DG428/429
Vishay Siliconix公司
单8通道/差分4通道可锁存模拟多路复用器
特点
D
低R
DS （ ON）
: 55
W
D
低电荷注入量：1件
D
板载TTL兼容
地址锁存器
D
高速-T
TRANS
： 160纳秒
D
突破前先
D
低功耗： 0.3毫瓦
好处
D
D
D
D
D
D
提高系统精度
微处理器总线兼容
轻松连接
降低串扰
高通量
提高可靠性
应用
D
D
D
D
D
数据采集系统
自动测试设备
航空电子设备和军事系统
通信系统
微处理器控制
模拟系统
D
医疗器械
描述
该DG428 / DG429模拟多路复用器具有片内地址
和控制锁存器基于微处理器简化设计
应用程序。先开后合式开关动作保护
对相邻的输入信号的瞬时串扰。
该DG428选择八个单端输入一
共同输出，而DG429选择的四分之一
差分输入至公共差分输出。
一个通道导通电流同样在两个方向。
在关断状态的每个信道的块的最大电压为电源
电源轨。一个使能（EN ）功能允许用户重新设置
多路复用器/多路分解器，以关闭所有开关用于堆叠
几个设备。所有的控制输入端，地址（A
x
），并启用
（ EN ）是TTL兼容在整个规定的工作
温度范围。
硅栅CMOS工艺使操作过
宽范围的电源电压。绝对最大电压
等级扩展到44 V.此外，单电源操作
也允许和外延层防止闭锁。
板载TTL兼容地址锁存器简化数字
接口设计，减少电路板空间，总线控制
系统，诸如数据采集系统，过程控制，
航空电子设备，以及ATE 。
功能框图及引脚配置
DG428
双列直插式
A0
DG428
PLCC
WR
18
17
RS
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
9
S4
10 11 12 13
S8
NC
S7
D
EN
V–
S
1
S
2
S
3
4
5
6
7
8
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
A
2
GND
V+
S
5
S
6
A1
NC
1
RS
WR
A
0
EN
V–
S
1
S
2
S
3
S
4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
锁存器
解码器/驱动器
3
2
20 19
16
15
14
13
12
11
10
顶视图
顶视图
文档编号： 70063
S- 52433 -REV 。 ，06年09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-1
DG428/429
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG429
双列直插式和SOIC
A0
DG429
PLCC
WR
18
17
RS
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
9
S4a
10 11 12 13
S4b
Da
NC
Db
EN
V–
S
1a
S
2a
S
3a
4
5
6
7
8
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
GND
V
DD
S
1b
S
2b
S
3b
A1
NC
1
RS
WR
A
0
EN
V–
S
1a
S
2a
S
3a
S
4a
D
a
1
2
3
4
5
6
7
8
9
锁存器
解码器/驱动器
3
2
20 19
16
15
14
13
12
11
10
顶视图
顶视图
真值表
A
2
A
1
A
0
EN
WR
RS
DG428
ON开关
A
1
A
0
真值表
EN
WR
RS
DG429
ON开关
8通道单端多路复用器
锁定
X
X
1
保持先前的
开关状态
X
X
差分4通道多路复用器
锁定
X
X
X
1
保持先前的
开关状态
RESET
X
X
X
X
X
0
无（锁存器清零）
RESET
X
X
X
X
0
无（锁存器清零）
透明运行
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
无
1
2
3
4
5
6
7
8
透明运行
X
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
无
1
2
3
4
逻辑“0” = V
AL
v
0.8 V
逻辑“1” = V
AH
w
2.4 V
X =无关
订购信息
温度范围
-40到85°C
DG428
产品型号
DG428DJ
DG428DN
订购信息
温度范围
-40至85℃
40 85_C
DG429
产品型号
DG429DJ
DG429DN
DG429DW
包
18引脚塑料DIP
20引脚PLCC
包
18引脚塑料DIP
20引脚PLCC
18引脚宽体SOIC
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-2
文档编号： 70063
S- 52433 -REV 。 ，06年09月99
DG428/429
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V-
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
, V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） 2 V或
30毫安，以先到为准
电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AK后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DN后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
18引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
18引脚CERDIP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
20引脚PLCC
f
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫瓦
28引脚宽体SOIC
f
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.3毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免12毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免10毫瓦/ _C以上75°C 。
f.
