DG467/DG468
Vishay Siliconix公司
低功耗，高电压SPST模拟开关
描述
该DG467和DG468是双电源单刀/单
扔（ SPST）开关。导通电阻是10
Ω
最大和
平整度是2
Ω
马克斯在指定的模拟信号范围。
这些模拟开关被设计为提供高
高速，精密模拟信号误差小开关。该
主要应用领域是在路由和交换
电信和测试设备。结合低
功率，低泄漏，低导通电阻和小的物理
大小， DG467 / 468也非常适合于便携式和
电池供电的工业和军事装备。
该DG467具有一个常闭开关，当
DG468开关是常开的。他们经营无论是从
单+ 7 V至36 V电源或双± 4.5 V至± 20 V
耗材。他们提供了非常流行的，小TSOP6
封装。
特点
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 10
Ω
最大
快速开关动作 - 吨
ON
： 100纳秒
V
L
逻辑电源不要求
TTL CMOS兼容输入
轨至轨信号处理
双或单电源供电
RoHS指令
柔顺
好处
宽动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
减少电路板空间
提高可靠性
应用
精密测试设备
精密仪器
通信系统
PBX ， PABX系统
音响设备
冗余系统
PC多媒体板
硬盘驱动器
功能框图及引脚配置
DG467
真值表
6
5
4
COM
V+
GND
NC
V-
IN
1
2
3
TSOP6
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
器件标识：
DG467DV = G7xxx
DG468DV = G8xxx
DG467
ON
关闭
DG468
关闭
ON
DG468
NO
V-
IN
1
2
3
TSOP6
6
5
4
COM
V+
GND
文档编号： 74413
S- 70327 -REV 。 B， 26 -FEB -07
www.vishay.com
1
DG467/DG468
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
DG467/DG468
- 4085 ℃下
包
DG467DV-T1-E3
DG468DV-T1-E3
产品型号
6引脚TSOP
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数参考V-
V+
GND
数字
输入
a
, V
NO / NC
, V
COM
符号
极限
44
25
（ V - ） - 2 V至（V +） + 2 V
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
单位
V
目前， （任何终端）连续
电流（ NO或NC或COM ）脉冲为1毫秒， 10 ％占空比
储存温度
mA
°C
570
mW
6引脚TSOP
c
功率耗散（包）
b
注意事项：
一。对任何信号， NC ， COM ，或IN超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免7毫瓦/°C， 70°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 74413
S- 70327 -REV 。 B， 26 -FEB -07
DG467/DG468
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
(V± = ± 15 V)
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
导通电阻平坦度
V
类似物
r
ON
r
ON
平整度
I
NO / NC （关闭）
关机漏电流
I
COM （关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电容
e
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I-
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
5
-1
- 10
- 0.02
15
20
A
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO / NC
=
±
10 V
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω,
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
100
50
21
- 61
30
15
76
pF
140
160
80
100
ns
I
INH
I
INL
C
IN
I
IN
V
IN
= 0或5伏
满
满
房间
-1
5
1
2.4
0.8
V
pF
A
I
COM（上）
I
NO / NC
= 10 mA时， V
COM
=
10
V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
NO / NC
= 10 mA时， V
COM
=
±
5 V, 0 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
V
COM
=
±
15.5 V
V
NO / NC
=
-/+
15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5
V
COM
= V
NO / NC
=
±
15.5 V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
- 15
7
0.7
- 0.1
- 0.1
- 0.1
15
9
10
1
2
1
10
1
10
1
10
V
符号
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
民
d
后缀
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
d
单位
Ω
nA
pC
dB
文档编号： 74413
S- 70327 -REV 。 B， 26 -FEB -07
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3
DG467/DG468
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
(V+ = 12 V)
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
导通电阻平坦度
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
电源
正电源电流
I+
V+ = 13.2 V, V
IN
= 0 V, 5 V
房间
满
3
7
10
A
t
ON
t
关闭
Q
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
V
NO ， NC
=
±
10 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
=
35 pF的
房间
满
房间
满
房间
130
50
8
160
200
80
100
nS
V
类似物
r
ON
r
ON
平整度
I
NO / NC
