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DG411 , DG412 , DG413
数据表
二〇〇七年六月二十〇日
FN3282.13
单片四路SPST CMOS模拟
开关
该DG411系列单片CMOS模拟开关
嵌入式替代流行的DG211和DG212
系列设备。它们包括四个独立的单刀
掷(SPST)模拟开关,和TTL和CMOS
兼容数字输入。
这些开关具有较低的模拟导通电阻( <35Ω )
和更快的开关时间(t
ON
<175ns )相比, DG211
或DG212 。电荷注入已减少,从而简化了
采样保持应用程序。
在DG411系列的改进成为可能
通过使用高电压硅栅工艺。外延
层防止与旧的CMOS关联的闩锁
技术。在44V最大电压范围允许
控制40V
P-P
信号。电源可能
单端的+ 5V至44V ,或拆分,从± 5V至±20V 。
这四个开关双边,难分伯仲交流或
双向信号。的导通电阻变化的模拟
信号是相当低的超过± 15V模拟输入范围。该
在DG411和DG412开关是相同的,唯一的不同
在选择逻辑的极性。两个在开关的
DG413 (#2和#3)使用DG211和DG411的逻辑
(即,逻辑“0 ”使开关ON),而另外两个
交换机使用DG212和DG412正逻辑。此证
的导通和关断时间为SPDT独立控制
配置,允许“突破前先”或“的makefile
先连后断“的操作具有最少的外部逻辑。
特点
导通电阻(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35Ω
低功耗(P
D
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW
快速开关动作
- t
ON
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns
- t
关闭
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145ns
低电荷注入
从DG211 , DG212升级
TTL , CMOS兼容
单或分离电源操作
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
音频切换
电池供电系统
数据采集
高可靠性系统
采样和保持电路
通讯系统
自动测试设备
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1993年, 1994年, 1997年, 1999年, 2002年, 2004年至2007年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
DG411 , DG412 , DG413
订购信息
产品型号
DG411DJ
DG411DJZ (注)
DG411DY*
DG411DYZ * (注)
DG411DVZ * (注)
DG412DJ
DG412DJZ (注)
DG412DY*
DG412DYZ * (注)
DG412DVZ * (注)
DG413DJ
DG413DJZ (注)
DG413DY*
DG413DYZ * (注)
DG413DVZ * (注)
最热
DG411DJ
DG411DJZ
DG411DY
DG411DYZ
DG411 DVZ
DG412DJ
DG412DJZ
DG412DY
DG412DYZ
DG412 DVZ
DG413DJ
DG413DJZ
DG413DY
DG413DYZ
DG413 DVZ
TEMP 。范围(° C)
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC ( 150万)
16 Ld的SOIC ( 150万) (无铅)
PKG 。 DWG 。 #
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP ( 4.4毫米) (无铅) M16.173
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC ( 150万)
16 Ld的SOIC ( 150万) (无铅)
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP ( 4.4毫米) (无铅) M16.173
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC ( 150万)
16 Ld的SOIC ( 150万) (无铅)
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP ( 4.4毫米) (无铅) M16.173
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品
MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
真值表
DG411
逻辑
0
1
DG412
开关
1, 4
关闭
On
DG413
开关
2, 3
On
关闭
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
符号
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
3
D
3
S
3
V
L
V+
S
2
D
2
IN
2
描述
开关1逻辑控制。
漏极(输出)端子用于开关1 。
来源(输入)端子用于开关1 。
负电源端。
接地端子(逻辑公用) 。
来源(输入)端子用于开关4 。
漏极(输出)端子用于开关4 。
用于开关4逻辑控制。
用于开关3逻辑控制。
漏极(输出)端子用于开关3 。
来源(输入)端子用于开关3 。
逻辑参考电压。
正电源端(基板) 。
来源(输入)端子用于开关2 。
漏极(输出)端子用于开关2 。
用于开关2逻辑控制。
开关开关
On
关闭
关闭
On
注:逻辑“0”的
≤0.8V.
逻辑“1”的
≥2.4V.
引脚
DG411 , DG412 , DG413
( 16 LD PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
IN
1
1
D
1
2
S
1
3
V- 4
GND 5
S
4
6
D
4
7
IN
4
8
16
IN
2
15
D
2
14
S
2
13
V+
12
V
L
11
S
3
10
D
3
9
3
10
11
12
13
14
15
16
2
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
功能图
每包四通道SPST开关开关所为逻辑“ 1 ”输入
DG411
S
1
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
IN
4
D
4
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
DG412
S
1
IN
1
D
1
S
2
DG413
S
1
原理图
V+
( 1频道)
S
V-
V
L
V+
IN
X
D
GND
V-
3
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (GND -0.3V )到(V +) + 0.3V
数字输入,V
S
, V
D
(注1 ) 。 。 。 。 。 ( V-) -2V至(V +) + 2V或30mA时
以先到为准科幻RST
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流, S或D(脉冲为1ms , 10 %占空比最大) 。 。百毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
( ° C / W)
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
( SOIC和TSSOP - 只会提示)
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用。
工作条件
电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20V
(最大)
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V (最大)
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V (最小值)
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤20ns
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
在S 1信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
2.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定ED 。
测试条件
温度
(°C)
(注4 )
典型值
(注5 )
最大
(注4 )
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ,V
S
=
±10V
(图1)
25
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
-
100
-
25
5
68
-85
9
9
35
175
220
145
160
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
dB
dB
pF
pF
pF
关断时间,t
关闭
25
85
突破前先延时
电荷注入, Q(图3)
截止隔离(图5 )
串扰(通道 - 通道) ,
(图4)
源关断电容,C
S( OFF)
流掉电容,C
D(关闭)
通道导通电容,
C
D(上)
+ C
秒(上)
数字输入特性
输入电流V
IN
低,我
IL
输入电流V
IN
高,我
IH
DG413只,R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF (图2)
C
L
= 10nF电容,V
G
= 0V ,R
G
= 0Ω
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的, F = 1MHz的
25
25
25
25
F = 1MHz的(图6)
25
25
25
V
IN
根据测试= 0.8V ,所有其他= 2.4V
V
IN
根据测试= 2.4V ,所有其他= 0.8V
-0.5
-0.5
0.005
0.005
0.5
0.5
μA
μA
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏极 - 源极导通电阻,
r
DS ( ON)
I
S
=
I
S
=
±
±
10mA
10毫安,V
D
=
±8.5V,
V+ = 13.5V, V- = -13.5V
25
-15
-
-
-
25
-
15
35
45
V
Ω
Ω
4
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
电气规格
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定ED 。
(续)
测试条件
±
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
D
=
±15.5V,
V
S
=
15.5V
温度
(°C)
25
25
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
S
= V
D
=
±15.5V
25
(注4 )
-0.25
-5
-0.25
-5
-0.4
-10
典型值
(注5 )
±0.1
-
±0.1
-
±0.1
-
最大
(注4 )
0.25
+5
0.25
+5
0.4
+10
单位
nA
nA
nA
nA
nA
nA
参数
来源OFF漏电流,
I
S( OFF)
流掉泄漏电流,
I
D(关闭)
通道泄漏电流,
I
D(上)
+ I
秒(上)
电源特性
正电源电流, I +
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
IN
= 0V或5V
25
85
负电源电流,I-
25
85
逻辑电源电流,I
L
25
85
接地电流,I
GND
25
85
-
-
-1
-5
-
-
-1
-5
0.0001
-
-0.0001
-
0.0001
-
-0.0001
-
1
5
-
-
1
5
-
-
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
电气规格
(单电源)测试条件: V + = + 12V , V- = 0V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定ED 。
测试条件
温度
(°C)
(注4 )
典型值
(注5 )
最大
(注4 )
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ,
V
S
= 8V时, (图1)
25
85
25
85
-
-
-
-
-
-
175
-
95
-
25
25
250
315
125
140
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
关断时间,t
关闭
突破前先延时
电荷注入,Q
DG413只,R
L
= 300Ω,
C
L
= 35pF ,V
S
= 8V
C
L
= 10nF电容,V
G
= 6.0V ,R
G
= 0Ω
25
25
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏源导通电阻,
r
DS ( ON)
I
S
= -10mA ,V
D
= 3V, 8V
V+ = 10.8V
25
0
-
-
-
40
-
12
80
100
V
Ω
Ω
5
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
数据表
二〇〇七年六月二十〇日
FN3282.13
单片四路SPST CMOS模拟
开关
该DG411系列单片CMOS模拟开关
嵌入式替代流行的DG211和DG212
系列设备。它们包括四个独立的单刀
掷(SPST)模拟开关,和TTL和CMOS
兼容数字输入。
这些开关具有较低的模拟导通电阻( <35Ω )
和更快的开关时间(t
ON
<175ns )相比, DG211
或DG212 。电荷注入已减少,从而简化了
采样保持应用程序。
在DG411系列的改进成为可能
通过使用高电压硅栅工艺。外延
层防止与旧的CMOS关联的闩锁
技术。在44V最大电压范围允许
控制40V
P-P
信号。电源可能
单端的+ 5V至44V ,或拆分,从± 5V至±20V 。
这四个开关双边,难分伯仲交流或
双向信号。的导通电阻变化的模拟
信号是相当低的超过± 15V模拟输入范围。该
在DG411和DG412开关是相同的,唯一的不同
在选择逻辑的极性。两个在开关的
DG413 (#2和#3)使用DG211和DG411的逻辑
(即,逻辑“0 ”使开关ON),而另外两个
交换机使用DG212和DG412正逻辑。此证
的导通和关断时间为SPDT独立控制
配置,允许“突破前先”或“的makefile
先连后断“的操作具有最少的外部逻辑。
特点
导通电阻(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35Ω
低功耗(P
D
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW
快速开关动作
- t
ON
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns
- t
关闭
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145ns
低电荷注入
从DG211 , DG212升级
TTL , CMOS兼容
单或分离电源操作
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
音频切换
电池供电系统
数据采集
高可靠性系统
采样和保持电路
通讯系统
自动测试设备
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1993年, 1994年, 1997年, 1999年, 2002年, 2004年至2007年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
DG411 , DG412 , DG413
订购信息
产品型号
DG411DJ
DG411DJZ (注)
DG411DY*
DG411DYZ * (注)
DG411DVZ * (注)
DG412DJ
DG412DJZ (注)
DG412DY*
DG412DYZ * (注)
DG412DVZ * (注)
DG413DJ
DG413DJZ (注)
DG413DY*
DG413DYZ * (注)
DG413DVZ * (注)
最热
DG411DJ
DG411DJZ
DG411DY
DG411DYZ
DG411 DVZ
DG412DJ
DG412DJZ
DG412DY
DG412DYZ
DG412 DVZ
DG413DJ
DG413DJZ
DG413DY
DG413DYZ
DG413 DVZ
TEMP 。范围(° C)
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC ( 150万)
16 Ld的SOIC ( 150万) (无铅)
PKG 。 DWG 。 #
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP ( 4.4毫米) (无铅) M16.173
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC ( 150万)
16 Ld的SOIC ( 150万) (无铅)
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP ( 4.4毫米) (无铅) M16.173
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC ( 150万)
16 Ld的SOIC ( 150万) (无铅)
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP ( 4.4毫米) (无铅) M16.173
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品
MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
真值表
DG411
逻辑
0
1
DG412
开关
1, 4
关闭
On
DG413
开关
2, 3
On
关闭
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
符号
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
3
D
3
S
3
V
L
V+
S
2
D
2
IN
2
描述
开关1逻辑控制。
漏极(输出)端子用于开关1 。
来源(输入)端子用于开关1 。
负电源端。
接地端子(逻辑公用) 。
来源(输入)端子用于开关4 。
漏极(输出)端子用于开关4 。
用于开关4逻辑控制。
用于开关3逻辑控制。
漏极(输出)端子用于开关3 。
来源(输入)端子用于开关3 。
逻辑参考电压。
正电源端(基板) 。
来源(输入)端子用于开关2 。
漏极(输出)端子用于开关2 。
用于开关2逻辑控制。
开关开关
On
关闭
关闭
On
注:逻辑“0”的
≤0.8V.
