DG535/536
Vishay Siliconix公司
16通道宽带视频多路复用器
特点
D
D
D
D
D
D
D
相声： -100分贝@ 5 MHz的
300 MHz带宽
低输入和输出电容
低功耗： 75
mW
低R
DS （ ON）
: 50
W
板载地址锁存器
禁止输出
好处
D
高视频质量
D
减少了插入损耗
D
降低输入缓冲器
需求
D
功耗降至最低
D
简化总线接口
D
D
D
D
D
D
应用
视频交换/路由
高速数据路由
RF信号多路复用
精密数据采集
交叉点阵列
FLIR系统
描述
的DG535 / 536为16信道多路复用器设计
路由16宽频带的模拟或数字输入信号中的一个给
单一输出。它们具有低输入和输出电容，低
导通电阻，并且n沟道DMOS的“T”型开关，从而导致
宽带宽，低串扰和高“关闭”隔离。在上
状态时，开关通过在任何一个方向的信号，使它们
被用作多路转换器或作为多路分解器。
和低75 mW的功耗大大降低功耗
供电要求。
论文的设备都建立在一个专有的D / CMOS工艺
它创建低电容DMOS FET和高速，
在同一衬底上的低功率CMOS逻辑电路。
片上的地址锁存器和解码逻辑简化
微处理器接口。片选和使能输入
简化大型矩阵寻址。单电源供电
欲了解更多信息，请参阅日前，Vishay Siliconix公司
应用笔记AN501 （ FaxBack文件编号70608 ） 。
功能框图及引脚配置
DG536
GND
S
8
S
7
S
6
S
5
S
4
S
3
S
2
S
1
DIS
CS
CS
EN
A
0
GND
GND
GND
GND
S4
GND
S5
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
锁存器/解码器/驱动器
13
14
顶视图
双列直插式
16
15
A
2
A
1
DG535
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
S
9
S
10
S
11
S
12
S
13
S
14
S
15
S
16
D
V+
ST
A
3
DIS
CS
CS
EN
A
0
A
1
A
2
A
3
ST
V+
D
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
PLCC / CERQUAD
S1
S2
S3
6 5 4 3 2
1 44 43 42 41 40
39
38
37
36
35
锁存器/
解码器/
DRIVERS
34
33
32
31
30
29
S
6
GND
S
7
GND
S
8
GND
S
9
GND
S
10
GND
S
11
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
S
16
GND
S
15
GND
S
14
GND
S
13
GND
S
12
GND
GND
顶视图
www.vishay.com
文档编号： 70070
S- 02315 -REV 。 D， 05 - OCT- 00
5-1
DG535/536
Vishay Siliconix公司
真值表和订购信息
订购信息
温度范围
-40到85°C
_
包
28引脚塑料DIP
44引脚PLCC
28引脚Sidebraze
44引脚CERQUAD
产品型号
DG535DJ
DG536DN
DG535AP
DG535AP/883
DG536AM/883
-55到125°C
125 C
真值表
EN
0
X
X
CS
X
0
X
CS
X
X
1
ST
a
1
A
3
X
0
0
0
0
0
0
0
0
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
通道
选
无
S
1
S
2
S
3
S
4
S
5
S
6
S
7
S
8
S
9
S
10
S
11
S
12
S
13
S
14
S
15
S
16
保持先前的
开关状态
关闭
b
高Z
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
低Z
X
X
X
0
X
高Z
or
低Z
逻辑“0” = V
AL
v
4.5 V
逻辑“1” = V
AH
w
10.5 V
X =无关
注意事项：
一。选通输入（ST）是触发电平。
B 。低阻抗，高Z =禁用输出到GND的阻抗。禁止输出
吸收电流时，选择任何通道。
绝对最大额定值
V +至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+18 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。端（GND - 0.3 V）至（ V +加2 V）或
20 mA，且以先到者为准
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND - 0.3 V ）到V +加2 V）或
20 mA，且以先到者为准
电流（任何终端）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
电流（ S或D）的脉冲1毫秒的10％的占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40毫安
储存温度
（后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免8.6毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免16毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免6毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免11毫瓦/ _C以上75°C 。
文档编号： 70070
S- 02315 -REV 。 D， 05 - OCT- 00
28引脚Sidebraze
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1200毫瓦
44引脚PLCC
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
44引脚CERQUAD
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
功率耗散（包）
a
28引脚塑料DIP
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 625毫瓦
www.vishay.com
5-2
DG535/536
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
