9325503M2A
-55到125°C
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V-至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -19 V至0.3 V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1 V至(V +) + 1伏
或20mA ,以先到者为准
V
INA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -1 V至(V +) + 1伏
或20mA ,以先到者为准
V
S
, V
D
a
存储温度:
陶瓷浸渍。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
塑料。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
470毫瓦
600毫瓦
900毫瓦
900毫瓦
功率耗散(套餐) B
16引脚塑料DIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚窄体SOIC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚CERDIP
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20引脚LCC
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -0.3 V至( V- ), + 16 V
或20mA ,以先到者为准
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"30
mA
当前,S或D(脉冲1
女士,
10 %占空比) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"100
mA
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
推荐工作范围
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5 V至21 V
V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 V至0 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 V至V +
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
L
V
类似物
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V-至(V +) - 5伏
4-2
文档编号: 70057
S- 00399 -REV 。 G, 13 - 09月99
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
阻力
比赛投注通道。
来源OFF泄漏
流掉
漏电流
开关ON
漏电流
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -1毫安,V
D
= 0 V
Dr
DS ( ON)
I
S( OFF)
I
D(关闭)
I
D(上)
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
V– = –5 V, V+ = 12 V
房间
房间
房间
房间
房间
18
–5
7
45
60
–5
7
45
60
V
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+
V = 15 V, V– = –3 V
V V
3
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
温度
b
T
典型值
T
c
d
最大
d
d
最大
d
U I
单位
W
2
"0.001
"0.001
"0.001
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.4
–40
0.25
20
0.25
20
0.4
40
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.4
–40
0.25
20
0.25
20
0.4
40
nA
A
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
IH
V
IL
I
IN
C
IN
房间
房间
0.005
5
–1
–20
4
1
1
20
–1
–20
4
1
1
20
V
mA
pF
动态特性
关机状态下输入电容
关态输出电容
在国家输入电容
带宽
开启时间
e
打开-O FF时间
e
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
CH 。注射变化
E,G
关断隔离
e
相声
e
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
秒(上)
BW
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
Q
DQ
OIRR
X
TALK
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
R
L
= 50
W
R
L
= 300
W
, C
L
= 3 pF的,V
S
=
"2
V
p ,
S T吨次是图2
见测试电路,网络连接
R
L
= 300
W
, C
L
= 75 pF的
V
S
=
"2
V
见测试电路,图2
C
L
= 1 nF的,V
S
= 0 V
C
L
= 1 nF的,
b
V
S
b
v
3 V
R
IN
= 50
W
, R
L
= 50
W
F = 5兆赫
R
IN
= 10
W
, R
L
= 50
W
, F = 5兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3
2
10
500
12
8
19
16
4
3
74
87
4
4
pC
25
20
35
50
25
35
25
20
35
50
25
35
ns
兆赫
pF
F
dB
电源
积极
电源电流
电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
V
IN
= 0 V或5 V
I
L
I
GND
房间
房间
房间
房间
0.005
–0.005
0.005
–0.005
–1
–5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
1
5
A
mA
文档编号: 70057
S- 00399 -REV 。 G, 13 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非另有说明
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -1毫安,V
D
= 1 V
房间
25
0
7
60
0
7
60
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+ = 15 V, V– = –3 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
温度
b
T
典型值
T
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
U I
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
t
ON
t
关闭
R
L
= 300
W
, C
L
= 3 pF的,V
S
= 2 V
p ,
见测试电路,网络连接
S T吨次是图2
房间
房间
15
10
30
25
30
ns
25
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
DQ
=
b
在V Q
S
= 3 V - Q在V
S
= –3 V
b
.