逻辑“1”的
≥2.4V.
引脚
DG411 , DG412 , DG413
( 16 LD PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
IN
1
1
D
1
2
S
1
3
V- 4
GND 5
S
4
6
D
4
7
IN
4
8
16
IN
2
15
D
2
14
S
2
13
V+
12
V
L
11
S
3
10
D
3
9
3
10
11
12
13
14
15
16
2
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
功能图
每包四通道SPST开关开关所为逻辑“ 1 ”输入
DG411
S
1
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
IN
4
D
4
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
DG412
S
1
IN
1
D
1
S
2
DG413
S
1
原理图
V+
( 1频道)
S
V-
V
L
V+
IN
X
D
GND
V-
3
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (GND -0.3V )到(V +) + 0.3V
数字输入,V
S
, V
D
(注1 ) 。 。 。 。 。 ( V-) -2V至(V +) + 2V或30mA时
以先到为准科幻RST
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流, S或D(脉冲为1ms , 10 %占空比最大) 。 。百毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
( ° C / W)
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
( SOIC和TSSOP - 只会提示)
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用。
工作条件
电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20V
(最大)
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V (最大)
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V (最小值)
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤20ns
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
在S 1信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
2.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定ED 。
测试条件
温度
(°C)
(注4 )
典型值
(注5 )
最大
(注4 )
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ,V
S
=
±10V
(图1)
25
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
-
100
-
25
5
68
-85
9
9
35
175
220
145
160
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
dB
dB
pF
pF
pF
关断时间,t
关闭
25
85
突破前先延时
电荷注入, Q(图3)
截止隔离(图5 )
串扰(通道 - 通道) ,
(图4)
源关断电容,C
S( OFF)
流掉电容,C
D(关闭)
通道导通电容,
C
D(上)
+ C
秒(上)
数字输入特性
输入电流V
IN
低,我
IL
输入电流V
IN
高,我
IH
DG413只,R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF (图2)
C
L
= 10nF电容,V
G
= 0V ,R
G
= 0Ω
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的, F = 1MHz的
25
25
25
25
F = 1MHz的(图6)
25
25
25
V
IN
根据测试= 0.8V ,所有其他= 2.4V
V
IN
根据测试= 2.4V ,所有其他= 0.8V
-0.5
-0.5
0.005
0.005
0.5
0.5
μA
μA
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏极 - 源极导通电阻,
r
DS ( ON)
I
S
=
I
S
=
±
±
10mA
10毫安,V
D
=
±8.5V,
V+ = 13.5V, V- = -13.5V
25
-15
-
-
-
25
-
15
35
45
V
Ω
Ω
4
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
电气规格
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定ED 。
(续)
测试条件
±
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
D
=
±15.5V,
V
S
=
15.5V
温度
(°C)
25
25
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
S
= V
D
=
±15.5V
25
(注4 )
-0.25
-5
-0.25
-5
-0.4
-10
典型值
(注5 )
±0.1
-
±0.1
-
±0.1
-
最大
(注4 )
0.25
+5
0.25
+5
0.4
+10
单位
nA
nA
nA
nA
nA
nA
参数
来源OFF漏电流,
I
S( OFF)
流掉泄漏电流,
I
D(关闭)
通道泄漏电流,
I
D(上)
+ I
秒(上)
电源特性
正电源电流, I +
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
IN
= 0V或5V
25
85
负电源电流,I-
25
85
逻辑电源电流,I
L
25
85
接地电流,I
GND
25
85
-
-
-1
-5
-
-
-1
-5
0.0001
-
-0.0001
-
0.0001
-
-0.0001
-
1
5
-
-
1
5
-
-
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
电气规格
(单电源)测试条件: V + = + 12V , V- = 0V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定ED 。
测试条件
温度
(°C)
(注4 )
典型值
(注5 )
最大
(注4 )
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ,
V
S
= 8V时, (图1)
25
85
25
85
-
-
-
-
-
-
175
-
95
-
25
25
250
315
125
140
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
关断时间,t
关闭
突破前先延时
电荷注入,Q
DG413只,R
L
= 300Ω,
C
L
= 35pF ,V
S
= 8V
C
L
= 10nF电容,V
G
= 6.0V ,R
G
= 0Ω
25
25
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏源导通电阻,
r
DS ( ON)
I
S
= -10mA ,V
D
= 3V, 8V
V+ = 10.8V
25
0
-
-
-
40
-
12
80
100
V
Ω
Ω
5
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
数据表
二〇〇七年六月二十〇日
FN3282.13
单片四路SPST CMOS模拟
开关
该DG411系列单片CMOS模拟开关
嵌入式替代流行的DG211和DG212
系列设备。它们包括四个独立的单刀
掷(SPST)模拟开关,和TTL和CMOS
兼容数字输入。
这些开关具有较低的模拟导通电阻( <35Ω )
和更快的开关时间(t
ON
<175ns )相比, DG211
或DG212 。电荷注入已减少,从而简化了
采样保持应用程序。
在DG411系列的改进成为可能
通过使用高电压硅栅工艺。外延
层防止与旧的CMOS关联的闩锁
技术。在44V最大电压范围允许
控制40V
P-P
信号。电源可能
单端的+ 5V至44V ,或拆分,从± 5V至±20V 。
这四个开关双边,难分伯仲交流或
双向信号。的导通电阻变化的模拟
信号是相当低的超过± 15V模拟输入范围。该
在DG411和DG412开关是相同的,唯一的不同
在选择逻辑的极性。两个在开关的
DG413 (#2和#3)使用DG211和DG411的逻辑
(即,逻辑“0 ”使开关ON),而另外两个
交换机使用DG212和DG412正逻辑。此证
的导通和关断时间为SPDT独立控制
配置,允许“突破前先”或“的makefile
先连后断“的操作具有最少的外部逻辑。
特点
导通电阻(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35Ω
低功耗(P
D
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW
快速开关动作
- t
ON
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns
- t
关闭
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145ns
低电荷注入
从DG211 , DG212升级
TTL , CMOS兼容
单或分离电源操作
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
音频切换
电池供电系统
数据采集
高可靠性系统
采样和保持电路
通讯系统
自动测试设备
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1993年, 1994年, 1997年, 1999年, 2002年, 2004年至2007年。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
DG411 , DG412 , DG413
订购信息
产品型号
DG411DJ
DG411DJZ (注)
DG411DY*
DG411DYZ * (注)
DG411DVZ * (注)
DG412DJ
DG412DJZ (注)
DG412DY*
DG412DYZ * (注)
DG412DVZ * (注)
DG413DJ
DG413DJZ (注)
DG413DY*
DG413DYZ * (注)
DG413DVZ * (注)
最热
DG411DJ
DG411DJZ
DG411DY
DG411DYZ
DG411 DVZ
DG412DJ
DG412DJZ
DG412DY
DG412DYZ
DG412 DVZ
DG413DJ
DG413DJZ
DG413DY
DG413DYZ
DG413 DVZ
TEMP 。范围(° C)
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC ( 150万)
16 Ld的SOIC ( 150万) (无铅)
PKG 。 DWG 。 #
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP ( 4.4毫米) (无铅) M16.173
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC ( 150万)
16 Ld的SOIC ( 150万) (无铅)
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP ( 4.4毫米) (无铅) M16.173
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC ( 150万)
16 Ld的SOIC ( 150万) (无铅)
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
16 Ld的TSSOP ( 4.4毫米) (无铅) M16.173
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品
MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
真值表
DG411
逻辑
0
1
DG412
开关
1, 4
关闭
On
DG413
开关
2, 3
On
关闭
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
符号
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
3
D
3
S
3
V
L
V+
S
2
D
2
IN
2
描述
开关1逻辑控制。
漏极(输出)端子用于开关1 。
来源(输入)端子用于开关1 。
负电源端。
接地端子(逻辑公用) 。
来源(输入)端子用于开关4 。
漏极(输出)端子用于开关4 。
用于开关4逻辑控制。
用于开关3逻辑控制。
漏极(输出)端子用于开关3 。
来源(输入)端子用于开关3 。
逻辑参考电压。
正电源端(基板) 。
来源(输入)端子用于开关2 。
漏极(输出)端子用于开关2 。
用于开关2逻辑控制。
开关开关
On
关闭
关闭
On
注:逻辑“0”的
≤0.8V.
