DG444B/445B

新产品

Vishay Siliconix公司

改进的四路SPST CMOS模拟开关

特点

D

D

D

D

D

低导通电阻： 45

W

低功耗： 1.0毫瓦

快速开关动作-T

ON

： 120纳秒

低电荷注入

TTL / CMOS逻辑兼容

好处

D

D

D

D

D

低信号误差和失真

降低电源功耗

更快的吞吐量

减少错误基座

简单接口

应用

D

D

D

D

D

D

音频切换

数据采集

采样保持电路

通信系统

自动测试设备

医疗器械

描述

该DG444B / 445B的单芯片4通道模拟开关

旨在提供高速，模拟低误差切换

和音频信号。该DG444B / 445B的升级到

原来DG444 / 445 。

导通电阻的精梳低（45

,

典型值） ，高速（T

ON

120纳秒，典型值） ，在DG444B / 445B非常适合于数据

采集，通信系统，自动测试

设备或医疗器械。电荷注入有

在采样和保持被最小化在漏极使用

电路。

该DG444B / 445B使用的Vishay Siliconix的内置

高电压硅栅工艺。外延层防止

闭锁。

当打开时，每个开关导电性能相同，在两个方向

并阻止输入电压的供给水平时关闭。

功能框图及引脚配置

DG444B

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

DG444B

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

DG445B

关闭

ON

DG444B

QFN16 （ 4×4毫米）

D

1

IN

1

IN

2

D

2

16

15

14

13

订购信息

温度范围

包

16-Pin

16引脚塑料DIP

12

11

10

9

S

2

V+

V

L

S

3

16-Pin

16引脚QFN 4×4毫米

40

至85℃

40

16-Pin

16引脚窄体SOIC

产品型号

DG444BDJ

DG445BDJ

DG444BDY

DG445BDY

DG444BDN

DG445BDN

S

1

V

GND

S

4

1

2

3

4

5

6

7

8

D

4

IN

4

IN

3

D

3

顶视图

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

1

DG444B/445B

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND

0.3

V）至（ V +） + 0.3 V.

数字输入

a

V

S

, V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V)