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-4
文档编号: 70057
S- 00399 -REV 。 G, 13 - 09月99
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
r
DS ( ON)
与V
D
与电源电压
400
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
350
300
250
200
150
100
50
0
–5 –4
–2
0
2
4
6
V
D
- 漏极电压( V)
8
10
12
V+ = 5 V
V– = –5 V
V+ = 15 V
V– = –3 V
V+ = 12 V
V– = –5 V
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
I
S
= -1毫安
400
350
300
250
200
150
25_C
100
50
0
–4
–2
0
2
4
6
8
V
D
- 漏极电压( V)
10
12
125_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –3 V
I
S
= -1毫安
r
DS ( ON)
与V
D
和温度
漏电流与模拟电压
3
V+ = 15 V
V– = –3 V
I S (关闭) , I D (关闭) - 漏电流( A)
10 nA的
1 nA的
漏电流与温度的关系
2
I S , I D - 漏电流(PA )
1
I
S(关闭) ,
I
D(关闭)
0
100 pA的
I
D(上)
10 pA的
I
S(关闭) ,
I
D(关闭)
–1
I
D(上)
–2
1 pA的
–3
–4
–2
0
2
4
6
8
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
10
0.1帕
–55
–25
0
25
50
温度(℃)
75
100
125
6
输入开关阈值与V
L
24
V+ = 15 V
V– = –3 V
22
20
18
开关时间与温度
5
V TH - 逻辑输入电压(V )
t
ON
4
时间(纳秒)
16
14
12
10
8
6
V+ = 15 V
V– = –3 V
R
L
= 300
W
C
L
= 10 pF的
t
关闭
3
2
1
4
2
0
0
5
10
15
V
L
- 逻辑电源电压( V)
0
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
温度(℃)
文档编号: 70057
S- 00399 -REV 。 G, 13 - 09月99
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S
FaxBack 408-970-5600
4-5
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
高速,低毛刺D / CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
快Switching-吨
ON
: 12纳秒
低电荷注入:
"2
pC
宽带: 500兆赫
5 V CMOS逻辑兼容
低R
DS ( ON)
: 18
W
低静态功耗: 1.2纳瓦
单电源供电
好处
D
D
D
D
D
D
提高数据吞吐量
最小开关瞬变
提高系统性能
轻松连接
低插入损耗
最低功耗
应用
D
D
D
D
D
D
D
D
快速采样和保持
同步解调器
像素率的视频切换
磁盘/磁带驱动器
DAC去毛刺
开关电容滤波器
砷化镓场效应管驱动器
卫星接收机
描述
该DG611 /六百一十三分之六百十二功能,高速低电容
横向DMOS开关。电荷注入已经被最小化
以优化在快速采样和保持应用程序的性能。
与低功耗CMOS控制逻辑开关FET和
驱动程序。外延层可以防止闭锁。
该DG611和DG612的区别仅在于它们回应
相反的逻辑电平。多功能DG613有两个常
开放和两个常闭开关。它可以给出的各种
配置,包括4 SPST , SPDT 2 ,一个DPDT 。
有关更多信息,请参阅应用说明AN207
( FaxBack号70605 ) 。
每个开关进行同样在两个方向开启时,
拦截高达16 V
p-p
当关闭。电容已
最小化,确保快速切换和低突波能量。对
实现这样的快速和干净的开关性能,将
DG611 /六百十三分之六百一十二都建立在日前,Vishay Siliconix公司专有
D / CMOS工艺。这个过程结合了n沟道DMOS
功能框图及引脚配置
DG611
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
双列直插式
和SOIC
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
9
10
关键
S
1
V–
NC
GND
S
4
4
5
6
7
8
3
2
DG611
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
1
20
19
18
17
LCC
顶视图
16
15
14
11
12 13
S
2
V+
NC
V
L
S
3
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
DG611
ON
关闭
逻辑“0”的
v
1 V
逻辑“1”的
w
4 V
DG612
关闭
ON
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
文档编号: 70057
S- 00399 -REV 。 G, 13 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG613
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
双列直插式
和SOIC
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
V
L
S
3
D
3
IN
3
GND
S
4
关键
S
1
V–
4
5
6
7
8
9
10
11 12
13
LCC
顶视图
15
14
3
2
DG613
D
1
IN
1
NC
1
IN
2
D
2
19
18
17
16
S
2
V+
20
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
SW
1
, SW
4
关闭
ON
逻辑“0”的
v
1 V
逻辑“1”的
w
4 V
NC
0
V
L
S
3
1
SW
2
, SW
3
ON
关闭
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
订购信息
温度范围
DG611/612
16引脚塑料DIP
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
DG611DJ
DG612DJ
DG611DY
DG612DY
DG611AK / 883 , 5962-9325501MEA
DG612AK / 883 , 5962-9325502MEA
DG611AZ / 883 , 5962-9325501M2A
DG612AZ / 883 , 5962-9325502M2A
产品型号
16引脚CERDIP
-55 125℃
55 125_C
LCC-20
DG613
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
LCC-20
DG613DJ
DG613DY
DG613AK / 883 , 5962-9325503MEA
DG613AZ / 883 , 5962-9325503M2A
-55到125°C
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V-至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -19 V至0.3 V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1 V至(V +) + 1伏