减免6毫瓦/ _C以上75°C 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
最大的变化在研发
DS （ ON）
通道之间
g
SOURCE OFF
漏电流
流掉
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
=
"10
V, V
AL
= 0.8 V
I
S
= -1毫安，V
AH
= 2.4 V
-10 V < V
S
＆ LT ; 10 V
I
S
= -1毫安
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
EN
= 0 V
V
D
=
"10
V
V
S
=
#10
V
V
EN
= 0 V
V
S
= V
D
=
"10
V
V
EN
= 2.4 V
V
AL
= 0 8 V
0.8
V
AH
= 2.4 V
DG428
DG429
DG428
DG429
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
55
5
"0.03
"0.07
"0.05
"0.07
"0.05
–0.5
–50
–1
–100
–1
–50
–1
–100
–1
–50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
–0.5
–50
–1
–100
–1
–50
–1
–100
–1
–50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
nA
A
–15
15
100
125
–15
15
100
125
V
W
%
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V + = 15 V ，V = -15 V， WR = 0 ，
RS = 2.4 V ，V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
I
D（关闭）
在排水
漏电流
L·K
C
t
I
D（上）
数字控制
逻辑输入电流
g
p
输入V LT
I
吨电压高
喜
逻辑输入电流
输入电压低
逻辑输入电容
I
AH
I
AL
C
in
V
A
= 2.4 V
V
A
= 15 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
RS = 0 V ， WR = 0 V
F = 1 MHz的
满
满
满
房间
0.01
0.01
–0.01
8
–1
1
1
–1
pF
1
1
mA
A
动态特性
转换时间
突破前先间隔
使能和写
开启时间
启动和复位
打开-O FF时间
电荷注入
关断隔离
源关断电容
流掉电容
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ， WR ）
t
OFF （ EN ， RS ）
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
V
D
= 0 V, V
EN
= 0 V
V,
F = 1 MHz的
MH
排水导通电容
C
D（上）
参见图5
参见图4
参见图6和7
参见图6和8
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
C
L
= 1 nF的，参见图9
V
EN
= 0 V ，R
L
= 300
W,
C
L
= 15 pF的
V
S
= 7 V
RMS ，
F = 100千赫
V
S
= 0 V, V
EN
= 0 V ， F = 1兆赫
DG428
DG429
DG428
DG429
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
150
30
90
55
10
150
225
150
300
250
300
10
150
225
150
300
pC
dB
ns
250
300
1
–75
11
40
20
54
34
pF
F
文档编号： 70063
S- 52433 -REV 。 ，06年09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-3
DG428/429
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
符号
V + = 15 V ，V = -15 V， WR = 0 ， RS = 2.4
V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
最小输入时序要求
把脉冲宽度
A
X
， EN的数据建立时间
A
X
， EN数据保持时间
复位脉冲宽度
t
W
t
S
t
H
t
RS
V
S
= 5 V ，见图3
见图2
S网络
满
满
满
满
100
100
10
100
100
100
10
100
ns
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I–
V
EN
= 0 V, V
A
= 0 ， RS = 5 V
V
0
房间
房间
20
–0.001
–5
100
–5
100
mA
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
g
SOURCE OFF
漏电流
流掉
漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= +10 V, V
AL
= 0.8 V
I
S
= –500
毫安，
V
AH
= 2.4 V
0 V＆ LT ; V
S
＆ LT ; 10 V
I
S
= -1毫安
V
S
= 0 V, 10 V, V
D
= 10 V, 0 V
V
EN
= 0 V
V
D
= 0 V, 10 V
V
S
= 10 V, 0 V
V
V
EN
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V, 10 V
V
EN
= 2.4 V
V
AL
= 0.8 V
V
AH
= 2.4 V
DG428
DG429
DG428
DG429
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
80
5
"0.03
"0.07
"0.05
"0.07
"0.05
–0.5
–50
–1
–100
–1
–50
–1
–100
–1
–50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
–0.5
–50
–1
–100
–1
–50
–1
–100
–1