2

V至（V +） + 2V

或30毫安，以先到者为准

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

当前，S或D（脉冲1毫秒，10％占空比）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

65

至125℃

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6毫瓦/ _C上述75°C

。减免8毫瓦/ _C上述75°C

功率耗散（套餐） B

16引脚塑料DIP

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦

16引脚窄体SOIC

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦

QFN - 16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦

新产品

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

规格双电源

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

漏源导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

关机漏电流

I

D（关闭）

通道泄漏电流

I

D（上）

V

D

=

#14

V V

S

=

#14

V

V,

I

S

= 1毫安， V

D

=

#10

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

0.5

5

0.5

5

0.5

10

15

45

"0.01

"0.01

#0.02

15

80

95

0.5

5

0.5

5

0.5

10

nA

V

W

范围

40

至85℃

符号

V+ = 15 V, V =

15

V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

V

S

= V

D

=

#14

V

数字控制

输入电压低

输入电压高

输入电流V

IN

低

输入电流V

IN

高

V

INL

V

INH

I

INL

I

INH

V

IN

被测= 0.8 V，其他= 2.4 V

V

IN

被测= 2.4 V，其他= 0.8 V

满

满

满

满

2.4

1

1

0.01

0.01

1

1

0.8

V

mA

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

e

关断隔离

e

串扰（通道 - 通道）

d

源关断电容

流掉电容

通道导通电容

t

ON

t

关闭

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的

V

S

=

"10

V，见图2

C

L

= 1 nF的，V

S

= 0 V

V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

, C

L

= 15 pF的，V

S

= 1 V

RMS

F = 100千赫

V

S

= 0 V F = 100千赫

V,

V

S

V

D

= 0 V ， F = 1兆赫

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

1

90

95

5

5

16

p

pF

300

200

ns

pC

dB

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

I+

I

I

IN

V

IN

= 0或5伏

房间

满

房间

满

房间

满

1

5

1

5

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

1

5

mA

www.vishay.com

2

DG444B/445B

新产品

规格为单极性用品

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

漏源导通电阻

d

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= 1毫安， V

D

= 3 V, 8 V

满

房间

满

0

90

12

160

200

V

W

Vishay Siliconix公司

后缀

40

至85℃

符号

V+ = 12 V, V = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

t

ON

t

关闭

Q

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的，V

S

= 8 V

见图2

C

L

= 1 nF的，V

根

= 6 V ，R

根

= 0

W

房间

房间

房间

120

60

4

300

200

ns

pC

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

I+

V

IN

= 0或5伏

I

I

IN

V

L

= 5.25 V, V

IN

= 0或5伏

房间

满

房间

满

房间

满

1

5

1

5

1

5

mA

注意事项：

一。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。通过设计保证，不受生产测试。

。 V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

DS （ ON）

与V

D

与电源电压

110

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

20 16 12

8

4

0

4

8

12

16

20

V

D

漏极电压（ V）

"20

V

"10

V

"15

V

"5

V

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

15

r

DS （ ON）

与V

D

和温度

V+ = 15 V

V =

15

V

125_C

85_C

25_C

55_C

10

5

0

5

10

15

V

D

漏极电压（ V）

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

3

DG444B/445B

Vishay Siliconix公司

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

250

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

r

DS （ ON）

与V

D

与单电源电压

V+ = 5 V

漏电流与模拟电压

40

30

20

I S ， I D

CURRENT （PA ）

10

0

10

20

30

40

20

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

V+ = 22 V

V =

22

V

T

A

= 25_C

I

D（上）

225

200

175

150

125

100

75

50

25

0

0

2

4

7V

10 V

12 V

15 V

6

8

10

12

14

16

15

10

5

0

5

10

15

20

V

D

漏极电压（ V）

V

类似物

模拟电压（ V）

1 nA的

漏电流与温度的关系

V+ = 15 V

V =

15

V

V

S,

V

D

=

"14

V

30

20

10

0

10

20

Q

S,

Q

D

电荷注入与模拟电压

I S ， I D

当前

Q

CHARGE （ PC）

100 pA的

V+ = 15 V

V =

15

V

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

10 pA的

V+ = 12 V

V = 0 V

1 pA的

55

35

15

5

25

45

65

85

105 125

30

15

10

5

0

5

10

15

温度（℃）

V

类似物

模拟电压（ V）

关断隔离与频率的关系

120

110

100

90

80

70

60

50

40

10 k

100 k

1M

10 M

f

频率（Hz）

V+ = +15 V

V =

15

V

OIRR （ dB）的

R

L

= 50

W

www.vishay.com

4

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

DG444B/445B

新产品

原理图（典型值CHANNEL ）

V+

Vishay Siliconix公司

S

V

L

水平

SHIFT /

DRIVE

V

V

IN

V+

GND

D

V

图1 。

测试电路

+5 V

+15 V

逻辑

输入

V

L

"10

V

S

IN

3V

GND

V

开关

产量

注意：

0V

t

ON

逻辑输入波形倒置DG445 。

V+

D

R

L

1 KW

C

L

35 pF的

0V

V

O

开关

输入

V

S

V

O

t

关闭

80%

80%

3V

50%

50%

t

r

<20 NS

t

f

<20 NS

15

V

C

L

（包括网络连接夹具和杂散电容）

图2中。

开关时间

+5 V

+15 V

DV

O

V

O

R

g

V

L

S

IN

V+

D

C

L

1 nF的

V

V

O

IN

X

(DG444B)

V

g

关闭

ON

关闭

3V

GND

15

V

IN

X

(DG445B)