或20mA ,以先到者为准
V
INA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -1 V至(V +) + 1伏
或20mA ,以先到者为准
V
S
, V
D
a
存储温度:
陶瓷浸渍。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
塑料。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
470毫瓦
600毫瓦
900毫瓦
900毫瓦
功率耗散(套餐) B
16引脚塑料DIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚窄体SOIC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚CERDIP
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20引脚LCC
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -0.3 V至( V- ), + 16 V
或20mA ,以先到者为准
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"30
mA
当前,S或D(脉冲1
女士,
10 %占空比) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"100
mA
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
推荐工作范围
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5 V至21 V
V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 V至0 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 V至V +
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
L
V
类似物
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V-至(V +) - 5伏
4-2
文档编号: 70057
S- 00399 -REV 。 G, 13 - 09月99
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
阻力
比赛投注通道。
来源OFF泄漏
流掉
漏电流
开关ON
漏电流
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -1毫安,V
D
= 0 V
Dr
DS ( ON)
I
S( OFF)
I
D(关闭)
I
D(上)
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
V– = –5 V, V+ = 12 V
房间
房间
房间
房间
房间
18
–5
7
45
60
–5
7
45
60
V
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+
V = 15 V, V– = –3 V
V V
3
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
温度
b
T
典型值
T
c
d
最大
d
d
最大
d
U I
单位
W
2
"0.001
"0.001
"0.001
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.4
–40
0.25
20
0.25
20
0.4
40
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.4
–40
0.25
20
0.25
20
0.4
40
nA
A
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
IH
V
IL
I
IN
C
IN
房间
房间
0.005
5
–1
–20
4
1
1
20
–1
–20
4
1
1
20
V
mA
pF
动态特性
关机状态下输入电容
关态输出电容
在国家输入电容
带宽
开启时间
e
打开-O FF时间
e
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
CH 。注射变化
E,G
关断隔离
e
相声
e
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
秒(上)
BW
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
Q
DQ
OIRR
X
TALK
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
R
L
= 50
W
R
L
= 300
W
, C
L
= 3 pF的,V
S
=
"2
V
p ,
S T吨次是图2
见测试电路,网络连接
R
L
= 300
W
, C
L
= 75 pF的
V
S
=
"2
V
见测试电路,图2
C
L
= 1 nF的,V
S
= 0 V
C
L
= 1 nF的,
b
V
S
b
v
3 V
R
IN
= 50
W
, R
L
= 50
W
F = 5兆赫
R
IN
= 10
W
, R
L
= 50
W
, F = 5兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3
2
10
500
12
8
19
16
4
3
74
87
4
4
pC
25
20
35
50
25
35
25
20
35
50
25
35
ns
兆赫
pF
F
dB
电源
积极
电源电流
电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
V
IN
= 0 V或5 V
I
L
I
GND
房间
房间
房间
房间
0.005
–0.005
0.005
–0.005
–1
–5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
1
5
A
mA
文档编号: 70057
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DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非另有说明
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -1毫安,V
D
= 1 V
房间
25
0
7
60
0
7
60
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+ = 15 V, V– = –3 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
温度
b
T
典型值
T
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
U I
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
t
ON
t
关闭
R
L
= 300
W
, C
L
= 3 pF的,V
S
= 2 V
p ,
见测试电路,网络连接
S T吨次是图2
房间
房间
15
10
30
25
30
ns
25
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
DQ
=
b
在V Q
S
= 3 V - Q在V
S
= –3 V
b
.
