DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
高速，低毛刺D / CMOS模拟开关
描述
该DG611 /六百一十三分之六百十二功能，高速低电容
横向DMOS开关。电荷注入已
最小化，以优化在快速采样和保持性能
应用程序。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
拦截高达16 V
p-p
当关闭。电容已
最小化，确保快速切换和低突波能量。对
实现这样的快速和干净的开关性能，将
DG611 /六百十三分之六百一十二都建立在日前，Vishay Siliconix公司专有
D / CMOS工艺。这个过程结合了n沟道DMOS
与低功耗CMOS控制逻辑开关FET和
驱动程序。外延层可以防止闭锁。
该DG611和DG612的区别仅在于它们回应
相反的逻辑电平。多功能DG613有两个常
开放和两个常闭开关。它可以给出
各种配置，包括4 SPST ， SPDT 2 ， 1
DPDT 。
有关更多信息，请参阅应用说明AN207
（ FaxBack号70605 ） 。
特点
快速切换 - 吨
ON
： 12纳秒
低电荷注入：
±
2 PC
宽带： 500兆赫
5 V CMOS逻辑兼容
低R
DS （ ON）
: 18
Ω
低静态功耗： 1.2纳瓦
单电源供电
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
提高数据吞吐量
最小开关瞬变
提高系统性能
轻松连接
低插入损耗
最低功耗
应用
快速采样和保持
同步解调器
像素率的视频切换
磁盘/磁带驱动器
DAC去毛刺
开关电容滤波器
砷化镓场效应管驱动器
卫星接收机
功能框图及引脚配置
DG611
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
9
10
11
12 13
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
关键
S
1
V-
NC
GND
S
4
4
5
6
7
8
3
2
DG611
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
1
20
19
18
17
S
2
V+
NC
V
L
S
3
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
1 V
逻辑"1"
≥
4 V
DG611
ON
关闭
DG612
关闭
ON
双列直插式
13
和SOIC
顶视图
12
11
10
9
LCC
顶视图
16
15
14
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70057
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
www.vishay.com
1
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG613
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
IN
2
D
2
S
2
关键
S
1
V-
NC
GND
S
4
4
5
6
7
8
9
10
3
2
DG613
D
1
IN
1
NC
1
IN
2
D
2
19
18
17
S
2
V+
NC
V
L
S
3
20
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
1 V
逻辑"1"
≥
4 V
SW
1
， SW
4
关闭
ON
SW
2
， SW
3
ON
关闭
双列直插式
13 V+
和SOIC
顶视图
12
11
10
9
V
L
S
3
D
3
IN
3
LCC
顶视图
16
15
14
11 12
13
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
订购信息
温度范围
DG611/612
DG611DJ
DG611DJ-E3
DG612DJ
DG612DJ-E3
DG611DY
DG611DY-E3
DG611DY-T1
DG611DY-T1-E3
DG612DY
DG612DY-E3
DG612DY-T1
DG612DY-T1-E3
DG613DJ
DG613DJ-E3
DG613DY
DG613DY-E3
DG613DY-T1
DG613DY-T1-E3
包
产品型号
16引脚塑料DIP
- 4085 ℃下
16引脚窄体SOIC
DG613
16引脚塑料DIP
- 4085 ℃下
16引脚窄体SOIC
www.vishay.com
2
文档编号： 70057
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
V +至GND
V-至GND
V
L
到GND
V
INA
V
S
, V
Da
连续电流（任何终端）
目前， S或D（脉冲在1微秒10 ％占空比）
储存温度
CERDIP
塑料
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚窄体SOIC
d
16引脚CERDIP
20引脚LCC
e
e
极限
- 0.3 21
- 0.3 21
- 19 0.3
- 1 （V +） + 1个
或20mA ，以先到者为准
（ V - ） - 1 （V +） + 1个
或20mA ，以先到者为准
（ V - ） - 0.3至（V +） + 16
或20mA ，以先到者为准
± 30
± 100
- 65 150
- 65 125
470
600
900
900
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
推荐工作范围
参数
V+
V-
V
L
V
IN
V
类似物
极限
5至21
- 10 0
4到V +
0到V
L
V-至（V + ） - 5-
V
单位
文档编号： 70057
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
www.vishay.com
3
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 3 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
电阻匹配投注章。
来源OFF泄漏
流掉泄漏电流
交换机上的漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
动态特性
关机状态下输入电容
关态输出电容
在国家输入电容
带宽
开启时间
e
打开-O FF时间
e
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
CH 。注射变化
E，G
关断隔离
e
相声
e
后缀
- 55至125℃的
温度
b
满
房间
满
房间
房间
热
房间
热
房间
热
满
满
房间
热
房间
0.005
5
3
2
10
500
12
8
19
16
4
3
74
4
25
20
35
50
25
35
18
2
± 0.001 - 0.25
- 20
± 0.001 - 0.25
- 20
± 0.001 - 0.4
- 40
4
-1
- 20
1
1
20
典型值
c
民
d
-5
最大
d
7
45
60
0.25
20
0.25
20
0.4
40
后缀
- 4085 ℃下
民
d
-5
最大
d
7
45
60
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.4
- 40
4
-1
- 20
1
1
20
0.25
20
0.25
20
0.4
40
单位
V
Ω
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
IH
V
IL
I
IN
C
IN
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
秒（上）
BW
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
Q
ΔQ
OIRR
X
TALK
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
V- = - 5 V, V+ = 12 V
I
S
= - 1毫安， V
D
= 0 V
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
nA
V
A
pF
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
R
L
= 50
Ω
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 3 pF的
V
S
= ± 2 V,
见测试电路，图2
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 75 pF的
V
S
= ± 2 V,
见测试电路，图2
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V
C
L
= 1 nF的，
|
V
S
|
≤
3 V
R
IN
= 50
Ω,
R
L
= 50
Ω
F = 5兆赫
R
IN
= 10
Ω,
R
L
= 50
Ω
F = 5兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
pF
兆赫
25
20
35
50
25
35
4
ns
pC
dB
87
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
V
IN
= 0 V或5 V
I
L
I
GND
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.005
- 0.005
0.005
- 0.005
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
www.vishay.com
4
文档编号： 70057
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
DG611/612/613
Vishay Siliconix公司
规格为单极性用品
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 3 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
ΔQ
=
|
在V Q
S
= 3 V - Q在V
S
= - 3 V
|
.