逻辑“1”的
≥2.4V.
引脚
DG411 , DG412 , DG413
( 16 LD PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
IN
1
1
D
1
2
S
1
3
V- 4
GND 5
S
4
6
D
4
7
IN
4
8
16
IN
2
15
D
2
14
S
2
13
V+
12
V
L
11
S
3
10
D
3
9
3
10
11
12
13
14
15
16
2
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
功能图
每包四通道SPST开关开关所为逻辑“ 1 ”输入
DG411
S
1
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
IN
4
D
4
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
DG412
S
1
IN
1
D
1
S
2
DG413
S
1
原理图
V+
( 1频道)
S
V-
V
L
V+
IN
X
D
GND
V-
3
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (GND -0.3V )到(V +) + 0.3V
数字输入,V
S
, V
D
(注1 ) 。 。 。 。 。 ( V-) -2V至(V +) + 2V或30mA时
以先到为准科幻RST
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流, S或D(脉冲为1ms , 10 %占空比最大) 。 。百毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
( ° C / W)
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
( SOIC和TSSOP - 只会提示)
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用。
工作条件
电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20V
(最大)
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V (最大)
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V (最小值)
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤20ns
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
在S 1信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
2.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定ED 。
测试条件
温度
(°C)
(注4 )
典型值
(注5 )
最大
(注4 )
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ,V
S
=
±10V
(图1)
25
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
-
100
-
25
5
68
-85
9
9
35
175
220
145
160
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
dB
dB
pF
pF
pF
关断时间,t
关闭
25
85
突破前先延时
电荷注入, Q(图3)
截止隔离(图5 )
串扰(通道 - 通道) ,
(图4)
源关断电容,C
S( OFF)
流掉电容,C
D(关闭)
通道导通电容,
C
D(上)
+ C
秒(上)
数字输入特性
输入电流V
IN
低,我
IL
输入电流V
IN
高,我
IH
DG413只,R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF (图2)
C
L
= 10nF电容,V
G
= 0V ,R
G
= 0Ω
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的, F = 1MHz的
25
25
25
25
F = 1MHz的(图6)
25
25
25
V
IN
根据测试= 0.8V ,所有其他= 2.4V
V
IN
根据测试= 2.4V ,所有其他= 0.8V
-0.5
-0.5
0.005
0.005
0.5
0.5
μA
μA
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏极 - 源极导通电阻,
r
DS ( ON)
I
S
=
I
S
=
±
±
10mA
10毫安,V
D
=
±8.5V,
V+ = 13.5V, V- = -13.5V
25
-15
-
-
-
25
-
15
35
45
V
Ω
Ω
4
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411 , DG412 , DG413
电气规格
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定ED 。
(续)
测试条件
±
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
D
=
±15.5V,
V
S
=
15.5V
温度
(°C)
25
25
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
S
= V
D
=
±15.5V
25
(注4 )
-0.25
-5
-0.25
-5
-0.4
-10
典型值
(注5 )
±0.1
-
±0.1
-
±0.1
-
最大
(注4 )
0.25
+5
0.25
+5
0.4
+10
单位
nA
nA
nA
nA
nA
nA
参数
来源OFF漏电流,
I
S( OFF)
流掉泄漏电流,
I
D(关闭)
通道泄漏电流,
I
D(上)
+ I
秒(上)
电源特性
正电源电流, I +
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
IN
= 0V或5V
25
85
负电源电流,I-
25
85
逻辑电源电流,I
L
25
85
接地电流,I
GND
25
85
-
-
-1
-5
-
-
-1
-5
0.0001
-
-0.0001
-
0.0001
-
-0.0001
-
1
5
-
-
1
5
-
-
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
电气规格
(单电源)测试条件: V + = + 12V , V- = 0V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定ED 。
测试条件
温度
(°C)
(注4 )
典型值
(注5 )
最大
(注4 )
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ,
V
S
= 8V时, (图1)
25
85
25
85
-
-
-
-
-
-
175
-
95
-
25
25
250
315
125
140
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
关断时间,t
关闭
突破前先延时
电荷注入,Q
DG413只,R
L
= 300Ω,
C
L
= 35pF ,V
S
= 8V
C
L
= 10nF电容,V
G
= 6.0V ,R
G
= 0Ω
25
25
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏源导通电阻,
r
DS ( ON)
I
S
= -10mA ,V
D
= 3V, 8V
V+ = 10.8V
25
0
-
-
-
40
-
12
80
100
V
Ω
Ω
5
FN3282.13
二〇〇七年六月二十〇日
DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST CMOS模拟开关
描述
该DG411系列单片四路模拟开关是
旨在提供高速,低误差切换
高精度模拟信号。结合低功耗( 0.35 μW )
以高速(叔
ON
: 110纳秒) ,该DG411系列是理想的
适合便携式及电池供电的工业和
军事应用。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现, DG411系列是采用Vishay
Siliconix公司的高压硅栅工艺。外延
层防止闭锁。
每个开关导电性能相同,在两个方向的时候
上,并且块的输入电压上升到电源电平,当
关。
该DG411和DG412响应相反的控制逻辑
在真值表所示。该DG413有两个常开
和两个常闭开关。
特点
44 V电源的最大额定值
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS ( ON)
: 25
Ω
快速切换 - 吨
ON
: 110纳秒
超低功耗 - P
D
: 0.35 W
TTL , CMOS兼容
单电源供电能力
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
应用
功能框图及引脚配置
DG411
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
S
1
V-
NC
GND
S
4
关键
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
2
DG411
LCC
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
1
20
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8 V
逻辑"1"
2.4 V
DG411
ON
关闭
DG412
关闭
ON
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
顶视图
DG413
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
S
4
D
3
IN
3
9
D
4
10
关键
4
5
6
7
8
D
1
3
S
1
V-
NC
GND
2
DG413
LCC
IN
1
NC IN
2
1
20
D
2
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8 V
逻辑"1"
2.4 V
SW
1
, SW
4
关闭
ON
SW
2
, SW
3
ON
关闭
11
12
13
D
3
IN
4
NC IN
3
顶视图
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 70050
S- 71241 -REV 。 E, 25军07
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1
DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
DG411/DG412
- 4085 ℃下
16引脚塑料DIP
产品型号
DG411DJ
DG411DJ-E3
DG412DJ
DG412DJ-E3
DG411DY
DG411DY-E3
DG411DY-T1
DG411DY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
DG412DY
DG412DY-E3
DG412DY-T1
DG412DY-T1-E3
DG413
16引脚塑料DIP
- 4085 ℃下
16引脚窄体SOIC
DG413DJ
DG413DJ-E3
DG413DY
DG413DY-E3
DG413DY-T1
DG413DY-T1-E3
- 4085 ℃下
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
连续电流(任何终端)
峰值电流,S或D(脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
储存温度
( AK ,AZ后缀)
( DJ , DY后缀)
16引脚塑料DIP
c
功率耗散(包)
b
16引脚窄体SOIC
d
16引脚CERDIP
e
LCC-20
e
极限
44
25
(GND - 0.3 )至(V +) + 0.3
( V-) -2至(V + )+2
或30毫安,以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
600
900
900
mW
V
单位
mA
°C
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C, 25°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C, 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C, 75°C以上。
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2
文档编号: 70050
S- 71241 -REV 。 E, 25军07
DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S( OFF)
关机漏电流
I
D(关闭)
通道泄漏电流
数字控制
输入电流,V
IN
输入电流,V
IN
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
F = 1 MHz的
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
±
10 V ,见图2
DG413只,V
S
= 10 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ,R
g
= 0
Ω
C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的,
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
110
100
175
240
145
160
175
220
145
160
I
D(上)
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安,V
D
=
±
8.5 V
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
房间
房间
房间
房间
25
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
d
- 15
最大
d
15
35
45
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.4
- 40
- 0.5
- 0.5
