DG428 ， DG429
Vishay Siliconix公司
单8通道/差分4通道可锁存模拟多路复用器
描述
该DG428 ， DG429模拟多路复用器具有片
地址和控制锁存器，以简化设计
基于微处理器的应用程序。突破前先
开关动作防止瞬时串扰
相邻的输入信号。
该DG428选择八个单端输入一
共同输出，而DG429选择的四分之一
差分输入至公共差分输出。
一个通道导通电流同样在这两个
方向。在关断状态的每个信道的块的最大电压为
电源轨。使能（ EN）功能允许
用户复位信号多路复用器/多路分解器，以关闭所有开关
堆叠多台设备。所有的控制输入端，地址（A
x
)
与使能（ EN ）为TTL在整个指定的兼容
工作温度范围。
硅栅CMOS工艺使操作过
宽范围的电源电压。最大绝对
额定电压延长至44 V.此外，单电源供电
操作也被允许以及外延层防止
闭锁。
板载TTL兼容地址锁存器简化数字
接口设计，减少电路板空间，总线控制
系统，诸如数据采集系统，过程控制，
航空电子设备，以及ATE 。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
低R
DS （ ON）
: 55
低电荷注入量：1件
板载TTL兼容的地址锁存器
高速 - 吨
TRANS
： 160纳秒
中断前先
低功耗： 0.3毫瓦
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
提高了系统的精度
微处理器总线兼容
轻松连接
降低串扰
高通量
提高可靠性
应用
数据采集系统
自动测试设备
航空电子设备和军事系统
通信系统
微处理器控制的模拟系统
医疗器械
功能框图及引脚配置
DG428
双列直插式
A0
WR
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
13
12
11
10
RS
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
9
S4
EN
V-
S
1
S
2
S
3
4
5
6
7
8
DG428
PLCC
WR
A1
NC
1
RS
3
2
20 19
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
A
2
GND
V+
S
5
S
6
10 11 12 13
S8
NC
S7
D
顶视图
顶视图
文档编号： 70063
S11-1350 -REV 。 K， 04 -JUL- 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG428 ， DG429
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG429
双列直插式和SOIC
A0
WR
A
0
EN
V-
S
1a
S
2a
S
3a
S
4a
D
a
1
2
3
4
5
6
7
8
9
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
13
12
11
10
RS
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
9
S4a
10 11 12 13
S4b
Da
NC
Db
EN
V-
S
1a
S
2a
S
3a
4
5
6
7
8
锁存器
解码器/驱动器
18
17
16
15
14
GND
V
DD
S
1b
S
2b
S
3b
DG429
PLCC
WR
A1
NC
1
RS
3
2
20 19
顶视图
顶视图
真值表 - DG428
8通道单端多路复用器
A
2
A
1
A
0
EN
WR
RS
ON开关
保持先前的
开关状态
无（锁存器
清零）
无
1
2
3
4
5
6
7
8
真值表 - DG429
差分4通道多路复用器
A
1
锁定
A
0
EN
WR
RS
ON开关
保持先前的
开关状态
无（锁存器
清零）
无
1
2
3
4
锁定
X
RESET
X
X
X
X
X
0
X
X
X
1
X
RESET
X
X
X
1
X
X
X
0
透明运行
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
透明运行
X
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
LOGIC "0" = V
AL
0.8
V
逻辑"1" = V
AH
2.4
V
X =无关
订购信息 - DG428
温度范围
包
18引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
20引脚PLCC
产品型号
DG428DJ
DG428DJ-E3
DG428DN
DG428DN-E3
订购信息 - DG429
温度范围
包
18引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
20引脚PLCC
18引脚宽体SOIC
产品型号
DG429DJ
DG429DJ-E3
DG429DN
DG429DN-E3
DG429DW
DG429DW-E3
www.vishay.com
2
文档编号： 70063
S11-1350 -REV 。 K， 04 -JUL- 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG428 ， DG429
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
电压参考V-
数字输入
a
,
参数
V+
GND
符号
极限
44
25
（ V - ） - 2 V至（V +） + 2 V
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
900
800
450
单位
V
V
S
, V
D
电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大值）
储存温度
（ AK后缀）
（ DJ ， DN后缀）
18引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
18引脚CERDIP
d
20引脚PLCC
f
mA
°C
mW
28引脚宽体SOIC
f
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.3毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免10毫瓦/°C， 75°C以上。
F。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
文档编号： 70063
S11-1350 -REV 。 K， 04 -JUL- 11
www.vishay.com
3
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG428 ， DG429
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V + = 15 V ，V = - 15 V ， WR = 0 ，
RS = 2.4 V ，V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
满
V
D
= ± 10 V, V
AL
= 0.8 V
I
S
= - 1毫安， V
AH
= 2.4 V
- 10 V < V
S
＆ LT ; 10 V
I
S
= - 1毫安
V
S
= ± 10 V,
V
EN
= 0 V, V
D
= ± 10 V
V
EN
= 0 V
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
S
= V
D
= ± 10 V
V
EN
= 2.4 V
V
AL
= 0.8 V
V
AH
= 2.4 V
V
A
= 2.4 V
V
A
= 15 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
RS = 0 V ， WR = 0 V
F = 1 MHz的
DG428
DG429
DG428
DG429
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
