DG540 ， DG541 ， DG542
Vishay Siliconix公司
宽带/视频“ T”开关
描述
该DG540 ， DG541 ， DG542是高性能
单片宽带/视频切换器设计用于切换
射频，视频和数字信号。通过利用"T"开关
每个通道上的结构中，这些设备实现
极低的串扰和高关断隔离。该
串扰和关断隔离的DG540的进一步提高
通过引入信号引脚之间额外的GND引脚。
为了实现TTL兼容，低通道电容和
快速的切换时间时， DG540家族是建立在威世
Siliconix公司专有的D / CMOS工艺。每个开关
导电性能相同，在两个方向上的时候。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
宽带宽： 500 MHZ
低串扰： - 85分贝
高关断隔离： - 80分贝在5 MHz
"T"交换机配置
TTL和CMOS逻辑兼容
快速开关 - 吨
ON
： 45纳秒
低R
DS （ ON）
: 30
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
平坦的频率响应
高色彩保真度
低插入损耗
提高系统性能
减少电路板空间
降低功耗
提高数据吞吐量
射频和视频切换
RGB切换
局域网和广域网
视频路由
快速数据采集
吃
雷达/ FLR系统
视频复用
DG540
PLCC
IN 1
IN 2
应用
功能框图及引脚配置
DG540
双列直插式
IN
1
D
1
GND
S
1
V-
GND
S
4
GND
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
顶视图
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
GND
S
3
GND
9
D4
D
3
IN
3
10 11 12 13
IN3
IN4
D3
GND
S
1
V-
GND
S
4
GND
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
GND
S
2
V+
GND
S
3
GND
3
2
D1
1
20 19
顶视图
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2
V
文档编号： 70055
S11-1429 -REV 。 H， 18月， 11
www.vishay.com
1
开关
关闭
ON
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D2
DG540 ， DG541 ， DG542
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG541
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
2
D
2
S
2
V+
GND
S
3
D
3
IN
3
IN
1
D
1
GND
S
1
V-
S
4
GND
D
4
1
2
3
4
5
6
7
8
DG542
双列直插式和SOIC
16
15
14
13
12
11
10
9
顶视图
IN
2
D
2
GND
S
2
V+
S
3
GND
D
3
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
真值表 - DG541
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2
V
开关
关闭
ON
真值表 - DG542
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2
V
SW
1
， SW
2
关闭
ON
SW
3
， SW
4
ON
关闭
订购信息
温度范围
DG540
- 4085 ℃下
- 55至125℃的
DG541
- 4085 ℃下
- 55至125℃的
DG542
- 4085 ℃下
- 55至125℃的
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚Sidebraze
DG542DJ-E3
DG542DY-T1-E3
DG542AP
DG542AP / 883 ， 5962-91555201MEA
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚Sidebraze
DG541DJ-E3
DG541DY-T1-E3
DG541AP
DG541AP / 883 ， 5962-9076401MEA
包
20引脚塑料DIP
20引脚PLCC
20引脚Sidebraze
DG540DJ-E3
DG540DN-E3
DG540AP
DG540AP/883
产品型号
www.vishay.com
2
文档编号： 70055
S11-1429 -REV 。 H， 18月， 11
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DG540 ， DG541 ， DG542
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
V +至V-
V +至GND
V-至GND
数字输入
V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
当前，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大值）
（AP后缀）
储存温度
（ DJ ， DN ， DY后缀）
16引脚塑料DIP
b
20引脚塑料DIP
c
功耗
（包）
a
16引脚窄体
20引脚PLCC
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6.5毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免7毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免10毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
d
符号
极限
- 0.3 21
- 0.3 21
- 19 + 0.3
（ V - ） - 0.3至（V +） + 0.3
或20mA ，以先到者为准
（ V - ） - 0.3至（V +） + 14
或20mA ，以先到者为准
20
40
- 65 150
- 65 125
470
800
单位
V
mA
°C
SOIC