–50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
nA
A
0
12
150
0
12
150
V
W
%
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V + = 12 V ，V = 0 V ， WR = 0
RS = 2.4 V ，V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
I
D（关闭）
在排水
漏电流
I
D（上）
数字控制
逻辑输入电流
g
p
输入电压高
I
吨V LT
喜
逻辑输入电流
输入电压低
I
AH
I
AL
V
A
= 2.4 V
V
A
= 12 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
RS = 0 V ， WR = 0 V
满
满
满
–1
1
1
–1
1
1
mA
A
动态特性
转换时间
突破前先
间隔
使能和写
开启时间
启动和复位
打开-O FF时间
电荷注入
关断隔离
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ， WR ）
t
OFF （ EN ， RS ）
Q
OIRR
S
1
= 10 V / 2 V ，S
8
= 2 V/ 10 V
参见图5
参见图4
S
1
=5 V
参见图6和7
S
1
=5 V
参见图6和8
V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
C
L
= 1 nF的，参见图9
V
EN
= 0 V ，R
L
= 300
W,
C
L
= 15 pF的
V
S
= 7 V
RMS ，
F = 100千赫
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
160
40
110
70
4
–75
25
10
300
400
300
400
280
350
25
10
300
400
300
400
pC
dB
280
350
ns
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-4
文档编号： 70063
S- 52433 -REV 。 ，06年09月99
DG428/429
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非另有说明
参数
符号
V + = 12 V ，V = 0 V ， WR = 0
RS = 2.4 V ，V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
最小输入时序要求
把脉冲宽度
A
X
， EN
数据建立时间
A
X
， EN
数据保持时间
复位脉冲宽度
t
W
t
S
t
H
t
RS
V
S
= 5 V ，见图3
见图2
S网络
满
满
满
满
100
100
10
100
100
100
ns
10
100
电源
正电源电流
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
请参阅过程的期权流程图。
房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
通过设计保证，不受生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
r
DS （ ON）
马克斯 - R的
DS （ ON）
民
Dr
DS （ ON）
+
x 100%
r
AVE
DS （ ON）
I+
V
EN
= 0 V, V
A
= 0 ， RS = 5 V
房间
20
100
100
mA
文档编号： 70063
S- 52433 -REV 。 ，06年09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-5
DG428 ， DG429
Vishay Siliconix公司
单8通道/差分4通道可锁存模拟多路复用器
描述
该DG428 ， DG429模拟多路复用器具有片
地址和控制锁存器，以简化设计
基于微处理器的应用程序。突破前先
开关动作防止瞬时串扰
相邻的输入信号。
该DG428选择八个单端输入一
共同输出，而DG429选择的四分之一
差分输入至公共差分输出。
一个通道导通电流同样在这两个
方向。在关断状态的每个信道的块的最大电压为
电源轨。使能（ EN）功能允许
用户复位信号多路复用器/多路分解器，以关闭所有开关
堆叠多台设备。所有的控制输入端，地址（A
x
)
与使能（ EN ）为TTL在整个指定的兼容
工作温度范围。
硅栅CMOS工艺使操作过
宽范围的电源电压。最大绝对
额定电压延长至44 V.此外，单电源供电
操作也被允许以及外延层防止
闭锁。
板载TTL兼容地址锁存器简化数字
接口设计，减少电路板空间，总线控制
系统，诸如数据采集系统，过程控制，
航空电子设备，以及ATE 。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
低R
DS （ ON）
: 55
低电荷注入量：1件
板载TTL兼容的地址锁存器
高速 - 吨
TRANS
： 160纳秒
中断前先
低功耗： 0.3毫瓦
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
提高了系统的精度
微处理器总线兼容
轻松连接
降低串扰
高通量
提高可靠性
应用
数据采集系统
自动测试设备
航空电子设备和军事系统
通信系统
微处理器控制的模拟系统
医疗器械
功能框图及引脚配置
DG428
双列直插式
A0
WR
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
13
12
11
10
RS
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
9
S4
EN
V-
S
1
S
2
S
3
4
5
6
7
8
DG428
PLCC
WR
A1
NC
1
RS
3
2
20 19
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
A
2
GND
V+
S
5
S
6
10 11 12 13
S8
NC
S7
D
顶视图
顶视图
文档编号： 70063
S11-1350 -REV 。 K， 04 -JUL- 11
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DG428 ， DG429
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功能框图及引脚配置
DG429
双列直插式和SOIC
