DG417L/418L/419L
Vishay Siliconix公司
精密单片低电压CMOS模拟开关
描述
该DG417L / 418L / 419L是低电压引脚对引脚
兼容配套设备的行业标准
DG417 / 419分之418具有改进的性能。
采用BiCMOS晶片加工技术使
DG417L / 418L / 419L对单，双电源供电。
单电源电压范围为3 12 V ，而双
电源工作，建议在±3 ± 6V。
结合高速（T
ON
： 28毫微秒），平
ON
在模拟
信号范围（ 6
Ω),
最小的插入损失（最高达100 MHz ） ，
和优异的串扰和关断隔离性能（
-
70分贝
在1 MHz ）时， DG417L / 418L / 419L ，非常适合音频
视频信号切换。
该DG417L和DG418L应对反控制逻辑
如图所示的真值表。该DG419L有一个SPDT
配置。
特点
2.7-至12 V单电源或
± 3-直通± 6双电源供电
导通电阻 - R的
ON：
14
Ω
快速开关 - 吨
ON
： 28纳秒
- t
关闭
： 13纳秒
TTL ， CMOS兼容
低漏： < 100 pA的
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
应用
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
SDSL ， DSLAM
音频和视频信号路由
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
功能框图及引脚配置
DG417L/DG418L
双列直插式， MSOP - 8和SOIC -8
NC / NO
*
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
*未连接
8
7
6
5
COM
V-
IN
V
L
DG419L
双列直插式， MSOP - 8和SOIC -8
COM
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
NO
V-
IN
V
L
真值表
逻辑
0
1
DG417L
ON
关闭
DG418L
关闭
ON
真值表 - DG419L
逻辑
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
订购信息DG417L / 418L
温度范围
包
产品型号
DG417LDY
DG417LDY-E3
DG417LDY-T1
DG417LDY-T1-E3
DG418LDY
DG418LDY-E3
DG418LDY-T1
DG418LDY-T1-E3
DG417LDQ-T1-E3
DG418LDQ-T1-E3
订购信息DG419L
温度范围
包
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
产品型号
DG419LDY
DG419LDY-E3
DG419LDY-T1
DG419LDY-T1-E3
DG419LDQ-T1-E3
- 4085 ℃下
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 71763
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
www.vishay.com
1
DG417L/418L/419L
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
I
N
， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ AK ， DQ ， DY后缀）
功率耗散（包）
b
8引脚MSOP
c
8引脚SOIC
c
8引脚CERDIP
d
极限
- 0.3 13
7
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
- 0.3 （V + + 0.3 ）
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
320
400
600
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。对NC的信号， NO ， COM ，或IN超过V +或V-将由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
规格（单电源12V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55至125℃的
- 4085 ℃下
温度
b
满
V+ = 10.8 V, V- = 0 V
I
NO
, I
NC
= 5毫安， V
COM
= 2/9 V
V
COM
= 1/11 V
V
NO
, V
NC
= 11/1 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 11/1 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.01
28
13
13
1
- 71
- 71
5
15
0.02
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
pC
dB
13
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
- 1.5
典型值
c
民
d
0
最大
d
12
20
32
1
15
1
15
1
15
1.5
43
50
31
35
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
民
d
0
最大
d
12
20
23.5
1
10
1
10
1
10
1
43
46
31
32
A
nA
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
符号
V
类似物
r
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
关机漏电流
通道泄漏电流
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先延时
电荷注入
e
关断隔离
e
I
COM（上）
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
INJ
OIRR
相声
e
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
I+
I-
V
IN
= 0或V
L
I
L
I
GND
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= 5 V ，见图2
DG419L只，V
NC
, V
NO
= 5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
通道到通道
源关断电容
e
通道上
电源
电容
e
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
www.vishay.com
2
文档编号： 71763
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
DG417L/418L/419L
Vishay Siliconix公司
规格（双电源± 5 V ）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制
- 55至125℃的
温度
b
满
V+ = 5 V, V- = - 5 V
I
NO
, I
NC
= 5毫安， V
COM
= ± 3.5 V
V+ = 5.5 , V- = - 5.5 V
V
COM
= ± 4.5 V
V
NO
, V
NC
= ± 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= ± 4.5 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0或V
L
逻辑电源电流
地电流
e
e
后缀限制
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
符号
V
类似物
r
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
典型值
c
民
d
最大
d
-5
14
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
0.05
30
16
10
33
3
- 71
- 76
5.2
15
0.03
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
- 1.5
5
18.5
30
1
15
1
15
1
15
1.5
41
50
32
36
-5
5
18.5
21
关闭
漏电流
a
通道上
漏电流
数字控制
输入电流
a
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
先开后合式时间
延迟
e
TransitionTime
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
通道上
电容
e
a
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
1
10
1
10
1
10
1
41
44
32
33
ns
A
nA
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
D
t
TRANS
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= ± 3.5 V ，见图2
DG419L只，V
NO
, V
NC
= 3.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= ± 3.5 V, V
S2
= ± 3.5 V
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
47
47
pC
dB
F = 1 MHz的
pF
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
I+
I-
I
L
I
GND
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
房间
满
房间
满
房间
满
文档编号： 71763
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
