DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST CMOS模拟开关
描述
该DG417B / 418B / 419B单片CMOS模拟开关
被设计为提供高性能的开关
模拟信号。结合低功耗，低漏电，高
速度，低导通电阻和小的物理尺寸，该
DG417B系列非常适合于便携式和电池
需要大功率的工业和军事应用
性能和高效利用的电路板空间。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG417B系列采用Vishay
Siliconix公司的高压硅栅（ HVSG ）的过程。
突破前先保证为DG419B ，这是
一个SPDT配置。外延层可以防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
该DG417B和DG418B应对反控制逻辑
如图中真值表水平。
特点
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 15
Ω
快速开关动作 - 吨
ON
： 110纳秒
TTL和CMOS兼容
MSOP - 8和SOIC -8封装
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
减少电路板空间
提高可靠性
应用
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持电路
军用无线通信设备
制导与控制系统
硬盘驱动器
功能框图及引脚配置
DG417B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
S
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
V-
IN
V
L
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
DG417B
ON
关闭
DG418B
关闭
ON
DG419B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
D
S
1
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
S
2
V-
IN
V
L
真值表 - DG419B
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
SW
1
ON
关闭
SW
2
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 72107
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
www.vishay.com
1
DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
DG417B/418B
包
产品型号
DG417BDJ
DG417BDJ-E3
DG418BDJ
DG418BDJ-E3
DG417BDY
DG417BDY-E3
DG417BDY-T1
DG417BDY-T1-E3
DG418BDY
DG418BDY-E3
DG418BDY-T1
DG418BDY-T1-E3
DG417BDQ-T1-E3
DG418BDQ-T1-E3
DG419BDJ
DG419BDJ-E3
DG419BDY
DG419BDY-E3
DG419BDY-T1
DG419BDY-T1-E3
DG419BDQ-T1-E3
8引脚塑料MINIDIP
- 4085 ℃下
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
DG419B
8引脚塑料MINIDIP
- 4085 ℃下
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
绝对最大额定值
参数
V-
V+
GND
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
目前， （任何终端）连续
脉冲在1 ms的电流（S或D ） ， 10 ％占空比
储存温度
8引脚塑料MINIDIP
c
功率耗散（包）
b
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
d
c
极限
- 20
20
25
端（GND - 0.3 V）至（ V +） + 0.3
（ V - ） - 2 V至（V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
400
400
400
600
单位
V
mA
°C
mW
8引脚CERDIP
e
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.3毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免4毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免8毫瓦/°C， 75°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 72107
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
V
L
V-
V
IN
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V-
图1 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
DG417B
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V DG418B
DG419B
DG417B
DG418B
DG419B
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
12.5 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
±
10 V ，见开关
时间测试电路
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S1
=
±
10 V, V
S2
=
±
10 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
=
±
10 V
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
DG419B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
15
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
- 15
最大
d
15
25
34
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.75
- 60
- 0.4
- 40
- 0.75
- 60
- 0.5
- 0.5
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
0.5
0.5
89
106
80
88
87
96
3
3
pC
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.75
- 12
- 0.4
- 10
- 0.75
- 12
- 0.5
- 0.5
后缀
- 4085 ℃下
民
d
- 15
最大
d
15
25
29
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
0.5
0.5
89
99
80
86
87
93
ns
单位
V
Ω
-
0.1
-
0.1
-
0.1
-
0.4
-
0.4
nA
通道泄漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
I
D（上）
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
OIRR
X
TALK
A
62
53
60
16
4
- 86
C
L
- 10 nF的
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的，
F = 1 MHz的
DG419B
dB
- 87
文档编号： 72107
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
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3
DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
0.001
- 0.001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
符号
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
温度
b
房间
房间
房间
房间
典型值
c
12
12
pF
50
57
后缀
- 55至125℃的
民
d
最大
d
后缀
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
单位
C
D（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
转换时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 13.2 V, V
L
= 5.25 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