关闭

ON

Q =

DV

O

乘C

L

关闭

网络连接gure 3 。

电荷注入

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

5

DG444B/445B

新产品

Vishay Siliconix公司

改进的四路SPST CMOS模拟开关

特点

D

D

D

D

D

低导通电阻： 45

W

低功耗： 1.0毫瓦

快速开关动作-T

ON

： 120纳秒

低电荷注入

TTL / CMOS逻辑兼容

好处

D

D

D

D

D

低信号误差和失真

降低电源功耗

更快的吞吐量

减少错误基座

简单接口

应用

D

D

D

D

D

D

音频切换

数据采集

采样保持电路

通信系统

自动测试设备

医疗器械

描述

该DG444B / 445B的单芯片4通道模拟开关

旨在提供高速，模拟低误差切换

和音频信号。该DG444B / 445B的升级到

原来DG444 / 445 。

导通电阻的精梳低（45

,

典型值） ，高速（T

ON

120纳秒，典型值） ，在DG444B / 445B非常适合于数据

采集，通信系统，自动测试

设备或医疗器械。电荷注入有

在采样和保持被最小化在漏极使用

电路。

该DG444B / 445B使用的Vishay Siliconix的内置

高电压硅栅工艺。外延层防止

闭锁。

当打开时，每个开关导电性能相同，在两个方向

并阻止输入电压的供给水平时关闭。

功能框图及引脚配置

DG444B

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

DG444B

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

DG445B

关闭

ON

DG444B

QFN16 （ 4×4毫米）

D

1

IN

1

IN

2

D

2

16

15

14

13

订购信息

温度范围

包

16-Pin

16引脚塑料DIP

12

11

10

9

S

2

V+

V

L

S

3

16-Pin

16引脚QFN 4×4毫米

40

至85℃

40

16-Pin

16引脚窄体SOIC

产品型号

DG444BDJ

DG445BDJ

DG444BDY

DG445BDY

DG444BDN

DG445BDN

S

1

V

GND

S

4

1

2

3

4

5

6

7

8

D

4

IN

4

IN

3

D

3

顶视图

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

1

DG444B/445B

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND

0.3

V）至（ V +） + 0.3 V.

数字输入

a

V

S

, V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V)