电阻匹配
SOURCE OFF
漏电流
在排水
漏电流
禁止输出
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（上）
R
关闭
I
S
= -1毫安，V
D
= 3 V
EN = 10.5 V
序列每个交换机上
V
S
= 3 V, V
D
= 0 V ， EN = 4.5 V
V
S
= V
D
= 3 V ， EN = 10.5 V
I
关闭
= 1毫安， EN = 10.5 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
100
–10
–100
–10
–1000
55
0
10
90
120
9
10
100
10
1000
200
250
–10
–100
–10
–100
0
10
90
120
9
10
100
–10
–100
200
250
nA
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V + = 15 V ， ST ， CS = 10.5 V
CS = 4.5 V ，V
A
= 4.5或10.5 V
f
温度
b
典型值
c
民
c
最大
c
民
c
最大
c
单位
W
数字控制
输入电压高
输入电压低
地址输入电流
地址输入
电容
V
AIH
V
AIL
I
AI
C
A
V
A
= GND或V +
满
满
房间
满
满
<0.01
–1
–100
10.5
4.5
1
100
–1
–100
10.5
4.5
1
100
mA
pF
V
5
动态特性
PLCC
在输入状态
电容
e
C
秒（上）
V
D
= V
S
= 3 V
CERQUAD
DIP
PLCC
关机状态下输入
电容
e
C
S（ OFF）
V
S
= 3 V
CERQUAD
DIP
PLCC
关态输出
电容
e
多路开关时间
突破前先
间隔
EN ， CS ， CS ，ST ，T
ON
EN ， CS ， CS ，ST ，T
关闭
电荷注入
C
D（关闭）
V
D
= 3 V
CERQUAD
DIP
t
TRANS
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
参见图4
参见图2和3中
见图2
参见图5
R
IN
= 75
W
R
L
= 75
W
F = 5兆赫
参见图9
R
IN
= R
L
= 75
W
F = 5兆赫
EN = 4.5 V
参见图8
PLCC
CERQUAD
DIP
PLCC
CERQUAD
DIP
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
满
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
–35
–100
–93
–60
–85
–84
–60
dB
25
300
150
32
35
40
2
5
3
8
12
9
300
25
300
150
pC
300
ns
20
20
55
8
55
8
pF
45
45
单信道串扰
X
TALK （ SC ）
芯片残疾人串扰
X
TALK （ CD）
文档编号： 70070
S- 02315 -REV 。 D， 05 - OCT- 00
www.vishay.com
5-3
DG535/536
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
符号
V + = 15 V ， ST ， CS = 10.5 V
CS = 4.5 V ，V
A
= 4.5或10.5 V
f
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
温度
b
典型值
c
民
c
最大
c
民
c
最大
c
单位
动态特性（续）
R
IN
= 10
W
R
L
= 10千瓦
W
F = 5兆赫
见图10
R
IN
= 10
W
R
L
= 10千瓦
W
F = 5兆赫
参见图7
PLCC
CERQUAD
DIP
PLCC
CERQUAD
DIP
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
–92
–87
–72
–74
–74
–60
500
兆赫
–60
–60
dB
相邻输入串音
X
TALK （ AI）
一切敌对串音
e
X
TALK （ AH ）
带宽
BW
R
L
= 50
W
，参见图6
电源
正电源电流
电源电压范围
I+
V+
任何一个Channgel与选择
在GND或V所有逻辑输入+
房间
满
满
5
10
50
100
16.5
10
50
100
16.5
mA
V
最小输入时序要求
选通脉冲宽度
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
CS ， CS ， EN
数据有效选通
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
CS ， CS ， EN
数据选通后有效
t
SW
t
DW
t
WD
见图1
满
满
满
200
100
50
200
100
50
ns
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
A
=输入电压来执行适当的功能。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
V+ = +15 V
GND = 0 V
400
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
300
270
240
210
180
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
GND = 0 V
T
A
= 25_C
8V
12 V
125_C
150
120
90
60
30
0
15 V
25_C
–55_C
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
www.vishay.com
5-4
文档编号： 70070
S- 02315 -REV 。 D， 05 - OCT- 00
DG535/536
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
逻辑输入开关阈值
与电源电压（V + ）
10
9
8
7
I+ (
m
A)
V TH （ V）
6
5
4
3
2
2
1
0
8
10
12
14
16
18
V + - 正电源（ V）
0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
V + - 正电源（ V）
GND = 0 V
T