房间
房间
0.001
- 0.001
0.001
- 0.001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
t
ON
t
关闭
t
D
t
TRANS
Q
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
8
V，见开关
时间测试电路
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= 0 V, 8 V, V
S2
=
8
V, 0 V
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
房间
满
房间
满
DG419B房
房间
满
房间
100
38
62
95
3
25
119
153
125
155
66
73
25
119
141
pC
125
143
66
69
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= - 10毫安，V
D
=
3.8
V
V+ = 10.8 V,
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
满
房间
满
26
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
0
最大
d
12
35
52
后缀
- 4085 ℃下
民
d
0
最大
d
12
35
45
单位
V
Ω
ns
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 72107
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
300
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ ）
r
D
S
（上）
- 医生
a
IN-
S
o
u
RCE上，再
s
i
s
t
a
NCE （ ）
T
A
= 25 °C
V
L
= 5 V
40
T
A
= 25 °C
35
30
25
±
8
V
20
15
10
± 20 V
5
- 20
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
± 10 V
± 12 V
± 15 V
±5V
250
200
V+ = 3.0 V
V
L
= 3 V
V+ = 12.0 V
V+ = 5.0 V
50
V+ = 8.0 V
V+ = 15.0 V
V+ = 20.0 V
150
100
0
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
30
r
D
S
（上）
- 医生
a
IN-
S
o
u
RCE上，再
s
i
s
t
a
NCE （ ）
V ± = ± 15 V
V
L
= 5 V
25
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ ）
导通电阻与V
D
和双电源电压
50
45
40
35
30
25
- 55 °C
20
15
10
5
V+ = 12 V
V- = 0 V
V
L
= 5 V
0
2
4
6
8
10
12
125 °C
85 °C
25 °C
20
125 °C
85
°C
15
25 °C
- 55 °C
10
5
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
导通电阻与V
D
和温度
100
80
60
40
I
D
, I
S
（ PA ）
20
0
- 20
- 40
- 60
-
80
- 100
-15
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V ± = ± 15 V
V
L
= 5 V
T
A
= 25 °C
100 m
10 m
I+ –
Su
pply
u
rrent （ nA的）
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
- 10
-5
0
5
10
15
100 p
10
导通电阻与V
D
和温度
V ± = ± 15 V
V
L
= 5 V
I+, I-
I
L
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
V
D
或V
S
- 排水或
来源
电压（V）的
输入
开关
频率（Hz）
泄漏与模拟电压
电源电流与输入开关频率
文档编号： 72107
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
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5
DG417B ， DG418B ， DG419B
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST CMOS模拟开关
描述
该DG417B ， DG418B ， DG419B单片CMOS模拟
交换机旨在提供高性能
模拟信号的切换。结合低功耗，低
泄漏，高速，低导通电阻和小的物理
大小， DG417B系列非常适合用于便携式和
电池供电，需要工业和军事应用
高性能和高效利用的电路板空间。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG417B系列采用Vishay
Siliconix公司的高压硅栅（ HVSG ）的过程。突破性
前先有保障的DG419B ，这是一个
SPDT配置。外延层可以防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
该DG417B和DG418B应对反控制逻辑
如图中真值表水平。
特点
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 15
Ω
快速开关动作 - 吨
ON
： 110纳秒
TTL和CMOS兼容
MSOP - 8和SOIC -8封装
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
减少电路板空间
提高可靠性
应用
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持电路
军用无线通信设备
制导与控制系统
硬盘驱动器
功能框图及引脚配置
DG417B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
S
No
CONNECT
GND
V+
1
2
3
4
顶部
意见
8
7
6
5
D
V-
IN
V
L
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
DG417B
ON
关闭
DG418B
关闭
ON
DG419B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
D
S
1
GND
V+
1
2
3
4
顶部
意见
8
7
6
5
S
2
V-
IN
V
L
真值表 - DG419B
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
SW
1
ON
关闭
SW
2
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 72107
S09-1261 -REV 。 D， 13 09年7月
www.vishay.com
1
DG417B ， DG418B ， DG419B
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
DG417B ， DG418B
包
产品型号
DG417BDJ
DG417BDJ-E3
DG418BDJ
DG418BDJ-E3
DG417BDY
DG417BDY-E3
DG417BDY-T1
DG417BDY-T1-E3
DG418BDY
DG418BDY-E3
DG418BDY-T1
DG418BDY-T1-E3
DG417BDQ-T1-E3
DG418BDQ-T1-E3
DG419BDJ
DG419BDJ-E3
DG419BDY
DG419BDY-E3
DG419BDY-T1
DG419BDY-T1-E3
DG419BDQ-T1-E3
8引脚塑料MINIDIP
- 40 ° C至85°C
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
DG419B
8引脚塑料MINIDIP
- 40 ° C至85°C
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
绝对最大额定值
参数
V-
V+
GND
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
目前， （任何终端）连续
脉冲在1 ms的电流（S或D ） ， 10 ％占空比
储存温度
8引脚塑料MINIDIP
功率耗散（包）
b
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
d
8引脚CERDIP
e
c
c
极限
- 20
20
25
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
（ V - ） - 2 V至（V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
400
400
400
600
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.3毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免4毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免8毫瓦/°C， 75°C以上。