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文档编号: 70057
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DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
r
DS ( ON)
与V
D
与电源电压
400
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
350
300
250
200
150
100
50
0
–5 –4
–2
0
2
4
6
V
D
- 漏极电压( V)
8
10
12
V+ = 5 V
V– = –5 V
V+ = 15 V
V– = –3 V
V+ = 12 V
V– = –5 V
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
I
S
= -1毫安
400
350
300
250
200
150
25_C
100
50
0
–4
–2
0
2
4
6
8
V
D
- 漏极电压( V)
10
12
125_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –3 V
I
S
= -1毫安
r
DS ( ON)
与V
D
和温度
漏电流与模拟电压
3
V+ = 15 V
V– = –3 V
I S (关闭) , I D (关闭) - 漏电流( A)
10 nA的
1 nA的
漏电流与温度的关系
2
I S , I D - 漏电流(PA )
1
I
S(关闭) ,
I
D(关闭)
0
100 pA的
I
D(上)
10 pA的
I
S(关闭) ,
I
D(关闭)
–1
I
D(上)
–2
1 pA的
–3
–4
–2
0
2
4
6
8
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
10
0.1帕
–55
–25
0
25
50
温度(℃)
75
100
125
6
输入开关阈值与V
L
24
V+ = 15 V
V– = –3 V
22
20
18
开关时间与温度
5
V TH - 逻辑输入电压(V )
t
ON
4
时间(纳秒)
16
14
12
10
8
6
V+ = 15 V
V– = –3 V
R
L
= 300
W
C
L
= 10 pF的
t
关闭
3
2
1
4
2
0
0
5
10
15
V
L
- 逻辑电源电压( V)
0
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
温度(℃)
文档编号: 70057
S- 00399 -REV 。 G, 13 - 09月99
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DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
高速,低毛刺D / CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
快Switching-吨
ON
: 12纳秒
低电荷注入:
"2
pC
宽带: 500兆赫
5 V CMOS逻辑兼容
低R
DS ( ON)
: 18
W
低静态功耗: 1.2纳瓦
单电源供电
好处
D
D
D
D
D
D
提高数据吞吐量
最小开关瞬变
提高系统性能
轻松连接
低插入损耗
最低功耗
应用
D
D
D
D
D
D
D
D
快速采样和保持
同步解调器
像素率的视频切换
磁盘/磁带驱动器
DAC去毛刺
开关电容滤波器
砷化镓场效应管驱动器
卫星接收机
描述
该DG611 /六百一十三分之六百十二功能,高速低电容
横向DMOS开关。电荷注入已经被最小化
以优化在快速采样和保持应用程序的性能。
与低功耗CMOS控制逻辑开关FET和
驱动程序。外延层可以防止闭锁。
该DG611和DG612的区别仅在于它们回应
相反的逻辑电平。多功能DG613有两个常
开放和两个常闭开关。它可以给出的各种
配置,包括4 SPST , SPDT 2 ,一个DPDT 。
有关更多信息,请参阅应用说明AN207
( FaxBack号70605 ) 。
每个开关进行同样在两个方向开启时,
拦截高达16 V
p-p
当关闭。电容已
最小化,确保快速切换和低突波能量。对
实现这样的快速和干净的开关性能,将
DG611 /六百十三分之六百一十二都建立在日前,Vishay Siliconix公司专有
D / CMOS工艺。这个过程结合了n沟道DMOS
功能框图及引脚配置
DG611
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
双列直插式
和SOIC
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
9
10
关键
S
1
V–
NC
GND
S
4
4
5
6
7
8
3
2
DG611
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
1
20
19
18
17
LCC
顶视图
16
15
14
11
12 13
S
2
V+
NC
V
L
S
3
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
DG611
ON
关闭
逻辑“0”的
v
1 V
逻辑“1”的
w
4 V
DG612
关闭
ON
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
文档编号: 70057
S- 00399 -REV 。 G, 13 - 09月99
www.vishay.com
S
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DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG613
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
双列直插式
和SOIC
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
V
L
S
3
D
3
IN
3
GND
S
4
关键
S
1
V–
4
5
6
7
8
9
10
11 12
13
LCC
顶视图
15
14
3
2
DG613
D
1
IN
1
NC
1
IN
2
D
2
19
18
17
16
S
2
V+
20
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
SW
1
, SW
4
关闭
ON
逻辑“0”的
v
1 V
逻辑“1”的
w
4 V
NC
0
V
L
S
3
1
SW
2
, SW
3
ON
关闭
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
订购信息
温度范围
DG611/612
16引脚塑料DIP
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
DG611DJ
DG612DJ
DG611DY
DG612DY
DG611AK / 883 , 5962-9325501MEA
DG612AK / 883 , 5962-9325502MEA
DG611AZ / 883 , 5962-9325501M2A
DG612AZ / 883 , 5962-9325502M2A
产品型号
16引脚CERDIP
-55 125℃
55 125_C
LCC-20
DG613
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
LCC-20
DG613DJ
DG613DY
DG613AK / 883 , 5962-9325503MEA
DG613AZ / 883 , 5962-9325503M2A
-55到125°C
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至21 V
V-至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -19 V至0.3 V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1 V至(V +) + 1伏
或20mA ,以先到者为准
V
INA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -1 V至(V +) + 1伏
或20mA ,以先到者为准
V
S
, V
D
a
存储温度:
陶瓷浸渍。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
塑料。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
470毫瓦
600毫瓦
900毫瓦
900毫瓦
功率耗散(套餐) B
16引脚塑料DIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚窄体SOIC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚CERDIP
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20引脚LCC
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -0.3 V至( V- ), + 16 V