A
= 25_C
14
12
10
125_C
8
25_C
6
4
–55_C
GND = 0 V
电源电流与
电源电压和温度
1毫安
100 nA的
I
D（上）
与温度的关系
1
mA
V+ = +15 V
GND = 0 V
V
D
= V
S
= 3 V
I S ， I D - 漏
100 nA的
漏电流与温度的关系
V+ = +15 V
GND = 0 V
I
D（关闭）
I
S（ OFF）
1 nA的
I D （上） - 泄漏
10 nA的
10 nA的
1 nA的
100 pA的
100 pA的
10 pA的
10 pA的
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
温度（℃）
温度（℃）
相邻输入串扰与频率的关系
–120
DG536
R
IN
= 10
W
–4
0
-3 dB带宽插入损耗与频率
–100
DG536
X TALK （ AI ） （分贝）
–80
DG536
R
IN
= 75
W
插入损耗（dB ）
–8
的-3 dB点
–12
测试电路
参见图6
R
L
= 50
W
–60
DG535
R
IN
= 10
W
–40
–16
–20
测试电路
见图10
–20
0.1
1
10
100
1
DG535
0
的F - 频率（MHz ）
10
100
1000
的F - 频率（MHz ）
文档编号： 70070
S- 02315 -REV 。 D， 05 - OCT- 00
www.vishay.com
5-5
DG535/536
Vishay Siliconix公司
16通道宽带视频多路复用器
描述
的DG535 / 536为16信道多路复用器设计
路由16宽频带的模拟或数字输入信号中的一个，以
一个输出。它们具有低输入和输出
电容，低导通电阻，并且n沟道DMOS的“T”型
交换机，产生宽的带宽，低串扰以及高
“关”的隔离。在导通状态时，开关信号传递中
任一方向，从而可以在用作多路转换器或
为解复用器。
片上的地址锁存器和解码逻辑简化
微处理器接口。片选和使能输入
简化大型矩阵寻址。单电源
操作和低75微瓦的功耗大大
降低供电需求。
论文的设备都建立在一个专有的D / CMOS工艺
创造低电容DMOS FET和
高速，在同一衬底上的低功率CMOS逻辑电路。
欲了解更多信息，请参阅日前，Vishay Siliconix公司
应用笔记AN501 （ FaxBack证明文件号码
70608).
特点
串扰： - 100分贝在5 MHz
300 MHz带宽
低输入和输出电容
低功耗： 75 μW
低R
DS （ ON）
: 50
Ω
板载地址锁存器
禁止输出
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
高视频质量
减少了插入损耗
降低输入缓冲器要求
功耗降至最低
简化总线接口
应用
视频交换/路由
高速数据路由
RF信号多路复用
精密数据采集
交叉点阵列
FLIR系统
功能框图及引脚配置
GND
S
8
S
7
S
6
S
5
S
4
S
3
S
2
S
1
DIS
CS
CS
EN
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
锁存器/解码器/驱动器
13
14
顶视图
双列直插式
顶视图
16
15
A
2
A
1
DG535
DG536
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
S
9
GND
GND
S1
S
10
S
11
S
12
DIS
S
13
S
14
S
15
S
16
D
V+
ST
A
3
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
S
16
GND
S
15
GND
S
14
GND
S
13
GND
S
12
GND
GND
CS
CS
EN
A
0
A
1
A
2
A
3
ST
V+
D
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
锁存器/
解码器/
DRIVERS
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
S
6
GND
S
7
GND
S
8
GND
S
9
GND
S
10
GND
S
11
PLCC / CERQUAD
GND
GND
S4
GND
S5
GND
S2
S3
6 5 4 3 2
1 44 43 42 41 40
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70070
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
www.vishay.com
1
DG535/536
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
28引脚塑料DIP
- 4085 ℃下
44引脚PLCC
产品型号
DG535DJ
DG535DJ-E3
DG536DN
DG536DN-E3
真值表
EN
0
X
X
CS
X
0
X
CS
X
X
1
ST
a
1
A
3
X
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
X
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
X
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
X
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
X
频道精选
无
S
1
S
2
S
3
S
4
S
5
S
6
S
7
S
8
S
9
S
10
S
11
S
12
S
13
S
14
S
15
S
16
保持先前的开关状态
关闭
b
高Z
1
1
0
1
低Z
X
X
X
LOGIC "0" = V
AL
≤
4.5 V
逻辑"1" = V
AH
≥
10.5 V
X =不关心
0
高Z或低Z
注意事项：
一。选通输入（ST）是触发电平。
B 。低阻抗，高Z =禁用输出到GND的阻抗。禁止输出电流下沉时，选择任何通道。
绝对最大额定值
参数
V +至GND
数字输入
V
S
, V
D
电流（任何终端）连续
电流（ S或D）的脉冲1毫秒的10％占空比
（后缀）
储存温度
（D后缀）
功率耗散（包）
a
28引脚塑料DIP
b
28引脚Sidebraze
c
44引脚PLCC
d
44引脚CERQUAD
e
极限
- 0.3 + 18
（GND - 0.3 ）至（V + ）+2
或20mA ，以先到者为准
（GND - 0.3 ）至（V + ）+2