2

V至（V +） + 2V

或30毫安，以先到者为准

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

当前，S或D（脉冲1毫秒，10％占空比）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

65

至125℃

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6毫瓦/ _C上述75°C

。减免8毫瓦/ _C上述75°C

功率耗散（套餐） B

16引脚塑料DIP

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦

16引脚窄体SOIC

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦

QFN - 16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦

新产品

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

规格双电源

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

漏源导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

关机漏电流

I

D（关闭）

通道泄漏电流

I

D（上）

V

D

=

#14

V V

S

=

#14

V

V,

I

S

= 1毫安， V

D

=

#10

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

0.5

5

0.5

5

0.5

10

15

45

"0.01

"0.01

#0.02

15

80

95

0.5

5

0.5

5

0.5

10

nA

V

W

范围

40

至85℃

符号

V+ = 15 V, V =

15

V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

V

S

= V

D

=

#14

V

数字控制

输入电压低

输入电压高

输入电流V

IN

低

输入电流V

IN

高

V

INL

V

INH

I

INL

I

INH

V

IN

被测= 0.8 V，其他= 2.4 V

V

IN

被测= 2.4 V，其他= 0.8 V

满

满

满

满

2.4

1

1

0.01

0.01

1

1

0.8

V

mA

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

e

关断隔离

e

串扰（通道 - 通道）

d

源关断电容

流掉电容

通道导通电容

t

ON

t

关闭

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的

V

S

=

"10

V，见图2

C

L

= 1 nF的，V

S

= 0 V

V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

, C

L

= 15 pF的，V

S

= 1 V

RMS

F = 100千赫

V

S

= 0 V F = 100千赫

V,

V

S

V

D

= 0 V ， F = 1兆赫

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

1

90

95

5

5

16

p

pF

300

200

ns

pC

dB

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

I+

I

I

IN

V

IN

= 0或5伏

房间

满

房间

满

房间

满

1

5

1

5

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

1

5

mA

www.vishay.com

2

DG444B/445B

新产品

规格为单极性用品

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

漏源导通电阻

d

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= 1毫安， V

D

= 3 V, 8 V

满

房间

满

0

90

12

160

200

V

W

Vishay Siliconix公司

后缀

40

至85℃

符号

V+ = 12 V, V = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

t

ON

t

关闭

Q

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的，V

S

= 8 V

见图2

C

L

= 1 nF的，V

根

= 6 V ，R

根

= 0

W

房间

房间

房间

120

60

4

300

200

ns

pC

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

I+

V

IN

= 0或5伏

I

I

IN

V

L

= 5.25 V, V

IN

= 0或5伏

房间

满

房间

满

房间

满

1

5

1

5

1

5

mA

注意事项：

一。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。通过设计保证，不受生产测试。

。 V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

DS （ ON）

与V

D

与电源电压

110

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

20 16 12

8

4

0

4

8

12

16

20

V

D

漏极电压（ V）

"20

V

"10

V

"15

V

"5

V

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

15

r

DS （ ON）

与V

D

和温度

V+ = 15 V

V =

15

V

125_C

85_C

25_C

55_C

10

5

0

5

10

15

V

D

漏极电压（ V）

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

3

DG444B/445B

Vishay Siliconix公司

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

250

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

r

DS （ ON）

与V

D

与单电源电压

V+ = 5 V

漏电流与模拟电压

40

30

20

I S ， I D

CURRENT （PA ）

10

0

10

20

30

40

20

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

V+ = 22 V

V =

22

V

T

A

= 25_C

I

D（上）

225

200

175

150

125

100

75

50

25

0

0

2

4

7V

10 V

12 V

15 V

6

8

10

12

14

16

15

10

5

0

5

10

15

20

V

D

漏极电压（ V）

V

类似物

模拟电压（ V）

1 nA的

漏电流与温度的关系

V+ = 15 V

V =

15

V

V

S,

V

D

=

"14

V

30

20

10

0

10

20

Q

S,

Q

D

电荷注入与模拟电压

I S ， I D

当前

Q

CHARGE （ PC）

100 pA的

V+ = 15 V

V =

15

V

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

10 pA的

V+ = 12 V

V = 0 V

1 pA的

55

35

15

5

25

45

65

85

105 125

30

15

10

5

0

5

10

15

温度（℃）

V

类似物

模拟电压（ V）

关断隔离与频率的关系

120

110

100

90

80

70

60

50

40

10 k

100 k

1M

10 M

f

频率（Hz）

V+ = +15 V

V =

15

V

OIRR （ dB）的

R

L

= 50

W

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4

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

DG444B/445B

新产品

原理图（典型值CHANNEL ）

V+

Vishay Siliconix公司

S

V

L

水平

SHIFT /

DRIVE

V

V

IN

V+

GND

D

V

图1 。

测试电路

+5 V

+15 V

逻辑

输入

V

L

"10

V

S

IN

3V

GND

V

开关

产量

注意：

0V

t

ON

逻辑输入波形倒置DG445 。

V+

D

R

L

1 KW

C

L

35 pF的

0V

V

O

开关

输入

V

S

V

O

t

关闭

80%

80%

3V

50%

50%

t

r

<20 NS

t

f

<20 NS

15

V

C

L

（包括网络连接夹具和杂散电容）

图2中。

开关时间

+5 V

+15 V

DV

O

V

O

R

g

V

L

S

IN

V+

D

C

L

1 nF的

V

V

O

IN

X

(DG444B)

V

g

关闭

ON

关闭

3V

GND

15

V

IN

X

(DG445B)

