DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
DG411/DG412
- 4085 ℃下
16引脚塑料DIP
包
产品型号
DG411DJ
DG411DJ-E3
DG412DJ
DG412DJ-E3
DG411DY
DG411DY-E3
DG411DY-T1
DG411DY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
DG412DY
DG412DY-E3
DG412DY-T1
DG412DY-T1-E3
DG413
16引脚塑料DIP
- 4085 ℃下
16引脚窄体SOIC
DG413DJ
DG413DJ-E3
DG413DY
DG413DY-E3
DG413DY-T1
DG413DY-T1-E3
- 4085 ℃下
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ AK ，AZ后缀）
（ DJ ， DY后缀）
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚窄体SOIC
d
16引脚CERDIP
e
LCC-20
e
极限
44
25
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
（ V-） -2至（V + ）+2
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
600
900
900
mW
V
单位
mA
°C
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 70050
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
F = 1 MHz的
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
±
10 V ，见图2
DG413只，V
S
= 10 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω
C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的，
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
110
100
175
240
145
160
175
220
145
160
I
D（上）
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
8.5 V
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
25
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
- 15
最大
d
15
35
45
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.4
- 40
- 0.5
- 0.5
0.25
20
0.25
20
0.4
40
0.5
0.5
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.4
- 10
- 0.5
- 0.5
后缀
- 4085 ℃下
民
d
- 15
最大
d
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.4
10
0.5
0.5
nA
单位
V
Ω
±
0.1
±
0.1
±
0.1
I
IL
I
IH
0.005
0.005
A
ns
25
5
68
85
9
9
35
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
pF
dB
pC
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
文档编号： 70050
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
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3
DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
规格为单极性用品
a
测试条件
除非指定
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
V+ = 13.5 V, V
IN
= 0或5伏
I
L
I
GND
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
t
ON
t
关闭
t
D
Q
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
8
V，见图2
DG413只，V
S
= 8 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 6 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
- 10 nF的
房间
热
房间
热
房间
房间
175
95
250
400
125
140
250
315
125
140
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
V+ = 10.8 V,
I
S
= - 10毫安，V
D
=
3
V, 8 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
满
房间
满
40
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
最大
d
12
80
100
后缀
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
12
80
100
单位
V
Ω
ns
25
25
pC
注意事项：
答。请参阅处理方案流程图。
b.Room = 25°C ，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
d.The代数惯例，由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
设计e.Guaranteed ，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
45
R DS（ON ）漏源导通电阻（ Ω ）
40
35
± 10 V
25
20
15
10
5
0
- 20
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
V
D
- 漏极电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
± 20 V
50
± 15 V
± 12 V
V
DS （ ON）
(Ω)
30
±
8
V
T
A
= 25 °C
±5V
250
V+ = 3 V
V
L
= 3 V
300
V
L
= 5 V
200
150
V+ = 5 V
100
8V
12 V
15 V
20 V
V
D
- 漏极电压（ V）
导通电阻与V
D
与电源电压
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
www.vishay.com
4
文档编号： 70050
S- 71241 -REV 。 E， 25军07
DG411 ， DG412 ， DG413
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST CMOS模拟开关
描述
该DG411系列单片四路模拟开关是
旨在提供高速，低误差切换
高精度模拟信号。结合低功耗（ 0.35 μW ）
以高速（叔
ON
： 110纳秒） ，该DG411系列是理想的
适合便携式及电池供电的工业和军事
应用程序。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG411系列是采用Vishay
Siliconix公司的高压硅栅工艺。外延
层防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并且块的输入电压上升到电源电平，当
关。
该DG411 ， DG412响应相反的控制逻辑
在真值表所示。该DG413有两个常开
和两个常闭开关。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
44 V电源最大。等级
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 25
快速开关 - 吨
ON
： 110纳秒
超低功耗 - P
D
: 0.35 W
TTL ， CMOS兼容
单电源供电能力
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
盈亏bevor合式开关动作
简单的接口
应用
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
功能框图及引脚配置
DG411
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
TOP V IEW
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V+
12 V
L
11 S
3
10 D
3
9
IN
3
S
1
V-
NC
GND
S
4
关键
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
2
DG411
LCC
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
1
20
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
DG411
ON
关闭
DG412
关闭
ON
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
顶视图
DG413
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
TOP V IEW
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V+
12 V
L
11 S
3
S
4
10 D
3
9
IN
3
9
D
4
10
关键
4
5
6
7
8
D
1
3
S
1
V-
NC
GND
2
DG413
LCC
IN
1
NC IN
2
1
20
D
2
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
SW
1
， SW
4
关闭
ON
SW
2
， SW
3
ON
关闭
11
12
13
D
3
IN
4
NC IN
3
顶视图
文档编号： 70050
S11-1185 -REV 。 G， 13军， 11
www.vishay.com
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DG411 ， DG412 ， DG413