或20mA ，以先到者为准
20
40
- 65 150
- 65 125
625
1200
450
825
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免8.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免16毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免11毫瓦/°C， 75°C以上。
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文档编号： 70070
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V + = 15 V ， ST ， CS = 10.5 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
电阻匹配
来源OFF漏电流
漏极泄漏电流
禁止输出
数字控制
输入电压高
输入电压低
地址输入电流
地址输入电容
动态特性
PLCC
在国家输入电容
e
C
秒（上）
V
D
= V
S
= 3 V
CERQUAD
DIP
PLCC
关机状态下输入电容
e
C
S（ OFF）
V
S
= 3 V
CERQUAD
DIP
关态输出
电容
e
多路开关时间
突破前先间隔
EN ， CS ， CS ，ST ，T
ON
EN ， CS ， CS ，ST ，T
关闭
电荷注入
单信道串扰
PLCC
C
D（关闭）
t
TRANS
t
开放
t
ON
t
关闭
Q
X
TALK （ SC ）
V
D
= 3 V
CERQUAD
DIP
参见图4
参见图2和3中
见图2
参见图5
R
IN
= 75
Ω,
R
L
= 75
Ω
F = 5兆赫
参见图9
R
IN
= R
L
= 75
Ω,
F = 5兆赫
EN = 4.5 V
参见图8
R
IN
= 10
Ω,
R
L
= 10 kΩ
F = 5兆赫
见图10
R
IN
= 10
Ω,
R
L
= 10 kΩ
F = 5兆赫
参见图7
PLCC
CERQUAD
DIP
PLCC
CERQUAD
DIP
PLCC
CERQUAD
DIP
PLCC
CERQUAD
DIP
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
满
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
- 35
- 100
- 93
- 60
- 85
- 84
- 60
- 92
- 87
- 72
- 74
- 74
- 60
500
兆赫
- 60
- 60
dB
25
300
150
32
35
40
2
5
3
8
12
9
300
25
300
150
pC
ns
300
20
20
55
8
55
8
pF
45
45
V
AIH
V
AIL
I
AI
C
A
V
A
= GND或V +
满
满
房间
满
满
＆ LT ; 0.01
5
10.5
-1
- 100
4.5
1
100
10.5
-1
- 100
4.5
1
100
V
A
pF
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（上）
R
关闭
I
S
= - 1毫安， V
D
= 3 V ， EN = 10.5 V
序列每个交换机上
V
S
= 3 V, V
D
= 0 V ， EN = 4.5 V
V
S
= V
D
= 3 V ， EN = 10.5 V
I
关闭
= 1毫安， EN = 10.5 V
CS = 4.5 V ，V
A
= 4.5或10.5 V
f
温度
b
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
55
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
c
0
最大
c
10
90
120
9
10
100
10
1000
200
250
后缀
- 4085 ℃下
民
c
0
最大
c
10
90
120
9
10
100
- 10
- 100
200
250
单位
V
Ω
- 10
- 100
- 10
- 1000
100
- 10
- 100
- 10
- 100
nA
Ω
芯片残疾人串扰
X
TALK （ CD）
相邻输入串音
X
TALK （ AI）
一切敌对串音
带宽
e
X
TALK （ AH ）
BW
R
L
= 50
Ω,
参见图6
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V + = 15 V ， ST ， CS = 10.5 V
参数
电源
正电源电流
电源电压范围
符号
CS = 4.5 V ，V
A
= 4.5或10.5 V
f
温度
b
房间
满
满
满
满
见图1
满
50
50
典型值
c
5
10
200
100
后缀
- 55至125℃的
民
c
最大
c
50
100
16.5
后缀
- 4085 ℃下
民
c
最大
c
50
100
16.5
单位
I+
V+
任何一个Channge ，我选择了所有
在GND或V逻辑输入+
A
V
10
200
100
最小输入时序要求
t
SW
选通脉冲宽度
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
CS ， CS ， EN
数据有效选通
A
0
, A
1
, A
2
, A
3
CS ， CS ， EN
数据选通后有效
t
DW
t
WD
ns
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
A
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
400
R DS（ON ） - 漏源导通电阻（ Ω ）
R DS（ON ） - 漏源导通电阻（ Ω ）
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
2
4
6
8
10
V
D
- 漏极电压（ V）
- 55 °C
25 °C
125 °C
V+ = +15 V
GND = 0 V
300
270
240
210
180
12 V
150
120
90
60
30
0
0
2
4
6
8
10
V
D
- 漏极电压（ V）
15 V
8V
GND = 0 V
T
A
= 25 °C
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
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