0.25
20
0.25
20
0.4
40
0.5
0.5
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.4
- 10
- 0.5
- 0.5
后缀
- 4085 ℃下
d
- 15
最大
d
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.4
10
0.5
0.5
nA
单位
V
Ω
±
0.1
±
0.1
±
0.1
I
IL
I
IH
0.005
0.005
A
ns
25
5
68
85
9
9
35
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
pF
dB
pC
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
文档编号: 70050
S- 71241 -REV 。 E, 25军07
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DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
规格为单极性用品
a
测试条件
除非指定
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
V+ = 13.5 V, V
IN
= 0或5伏
I
L
I
GND
房间
房间
房间
房间
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
t
ON
t
关闭
t
D
Q
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
8
V,见图2
DG413只,V
S
= 8 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 6 V ,R
g
= 0
Ω,
C
L
- 10 nF的
房间
房间
房间
房间
175
95
250
400
125
140
250
315
125
140
符号
V
类似物
r
DS ( ON)
V+ = 10.8 V,
I
S
= - 10毫安,V
D
=
3
V, 8 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
房间
40
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
d
最大
d
12
80
100
后缀
- 4085 ℃下
d
最大
d
12
80
100
单位
V
Ω
ns
25
25
pC
注意事项:
答。请参阅处理方案流程图。
b.Room = 25°C ,完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
d.The代数惯例,由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
设计e.Guaranteed ,不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃,除非另有说明
50
45
R DS(ON )漏源导通电阻( Ω )
40
35
± 10 V
25
20
15
10
5
0
- 20
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
V
D
- 漏极电压( V)
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
± 20 V
50
± 15 V
± 12 V
V
DS ( ON)
(Ω)
30
±
8
V
T
A
= 25 °C
±5V
250
V+ = 3 V
V
L
= 3 V
300
V
L
= 5 V
200
150
V+ = 5 V
100
8V
12 V
15 V
20 V
V
D
- 漏极电压( V)
导通电阻与V
D
与电源电压
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
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4
文档编号: 70050
S- 71241 -REV 。 E, 25军07
DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
35
r
DS ( ON)
- 漏源导通电阻( Ω )
30
20
10
I S , I D (PA )
0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
I
S( OFF)
I
D(上)
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
T
A
= 25 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
125 °C
25
85 °C
20
25 °C
15
- 55 °C
10
30
I
D(关闭)
5
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
漏电流与模拟电压
100
80
60
40
Q( PC)
C
L
- 10 nF的
20
0
C
L
= 1 nF的
- 20
- 40
- 60
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
S
- 源极电压( V)
Q( PC)
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
140
120
100
80
60
I
D
, I
S
泄漏与温度的关系
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
C
L
- 10 nF的
C
L
= 1 nF的
40
20
0
- 20
- 40
- 60
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
电荷注入与模拟电压
240
210
3.0
180
2.5
V TH ( V)
2.0
6.5 V
1.5
1.0
0.5
0
(V+) 5
10
15
20
25
30
35
40
4.5 V
5.5 V
吨对T OFF ( NS )
,
V
L
= 7.5 V
150
电荷注入与模拟电压
3.5
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
V
S
= 10 V
t
ON
120
t
关闭
90
60
30
0
- 55 - 35
- 15
5
25
45
65
85
105 125
温度(℃)
输入开关阈值与电源电压
开关时间与温度的关系
文档编号: 70050
S- 71241 -REV 。 E, 25军07
www.vishay.com
5
DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
44 V电源的最大额定值
"15-V
模拟信号范围
导通电阻-R
DS ( ON)
: 25
W
快速切换-T
ON
: 110纳秒
超低功耗-P
D
: 0.35
mW
TTL , CMOS兼容
单电源供电能力
好处
D
D
D
D
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
应用
D
D
D
D
D
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
描述
该DG411系列单片四路模拟开关是
旨在提供高速,低误差切换
高精度模拟信号。结合低功耗( 0.35
毫瓦)
高速(T
ON
: 110毫微秒) ,该DG411家族非常适合于
便携式及电池供电的工业和军事
应用程序。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现, DG411系列是采用Vishay Siliconix公司的
高电压硅栅工艺。外延层防止
闭锁。
每个开关进行同样在两个方向上时,
并阻止输入电压高达电源的水平时关闭。
该DG411和DG412响应相反的控制逻辑
在真值表所示。该DG413有两个常开
和两个常闭开关。
功能框图及引脚配置
DG411
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
S
1
V–
NC
GND
S
4
4
5
6
7
8
9
10
DG411
LCC
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
关键
3
2
1
20
19
18
17
16
15
14
11
12
13
S
2
V+
NC
V
L
S
3
真值表
逻辑
0
1
DG411
ON
关闭
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
24
DG412
关闭
ON
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
顶视图
文档编号: 70050
S- 52433 -REV 。 D, 06 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG413
双列直插式和SOIC
关键
4
5
6
7
8
D
1
3
S
1
V–
NC
GND
S
4
D
4
IN
4
5
6
7
8
顶视图
12
11
10
9
V
L
S
3
D
3
IN
3
GND
S
4
DG413
LCC
IN
1
NC IN
2
2
1
20
D
2
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
IN
2
D
2
S
2
V+
IN
1
D
1
S
1
V–
1
2
3
4
16
15
14
13
真值表
逻辑
0
1
SW
1
, SW
4
关闭
ON
SW
2
, SW
3
ON
关闭
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
24
9
D
4
10
11
12
13
D
3
IN
4
NC IN
3
顶视图
订购信息
温度范围
产品型号
DG411/412
-40到85°C
16引脚塑料DIP
DG411DJ
DG412DJ
DG411DY
DG412DY
DG411AK , DG411AK / 883 , 5962-9073101MEA
DG412AK , DG412AK / 883 , 5962-9073102MEA
DG411AZ / 883 , 5962-9073101M2A
5962-9073102M2A
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
-55 125℃
55 125_C
LCC-20
DG413
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
LCC-20
DG413DJ
DG413DY
DG413AK , DG413AK / 883 , 5962-9073103MEA
5962-9073103M2A
-55到125°C
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( GND -0.3 V)至(V + ) +0.3 V
数字输入
a
, V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -2 V至(V +) + 2V
或30毫安,以先到者为准
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流, S或D(脉冲1毫秒, 10 %占空比) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
( AK ,AZ后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
( DJ , DY后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散(包)
b
16引脚塑料DIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚窄体SOIC
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16引脚CERDIP
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
LCC-20
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
470毫瓦
600毫瓦
900毫瓦
900毫瓦
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
文档编号: 70050
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S
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DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S( OFF)
I
D(关闭)
I
D(上)
V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V
I
S
= -10毫安,V
D
=
"8.5
V
,
V+ = 16.5, V– = –16.5 V
V
D
=
"15.5
V V
S
=
#15.5
V
15 5 V,
15 5
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
V
S
= V
D
=
"15.5
V
房间
房间
房间
房间
25
"0.1
"0.1
"0.1
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.4
–40
–15
15
35
45
0.25
20
0.25
20
0.4
40
–0.25
–5
–0.25
–5
–0.4
–10
–15
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.4
10
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
数字控制
输入电流,V
IN
输入电流,V
IN
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
0.005
0.005
–0.5
–0.5
0.5
0.5
–0.5
–0.5
0.5
0.5
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道交叉
TALK
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
F = 1 MHz的
MH
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 p
pF
V
S
=
"10
V见图2
[10] S网络