关闭

ON

Q =

DV

O

乘C

L

关闭

网络连接gure 3 。

电荷注入

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

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5

DG444B/445B

新产品

Vishay Siliconix公司

改进的四路SPST CMOS模拟开关

特点

D

D

D

D

D

低导通电阻： 45

W

低功耗： 1.0毫瓦

快速开关动作-T

ON

： 120纳秒

低电荷注入

TTL / CMOS逻辑兼容

好处

D

D

D

D

D

低信号误差和失真

降低电源功耗

更快的吞吐量

减少错误基座

简单接口

应用

D

D

D

D

D

D

音频切换

数据采集

采样保持电路

通信系统

自动测试设备

医疗器械

描述

该DG444B / 445B的单芯片4通道模拟开关

旨在提供高速，模拟低误差切换

和音频信号。该DG444B / 445B的升级到

原来DG444 / 445 。

导通电阻的精梳低（45

,

典型值） ，高速（T

ON

120纳秒，典型值） ，在DG444B / 445B非常适合于数据

采集，通信系统，自动测试

设备或医疗器械。电荷注入有

在采样和保持被最小化在漏极使用

电路。

该DG444B / 445B使用的Vishay Siliconix的内置

高电压硅栅工艺。外延层防止

闭锁。

当打开时，每个开关导电性能相同，在两个方向

并阻止输入电压的供给水平时关闭。

功能框图及引脚配置

DG444B

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

真值表

逻辑

0

1

DG444B

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

DG445B

关闭

ON

DG444B

QFN16 （ 4×4毫米）

D

1

IN

1

IN

2

D

2

16

15

14

13

订购信息

温度范围

包

16-Pin

16引脚塑料DIP

12

11

10

9

S

2

V+

V

L

S

3

16-Pin

16引脚QFN 4×4毫米

40

至85℃

40

16-Pin

16引脚窄体SOIC

产品型号

DG444BDJ

DG445BDJ

DG444BDY

DG445BDY

DG444BDN

DG445BDN

S

1

V

GND

S

4

1

2

3

4

5

6

7

8

D

4

IN

4

IN

3

D

3

顶视图

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

1

DG444B/445B

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND

0.3

V）至（ V +） + 0.3 V.

数字输入

a

V

S

, V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V)