t
ON
t
关闭
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 3 pF的
V
S
= 2 V,
见测试电路，图2
房间
房间
15
10
30
25
30
25
ns
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= - 1毫安， V
D
= 1 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
温度
b
满
房间
25
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
0
最大
d
7
60
后缀
- 4085 ℃下
民
d
0
最大
d
7
60
单位
V
Ω
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
400
I
S
= - 1毫安
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
350
300
250
200
150
100
50
0
-5 -4
-2
0
2
4
6
V
D
- 漏极电压（ V）
8
10
12
-3
-4
V+ = 5 V
V- = - 5 V
V+ = 15 V
V- = - 3 V
I S ， I D - 漏电流（PA ）
V+ = 12 V
V- = - 5 V
2
3
V+ = 15 V
V- = - 3 V
1
I
S（关闭） ，
I
D（关闭）
0
-1
I
D（上）
-2
-2
0
2
4
6
8
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
10
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
漏电流与模拟电压
文档编号： 70057
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
www.vishay.com
5
DG611 ， DG612 ， DG613
Vishay Siliconix公司
高速，低毛刺D / CMOS模拟开关
描述
该DG611 ， DG612 ， DG613功能，高速低
电容横向DMOS开关。电荷注入有
被最小化，以优化在快速性能采样和
持申请。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
拦截高达16 V
p-p
当关闭。电容已
最小化，确保快速切换和低突波能量。对
实现这样的快速和干净的开关性能，将
DG611 ， DG612 ， DG613都是建立在日前，Vishay Siliconix公司
专有的D / CMOS工艺。这个过程相结合
n沟道DMOS开关FET的低功耗CMOS
控制逻辑和驱动程序。外延层可以防止闭锁。
该DG611和DG612的区别仅在于它们回应
相反的逻辑电平。多功能DG613有两个常
开放和两个常闭开关。它可以给出
各种配置，包括4 SPST ， SPDT 2 ， 1
DPDT 。
有关更多信息，请参阅应用说明AN207 。
特点
快速切换 - 吨
ON
： 12纳秒
低电荷注入： ± 2 PC
宽带： 500兆赫
5 V CMOS逻辑兼容
低R
DS （ ON）
: 18
低静态功耗： 1.2纳瓦
单电源供电
好处
提高数据吞吐量
最小开关瞬变
提高系统性能
轻松连接
低插入损耗
最低功耗
应用
快速采样和保持
同步解调器
像素率的视频切换
磁盘/磁带驱动器
DAC去毛刺
开关电容滤波器
砷化镓场效应管驱动器
卫星接收机
功能框图及引脚配置
DG611
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
9
10
11
12 13
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
关键
S
1
V-
NC
GND
S
4
4
5
6
7
8
3
2
DG611
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
1
20
19
18
17
S
2
V+
NC
V
L
S
3
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
1 V
逻辑“1”的
4
V
DG611
ON
关闭
DG612
关闭
ON
双列直插式
13
和SOIC
顶视图
12
11
10
9
LCC
顶视图
16
15
14
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70057
S11-0154 -REV 。我， 31 -JAN- 11
www.vishay.com
1
DG611 ， DG612 ， DG613
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG613
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
IN
2
D
2
S
2
关键
S
1
V-
NC
GND
S
4
4
5
6
7
8
9
10
3
2
DG613
D
1
IN
1
NC
1
IN
2
D
2
19
18
17
S
2
V+
NC
V
L
S
3
20
每包四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
1 V
逻辑“1”的
4
V
SW
1
， SW
4
关闭
ON
SW
2
， SW
3
ON
关闭
双列直插式
13 V+
和SOIC
顶视图
12
11
10
9
V
L
S
3
D
3
IN
3
LCC
顶视图
16
15
14
11 12
13
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
订购信息
TEMP 。 RANGE
DG611 ， DG612
DG611DJ
DG611DJ-E3
DG612DJ
DG612DJ-E3
DG611DY
DG611DY-E3
DG611DY-T1
DG611DY-T1-E3
DG612DY
DG612DY-E3
DG612DY-T1
DG612DY-T1-E3
DG613DJ
DG613DJ-E3
DG613DY
DG613DY-E3
DG613DY-T1
DG613DY-T1-E3
包
产品型号
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
DG613
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
www.vishay.com
2
文档编号： 70057
S11-0154 -REV 。我， 31 -JAN- 11
DG611 ， DG612 ， DG613
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
V +至GND
V-至GND
V
L
到GND
V
INA
V
S
, V
Da
连续电流（任何终端）
目前， S或D（脉冲在1微秒10 ％占空比）
储存温度
CERDIP
塑料
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