DG413只,V
S
= 10 V
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ,R
g
= 0
W
, C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 pF的,
W
,
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
110
100
175
240
145
160
175
220
145
160
ns
25
5
68
dB
85
9
9
35
pF
F
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
I
L
I
GND
V = 16.5, V = –16.5 V
16 5
V+ 16 5, V–
V
IN
= 0或5伏
房间
房间
房间
房间
0.0001
–0.0001
0.0001
–0.0001
–1
–5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
1
5
A
mA
文档编号: 70050
S- 52433 -REV 。 D, 06 09月99
www.vishay.com
S
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DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
V + = 10.8 V,I
S
= -10毫安
V
D
= 3 V, 8 V
房间
40
12
80
100
12
80
100
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
t
ON
t
关闭
t
D
Q
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 p
pF
V
S
= 8 V ,见图2
νs的网络连接
DG413只,V
S
= 8 V,
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
g
= 6 V ,R
g
= 0
W
, C
L
- 10 nF的
房间
房间
房间
房间
175
95
250
400
125
140
250
315
125
140
ns
25
25
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
V+ 13 5
V = 13.5, V
IN
= 0或5伏
I
L
I
GND
房间
房间
房间
房间
0.0001
–0.0001
0.0001
–0.0001
–1
–5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
1
5
mA
A
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
典型特征( 25_C除非另有说明)
导通电阻与V
D
与电源电压
50
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
V
D
- 漏极电压( V)
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
"20
V
50
"15
V
"8
V
"10
V
"12
V
V DS ( ON) (
W
)
T
A
= 25_C
"5
V
250
V+ = 3 V
V
L
= 3 V
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
300
V
L
= 5 V
200
150
V+ = 5 V
100
8V
12 V
15 V
20 V
V
D
- 漏极电压( V)
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S
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文档编号: 70050
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DG411/412/413
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
漏电流与模拟电压
40
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
T
A
= 25_C
R DS(ON )漏源导通电阻(
W
)
30
20
10
I S , I D (PA )
0
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
I
S( OFF)
I
D(上)
35
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
125_C
25
85_C
20
25_C
15
–55_C
10
I
D,
I
S
泄漏与温度的关系
30
I
D(关闭)
5
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
电荷注入与模拟电压
100
80
60
80
40
Q( PC)
Q( PC)
C
L
- 10 nF的
20
0
C
L
= 1 nF的
–20
–20
–40
–60
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
S
- 源极电压( V)
–40
–60
–15
60
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
140
120
100
电荷注入与模拟电压
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
C
L
- 10 nF的
C
L
= 1 nF的
40
20
0
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
输入开关阈值与电源电压
3.5
3.0
2.5
V TH ( V)
2.0
6.5 V
1.5
1.0
0.5
0
(V+) 5
10
15
20
25
30
35
40
4.5 V
5.5 V
240
210
180
吨对T OFF ( NS )
,
V
L
= 7.5 V
150
开关时间与温度的关系
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
V
S
= 10 V
t
ON
120
t
关闭
90
60
30
0
–55 –35
–15
5
25
45
65
85
105 125
温度(℃)
文档编号: 70050
S- 52433 -REV 。 D, 06 09月99
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S
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4-5
19-4728 ;第七版; 9/08
改善,四,
SPST模拟开关
概述
Maxim的重新设计的DG411 / DG412 / DG413模拟
现在交换机具有低导通电阻匹配
开关( 3Ω最大) ,并保证导通电阻之间
tance平坦度在信号范围( Δ4Ω最大值)。这些
低导通电阻开关同样进行井
任一方向。他们保证低电荷注入,
低功率消耗,以及一个耐ESD
每个方法3015.7 2000V降到最低。新设计
提供了较低的关断漏电流随温度(以下
比消耗5nA在+ 85 ℃)。
该DG411 / DG412 / DG413是四,单杆/赎罪
GLE掷(SPST )模拟开关。该DG411属于正常
马利闭(NC ),并且DG412是常开
氧化氮(NO) 。该DG413有两个常闭开关和两个NO
开关。切换时间小于150ns的最大值为
t
ON
而小于100ns的最大的吨
关闭
。这些设备
从单一的+ 10V至+ 30V供电,或双极性工作
± 4.5V至± 20V电源。 Maxim的改进
DG411 / DG412 / DG413均选用一个44V硅
栅工艺。
______________________New特点
插件升级为行业标准
DG411/DG412/DG413
改进的R
DS ( ON)
通道间匹配
( 3Ω最大)
保证
平(ON)的
在信号范围( Δ4Ω )
改进的电荷注入( 10PC最大)
提高关断漏电流过温
( <消耗5nA在+ 85°C )
承受静电放电( 2000V分钟)
每个方法3015.7
DG411/DG412/DG413
__________________Existing特点
低R
DS ( ON)
( 35Ω最大)
单电源供电+ 10V至+ 30V
双极性电源供电± 4.5V至± 20V
低功耗( 35μW最大)
轨至轨信号处理
TTL / CMOS逻辑兼容
订购信息
部分
DG411CJ
DG411CUE
DG411EVE
DG411CY
DG411C/D
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
PIN- PACKAGE
16塑料DIP
16 TSSOP
16 TSSOP
16窄SO
骰子
________________________Applications
采样保持电路
测试设备
平视显示器
指导&控制系统
军用无线通信设备
通信系统
电池供电系统
PBX , PABX
音频信号路由
订购信息不断在数据表的末尾。
●联系
工厂骰子规格。
引脚配置/功能框图/真值表
顶视图
IN1
D1
S1
V-
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
IN2
D2
S2
V+
V
L
S3
D3
IN3
IN1
D1
S1
V-
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
IN2
D2
S2
V+
V
L
S3
D3
IN3
IN1
D1
S1
V-
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
IN2
D2
S2
V+
V
L
S3
D3
IN3
DG411
12
11
10
9
DG412
12
11
10
9
DG413
12
11
10
9
DIP / SO / TSSOP
DG411
逻辑
0
1
开关
ON
关闭
DIP / SO / TSSOP
DG412
逻辑
0
1
开关
关闭
ON
逻辑
0
1
DIP / SO / TSSOP
DG413
开关
1, 4
关闭
ON
开关
2, 3
ON
关闭
如图所示为逻辑“0”输入开关
引脚配置及功能图继续在数据表的末尾。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价,交付和订购信息,请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ,
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
改善,四,
SPST模拟开关
DG411/DG412/DG413
绝对最大额定值
(所有电压参考V- )。
V+.........................................................................................44V
GND ................................................. .................................... 25V
V
L
.................................................. ... ( GND -0.3V )至(v + + 0.3V )
数字输入,V
S
, V
D
(注1 ) ........ ( V- -2V )至(v + + 2V )或30毫安
(以先到为准)
连续电流(任何终端) ...................................... 30毫安
峰值电流
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大) ............................ 100毫安
连续功率耗散(T
A
= +70°C)
16引脚塑料DIP (减免10.53mW / ° C以上+ 70 ° C) .842mW
16引脚窄SO (减免8.70mW / ° C以上+ 70 ° C) ... 696mW
16引脚CERDIP (减免10.00mW / ° C以上+ 70 ° C) ...... 800mW的
16引脚TSSOP (减免6.7mW / ° C以上+ 70 ° C) ........... 457mW
16引脚QFN (减免19.2mW / ° C以上+ 70 ° C) ........... 1538mW
工作温度范围
DG41_C_ ................................................. ............. 0 ° C至+ 70°C
DG41_D_ ................................................. ..........- 40 ° C至+ 85°C
DG41_AK_ ................................................. ......- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ............... + 300℃
注1 :
在S ,D信号,或在超过V +或V-由内部二极管钳位。为最大限度地正向电流
电流额定值。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性,双电源
(V+ = 15V, V- = -15V, V
L
= 5V, V
GND
= 0V, V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
导通电阻
通道间匹配
(注4 )
导通电阻平坦度
(注4 )
源断开泄漏电流
(注7 )
V
类似物
r
DS ( ON)
(注3)
V+ = 13.5V,
V- = -13.5V,
V
D
= ±8.5V,
I
S
= -10mA
V+ = 15V, V- = -15V,
V
D
= ±10V,
I
S
= -10mA
V+ = 15V, V- = -15V,
V
D
= ±5V, 0V,
I
S
= -10mA
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
D
= ±15.5V,
V
S
= 15.5V
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
D
= ±15.5V,
V
S
= 15.5V
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
D
= ±15.5V,
V
S
= 15.5V
±
±
±
T
A
= +25°C
C,D
A
-15
17
17
15
45
30
45
3
5
4
6
-0.25
-5
-10