2

V至（V +） + 2V

或30毫安，以先到者为准

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

当前，S或D（脉冲1毫秒，10％占空比）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

65

至125℃

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6毫瓦/ _C上述75°C

。减免8毫瓦/ _C上述75°C

功率耗散（套餐） B

16引脚塑料DIP

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦

16引脚窄体SOIC

d

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦

QFN - 16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦

新产品

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

规格双电源

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

漏源导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

关机漏电流

I

D（关闭）

通道泄漏电流

I

D（上）

V

D

=

#14

V V

S

=

#14

V

V,

I

S

= 1毫安， V

D

=

#10

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

0.5

5

0.5

5

0.5

10

15

45

"0.01

"0.01

#0.02

15

80

95

0.5

5

0.5

5

0.5

10

nA

V

W

范围

40

至85℃

符号

V+ = 15 V, V =

15

V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

V

S

= V

D

=

#14

V

数字控制

输入电压低

输入电压高

输入电流V

IN

低

输入电流V

IN

高

V

INL

V

INH

I

INL

I

INH

V

IN

被测= 0.8 V，其他= 2.4 V

V

IN

被测= 2.4 V，其他= 0.8 V

满

满

满

满

2.4

1

1

0.01

0.01

1

1

0.8

V

mA

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

e

关断隔离

e

串扰（通道 - 通道）

d

源关断电容

流掉电容

通道导通电容

t

ON

t

关闭

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的

V

S

=

"10

V，见图2

C

L

= 1 nF的，V

S

= 0 V

V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

, C

L

= 15 pF的，V

S

= 1 V

RMS

F = 100千赫

V

S

= 0 V F = 100千赫

V,

V

S

V

D

= 0 V ， F = 1兆赫

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

1

90

95

5

5

16

p

pF

300

200

ns

pC

dB

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

I+

I

I

IN

V

IN

= 0或5伏

房间

满

房间

满

房间

满

1

5

1

5

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

1

5

mA

www.vishay.com

2

DG444B/445B

新产品

规格为单极性用品

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

漏源导通电阻

d

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= 1毫安， V

D

= 3 V, 8 V

满

房间

满

0

90

12

160

200

V

W

Vishay Siliconix公司

后缀

40

至85℃

符号

V+ = 12 V, V = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

t

ON

t

关闭

Q

R

L

= 1千瓦，C

L

= 35 pF的，V

S

= 8 V

见图2

C

L

= 1 nF的，V

根

= 6 V ，R

根

= 0

W

房间

房间

房间

120

60

4

300

200

ns

pC

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

I+

V

IN

= 0或5伏

I

I

IN

V

L

= 5.25 V, V

IN

= 0或5伏

房间

满

房间

满

房间

满

1

5

1

5

1

5

mA

注意事项：

一。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。通过设计保证，不受生产测试。

。 V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

DS （ ON）

与V

D

与电源电压

110

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

20 16 12

8

4

0

4

8

12

16

20

V

D

漏极电压（ V）

"20

V

"10

V

"15

V

"5

V

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

15

r

DS （ ON）

与V

D

和温度

V+ = 15 V

V =

15

V

125_C

85_C

25_C

55_C

10

5

0

5

10

15

V

D

漏极电压（ V）

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

www.vishay.com

3

DG444B/445B

Vishay Siliconix公司

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

250

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

r

DS （ ON）

与V

D

与单电源电压

V+ = 5 V

漏电流与模拟电压

40

30

20

I S ， I D

CURRENT （PA ）

10

0

10

20

30

40

20

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

V+ = 22 V

V =

22

V

T

A

= 25_C

I

D（上）

225

200

175

150

125

100

75

50

25

0

0

2

4

7V

10 V

12 V

15 V

6

8

10

12

14

16

15

10

5

0

5

10

15

20

V

D

漏极电压（ V）

V

类似物

模拟电压（ V）

1 nA的

漏电流与温度的关系

V+ = 15 V

V =

15

V

V

S,

V

D

=

"14

V

30

20

10

0

10

20

Q

S,

Q

D

电荷注入与模拟电压

I S ， I D

当前

Q

CHARGE （ PC）

100 pA的

V+ = 15 V

V =

15

V

I

S（ OFF）

, I

D（关闭）

10 pA的

V+ = 12 V

V = 0 V

1 pA的

55

35

15

5

25

45

65

85

105 125

30

15

10

5

0

5

10

15

温度（℃）

V

类似物

模拟电压（ V）

关断隔离与频率的关系

120

110

100

90

80

70

60

50

40

10 k

100 k

1M

10 M

f

频率（Hz）

V+ = +15 V

V =

15

V

OIRR （ dB）的

R

L

= 50

W

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4

文档编号： 72626

S- 32554 -REV 。 A， 15日-12月03

DG444B/445B

新产品

原理图（典型值CHANNEL ）

V+

Vishay Siliconix公司

S

V

L

水平

SHIFT /

DRIVE

V

V

IN

V+

GND

D

V

图1 。

测试电路

+5 V

+15 V

逻辑

输入

V

L

"10

V

S

IN

3V

GND

V

开关

产量

注意：

0V

t

ON

逻辑输入波形倒置DG445 。

V+

D

R

L

1 KW

C

L

35 pF的

0V

V

O

开关

输入

V

S

V

O

t

关闭

80%

80%

3V

50%

50%

t

r

<20 NS

t

f

<20 NS

15

V

C

L

（包括网络连接夹具和杂散电容）

图2中。

开关时间

+5 V

+15 V

DV

O

V

O

R

g

V

L

S

IN

V+

D

C

L

1 nF的

V

V

O

IN

X

(DG444B)

V

g

关闭

ON

关闭

3V

GND

15

V

IN

X

(DG445B)

关闭

ON

Q =

DV

O

乘C

L

关闭

网络连接gure 3 。

电荷注入

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