房间
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
55
后缀
- 55 ° C至125°C
典型值。
c
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
100
125
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
100
125
单位
V
%
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
1
1
-1
-1
pF
250
300
10
150
225
150
300
10
150
225
150
300
ns
250
300
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
1
1
A
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
最大的变化在研发
DS （ ON）
通道之间
g
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
5
± 0.03
± 0.07
± 0.05
± 0.07
± 0.05
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
nA
漏极泄漏电流
I
D（上）
数字控制
逻辑输入电流
输入电压高
逻辑输入电流
输入电压低
逻辑输入电容
动态特性
转换时间
突破前先间隔
使能和写的导通时间
启用和复位关闭时间
电荷注入
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ， WR ）
t
OFF （ EN ， RS ）
Q
参见图5
参见图4
参见图6和图7
参见图6和图8
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
C
L
= 1 nF的，参见图9
V
EN
= 0 V ，R
L
= 300
C
L
= 15 pF的，V
S
= 7 V
RMS
F = 100千赫
V
S
= 0 V, V
EN
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= 0 V
V
EN
= 0 V
F = 1 MHz的
DG428
DG429
DG428
DG429
150
30
90
55
1
I
AH
I
AL
C
in
0.01
0.01
- 0.01
8
pC
关断隔离
源关断电容
流掉电容
排水导通电容
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
- 75
11
40
20
54
34
100
100
10
100
20
- 0.001
-5
100
-5
100
100
10
100
100
dB
pF
最小输入时序要求
t
W
把脉冲宽度
A
X
， EN的数据建立时间
A
X
， EN数据保持时间
复位脉冲宽度
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I-
V
EN
= V
A
= 0 ， RS = 5 V
t
S
t
H
t
RS
V
S
= 5 V ，见图3
见图2
满
满
满
房间
房间
ns
A
www.vishay.com
4
文档编号： 70063
S11-1350 -REV 。 K， 04 -JUL- 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG428 ， DG429
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（单电源）
测试条件
除非另有说明
V + = 12 V ，V = 0 V ， WR = 0 ，
RS = 2.4 V ，V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
- 55 ° C至125°C
温度。
b
典型值。
c
满
V
D
= ± 10 V, V
AL
= 0.8 V
I
S
= - 500 μA ，V
AH
= 2.4 V
0 V＆ LT ; V
S
＆ LT ; 10 V
I
S
= - 1毫安
V
S
= 0 V, 10 V,
V
EN
= 0 V, V
D
= 10 V, 0 V
V
D
= 0 V, 10 V
V
S
= 10 V, 0 V
V
EN
= 0 V
V
S
= V
D
= 0 V, 10 V
V
EN
= 2.4 V
V
AL
= 0.8 V
V
AH
= 2.4 V
DG428
DG429
DG428
DG429
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
-1
80
5
± 0.03
± 0.07
± 0.05
± 0.07
± 0.05
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
1
1
-1
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
1
1
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
150
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
150
单位
V
%
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
g
来源OFF漏电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
nA
漏极泄漏电流
数字控制
逻辑输入电流
输入电压高
逻辑输入电流
输入电压低
动态特性
转换时间
突破前先间隔
启用和WriteTurn通时间
启用和复位关闭时间
电荷注入
关断隔离
I
D（上）
I
AH
I
AL
V
A
= 2.4 V
V
A
= 12 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
RS = 0 V ， WR = 0 V
S
1
= 10 V / 2 V ，S
8
= 2 V/ 10 V
参见图5
参见图4
S
1
= 5 V
参见图6和图7
S
1
= 5 V
参见图6和图8
V
根
= 6 V ，R
根
= 0
C
L
= 1 nF的，参见图9
V
EN
= 0 V ，R
L
= 300
C
L
= 15 pF的，V
S
= 7 V
RMS
F = 100千赫
A
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ， WR ）
t
OFF （ EN ， RS ）
Q
OIRR
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
160
40
110
70
4
- 75
25
10
280
350
25
10
300
400
300
400
280
350
ns
300
400
300
400
pC
dB
最小输入时序要求
t
W
把脉冲宽度
A
X
， EN的数据建立时间
t
S
t
H
A
X
， EN数据保持时间
t
RS
复位脉冲宽度
电源
正电源电流
I+
见图2
V
S
= 5 V ，见图3
V
EN
= 0 V, V
A
= 0 ， RS = 5 V
满
满
满
满
房间
20
100
100
10
100
100
100
100
10
100
100
ns
A
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
R
DS （ ON）
= R
DS （ ON）
马克斯 - R的
DS （ ON）
民
R
DS （ ON）
AVE
(
)
x 100 %
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 70063
S11-1350 -REV 。 K， 04 -JUL- 11
www.vishay.com
5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2881677436 复制