A0
WR
A
0
EN
V-
S
1a
S
2a
S
3a
S
4a
D
a
1
2
3
4
5
6
7
8
9
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
13
12
11
10
RS
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
9
S4a
10 11 12 13
S4b
Da
NC
Db
EN
V-
S
1a
S
2a
S
3a
4
5
6
7
8
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
GND
V
DD
S
1b
S
2b
S
3b
DG429
PLCC
WR
A1
NC
1
RS
3
2
20 19
顶视图
顶视图
真值表 - DG428
8通道单端多路复用器
A
2
A
1
A
0
EN
WR
RS
ON开关
保持先前的
开关状态
无（锁存器
清零）
无
1
2
3
4
5
6
7
8
真值表 - DG429
差分4通道多路复用器
A
1
锁定
A
0
EN
WR
RS
ON开关
保持先前的
开关状态
无（锁存器
清零）
无
1
2
3
4
锁定
X
RESET
X
X
X
X
X
0
X
X
X
1
X
RESET
X
X
X
1
X
X
X
0
透明运行
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
透明运行
X
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
LOGIC "0" = V
AL
0.8
V
逻辑"1" = V
AH
2.4
V
X =无关
订购信息 - DG428
温度范围
包
18引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
20引脚PLCC
产品型号
DG428DJ
DG428DJ-E3
DG428DN
DG428DN-E3
订购信息 - DG429
温度范围
包
18引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
20引脚PLCC
18引脚宽体SOIC
产品型号
DG429DJ
DG429DJ-E3
DG429DN
DG429DN-E3
DG429DW
DG429DW-E3
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文档编号： 70063
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绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
电压参考V-
数字输入
a
,
参数
V+
GND
符号
极限
44
25
（ V - ） - 2 V至（V +） + 2 V
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
900
800
450
单位
V
V
S
, V
D
电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大值）
储存温度
（ AK后缀）
（ DJ ， DN后缀）
18引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
18引脚CERDIP
d
20引脚PLCC
f
mA
°C
mW
28引脚宽体SOIC
f
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.3毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免10毫瓦/°C， 75°C以上。
F。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V + = 15 V ，V = - 15 V ， WR = 0 ，
RS = 2.4 V ，V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
满
V
D
= ± 10 V, V
AL
= 0.8 V
I
S
= - 1毫安， V
AH
= 2.4 V
- 10 V < V
S
＆ LT ; 10 V
I
S
= - 1毫安
V
S
= ± 10 V,
V
EN
= 0 V, V
D
= ± 10 V
V
EN
= 0 V
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
S
= V
D
= ± 10 V
V
EN
= 2.4 V
V
AL
= 0.8 V
V
AH
= 2.4 V
V
A
= 2.4 V
V
A
= 15 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
RS = 0 V ， WR = 0 V
F = 1 MHz的
DG428
DG429
DG428
DG429
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
房间
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
55
后缀
- 55 ° C至125°C
典型值。
c
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
100
125
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
100
125
单位
V
%
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
1
1
-1
-1
pF
250
300
10
150
225
150
300
10
150
225
150
300
ns
250
300
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
1
1
A
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
最大的变化在研发
DS （ ON）
通道之间
g
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
5
± 0.03
± 0.07
± 0.05
± 0.07
± 0.05
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
nA
漏极泄漏电流
I
D（上）
数字控制
逻辑输入电流
输入电压高
逻辑输入电流
输入电压低
逻辑输入电容