= -10毫安，V
COM
=
8
V
V+ = 10.8 V
I
NO / NC
= 10 mA时， V
COM
=
2, 6, 8 V
V+ = 10.8 V
满
房间
满
房间
满
0
12
1.5
12
16
20
3
4
V
Ω
Ω
符号
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
民
d
后缀
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
d
单位
pC
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 74413
S- 70327 -REV 。 B， 26 -FEB -07
DG467/DG468
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
16
I
NO / NC
= 10毫安
r
ON
- 在- Resiatance （ Ω ）
r
ON
- 在- Resiatance （ Ω ）
12
V+ = 9 V
8
V+ = 12 V
V+ = 24 V
V+ =
36
V
4
16
85
°C
12
25 °C
8
20
V+ = 12 V
I
NO / NC
= 10毫安
4
- 40 °C
0
0
6
12
18
24
30
36
0
0
2
4
6
8
10
12
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
与单电源电压
10
I
NO / NC
= 10毫安
V = ± 12 V
8
r
ON
- 在- Resiatance （ Ω ）
V = ± 15 V
V=±
8
V
8
r
ON
- 在- Resiatance （ Ω ）
V = ± 10 V
10
r
ON
与模拟电压和温度
V = ± 15 V
I
NO / NC
= 10毫安
85
°C
6
25 °C
4
- 40 °C
2
6
4
V = ± 20 V
2
0
- 20
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
和双电源电压
600
V = ± 16.5 V
400
1000
漏电流（PA ）
漏电流（PA ）
200
I
COM（上）
I
COM （关闭）
0
I
NO / NC （关闭）
- 200
10000
r
ON
与模拟电压和温度
V = ± 16.5 V
I
COM（上）
100
I
NO / NC （关闭）
10
I
COM （关闭）
- 400
1
4.5
7.5
10.5 13.5 16.5
- 600
- 16.5 - 13.5 - 10.5 - 7.5 - 4.5 - 1.5 1.5
- 40
- 20
0
20
40
60
80
V
COM ，
V
NO ，
V
NC
- 模拟电压（ V）
温度（℃）
泄漏与模拟电压
漏电流与温度的关系
文档编号： 74413
S- 70327 -REV 。 B， 26 -FEB -07
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DG467 ， DG468
Vishay Siliconix公司
低功耗，高电压SPST模拟开关
描述
该DG467和DG468是双电源单刀/单
扔（ SPST）开关。导通电阻是10
最大和
平整度是2
马克斯在指定的模拟信号范围。
这些模拟开关被设计为提供高
高速，精密模拟信号误差小开关。该
主要应用领域是在路由和交换
电信和测试设备。结合低
功率，低泄漏，低导通电阻和小的物理
大小， DG467 / 468也非常适合于便携式和
电池供电的工业和军事装备。
该DG467具有一个常闭开关，当
DG468开关是常开的。他们经营无论是从
单+ 7 V至36 V电源或双± 4.5 V至± 20 V
耗材。他们提供了非常流行的，小TSOP6
封装。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 10
最大
快速开关动作 - T的
ON
： 100纳秒
V
L
逻辑电源不要求
TTL CMOS兼容输入
轨至轨信号处理
单或双电源供电
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
宽动态范围
低信号误差和失真
盈亏江前合式开关动作
简单接口
减少电路板空间
提高可靠性
应用
精密测试设备
精密Instrumentaion
通信系统
PBX ， PABX系统
音响设备
冗余系统
PC多媒体板
硬盘驱动器
功能框图及引脚配置
DG467
真值表
6
5
4
COM
V+
GND
NC
V-
IN
1
2
3
TSOP6
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2.4
V
器件标识：
DG467DV = G7xxx
DG468DV = G8xxx
DG467
ON
关闭
DG468
关闭
ON
DG468
NO
V-
IN
1
2
3
TSOP6
6
5
4
COM
V+
GND
文档编号： 74413
S11-1429 -REV 。 C， 7月18日 - 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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DG467 ， DG468
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
DG467/DG468
- 40 ° C至85°C
包
DG467DV-T1-E3
DG468DV-T1-E3
产品型号
6引脚TSOP
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数参考V-
V+
GND
数字输入
a
, V
NO / NC
, V
COM
目前， （任何终端）连续
电流（ NO或NC或COM ）脉冲为1毫秒， 10 ％占空比
储存温度
（包）
b
c
符号
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
单位
V
mA
°C
570
mW
功耗
6引脚TSOP
注意事项：
一。对任何信号， NC ， COM ，或IN超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免7毫瓦/°C， 70°C以上。
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2
文档编号： 74413
S11-1429 -REV 。 C， 7月18日 - 11
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本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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DG467 ， DG468
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
(V ± = ± 15 V)
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
导通电阻平坦度
V
类似物
r