-0.25
-5
-10
-0.4
-20
-40
-0.1
-0.10
-0.10
0.25
5
10
0.25
5
10
0.4
20
40
nA
nA
nA
Ω
Ω
Ω
V
符号
条件
典型值
(注2 )
最大
单位
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
to
T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
to
T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
to
T
最大
C, D,A
C,D
A
C, D,A
C,D
A
C, D,A
C,D
A
Δr
DS ( ON)
r
平(ON)的
I
S( OFF)
流掉泄漏电流
(注7 )
I
D(关闭)
I
D(上)
漏极导通漏电流
(注7 )
+
I
秒(上)
2
_______________________________________________________________________________________
改善,四,
SPST模拟开关
电气特性,双电源(续)
(V+ = 15V, V- = -15V, V
L
= 5V, V
GND
= 0V, V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
输入
输入电流与输入电压
输入电流与输入电压
供应
电源电压范围
正电源电流
I+
开启或关闭所有通道
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
V
D
= ±10V,
图2
V
D
= ±10V,
图2
DG413只,
R
L
= 300Ω,
C
L
= 35pF ,图3中
C
L
= 1.0nF ,
V
= 0V,
R
= 0Ω ,图4中
R
L
= 50Ω,
C
L
= 5pF的,
F = 1MHz时,图5
R
L
= 50Ω,
C
L
= 5pF的,
F = 1MHz时,图6
F = 1MHz时,图7
F = 1MHz时,图7
F = 1MHz时,图8
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
±4.5
-1
-5
-1
-5
-1
-5
-1
-5
-0.0001
0.0001
-0.0001
0.0001
±20.0
1
A
5
1
A
5
1
A
5
1
A
5
V
I
INH
I
INL
IN = 2.4V ,所有的人= 0.8V
IN = 0.8V ,所有的人= 2.4V
-0.500
-0.500
0.005
0.005
0.500
0.500
A
A
符号
条件
典型值
(注2 )
最大
单位
DG411/DG412/DG413
负电源电流
I-
逻辑电源电流
I
L
地电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
I
GND
t
ON
t
关闭
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
110
100
175
220
145
160
ns
ns
突破前先延时
t
D
25
ns
电荷注入(注3 )
Q
T
A
= +25°C
5
10
pC
关断隔离(注5 )
OIRR
T
A
= +25°C
68
dB
串扰(注6 )
源关断电容
汲极关断电容
漏导通电容
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
+
C
秒(上)
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
85
9
9
35
dB
pF
pF
pF
3
_______________________________________________________________________________________
改善,四,
SPST模拟开关
DG411/DG412/DG413
电气特性,单电源
(V+ = 12V, V- = 0V, V
L
= 5V, V
GND
= 0V, V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
开关
模拟信号范围
漏源导通电阻
供应
正电源电流
I+
开启或关闭所有通道
V+ = 13.2V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V+ = 13.2V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V
L
= 5.25V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V
L
= 5.25V,
V
IN
= 0V或5V
T
A
= +25°C
T
A
= T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
最大
-1
-5
-1
-5
-1
-5
-1
-5
-0.0001
0.0001
0.0001
0.0001
1
A
5
1
A
5
1
A
5
1
A
5
V
类似物
R
DS ( ON)
(注3)
V+ = 10.8V,
V
D
= 3.8V,
I
S
= -10mA
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
0
40
12
80
Ω
100
V
符号
条件
典型值
(注2 )
最大
单位
负电源电流
I-
逻辑电源电流
I
L
地电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
I
GND
t
ON
t
关闭
V
S
= 8V,
图2
V
S
= 8V,
图2
DG413只,
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ,
科幻gure 3
C
L
= 1.0nF ,
V
= 0V,
R
= 0V,
图4
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
175
95
250
315
125
140
ns
ns
突破前先延时
t
D
25
ns
电荷注入
(注3)
注2 :
注3 :
注4 :
Q
T
A
= +25°C
5
10
pC
注5 :
注6 :
注7 :
代数约定,其中最负的值是最小值和最积极的值最大时,采用的是
此数据表。
通过设计保证。
ΔR
ON
=
ΔR
ON
马克斯 -
ΔR
ON
分钟。导通电阻的渠道和平整度之间的匹配是保证只有
双极性电源供电。平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
如在所规定的模拟信号范围的极限进行测定。
关断隔离= 20日志(V
D/
V
S)
, V
D
=输出,V
S
=输入到开关。见图5 。
任意两个交换机之间。参见图6 。
泄漏的参数我
S( OFF)
, I
D(关闭)
和我
D(上)
100%经过测试在最大额定热的温度和保证
通过相关性在+ 25°C 。
4
_______________________________________________________________________________________
改善,四,
SPST模拟开关
__________________________________________Typical工作特性
(T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
导通电阻与V
D
电源电压
DG411-01
DG411/DG412/DG413
导通电阻与V
D
温度
DG411-02
导通电阻与V
D
温度(单电源)
V- = 0V
140
DG411-03
70
60
50
r
DS ( ON)
(Ω)
40
30
20
10
0
r
DS ( ON)
(Ω)
r
DS ( ON)
(Ω)
答: V + = 5V ,
V- = -5V
B: V + = 10V ,
V- = -10V
C: V + = 15V ,
V- = -15V
D: V + = 20V ,
V- = -20V
60
50
40
V+ = 15V
V- = -15V
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
160
A
120
V+ = 5V
100
80
60
V+ = 10V
V+ = 15V
40
20
V+ = 20V
B
C
D
30
20
10
0
T
A
= +25°C
T
A
= -55°C
-20
-10
0
V
D
(V)
10
20
-20
-10
0
V
D
(V)
10
20
0
5
10
V
D
(V)
15
20
导通电阻与V
D
(单电源)
DG411-04
OFF-漏电流与
温度
DG411-05
ON-漏电流与
温度
V+ = 16.5V
V- = -16.5V
V
D
=
±15V
V
S
=
±15V
DG411-06
80
70
60
r
DS ( ON)
(Ω)
50
40
30
20
0
5
10
V
D
(V)
15
V+ = 12V
V- = 0V
T
A
= +125°C
100
10
关断漏( NA)
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
V+ = 16.5V
V- = -16.5V
V
D
=
±15V
V
S
=
±15V
100
10
开漏( NA)
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
20
-55
+25
温度(℃)
+125
-55
+25
温度(℃)
+125
电荷注入与
模拟电压
DG411-07
电源电流与温度的关系
A:
B:
C:
A
B
C
I + AT V + = 16.5V
I- AT V- = -16.5V
I
L
在V
L
= 5V
DG411-08
60
40
20
0
-20
-40
-60
-20
-15 -10
-5
0
V
D
(V)
5
10
15
V+ = 15V
V- = -15V
V
L
= 5V
CL = 1nF的
100
10
1
I+, I-, I
L
(μA)
0.1
0.01
0.001
0.0001
Q( PC)
20
-55
+25
温度(℃)
+125
_______________________________________________________________________________________
5
DG411 , DG412 , DG413
数据表
1999年6月
网络文件编号
3282.5
单片四路SPST CMOS模拟
开关
该DG411系列单片CMOS模拟开关
嵌入式替代流行的DG211和DG212
系列设备。它们包括四个独立的单刀
掷(SPST)模拟开关,和TTL和CMOS
兼容数字输入。
这些开关具有导通电阻较低模拟( <35Ω )
和更快的开关时间(t
ON
< 175ns )相比
DG211和DG212 。电荷注入已经减少,
简化采样保持应用程序。
在DG411系列的改进成为可能
通过使用高电压硅栅工艺。外延
层防止与旧的CMOS关联的闩锁
技术。在44V最大电压范围允许
控制40V
P-P
信号。电源可能
单端的+ 5V至+ 34V ,或从分裂
±5V
to
±20V.
这四个开关双边,难分伯仲交流或
双向信号。导通电阻变化与
模拟信号是相当低的过
±15V
模拟输入范围。
在DG411和DG412开关是相同的,
只是在不同的选择逻辑的极性。两个
在DG413开关( #1和# 4)使用的逻辑
DG211和DG411 (即逻辑“ 0 ”打开开关)和
另两个开关使用DG212和DG412正逻辑。
这允许导通和关断的独立控制
时间SPDT CON连接gurations ,允许“破先接后
使“或”先接后断“操作用最少的
外部逻辑。
真值表
DG411
逻辑
0
1
注意:
DG412
开关
1, 4
关闭
ON
DG413
开关
2, 3
ON
关闭
特点
导通电阻(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35Ω
低功耗(P
D
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW
快速开关动作
- t
ON
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns
- t
关闭
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145ns
低电荷注入
从DG211 / DG212升级
TTL , CMOS兼容
单或分离电源操作
应用
音频切换
电池供电系统
数据采集
高可靠性系统
采样和保持电路
通讯系统
自动测试设备
引脚
DG411 , DG412 , DG413
( PDIP , SOIC )
顶视图
IN
1
1
D
1
2
S
1
3
V- 4
GND 5
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V+
12 V
L
11 S
3
10 D
3
9
3
开关开关
ON
关闭
关闭
ON
S
4
6
D
4
7
IN
4
8
逻辑“0”的
≤0.8V.
逻辑“1”的
≥2.4V.
订购信息
部分
DG411DJ
DG411DY
DG412DJ
DG412DY
DG413DJ
DG413DY
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
PKG 。号
E16.3
M16.15
E16.3
M16.15
E16.3
M16.15
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207 |版权所有 Intersil公司1999年公司
DG411 , DG412 , DG413
功能图
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
IN
4
D
4
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
IN
2
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
每包四通道SPST开关开关所为逻辑“ 1 ”输入
DG411
S
1
IN
1
D
1
S
2
IN
2
D
2
S
3
DG412
S
1
IN
1
D
1
S
2
DG413
S
1
原理图
V+
( 1频道)
S
V-
V
L
V+
IN
X
D
GND
V-
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
3
D
3
S
3
V
L
V+
S
2
D
2
IN
2
描述
开关1逻辑控制。
漏极(输出)端子用于开关1 。
来源(输入)端子用于开关1 。
负电源端。
接地端子(逻辑公用) 。
来源(输入)端子用于开关4 。
漏极(输出)端子用于开关4 。
用于开关4逻辑控制。
用于开关3逻辑控制。
漏极(输出)端子用于开关3 。
来源(输入)端子用于开关3 。
逻辑参考电压。
正电源端(基板) 。
来源(输入)端子用于开关2 。
漏极(输出)端子用于开关2 。