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2
文档编号： 72107
S09-1261 -REV 。 D， 13 09年7月
DG417B ， DG418B ， DG419B
Vishay Siliconix公司
原理图
典型CHANNEL
V+
S
V
L
V
-
V
IN
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V
-
图1 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
±
10 V ，见开关
时间测试电路
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
典型值。
c
分钟。
d
- 15
15
马克斯。
d
15
25
34
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
0.5
0.5
89
106
80
88
87
96
3
3
pC
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
25
29
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
0.5
0.5
89
99
80
86
87
93
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
12.5 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
-
0.1
-
0.1
-
0.1
-
0.4
-
0.4
关机漏电流
I
D（关闭）
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
DG417B
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V DG418B
DG419B
DG417B
DG418B
DG419B
通道泄漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
I
D（上）
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.75
- 60
- 0.4
- 40
- 0.75
- 60
- 0.5
- 0.5
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.75
- 12
- 0.4
- 10
- 0.75
- 12
- 0.5
- 0.5
nA
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
OIRR
X
TALK
A
62
53
60
16
38
- 82
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
DG419B
V
S1
=
±
10 V, V
S2
=
±
10 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
DG419B
V
S1
= V
S2
=
±
10 V
C
L
- 10 nF的
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的，
F = 1 MHz的
DG419B
ns
dB
- 88
文档编号： 72107
S09-1261 -REV 。 D， 13 09年7月
www.vishay.com
3
DG417B ， DG418B ， DG419B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
房间
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
典型值。
c
12
12
pF
50
57
0.001
- 0.001
0.001
- 0.001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
最大
d.
单位
参数
动态特性
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
符号
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
房间
满
房间
满
房间
满
DG419B房
房间
满
房间
房间
满
V+ = 13.2 V, V
L
= 5.25 V
V
IN
= 0或5伏
房间
房间
房间
典型值。
c
分钟。
d
0
26
马克斯。
d
12
35
52
125
155
66
73
25
119
153
25
119
141
pC
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
-1
-5
-1
-5
1
5
1
5
A
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
35
45
125
143
66
69
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
转换时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S
= - 10毫安，V
D
=
3.8
V
V+ = 10.8 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
8
V，见开关
时间测试电路
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
t
ON
t
关闭
t
D
t
TRANS
Q
100
38
62
95
18
ns
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= 0 V, 8 V, V
S2
=
8
V, 0 V
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
I+
I-
I
L
I
GND
0.001
- 0.001
0.001
- 0.001
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 72107
S09-1261 -REV 。 D， 13 09年7月
DG417B ， DG418B ， DG419B
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
300
R
DS （ ON）
- 排水 - 所以
u
RCE导通电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
- 排水 - 所以
u
RCE导通电阻（ Ω ）
T
A
= 25 °C
V
L
= 5
V
250
40
T
A
= 25 °C
35
30
25
±
8V
20
15
10
± 20
V
5
- 20
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
± 10
V
± 12
V
± 15
V
±5
V
200
V+
= 3
V
V
L
= 3
V
150
100
V+
= 5
V
50
V+
=
8 V
V+
= 12
V
V+
= 15
V
V+
= 20
V
0
0
4
8
12
16
20
V
D
- 排水
电压
(V)
V
D
- 排水
电压
(V)
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
30
R
DS （ ON）
- 排水 - 所以
u
RCE导通电阻（ Ω ）
V
± = ± 15
V
V
L
= 5
V
25
R
DS （ ON）
- 排水 - 所以
u
RCE导通电阻（ Ω ）
50
45
40
35
30
25
导通电阻与V
D
和双电源电压
125 °C
85
°C
25 °C
- 55 °C
20
125 °C
85
°C
15
25 °C
- 55 °C
20
15
10
5
V+
= 12
V
V-
= 0
V
V
L
= 5
V
0
2
4
6
8
10
12
10
5
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 排水
电压
(V)
V
D
- 排水
电压
(V)
导通电阻与V
D
和温度
100
80
60
40
I
D
, I
S
（ PA ）
20
0
- 20
- 40
- 60
-
80
- 100
-15
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
± = ± 15
V
V
L
= 5
V
T
A
= 25 °C
100 m
10 m
I + - S
u
pply
u
rrent （ nA的）
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
- 10
-5
0
5
10
15
100 p
10
导通电阻与V
D
和温度
V
± = ± 15
V
V
L
= 5
V
I+, I-
I
L
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
V
D
or
V
S
- 漏极或源极
电压
(V)
输入开关频率（Hz ）
泄漏与模拟电压
电源电流与输入开关频率
文档编号： 72107
S09-1261 -REV 。 D， 13 09年7月
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