DG441L ， DG442L
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST
低电压CMOS模拟开关
描述
该DG441L ， DG442L是低电压引脚对引脚
兼容配套设备的行业标准
DG441L ， DG442L具有改进的性能。
采用BiCMOS晶片加工技术使
DG441L ， DG442L对单，双电源供电。
从3 V至12 V ，而双单电源电压范围
电源工作，建议在±3 V至± 6V。
结合高速（T
ON
： 20纳秒） ，平
DS （ ON）
在该
模拟信号的范围（5
),
最小的插入损失（
-
3分贝在
280兆赫） ，以及优异的串扰和关断隔离
性能（
-
50分贝在50MHz ），则DG441L ， DG442L是
非常适合用于音频和视频信号的切换。
该DG441L ， DG442L响应相反的控制逻辑
如图中真值表打开和两个常闭
开关。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
2.7 V至12 V单电源或
± 3 V直通± 6 V双电源供电
O
正电阻 - R的
DS （ ON）
: 17
快速开关 - 吨
ON
： 20纳秒
- t
关闭
： 12纳秒
TTL ， CMOS兼容
低泄漏： 0.25 nA的
2000 V ESD保护
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
SDSL ， DSLAM
音频和视频信号路由
应用
功能框图及引脚配置
双列直插式， TSSOP和SOIC
真值表
逻辑
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
DG441L
On
关闭
DG442L
关闭
On
0
1
逻辑"0"
0.8 V
逻辑"1"
2.4
V
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
16引脚TSSOP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄
SOIC
16引脚CERDIP
- 55 ° C至125°C
LCC-20
产品型号
DG441LDQ-T1-E3
DG442LDQ-T1-E3
DG441LDY-T1-E3
DG442LDY-T1-E3
DG441LAK ， DG441LAK / 883
DG442LAK ， DG442LAK / 883
DG441LAZ/883
DG442LAZ/883
DG441L/442L
顶视图
12
11
10
9
S
3
D
3
IN
3
文档编号： 71399
S11-1066 -REV 。 E， 30日， 11
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1
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DG441L ， DG442L
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绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
V +到V -
GND到V -
A
数字输入V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
当前，S或D （脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ DQ ， DY后缀）
（ AK后缀）
16引脚TSSOP
c
功率耗散（包）
b
a
符号
极限
- 0.3 13
7
GND - 0.3至（V +） + 0.3
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 125
- 65 150
450
单位
V
mA
°C
16引脚窄体
16引脚CERDIP
e
SOIC
d
650
900
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免7毫瓦/°C， 75°C以上
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
特定网络阳离子
a
（单电源12V）
测试条件
除非另有说明
V + = 12 V, V - = 0 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
典型值。
c
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
导通电阻匹配
通道之间
e
关机漏电流
符号
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
马克斯。
d
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= 1/11 V, V
S
= 11/1 V
I
D（关闭）
V + = 10.8 V, V - = 0 V
I
S
= 10 mA时， V
D
= 2/9 V
I
S
= 10 mA时， V
D
= 9 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
满
V
IN
= 0 V或12 V
房间
满
满
20
12
5
71
95
5
6
15
0.03
-
0.002
-
0.002
0.01
20
0.1
0
12
30
45
0.5
0
12
30
40
0.5
V
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
- 1.5
- 1.5
1
15
1
15
1
15
1.5
1.5
60
80
35
50
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
-1
1
10
1
10
1
10
1
1
60
70
35
45
nA
通道泄漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道的串扰
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
地电流
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2
I
D（上）
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
I+
I-
I
GND
V
S
= V
D
= 11/1 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
A
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 5 V ，见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
pF
1.5
-1
- 7.5
- 1.5
-1
-5
-1
1
A
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特定网络阳离子
a
（双电源± 5 V ）
测试条件
除非另有说明
V + = 5 V, V - = - 5 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
马克斯。
d
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
导通电阻匹配
通道之间
e
关闭
漏电流
g
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
e
输入电流，V
IN
高
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
地电流
e
g
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V + = 5 V, V - = - 5 V
I
S
= 10 mA时， V
D
= ± 3.5 V
I
S
= 10 mA时， V
D
= ± 3.5 V
V + = 5.5 , V - = - 5.5 V
V
D
= ± 4.5 V, V
S
= ± 4.5 V
V + = 5.5 V, V - = - 5.5 V
V
S
= V
D
= ± 4.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
20
0.1
-5
5
33
45
0.5
-5
5
33
40
0.5
V
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
1
15
1
15
1
15
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1
10
1
10
1
10
nA
I
IL
I
IH
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
0.05
0.05
21
16
5
68
85
9
9
20
0.002
- 0.002
- 0.002
- 1.5
- 1.5
1.5
1.5
60
83
35
55
-1
-1
1
A
1
60
70
35
45
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
I+
-
I
GND
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= ± 3.5 V ，见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
满
pF
1.5
-1
- 7.5
- 1.5
-1
-5
-1
1
A
V
IN
= 0 V或5 V
房间
满
满
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特定网络阳离子
a
（单电源5V）
测试条件
除非另有说明
V + = 5 V, V - = 0 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
马克斯。
d
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
e
导通电阻匹配
通道之间
e
动态特性
开启时间
e
打开-O FF
时间
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V + = 4.5 V
I
S
= 5毫安， V
D
= 1 V, 3.5 V
I
S
= 10 mA时， V
D
= 3.5 V
满
房间
满
房间
35
0.5
5
50
88
1
5
50
75
1
V
t
ON
t
关闭
Q
I+
I-
I
GND
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 3.5 V ，见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
房间
热
房间
热
房间
满
27
15
0.5
10
- 0.002
- 10
-1
- 7.5
- 200
50
90
30
55
50
60
30
40
ns
电荷注入
e
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
地电流
e
pC
200
-1
-5
- 100
100
A
V
IN
= 0 V或5 V
房间
满
满
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4
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特定网络阳离子
a
（单电源3V）
测试条件
除非另有说明
V + = 3 V, V - = 0 V
V
IN
= 0.4 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
马克斯。
d
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
导通电阻匹配
通道之间
e
关闭
漏电流
g
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
e
输入电流，V
IN
高
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
g
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V + = 2.7 V, V - = 0 V
I
S
= 5毫安， V
D
= 0.5, 2.2 V
I
S
= 5毫安， V
D
= 2.2 V
V + = 3.3 , V - = 0 V
V
D
= 1, 2 V, V
S
= 2, 1 V
V + = 3.3 V, V - = 0 V
V
S
= V
D
= 1, 2 V
V
IN
被测= 0.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
65
1
0
3
80
115
3
0
3
80
100
3
V
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
1
15
1
15
1
15
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1
10
1
10
1
10
nA
I
IL
I
IH
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
0.005
0.005
50
30
1
68
85
6
6
20
- 1.5
- 1.5
1.5
1.5
136
175
100
140
-1
-1
1
A
1
136
151
100
125
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V，见图2
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
pF
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
克。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 71399
S11-1066 -REV 。 E， 30日， 11
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QQ：2880707522 复制