用于开关2逻辑控制。
2
DG411 , DG412 , DG413
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (GND -0.3V )到(V +) + 0.3V
数字输入,V
S
, V
D
(注1 ) 。 。 。 。 。 ( V-) -2V至(V +) + 2V或30mA时
以先到为准科幻RST
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流, S或D(脉冲为1ms , 10 %占空比最大) 。 。百毫安
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±20V
(最大)
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V (最大)
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V (最小值)
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤20ns
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
在S 1信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定编
测试条件
温度
(
o
C)
(注4 ) (注5 ) (注4 )
典型值
最大
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
R
L
= 300, C
L
= 35pF ,V
S
=
±10V
(图1)
25
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
-
100
-
25
5
68
-85
9
9
35
175
220
145
160
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
dB
dB
pF
pF
pF
关断时间,t
关闭
25
85
突破前先延时
电荷注入, Q(图3)
截止隔离(图5 )
串扰(通道 - 通道) ,
(图4)
源关断电容,C
S( OFF)
流掉电容,C
D(关闭)
通道导通电容,
C
D(上)
+ C
秒(上)
数字输入特性
输入电流V
IN
低,我
IL
输入电流V
IN
高,我
IH
DG413只,R
L
= 300, C
L
= 35pF (图2)
C
L
= 10nF电容,V
G
= 0V ,R
G
= 0
R
L
= 50, C
L
= 5pF的, F = 1MHz的
25
25
25
25
F = 1MHz的(图6)
25
25
25
V
IN
根据测试= 0.8V ,所有其他= 2.4V
V
IN
根据测试= 2.4V ,所有其他= 0.8V
-0.5
-0.5
0.005
0.005
0.5
0.5
A
A
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏极 - 源极导通电阻,
r
DS ( ON)
I
S
=
I
S
=
±
±
10mA
10毫安,V
D
=
±8.5V,
V+ = 13.5V, V- = -13.5V
25
-15
-
-
-
25
-
15
35
45
V
3
DG411 , DG412 , DG413
电气连接特定的阳离子
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定编
(续)
测试条件
±
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
D
=
±15.5V,
V
S
=
15.5V
温度
(
o
C)
25
25
通道泄漏电流,
I
D(上)
+ I
秒(上)
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
S
= V
D
=
±15.5V
25
(注4 ) (注5 ) (注4 )
典型值
最大
-0.25
-5
-0.25
-5
-0.4
-10
±0.1
-
±0.1
-
±0.1
-
0.25
+5
0.25
+5
0.4
+10
单位
nA
nA
nA
nA
nA
nA
参数
来源OFF漏电流,
I
S( OFF)
流掉泄漏电流,
I
D(关闭)
电源特性
正电源电流, I +
V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V
IN
= 0V或5V
25
85
负电源电流,I-
25
85
逻辑电源电流,I
L
25
85
接地电流,I
GND
25
85
-1
-5
-
-
-1
-5
-
0.0001
-
-0.0001
-
0.0001
-
-0.0001
-
1
5
-
-
1
5
-
-
A
A
A
A
A
A
A
A
电气连接特定的阳离子
(单电源)测试条件: V + = + 12V , V- = 0V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定编
测试条件
温度
(
o
C)
(注4 )
(注5 )
典型值
(注4 )
最大
单位
参数
动态特性
导通时间,t
ON
R
L
= 300, C
L
= 35pF ,
V
S
= 8V时, (图1)
25
85
25
85
-
-
-
-
-
-
175
-
95
-
25
25
250
315
125
140
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
关断时间,t
关闭
突破前先延时
电荷注入,Q
DG413只,R
L
= 300,
C
L
= 35pF ,V
S
= 8V
C
L
= 10nF电容,V
G
= 6.0V ,R
G
= 0
25
25
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏极 - 源极导通电阻,
r
DS ( ON)
I
S
= -10mA ,V
D
= 3V, 8V
V+ = 10.8V
25
0
-
-
-
40
-
12
80
100
V
4
DG411 , DG412 , DG413
电气连接特定的阳离子
(单电源)测试条件: V + = + 12V , V- = 0V ,V
L
= 5V, V
IN
= 2.4V , 0.8V (注3 ) ,
除非另有规定编
(续)
测试条件
温度
(
o
C)
(注4 )
(注5 )
典型值
(注4 )
最大
单位
参数
电源特性
正电源电流, I +
V+ = 13.2V, V- = 0V
V
IN
= 0V或5V
25
85
25
85
-
0.0001
-
1
5
-
-
1
5
-
-
A
A
A
A
A
A
A
A
负电源电流,I-
-1
-5
-
-
-1
-5
-0.0001
-
0.0001
-
-0.0001
-
逻辑电源电流,I
L
25
85
接地电流,I
GND
25
85
注意事项:
3. V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
4.代数惯例,由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
5.典型值是辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
测试电路和波形
V
O
与交换机上的稳态输出。通过开关电容馈通可能导致尖峰的前缘和后
输出波形的边沿。
3V
逻辑
输入
50%
0V
t
关闭
开关
输入V
S
V
O
开关
产量
0V
t
ON
90%
90%
t
r
& LT ;为20ns
t
f
& LT ;为20ns
开关
输入
S
1
IN
1
逻辑
输入
GND
R
L
V-
-15V
C
L
+5V
V
L
V+
D
1
+15V
开关
产量
V
O
注:逻辑输入波形被反转为具有开关
相反的逻辑感。
图1A 。测量点
所有的IN和S重复试验
对于负载情况,请参阅特定网络阳离子。
L
包括网络连接夹具和杂散
R
L
电容。
-
V
O
=
V
S
-----------------------------------
R
L
+
r
DS
(
ON
)
图1B 。测试电路
图1.开关时间
3V
逻辑
输入
V
L
0V
V
S1
90%
V
S2
= 10V
0V
V
S2
90%
开关
产量
V
O2
0V
t
D
t
D
IN
1
2
逻辑
输入
GND
S
1
V
S1
= 10V
S
2
+5V
V+
+15V
D
1
D
2
R
L2
300
V
O2
R
L1
300
V
O1
C
L1
35pF
开关
产量
(V01)
C
L2
35pF
V-
-15V
C
L
包括网络连接和夹具
杂散电容。
图2A 。测量点
图2.先开后抓紧时间
图2B 。测试电路
5
19-4728 ;转3 ; 9/99
改善,四,
SPST模拟开关
_______________General说明
Maxim的重新设计的DG411 / DG412 / DG413模拟
现在交换机具有低导通电阻匹配
开关( 3Ω最大) ,并保证导通电阻之间
tance平坦度在信号范围( Δ4Ω最大值)。这些
低导通电阻开关同样进行井
任一方向。他们保证低电荷注入,
低功率消耗,以及一个耐ESD
每个方法3015.7 2000V降到最低。新设计
提供较低的折扣漏电流随温度(少
比消耗5nA在+ 85 ℃)。
该DG411 / DG412 / DG413是四,单杆/赎罪
GLE掷(SPST )模拟开关。该DG411属于正常
马利闭(NC ),并且DG412是常开
氧化氮(NO) 。该DG413有两个常闭开关和两个NO
开关。切换时间小于150ns的最大值为
t
ON
而小于100ns的最大的吨
关闭
。这些设备
从单一的+ 10V至+ 30V供电,或双极性工作
± 4.5V至± 20V电源。 Maxim的改进
DG411 / DG412 / DG413均选用一个44V硅
栅工艺。
______________________New特点
o
插件升级为行业标准
DG411/DG412/DG413
o
改进的R
DS ( ON)
通道间匹配( 3Ω最大)
o
保证
平(ON)的
在信号范围( Δ4Ω )
o
改进的电荷注入( 10PC最大)
o
改进关闭泄漏电流过温
( <5nA在+ 85°C )
o
承受静电放电( 2000V分钟)
每个方法3015.7
DG411/DG412/DG413
__________________Existing特点
o
o
o
o
o
o
低R
DS ( ON)
( 35Ω最大)
单电源供电+ 10V至+ 30V
双极性电源供电± 4.5V至± 20V
低功耗( 35μW最大)
轨至轨信号处理
TTL / CMOS逻辑兼容
______________Ordering信息
________________________Applications
采样保持电路
测试设备
平视显示器
指导&控制系统
军用无线通信设备
通信系统
电池供电系统
PBX , PABX
音频信号路由
部分
DG411CJ
DG411CUE
DG411CY
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
PIN- PACKAGE
16塑料DIP
16 TSSOP
16窄SO
DG411C/D
0 ° C至+ 70°C
骰子*
订购信息不断在数据表的末尾。
*联系工厂骰子规格。
_____________________Pin配置/功能框图/真值表
顶视图
IN1
D1
S1
V-
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
IN2
15
D2
14
S2
13
V+
IN1
D1
S1
V-
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
IN2
15
D2
14
S2
13
V+
IN1
D1
S1
V-
GND
S4
D4
IN4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
IN2
15
D2
14
S2
13
V+
DG411
12
V
L
11
S3
10
D3
9
IN3
DG412
12
V
L
11
S3
10
D3
9
IN3
DG413
12
V
L
11
S3
10
D3
9
IN3
DIP / SO / TSSOP
DG411
逻辑
0
1
开关
ON
关闭
DIP / SO / TSSOP
DG412
逻辑
0
1
开关
关闭
ON
逻辑
0
1
DIP / SO / TSSOP
DG413
开关
1, 4
关闭
ON
开关
2, 3
ON
关闭
如图所示为逻辑“0”输入开关
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
免费样品&最新文献: http://www.maxim-ic.com ,或电话1-800-998-8800 。
对于小批量订货,电话1-800-835-8769 。
改善,四,
SPST模拟开关
DG411/DG412/DG413
绝对最大额定值
电压参考V-
V+.........................................................................................44V
GND ................................................. .................................... 25V
V
L
.................................................. ... ( GND -0.3V )至(v + + 0.3V )
数字输入,V
S
, V
D
(注1 ) ........ ( V- -2V )至(v + + 2V )或30毫安
(以先到为准)
连续电流(任何终端) ...................................... 30毫安
峰值电流
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大) ............................ 100毫安
连续功率耗散(T
A
= +70°C)
16引脚塑料DIP (减免10.53mW / ° C以上+ 70 ° C) .842mW
16引脚窄SO (减免8.70mW / ° C以上+ 70 ° C) ... 696mW
16引脚CERDIP (减免10.00mW / ° C以上+ 70 ° C) ...... 800mW的
16引脚TSSOP (减免6.7mW / ° C以上+ 70 ° C) ........... 457mW
工作温度范围
DG41_C_ ................................................. ............. 0 ° C至+ 70°C
DG41_D_ ................................................. ..........- 40 ° C至+ 85°C
DG41_AK_ ................................................. ......- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ............................. + 300℃
