DG506B ， DG507B
Vishay Siliconix公司
精密16通道/双8通道CMOS模拟多路复用器
描述
该DG506B和DG507B是高性能模拟
多路复用器。其超低的开关电荷注入，低
通道电容，低漏电的水平让他们
实现出色的开关性能。该DG506B是
16通道单端模拟多路转换器设计为
连接的16的一个输入为一个公共输出
通过一个4位的二进制地址（ A0，A1， A2，A3）来确定。该
DG507B是一款双8通道差分模拟多路复用器
用于连接的8路差分输入之一到一
如通过它的3位二进制确定共同的双输出
地址（ A0，A1， A2）。盈亏- make之前开关动作
防止相邻之间的串扰瞬间
通道。
一个通道导通电流同样在这两个
方向。在关断状态的每个信道的块的最大电压为
电源轨。使能（ EN）功能允许
用户复位信号多路复用器/多路分解器，以关闭所有开关
堆叠多台设备。所有的控制输入，地址
（ AX）和使能（ EN ）为TTL在整个兼容
特定网络编辑的工作温度范围。
该DG506B和DG507B均制作于增强的
SG -II的CMOS工艺，可实现改进的性能
于：降低的电荷注入，下位装置的泄漏，并
最小化寄生电容。
由于DG506 ， DG507有着悠久的历史，在同行业中具有
许多供应商提供的副本，并且在某些情况下改进
变化，与同类最佳的改进，威世
的DG506B的Siliconix的新版本， DG507B是
优良替代目前什么是可用的。
应用程序的DG506B ， DG507B包括高速
和高精度的数据采集，音频信号切换
和路由，ATE系统和航空电子设备。高性能
和低功耗使其非常适合电池
操作和远程仪器仪表应用。
该DG506B和DG507B有绝对最大
额定电压扩展至44 V.此外，单电源供电
也是允许的操作。外延层防止
闭锁。
该DG506B和DG507B均提供28引脚可用
具有扩展SOIC和TSSOP封装选项
温度范围 - 40 ° C至+ 125°C 。
欲了解更多信息，请参阅日前，Vishay Siliconix的DG506B ，
DG507B评估板音符。
特点
采用单电源或双电源
V +至V-模拟信号摆幅范围
44 V电源最大额定值
扩展工作温度范围：
- 40 ° C至+ 125°C
低泄漏通常< 3 pA的
低电荷注入 - Q
INJ
= 1 pC的
低功耗 - 我
供应
: 5 A
TTL兼容的逻辑
> 250毫安闭锁每JESD78电流
提供SOIC28和TSSOP28封装
更好的选择：
- ADG506A ， DG506A ， HI- 506
- ADG507A ， DG507A ， HI- 507
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
好处
减少切换错误
减少毛刺
提高数据吞吐量
降低功耗
提高耐用性
宽电源电压范围（ ± 5 V至± 20 V ）
应用
数据采集系统
音频和视频信号路由
ATE系统
·医疗器械
文档编号： 65150
S10-0660 -REV 。 B， 22 -MAR- 10
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1
DG506B ， DG507B
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG506B
双列直插式
SOIC和TSSOP
V+
NC
NC
S
16
S
15
S
14
S
13
S
12
S
11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
28 D
27 V-
26 S
8
25 S
7
24 S
6
23 S
5
22 S
4
21 S
3
20 S
2
19 S
1
18 EN
解码器/驱动器
17 A
0
16 A
1
15 A
2
顶视图
V+
D
b
NC
S
8b
S
7b
S
6b
S
5b
S
4b
S
3b
1
2
3
4
5
6
7
8
9
DG507B
双列直插式
SOIC和TSSOP
28 D
a
27 V-
26 S
8a
25 S
7a
24 S
6a
23 S
5a
22 S
4a
21 S
3a
20 S
2a
19 S
1a
18 EN
解码器/驱动器
17 A
0
16 A
1
15 A
2
顶视图
S
10
10
S
9
11
GND 12
NC 13
A
3
14
S
2b
10
S
1b
11
GND 12
NC 13
NC 14
DG506B
PLCC
第8B
S 16
NC
NC
NC
S8
V+
V-
D
DG507B
PLCC
第8A
Db
Da
V+
V-
4
3
2
1
28 27 26
4
3
2
1
28 27 26
S
15
S
14
S
13
S
12
S
11
S
10
S
9
5
6
7
8
9
10
11
解码器/驱动器
12 13 14 15 16 17 18
A3
A2
A1
A0
GND
NC
EN
25
24
23
22
21
20
19
S
7
S
6
S
5
S
4
S
3
S
2
S
1
S
7b
S
6b
S
5b
S
4b
S
3b
S
2b
S
1b
5
6
7
8
9
10
11
解码器/驱动器
12 13 14 15 16 17 18
A2
A1
A0
GND
NC
NC
EN
25
24
23
22
21
20
19
S
7a
S
6a
S
5a
S
4a
S
3a
S
2a
S
1a
TOP V IEW
TOP V IEW
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2
文档编号： 65150
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DG506B ， DG507B
Vishay Siliconix公司
真值表
DG506B
A
3
X
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
真值表
DG507B
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
0
1
1
0
0
1
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
逻辑“0” = V
IL
≤
0.8 V
逻辑“1” = V
IH
≥
2.4 V
X =不关心
订购信息
DG506B
TEMP 。 RANGE
包
28引脚SOIC
- 40 ° C至125°C
28引脚TSSOP
28引脚PLCC
产品型号
DG506BEW-T1-GE3
DG506BEQ-T1-GE3
DG506BEN-T1-GE3
订购信息
DG507B
TEMP 。 RANGE
包
28引脚SOIC
- 40 ° C至125°C
28引脚TSSOP
28引脚PLCC
产品型号
DG507BEW-T1-GE3
DG507BEQ-T1-GE3
DG507BEN-T1-GE3
绝对最大额定值
参数
电压参考V-
数字
输入
a
, V
S
, V
D
V+
GND
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或20mA ，以先到者为准
30
100
- 65 150
c
单位
V
电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大）
储存温度
功率耗散（包）
b
mA
°C
mW
（ EW ， EQ ， EN后缀）
28引脚宽体SOIC
28引脚TSSOP
d
28引脚PLCC
e
c
840
817
1693
95.3
97.9
47.3
° C / W
28引脚宽体SOIC
热阻（ θ
J- á
)
b
28引脚TSSOP
d
28引脚PLCC
e
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免10.5毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免10.2毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免21.2毫瓦/°C， 70°C以上。
文档编号： 65150
S10-0660 -REV 。 B， 22 -MAR- 10
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3
DG506B ， DG507B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V (± 10 %)
V
AX
, V
EN
= 2.4 V, 0.8 V
a
后缀
- 40 ° C至125°C
温度。
b
满
V
D
= - 10 V，I
S
= - 1毫安
V
D
= ± 10 V
房间
满
房间
房间
满
V
D
= ± 10 V
V
S
= 10 V
V
EN
= 0 V
±
DG506B
DG507B
V
S
= V
D
= 10 V
每个序列
开关ON
±
DG506B
DG507B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