动态特性
转换时间
突破前先间隔
使能和写的导通时间
启用和复位关闭时间
电荷注入
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ， WR ）
t
OFF （ EN ， RS ）
Q
参见图5
参见图4
参见图6和图7
参见图6和图8
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
C
L
= 1 nF的，参见图9
V
EN
= 0 V ，R
L
= 300
C
L
= 15 pF的，V
S
= 7 V
RMS
F = 100千赫
V
S
= 0 V, V
EN
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= 0 V
V
EN
= 0 V
F = 1 MHz的
DG428
DG429
DG428
DG429
150
30
90
55
1
I
AH
I
AL
C
in
0.01
0.01
- 0.01
8
pC
关断隔离
源关断电容
流掉电容
排水导通电容
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
- 75
11
40
20
54
34
100
100
10
100
20
- 0.001
-5
100
-5
100
100
10
100
100
dB
pF
最小输入时序要求
t
W
把脉冲宽度
A
X
， EN的数据建立时间
A
X
， EN数据保持时间
复位脉冲宽度
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I-
V
EN
= V
A
= 0 ， RS = 5 V
t
S
t
H
t
RS
V
S
= 5 V ，见图3
见图2
满
满
满
房间
房间
ns
A
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4
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DG428 ， DG429
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（单电源）
测试条件
除非另有说明
V + = 12 V ，V = 0 V ， WR = 0 ，
RS = 2.4 V ，V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
- 55 ° C至125°C
温度。
b
典型值。
c
满
V
D
= ± 10 V, V
AL
= 0.8 V
I
S
= - 500 μA ，V
AH
= 2.4 V
0 V＆ LT ; V
S
＆ LT ; 10 V
I
S
= - 1毫安
V
S
= 0 V, 10 V,
V
EN
= 0 V, V
D
= 10 V, 0 V
V
D
= 0 V, 10 V
V
S
= 10 V, 0 V
V
EN
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V, 10 V
V
EN
= 2.4 V
V
AL
= 0.8 V
V
AH
= 2.4 V
DG428
DG429
DG428
DG429
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
-1
80
5
± 0.03
± 0.07
± 0.05
± 0.07
± 0.05
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
1
1
-1
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
1
1
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
150
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
150
单位
V
%
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
g
来源OFF漏电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
nA
漏极泄漏电流
数字控制
逻辑输入电流
输入电压高
逻辑输入电流
输入电压低
动态特性
转换时间
突破前先间隔
启用和WriteTurn通时间
启用和复位关闭时间
电荷注入
关断隔离
I
D（上）
I
AH
I
AL
V
A
= 2.4 V
V
A
= 12 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
RS = 0 V ， WR = 0 V
S
1
= 10 V / 2 V ，S
8
= 2 V/ 10 V
参见图5
参见图4
S
1
= 5 V
参见图6和图7
S
1
= 5 V
参见图6和图8
V
根
= 6 V ，R
根
= 0
C
L
= 1 nF的，参见图9
V
EN
= 0 V ，R
L
= 300
C
L
= 15 pF的，V
S
= 7 V
RMS
F = 100千赫
A
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ， WR ）
t
OFF （ EN ， RS ）
Q
OIRR
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
160
40
110
70
4
- 75
25
10
280
350
25
10
300
400
300
400
280
350
ns
300
400
300
400
pC
dB
最小输入时序要求
t
W
把脉冲宽度
A
X
， EN的数据建立时间
t
S
t
H
A
X
， EN数据保持时间
t
RS
复位脉冲宽度
电源
正电源电流
I+
见图2
V
S
= 5 V ，见图3
V
EN
= 0 V, V
A
= 0 ， RS = 5 V
满
满
满
满
房间
20
100
100
10
100
100
100
100
10
100
100
ns
A
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
R
DS （ ON）
= R
DS （ ON）
马克斯 - R的
DS （ ON）
民
R
DS （ ON）
AVE
(
)
x 100 %
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70063
S11-1350 -REV 。 K， 04 -JUL- 11
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