www.vishay.com
3
DG417L/418L/419L
Vishay Siliconix公司
规格（单电源5V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制
- 55至125℃的
温度
b
满
V + = 4.5 V，I
NO
, I
NC
= 5毫安
V
COM
= 1 V, 3.5 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0或V
L
逻辑电源
当前
e
I
L
I
GND
房间
满
房间
满
房间
满
26
典型值
c
民
d
最大
d
5
36.5
50
49
60
31
35
后缀限制
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
5
36.5
40.5
49
54
31
32
ns
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
e
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
先开后合式时间
延迟
e
电荷注入
e
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
符号
V
类似物
r
ON
t
ON
t
关闭
t
D
Q
INJ
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= 3.5 V ，见图2
DG419L只，V
NO
, V
NC
= 3.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
37
16
19
0.4
0.02
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
pC
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
I+
I-
地电流
e
www.vishay.com
4
文档编号： 71763
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
DG417L/418L/419L
Vishay Siliconix公司
规格（单电源3V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V- = 0 V
V
L
= 3 V, V
IN
= 2.0 V, 0.4 V
f
后缀限制
- 55至125℃的
温度
b
满
V+ = 2.7 V, V- = 0 V
房间
I
NO
, I
NC
= 5毫安， V
COM
= 0.5, 2.2 V
满
V+ = 3.3 , V- = 0 V
V
COM
= 1, 2 V, V
NO
, V
NC
= 2, 1 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1, 2 V
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
0.005
65
26
33
1
- 71
- 77
5.6
16
dB
pC
47
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
- 1.5
典型值
c
民
d
最大
d
后缀限制
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
符号
V
类似物
r
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
0
3
70
80
1
15
1
15
1
15
1.5
75
95
41
45
0
3
70
75
关闭
漏电流
a
通道上
漏电流
数字控制
输入电流
a
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
延迟
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
通道导通电容
e
a
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
1
10
1
10
1
10
1
75
85
41
43
ns
A
nA
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= 1.5 V，见图2
DG419L只，V
NO
, V
NC
= 1.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
- 10 nF的
F = 1 MHz的
pF
注意事项：
一。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受生产测试。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 71763
S- 71009 -REV 。 E， 14日， 07
www.vishay.com
5
DG417L ， DG418L ， DG419L
Vishay Siliconix公司
精密单片低电压CMOS模拟开关
描述
该DG417L ， DG418L ， DG419L是低电压引脚对引脚
兼容配套设备的行业标准
DG417 ， DG418 ， DG419具有改进的性能。
采用BiCMOS晶片加工技术使
DG417L ， DG418L ， DG419L对单，双操作
耗材。单电源电压为3 V至12 V ，而
双电源工作，建议在±3 V至± 6V。
结合高速（T
ON
： 28毫微秒），平
ON
在模拟
信号范围（ 6
),
最小的插入损失（最高达100 MHz ） ，
和优异的串扰和关断隔离性能
（ - 70分贝在1 MHz ） ，在DG417L ， DG418L ， DG419L是
非常适合用于音频和视频信号的切换。
该DG417L和DG418L应对反控制逻辑
如图所示的真值表。该DG419L有一个SPDT
配置。
特点
2.7 V-至12 V单电源或± 3-通
± 6双电源供电
导通电阻 - R的
ON
: 14
快速切换 - 吨
ON
： 28纳秒
- t
关闭
： 13纳秒
TTL ， CMOS兼容
低泄漏： < 100 pA的
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
SDSL ， DSLAM
音频和视频信号路由
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单的接口
功能框图及引脚配置
DG417L ， DG418L
双列直插式， MSOP - 8和SOIC -8
NC / NO
*
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
*未连接
8
7
6
5
COM
V-
IN
V
L
DG419L
双列直插式， MSOP - 8和SOIC -8
COM
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
NO
V-
IN
V
L
真值表
逻辑
0
1
DG417L
ON
关闭
DG418L
关闭
ON
真值表
(DG419L)
逻辑
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
订购信息
（ DG417L ， DG418L ）
TEMP 。 RANGE
包
产品型号
DG417LDY
DG417LDY-E3
DG417LDY-T1
DG417LDY-T1-E3
DG418LDY
DG418LDY-E3
DG418LDY-T1
DG418LDY-T1-E3
DG417LDQ-T1-E3
DG418LDQ-T1-E3
订购信息
(DG419L)
TEMP 。 RANGE
包
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
产品型号
DG419LDY
DG419LDY-E3
DG419LDY-T1
DG419LDY-T1-E3
DG419LDQ-T1-E3
- 40 ° C至85°C
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 71763
S11-0598 -REV 。女，25 -APR- 11
www.vishay.com
1
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品文档受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
DG417L ， DG418L ， DG419L
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
I
N
， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ AK ， DQ ， DY后缀）
功率耗散（包）
b
8引脚MSOP
c
8引脚SOIC
c
8引脚CERDIP
d
极限
- 0.3 13
7
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
- 0.3 （V + + 0.3 ）
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
320
400
600
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。对NC的信号， NO ， COM ，或IN超过V +或V-将由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
特定网络阳离子
（单电源12V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 10.8 V, V- = 0 V
房间
I
NO
, I
NC
= 5毫安， V
COM
= 2 V / 9 V完整
V
COM
= 1 V / 11 V
V
NO
, V
NC
= 11 V / 1 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 11 V / 1 V
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.01
28
13
13
1
- 71
- 71
5
15
0.02
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
pC
dB
13
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
- 1.5