或20mA ,以先到者为准
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"30
mA
当前,S或D(脉冲1
女士,
10 %占空比) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"100
mA
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
推荐工作范围
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5 V至21 V
V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10 V至0 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 V至V +
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S
FaxBack 408-970-5600
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
L
V
类似物
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V-至(V +) - 5伏
4-2
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
阻力
比赛投注通道。
来源OFF泄漏
流掉
漏电流
开关ON
漏电流
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -1毫安,V
D
= 0 V
Dr
DS ( ON)
I
S( OFF)
I
D(关闭)
I
D(上)
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
V– = –5 V, V+ = 12 V
房间
房间
房间
房间
房间
18
–5
7
45
60
–5
7
45
60
V
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+
V = 15 V, V– = –3 V
V V
3
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
温度
b
T
典型值
T
c
d
最大
d
d
最大
d
U I
单位
W
2
"0.001
"0.001
"0.001
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.4
–40
0.25
20
0.25
20
0.4
40
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.4
–40
0.25
20
0.25
20
0.4
40
nA
A
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
IH
V
IL
I
IN
C
IN
房间
房间
0.005
5
–1
–20
4
1
1
20
–1
–20
4
1
1
20
V
mA
pF
动态特性
关机状态下输入电容
关态输出电容
在国家输入电容
带宽
开启时间
e
打开-O FF时间
e
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
CH 。注射变化
E,G
关断隔离
e
相声
e
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
秒(上)
BW
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
Q
DQ
OIRR
X
TALK
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
R
L
= 50
W
R
L
= 300
W
, C
L
= 3 pF的,V
S
=
"2
V
p ,
S T吨次是图2
见测试电路,网络连接
R
L
= 300
W
, C
L
= 75 pF的
V
S
=
"2
V
见测试电路,图2
C
L
= 1 nF的,V
S
= 0 V
C
L
= 1 nF的,
b
V
S
b
v
3 V
R
IN
= 50
W
, R
L
= 50
W
F = 5兆赫
R
IN
= 10
W
, R
L
= 50
W
, F = 5兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3
2
10
500
12
8
19
16
4
3
74
87
4
4
pC
25
20
35
50
25
35
25
20
35
50
25
35
ns
兆赫
pF
F
dB
电源
积极
电源电流
电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
V
IN
= 0 V或5 V
I
L
I
GND
房间
房间
房间
房间
0.005
–0.005
0.005
–0.005
–1
–5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
1
5
A
mA
文档编号: 70057
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特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非另有说明
参数
P
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -1毫安,V
D
= 1 V
房间
25
0
7
60
0
7
60
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
S B升
V+ = 15 V, V– = –3 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
温度
b
T
典型值
T
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
U I
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
t
ON
t
关闭
R
L
= 300
W
, C
L
= 3 pF的,V
S
= 2 V
p ,
见测试电路,网络连接
S T吨次是图2
房间
房间
15
10
30
25
30
ns
25
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
DQ
=
b
在V Q
S
= 3 V - Q在V
S
= –3 V
b
.
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典型特征( 25_C除非另有说明)
r
DS ( ON)
与V
D
与电源电压
400
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
350
300
250
200
150
100
50
0
–5 –4
–2
0
2
4
6
V
D
- 漏极电压( V)
8
10
12
V+ = 5 V
V– = –5 V
V+ = 15 V
V– = –3 V
V+ = 12 V
V– = –5 V
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
I
S
= -1毫安
400
350
300
250
200
150
25_C
100
50
0
–4
–2
0
2
4
6
8
V
D
- 漏极电压( V)
10
12
125_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –3 V
I
S
= -1毫安
r
DS ( ON)
与V
D
和温度
漏电流与模拟电压
3
V+ = 15 V
V– = –3 V
I S (关闭) , I D (关闭) - 漏电流( A)
10 nA的
1 nA的
漏电流与温度的关系
2
I S , I D - 漏电流(PA )
1
I
S(关闭) ,
I
D(关闭)
0
100 pA的
I
D(上)
10 pA的
I
S(关闭) ,
I
D(关闭)
–1
I
D(上)
–2
1 pA的
–3
–4
–2
0
2
4
6
8
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
10
0.1帕
–55
–25
0
25
50
温度(℃)
75
100
125
6
输入开关阈值与V
L
24
V+ = 15 V
V– = –3 V
22
20
18
开关时间与温度
5
V TH - 逻辑输入电压(V )
t
ON
4
时间(纳秒)
16
14
12
10
8
6
V+ = 15 V
V– = –3 V
R
L
= 300
W
C
L
= 10 pF的
t
关闭
3
2
1
4
2
0
0
5
10
15
V
L
- 逻辑电源电压( V)
0
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105
125
温度(℃)
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联系人:吴小姐
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