ON
r
ON
平整度
I
NO / NC （关闭）
关机漏电流
I
COM （关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入，低电压
输入电容
e
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I-
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
5
-1
- 10
- 0.02
15
20
A
e
后缀
- 40 ° C至85°C
温度。
b
满
分钟。
d
- 15
7
0.7
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
- 0.1
- 0.1
- 0.1
典型值。
c
马克斯。
d
15
9
10
1
2
1
10
1
10
1
10
单位
V
符号
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
I
NO / NC
= 10 mA时， V
COM
=
10
V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
NO / NC
= 10 mA时， V
COM
=
±
5 V, 0 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
V
COM
=
±
15.5 V
V
NO / NC
=
-/+
15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5
V
COM
= V
NO / NC
=
±
15.5 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
nA
I
COM（上）
I
INH
I
INL
C
IN
I
IN
V
IN
= 0或5伏
满
满
房间
2.4
0.8
5
-1
1
100
50
21
- 61
30
15
76
140
160
80
100
V
pF
A
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
NO / NC
=
±
10 V
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
ns
pC
dB
pF
文档编号： 74413
S11-1429 -REV 。 C， 7月18日 - 11
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本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG467 ， DG468
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
(V+ = 12 V)
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
导通电阻平坦度
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
电源
正电源电流
I+
V+ = 13.2 V, V
IN
= 0 V, 5 V
房间
满
3
7
10
A
t
ON
t
关闭
Q
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
V
NO ， NC
=
±
10 V ，R
L
= 300
,
C
L
=
35 pF的
房间
满
房间
满
房间
130
50
8
160
200
80
100
nS
V
类似物
r
ON
r
ON
平整度
I
NO / NC
= -10毫安，V
COM
=
8
V
V+ = 10.8 V
I
NO / NC
= 10 mA时， V
COM
=
2, 6, 8 V
V+ = 10.8 V
满
房间
满
房间
满
0
12
1.5
12
16
20
3
4
V
符号
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
典型值。
c
马克斯。
d
单位
pC
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 74413
S11-1429 -REV 。 C， 7月18日 - 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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DG467 ， DG468
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
16
20
I
NO / NC
= 10毫安
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
V+
= 12
V
16
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
I
NO / NC
= 10毫安
12
V+
= 9
V
8
12
85
°C
V+
= 12
V
4
V+
= 24
V
V+
= 36
V
8
25 °C
4
- 40 °C
0
0
6
12
18
24
V
COM
- 模拟
电压
(V)
30
36
0
0
2
8
4
6
V
COM
- 模拟
电压
(V)
10
12
R
ON
与V
COM
与单电源电压
10
R
ON
与模拟电压和温度
10
V
= ± 15
V
I
NO / NC
= 10毫安
I
NO / NC
= 10毫安
V
= ± 12
V
8
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
V
=±
8V
V
= ± 10
V
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
8
V
= ± 15
V
6
85
°C
6
25 °C
4
- 40 °C
2
4
V
= ± 20
V
2
0
- 20
- 15
- 10
5
10
-5
0
V
COM
- 模拟
电压
(V)
15
20
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
COM
- 模拟
电压
(V)
R
ON
与V
COM
和双电源电压
600
V
= ± 16.5
V
400
R
ON
与模拟电压和温度
10 000
V
= ± 16.5
V
1000
I
COM（上）
漏电流（PA ）
200
I
COM（上）
I
COM （关闭）
0
I
NO / NC （关闭）
- 200
漏电流（PA ）
100
I
NO / NC （关闭）
10
- 400
I
COM （关闭）
- 600
- 16.5 - 13.5 - 10.5 - 7.5 - 4.5 - 1.5 1.5
4.5
7.5
10.5 13.5 16.5
1
- 40
- 20
0
V
COM ，
V
NO
,
V
NC
- 模拟
电压
(V)
20
40
温度（℃）
60
80
泄漏与模拟电压
漏电流与温度的关系
文档编号： 74413
S11-1429 -REV 。 C， 7月18日 - 11
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