典型值。
c
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
20
32
1
15
1
15
1
15
1.5
43
50
31
35
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
20
23.5
1
10
1
10
1
10
1
43
46
31
32
A
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
符号
V
类似物
R
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
关机漏电流
通道泄漏电流
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先延时
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道的串扰
e
源关断电容
e
通道导通电容
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
e
I
COM（上）
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
I+
I-
V
IN
= 0或V
L
I
L
I
GND
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= 5 V ，见图2
DG419L只，V
NC
, V
NO
= 5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
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特定网络阳离子
（双电源± 5 V ）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 5 V, V- = - 5 V
I
NO
, I
NC
= 5毫安， V
COM
= ± 3.5 V
V+ = 5.5 , V- = - 5.5 V
V
COM
= ± 4.5 V
V
NO
, V
NC
= ± 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= ± 4.5 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0或V
L
逻辑电源电流
地电流
e
e
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
符号
V
类似物
R
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
典型值。
c
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
18.5
30
分钟。
d
-5
马克斯。
d
5
18.5
21
单位
V
14
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
0.05
30
16
10
33
3
- 71
- 76
5.2
15
0.03
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
- 1.5
关闭
漏电流
a
通道上
漏电流
数字控制
输入电流
a
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
先开后合式时间
延迟
e
TransitionTime
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
通道导通电容
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
e
a
1
15
1
15
1
15
1.5
41
50
32
36
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
1
10
1
10
1
10
1
41
44
32
33
ns
A
nA
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
D
t
TRANS
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= ± 3.5 V ，见图2
DG419L只，V
NO
, V
NC
= 3.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= ± 3.5 V, V
S2
= ± 3.5 V
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
47
47
pC
dB
F = 1 MHz的
pF
I+
I-
I
L
I
GND
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
A
房间
满
房间
满
房间
满
1
5
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Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
（单电源5V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V + = 4.5 V，I
NO
, I
NC
= 5毫安
V
COM
= 1 V, 3.5 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
满
V
IN
= 0或V
L
逻辑电源电流
地电流
e
e
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
e
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
先开后合式时间
延迟
e
电荷注入
e
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
符号
V
类似物
R
ON
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
5
分钟。
d
马克斯。
d
5
36.5
40.5
49
54
31
32
单位
V
26
36.5
50
49
60
31
35
t
ON
t
关闭
t
D
Q
INJ
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= 3.5 V ，见图2
DG419L只，V
NO
, V
NC
= 3.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
= 1 nF的
37
16
19
0.4
0.02
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
ns
pC
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
A
I+
I-
I
L
I
GND
房间
满
房间
满
房间
满
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S11-0598 -REV 。女，25 -APR- 11
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DG417L ， DG418L ， DG419L
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
（单电源3V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V- = 0 V
V
L
= 3 V, V
IN
= 2 V, 0.4 V
f
后缀限制后缀限制
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
V+ = 2.7 V, V- = 0 V
房间
I
NO
, I
NC
= 5毫安， V
COM
= 0.5 V ， 2.2 V完整
V+ = 3.3 , V- = 0 V
V
COM
= 1, 2 V, V
NO
, V
NC
= 2, 1 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V, 2 V
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
0.005
65
26
33
1
- 71
- 77
5.6
16
dB
pC
47
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
- 1.5
典型值。
c
分钟。
d
0
马克斯。
d
3
70
80
1
15
1
15
1
15
1.5
75
95
41
45
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
分钟。
d
0
马克斯。
d
3
70
75
1
10
1
10
1
10
1
75
85
41
43
ns
A
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
符号
V
类似物
R
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
关闭
漏电流
a
通道上
漏电流
数字控制
输入电流
a
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
延迟
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
通道上
电容
e
a
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
D（上）
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= 1.5 V，见图2
DG419L只，V
NO
, V
NC
= 1.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
F = 1 MHz的
pF
注意事项：
一。泄漏的参数由最坏的情况下测试条件保证不受生产测试。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 71763
S11-0598 -REV 。女，25 -APR- 11
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