d
640
800
900
mW
16 ， 20引脚DIP Sidebraze
e
原理图
（典型频道）
V+
GND
V
REF
S
IN
-
+
D
V-
图1 。
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 3 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
通道泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
动态特性
在国家输入电容
e
关机状态下输入电容
e
关态输出电容
e
带宽
开启时间
C
秒（上）
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
BW
t
ON
V
S
= V
D
= 0 V
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
R
L
= 50
,
参见图5
DG540
DG541
R
L
= 1 k
C
L
= 35 pF的
50 ％至90％
见图2
DG542
DG540
DG541
DG542
电荷注入
Q
C
L
= 1000 PF， V
S
= 0 V
见图3
R
IN
= 75
R
L
= 75
DG540
DG541
F = 5兆赫
参见图4
DG542
R
IN
= 10
,
R
L
= 75
F = 5兆赫，参见图6
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
14
2
2
500
45
55
20
25
- 25
- 80
- 60
- 75
- 85
dB
70
130
100
160
50
85
60
85
70
130
100
160
50
85
60
85
20
4
4
20
4
4
兆赫
pF
V
INH
V
INL
I
IN
V
IN
= GND或V +
满
满
房间
满
0.05
2
-1
- 20
0.8
1
20
2
-1
- 20
0.8
1
20
V
A
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
INH
= 2 V, V
INL
= 0.8 V
f
V- = - 5 V, V+ = 12
I
S
= - 10毫安，V
D
= 0 V
V
S
= 0 V, V
D
= 10 V
V
S
= 10 V, V
D
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V
温度。
b
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
典型值。
c
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
分钟。
d
-5
30
2
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 10
- 500
- 10
- 500
- 10
- 1000
马克斯。
d
5
60
100
6
10
500
10
500
10
1000
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
60
75
6
10
100
10
100
10
100
单位
V
- 10
- 100
- 10
- 100
- 10
- 100
nA
ns
打开-O FF时间
t
关闭
pC
关断隔离
OIRR
一切敌对串音
电源
正电源电流
负电源电流
X
TALK （ AH ）
I+
所有通道ON或OFF
I-
房间
满
房间
满
3.5
- 3.2
-6
-9
6
9
-6
-9
6
9
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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S11-1429 -REV 。 H， 18月， 11
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DG540 ， DG541 ， DG542
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
6
5
4
I+
I S （关闭） ， I D （关闭） - 泄漏
3
2
我（毫安）
1
0
-1
-2
I-
-3
-4
-5
- 55
0.1帕
1 nA的
10 nA的
100 nA的
I
GND
100 pA的
10 pA的
1 pA的
- 35
- 15
5
25
45
65
温度（℃）
85
105
125
- 55
- 25
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
电源电流与温度的关系
160
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
140
120
100
80
60
40
20
0
-3
-1
1
3
5
7
9
11
V
D
–
漏
电压
(V)
- 55 °C
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
V+ = 15 V
V- = - 3 V
125 °C
42
I
D（关闭）
, I
S（ OFF）
与温度的关系
42
V+ = 10 V
40
38
36
34
32
V+ = 15 V
30
20
18
-5 -4 -3
-2 -1
0
V- - 负电源（ V）
30
20
18
10 11 12 13 14 15 16
V + - 正电源（ V）
V- = - 1 V
V+ = 12 V
40
38
V- = - 5 V
36
34
V- = - 3 V
32
25 °C
R
DS （ ON）
与漏极电压
22
20
18
16
ISO （ dB）的
C（ pF）的
- 110
- 100
- 90
- 80
- 70
- 60
- 50
- 40
V +恒
V-恒
R
L
= 75
Ω
DG540
14
12
10
DG542
DG541
- 30
8
6
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D
- 漏极电压（ V）
- 20
- 10
1
10
的F - 频率（MHz ）
100
在电容
关断隔离
文档编号： 70055
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