20引脚LCC
e
e
d
极限
- 0.3 21
- 0.3 21
- 19 0.3
- 1 （V +） + 1个
或20mA ，以先到者为准
（ V - ） - 1 （V +） + 1个
或20mA ，以先到者为准
（ V - ） - 0.3至（V +） + 16
或20mA ，以先到者为准
± 30
± 100
- 65 150
- 65 125
470
600
900
900
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
推荐工作范围
参数
V+
V-
V
L
V
IN
V
类似物
极限
5至21
- 10 0
4到V +
0到V
L
V-至（V + ） - 5-
V
单位
文档编号： 70057
S11-0154 -REV 。我， 31 -JAN- 11
www.vishay.com
3
DG611 ， DG612 ， DG613
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 3 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
V- = - 5 V, V+ = 12 V
I
S
= - 1毫安， V
D
= 0 V
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
房间
满
房间
房间
热
房间
热
房间
热
满
满
房间
热
房间
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
R
L
= 50
R
L
= 300
C
L
= 3 pF的
V
S
= ± 2 V,
见测试电路，图2
R
L
= 300
C
L
= 75 pF的
V
S
= ± 2 V,
见测试电路，图2
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V
C
L
= 1 nF的，
|
V
S
|
3 V
R
IN
= 50
R
L
= 50
F = 5兆赫
R
IN
= 10
,
R
L
= 50
F = 5兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
0.005
5
3
2
10
500
12
8
19
16
4
3
74
dB
87
4
4
25
20
35
50
25
35
25
20
35
50
25
35
ns
兆赫
pF
典型值。
c
分钟。
d
-5
18
2
± 0.001
± 0.001
± 0.001
马克斯。
d
7
45
60
0.25
20
0.25
20
0.4
40
分钟。
d
-5
马克斯。
d
7
45
60
0.25
20
0.25
20
0.4
40
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
电阻匹配投注章。
来源OFF泄漏
流掉泄漏电流
交换机上的漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
动态特性
关机状态下输入电容
关态输出电容
在国家输入电容
带宽
开启时间
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
IH
V
IL
I
IN
C
IN
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
秒（上）
BW
t
ON
t
关闭
t
ON
t
关闭
Q
Q
OIRR
X
TALK
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.4
- 40
4
-1
- 20
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.4
- 40
4
nA
1
1
20
-1
- 20
1
1
20
V
A
pF
打开-O FF时间
e
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
CH 。注射变化
E，G
关断隔离
e
相声
e
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
pC
I+
I-
V
IN
= 0 V或5 V
I
L
I
GND
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.005
- 0.005
0.005
- 0.005
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
A
1
5
www.vishay.com
4
文档编号： 70057
S11-0154 -REV 。我， 31 -JAN- 11
DG611 ， DG612 ， DG613
Vishay Siliconix公司
规格为单极性用品
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 3 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 4 V, 1 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
I
S
= - 1毫安， V
D
= 1 V
R
L
= 300
C
L
= 3 pF的
V
S
= 2 V,
见测试电路，图2
房间
房间
房间
25
15
10
Ty.p
c
分钟。
d
0
马克斯。
d
7
60
30
25
分钟。
d
0
马克斯。
d
7
60
30
25
ns
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
开关导通电阻
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
Q
=
|
在V Q
S
= 3 V - Q在V
S
= - 3 V
|
.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
400
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
I
S
= - 1毫安
350
300
250
200
150
100
50
0
-5 -4
-2
0
2
4
6
V
D
- 漏极电压（ V）
8
10
12
-3
-4
V+ = 5 V
V- = - 5 V
V+ = 15 V
V- = - 3 V
I
S
, I
D
- 漏电流（PA ）
V+ = 12 V
V- = - 5 V
2
3
V+ = 15 V
V- = - 3 V
1
I
S（关闭） ，
I
D（关闭）
0
-1
I
D（上）
-2
-2
0
2
4
6
8
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
10
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
漏电流与模拟电压
文档编号： 70057
S11-0154 -REV 。我， 31 -JAN- 11
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