V
AX
, V
EN
= 2.4 V
V
AX
, V
EN
= 0.8 V
F = 1 MHz的
VS
1
= + 10 V/- 10 V,
VS
16
= - 10 V/+ 10 V,
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的
见图2
VS
1
VS =
16
= 5.0 V ，C
L
= 35 pF的，
R
L
= 1千欧，参见图4
VS
1
= 5 V ， VS
2
以VS
16
= 0 V,
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
见图3
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω,
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω,
F = 1 MHz的
R
L
= 50
Ω
DG506B
DG507B
DG506B
DG507B
DG506B
DG507B
满
满
房间
5
-1
-1
0.005
0.005
0.005
0.005
10
0.005
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
2.4
0.8
1
1
-1
-1
1
50
1
100
1
50
1
100
1
50
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
2.4
0.8
1
1
1
50
1
100
1
50
1
100
1
50
nA
170
典型值。
c
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
300
400
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
300
400
Ω
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
匹配
来源OFF漏电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
I
S（ OFF）
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
漏极泄漏电流
I
D（上）
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
e
动态特性
V
INH
V
INL
I
IH
I
IL
C
in
V
A
pF
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
190
300
360
300
360
30
10
ns
250
310
200
220
pC
转换时间
t
TRANS
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
关断隔离
e
相声
e
e
t
开放
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
INJ
OIRR
XTALK
BW
THD
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
84
151
53
1
- 85
- 84
- 85
- 84
114
217
0.04
3
31
17
38
24
0.005
30
10
250
310
200
220
dB
- 3 dB带宽
e
总谐波失真
e
源关断电容
流掉电容
e
排水导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
www.vishay.com
4
e
兆赫
%
R
L
= 10 kΩ的， 5 V
RMS
DG506B
F = 1 MHz的
DG507B
DG506B
DG507B
pF
I+
I-
0.1
0.1
-1
-1
0.1
0.1
V
AX
, V
EN
= 0 V或5 V
满
满
mA
A
文档编号： 65150
S10-0660 -REV 。 B， 22 -MAR- 10
DG506B ， DG507B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
单电源12 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V (± 10 %)
V
AX
, V
EN
= 2.4 V, 0.8 V
a
后缀
后缀
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
房间
V
D
= 10 V / 0 V，I
S
= 1毫安
满
房间
房间
满
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
D
= 0 V/10 V,
V
S
= 10 V/0 V
DG506B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.005
0.005
0.005
0.005
10
0.005
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
1
- 50
1
100
1
50
1
100
1
50
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
1
50
1
100
1
50
1
100
1
50
nA
270
典型值。
c
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
450
650
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
450
650
Ω
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
R
DS （ ON）
匹配
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
I
D（关闭）
DG507B
DG506B
通道泄漏电流
I
D（上）
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
S
= V
D
= 0 V/10 V
DG507B
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
e
动态特性
转换时间
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
INJ
OIRR
VS
1
= 10 V / 0 V ， VS
16
= 0 V/10 V,
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的，见图2
VS
1
VS =
16
= 5 V ，C
L
= 35 pF的，
R
L
= 1千欧，参见图4
VS
1
= 5 V ， VS
2
以VS
16
= 0 V,
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
见图3
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω
F = 1 MHz的
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω
F = 1 MHz的
R
L
= 50
Ω
DG506B
DG507B
DG506B
DG507B
DG506B
DG507B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
4
- 86
- 84
- 85
- 84
104
191
0.23
兆赫
%
dB
46
197
115
40
10
300
420
200
220
228
380
450
40
10
300
420
200
220
pC
ns
380
450
V
INH
V
INL
I
IH
I
IL
C
in
V
AX
, V
EN
= 2.4 V
V
AX
, V
EN
= 0.8 V
F = 1 MHz的
满
满
满
满
房间
5
-1
-1
2.4
0.8
1
1
-1
-1
2.4
0.8
1
1
V
A
pF
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
关断隔离
e
相声
e
- 3 dB带宽
e
总谐波失真
e
e
X
TALK
BW
THD
房间
房间
房间
R
L
= 10 kΩ的， 5 V
RMS
,
F = 20赫兹到20千赫兹
文档编号： 65150
S10-0660 -REV 。 B， 22 -MAR- 10
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5
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