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
产品型号
DG411DJ
DG411DJ-E3
DG412DJ
DG412DJ-E3
DG413DJ
DG413DJ-E3
DG411DY
DG411DY-E3
DG411DY-T1
DG411DY-T1-E3
DG412DY
DG412DY-E3
DG412DY-T1
DG412DY-T1-E3
DG413DY
DG413DY-E3
DG413DY-T1
DG413DY-T1-E3
DG411DQ-E3
DG411DQ-T1-E3
16引脚TSSOP
DG412DQ-E3
DG412DQ-T1-E3
DG413DQ-E3
DG413DQ-T1-E3
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
绝对最大额定值
参数
V +到V -
GND到V -
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ AK ，AZ后缀）
（ DJ ， DY后缀）
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
LCC-20
e
e
d
极限
44
25
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
（ V-） -2至（V + ）+2
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
600
900
900
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V - 由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
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DG411 ， DG412 ， DG413
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V + = 15 V, V - = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
- 55 ° C至125°C
温度。
b
满
V + = 13.5 V, V - = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
8.5 V
V + = 16.5, V - = - 16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V
V + = 16.5 V, V - = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
25
典型值。
c
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
35
45
0.25
20
0.25
20
0.4
40
0.5
0.5
175
240
145
160
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.4
10
0.5
0.5
175
220
145
160
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关机泄漏
当前
渠道渗漏
当前
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道上
电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
±
0.1
±
0.1
±
0.1
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.4
- 40
- 0.5
- 0.5
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.4
- 10
- 0.5
- 0.5
nA
0.005
0.005
110
100
25
5
68
85
9
9
35
A
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
±
10 V ，见图2
DG413只，V
S
= 10 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
C
L
= 5 pF的，
F = 1 MHz的
ns
pC
dB
pF
I+
I-
I
L
I
GND
V + = 16.5 V, V - = - 16.5 V
V
IN
= 0 V或5 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
A
1
5
文档编号： 70050
S11-1185 -REV 。 G， 13军， 11
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DG411 ， DG412 ， DG413
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（对于单极性电源）
参数
模拟开关
V
类似物
模拟信号范围
e
漏源
R
DS （ ON）
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
V + = 13.5 V, V
IN
= 0 V或5 V
I
L
I
GND
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
t
ON
t
关闭
t
D
Q
满
V + = 10.8 V,
I
S
= - 10毫安，V
D
=
3
V, 8 V
房间
满
房间
热
房间
热
房间
房间
40
12
80
100
250
400
125
140
12
80
100
250
315
125
140
V
符号
测试条件
除非指定
V + = 12 V, V - = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
典型值。
c
后缀
- 55 ° C至125°C
分钟。
d
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
单位
马克斯。
d
马克斯。
d
175
95
25
25
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
8
V，见图2
DG413只，V
S
= 8 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 6 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
ns
pC
注意事项：
答。请参阅处理方案流程图。
b.Room = 25°C ，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
d.The代数惯例，由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
设计e.Guaranteed ，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
50
300
T
A
= 25 °C
±5
V
250
V+ = 3 V
V
L
= 3 V
V
L
= 5 V
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
- 20
±
8V
± 10
V
± 15
V
± 12
V
200
150
V
V+ = 5 V
100
± 20
V
50
8V
12 V
15 V
20 V
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
0
2
4
V
D
- 排水
V
oltage （ V）
6
8
10 12 14
V
D
- 漏极电压（ V）
16
18
20
导通电阻与V
D
与电源电压
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
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文档编号： 70050
S11-1185 -REV 。 G， 13军， 11
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DG411 ， DG412 ， DG413
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
40
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
T
A
= 25 °C
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
30
20
10
I
S
, I
D
（ PA ）
0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
I
S（ OFF）
I
D（上）
35
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
125 °C
25
85 °C
20
25 °C
15
- 55 °C
10
30
I
D（关闭）
5
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
漏电流与模拟电压
I
D
, I
S
泄漏与温度的关系
100
80
60
40
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
140
120
100
80
60
C
L
- 10 nF的
Q（ PC）
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
C
L
- 10 nF的
Q（ PC）
20
0
- 20
- 40
- 60
- 15
C
L
= 1 nF的
40
20
0
- 20
- 40
C
L
= 1 nF的
- 10
-5
0
5
V
S
- 源极电压（ V）
10
15
- 60
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
电荷注入与模拟电压
3.5
3.0
2.5
电荷注入与模拟电压
240
210
180
t
ON
, t
关闭
（纳秒）
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
V
S
= 10 V
V
L
= 7.5 V
150
t
ON
120
t
关闭
90
60
30
0
- 55 - 35
V
TH
(V)
2.0
6.5 V
1.5
1.0
0.5
0
5
10
15
20
(V+)
25
30
35
40
4.5 V
5.5 V
- 15
5
25
45
65
85
105 125
温度（℃）
输入开关阈值与电源电压
开关时间与温度的关系
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