注1 :
在S ,D信号,或在超过V +或V-由内部二极管钳位。为最大限度地正向电流
电流额定值。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性,双电源
(V+ = 15V, V- = -15V, V
L
= 5V , GND = 0V ,V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
导通电阻
通道间匹配
(注4 )
导通电阻平坦度
(注4 )
源关闭时泄漏电流
(注7 )
V
类似物
r
DS ( ON)
(注3)
V+ = 13.5V,
V- = -13.5V,
V
D
= ±8.5V,
I
S
= -10mA
V+ = 15V, V- = -15V,
V
D
= ±10V,
I
S
= -10mA
V+ = 15V, V- = -15V,
V
D
= ±5V, 0V,
I
S
= -10mA
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
D
= ±15.5V,
V
S
= 15.5V
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
D
= ±15.5V,
V
S
= 15.5V
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
D
= ±15.5V,
V
S
= 15.5V
±
±
±
T
A
= +25°C
C,D
A
-15
17
17
15
45
30
45
3
5
4
6
-0.25
-5
-10
-0.25
-5
-10
-0.4
-20
-40
-0.1
-0.10
-0.10
0.25
5
10
0.25
5
10
0.4
20
40
nA
nA
nA
V
符号
条件
典型值
(注2 )
最大
单位
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
to
T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
to
T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
to
T
最大
C, D,A
C,D
A
C, D,A
C,D
A
C, D,A
C,D
A
r
DS ( ON)
r
平(ON)的
I
S( OFF)
汲极关漏电流
(注7 )
I
D(关闭)
I
D(上)
漏极泄漏电流
(注7 )
+
I
秒(上)
2
_______________________________________________________________________________________
改善,四,
SPST模拟开关
电气特性,双电源(续)
(V+ = 15V, V- = -15V, V
L
= 5V , GND = 0V ,V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
输入
输入电流与输入电压
输入电流与输入电压
供应
电源电压范围
正电源电流
I+
开启或关闭所有通道
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
V
D
= ±10V,
图2
V
D
= ±10V,
图2
DG413只,
R
L
= 300,
C
L
= 35pF ,图3中
C
L
= 1.0nF ,
V
= 0V,
R
= 0Ω ,图4中
R
L
= 50,
C
L
= 5pF的,
F = 1MHz时,图5
R
L
= 50,
C
L
= 5pF的,
F = 1MHz时,图6
F = 1MHz时,图7
F = 1MHz时,图7
F = 1MHz时,图8
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
±4.5
-1
-5
-1
-5
-1
-5
-1
-5
-0.0001
0.0001
-0.0001
0.0001
±20.0
1
A
5
1
A
5
1
A
5
1
A
5
V
I
INH
I
INL
IN = 2.4V ,所有的人= 0.8V
IN = 0.8V ,所有的人= 2.4V
-0.500
-0.500
0.005
0.005
0.500
0.500
A
A
符号
条件
典型值
(注2 )
最大
单位
DG411/DG412/DG413
负电源电流
I-
逻辑电源电流
I
L
地电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
I
GND
t
ON
t
关闭
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
110
100
175
220
145
160
ns
ns
突破前先延时
t
D
25
ns
电荷注入(注3 )
Q
T
A
= +25°C
5
10
pC
截止隔离(注5 )
OIRR
T
A
= +25°C
68
dB
串扰(注6 )
源关断电容
汲极关断电容
汲极导通电容
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
+
C
秒(上)
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
85
9
9
35
dB
pF
pF
pF
3
_______________________________________________________________________________________
改善,四,
SPST模拟开关
DG411/DG412/DG413
电气特性,单电源
(V+ = 12V, V- = 0V, V
L
= 5V , GND = 0V ,V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
开关
模拟信号范围
漏源导通电阻
供应
正电源电流
I+
开启或关闭所有通道
V+ = 13.2V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V+ = 13.2V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V
L
= 5.25V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭所有通道
V
L
= 5.25V,
V
IN
= 0V或5V
T
A
= +25°C
T
A
= T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
最大
-1
-5
-1
-5
-1
-5
-1
-5
-0.0001
0.0001
0.0001
0.0001
1
A
5
1
A
5
1
A
5
1
A
5
V
类似物
r
DS ( ON)
(注3)
V+ = 10.8V,
V
D
= 3.8V,
I
S
= -10mA
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
0
40
12
80
100
V
符号
条件
典型值
(注2 )
最大
单位
负电源电流
I-
逻辑电源电流
I
L
地电流
动态
开启时间
打开-O FF时间
I
GND
t
ON
t
关闭
V
S
= 8V,
图2
V
S
= 8V,
图2
DG413只,
R
L
= 300, C
L
= 35pF ,
科幻gure 3
C
L
= 1.0nF ,
V
= 0V,
R
= 0V,
图4
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
175
95
250
315
125
140
ns
ns
突破前先延时
t
D
25
ns
电荷注入
(注3)
注2 :
注3 :
注4 :
Q
T
A
= +25°C
5
10
pC
注5 :
注6 :
注7 :
代数约定,其中最负的值是最小值和最积极的值最大时,采用的是
此数据表。
通过设计保证。
R
ON
=
R
ON
马克斯 -
R
ON
分钟。导通电阻的渠道和平整度之间的匹配是保证只有
双极性电源供电。平坦度被定义为对电阻的最大值和最小值之间的差
如在所规定的模拟信号范围的极限进行测定。
关断隔离= 20日志(V
D/
V
S)
, V
D
=输出,V
S
=输入到开关。见图5 。
任意两个交换机之间。参见图6 。
泄漏的参数我
S( OFF)
, I
D(关闭)
和我
D(上)
100%经过测试,在最大额定热的温度和保证
通过相关性在+ 25°C 。
4
_______________________________________________________________________________________
改善,四,
SPST模拟开关
__________________________________________Typical工作特性
(T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
导通电阻与V
D
电源电压
DG411-01
DG411/DG412/DG413
导通电阻与V
D
温度
DG411-02
导通电阻与V
D
温度(单电源)
V- = 0V
140
120
r
DS ( ON)
()
V+ = 5V
100
80
V+ = 10V
60
DG411-03
70
60
50
r
DS ( ON)
()
40
30
20
10
0
r
DS ( ON)
()
答: V + = 5V ,
V- = -5V
B: V + = 10V ,
V- = -10V
C: V + = 15V ,
V- = -15V
D: V + = 20V ,
V- = -20V
60
50
40
V+ = 15V
V- = -15V
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
160
A
B
C
D
30
20
10
0
T
A
= +25°C
T
A
= -55°C
-20
-10
0
V
D
(V)
10
20
V+ = 15V
40
20
0
5
10
V
D
(V)
15
20
V+ = 20V
-20
-10
0
V
D
(V)
10
20
导通电阻与V
D
(单电源)
DG411-04
断漏电流与
温度
DG411-05
开漏电流与
温度
V+ = 16.5V
V- = -16.5V
V
D
= ±15V
V
S
= ±15V
DG411-06
80
70
60
r
DS ( ON)
()
50
40
30
20
0
5
10
V
D
(V)
15
V+ = 12V
V- = 0V
T
A
= +125°C
100
10
关闭泄漏( NA)
1
0.1
0.01
V+ = 16.5V
V- = -16.5V
V
D
= ±15V
V
S
= 15V
±
100
10
渗漏( NA)
1
0.1
0.01
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
0.001
0.0001
20
0.001
0.0001
-55
+25
温度(℃)
+125
-55
+25
温度(℃)
+125
电荷注入与
模拟电压
DG411-07
电源电流与温度的关系
答:我在V + = 16.5V +
B: I-在V- = -16.5V
C:我
L
在V
L
= 5V
A
B
C
0.01
0.001
0.0001
DG411-08
60
40
20
Q( PC)
0
-20
-40
-60
-20 -15 -10
-5
0
V
D
(V)
5
10
15
V+ = 15V
V- = -15V
V
L
= 5V
CL = 1nF的
100
10
1
0.1
I+, I-, I
L
(A)
20
-55
+25
温度(℃)
+125
_______________________________________________________________________________________
5
DG411 , DG412 , DG413
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST CMOS模拟开关
描述
该DG411系列单片四路模拟开关是
旨在提供高速,低误差切换
高精度模拟信号。结合低功耗( 0.35 μW )
以高速(叔
ON
: 110纳秒) ,该DG411系列是理想的
适合便携式及电池供电的工业和军事
应用程序。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现, DG411系列是采用Vishay
Siliconix公司的高压硅栅工艺。外延
层防止闭锁。
每个开关导电性能相同,在两个方向的时候
上,并且块的输入电压上升到电源电平,当
关。
该DG411 , DG412响应相反的控制逻辑
在真值表所示。该DG413有两个常开
和两个常闭开关。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
44 V电源最大。等级
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS ( ON)
: 25
快速开关 - 吨
ON
: 110纳秒
超低功耗 - P
D
: 0.35 W
TTL , CMOS兼容
单电源供电能力
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
盈亏bevor合式开关动作
简单的接口
应用
高精度自动测试设备
精密数据采集
通信系统
电池供电系统
电脑外设
功能框图及引脚配置
DG411
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
TOP V IEW
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V+
12 V
L
11 S
3
10 D
3
9
IN
3
S
1
V-
NC
GND
S
4
关键
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
3
2
DG411
LCC
D
1
IN
1
NC IN
2
D
2
1
20
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
DG411
ON
关闭
DG412
关闭
ON
D
4
IN
4
NC IN
3
D
3
顶视图
DG413
双列直插式和SOIC
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
TOP V IEW
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V+
12 V
L
11 S
3
S
4
10 D
3
9
IN
3
9
D
4
10
关键
4
5
6
7
8
D
1
3
S
1
V-
NC
GND
2
DG413
LCC
IN
1
NC IN
2
1
20
D
2
19
18
17
16
15
14
S
2
V+
NC
V
L
S
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
SW
1
, SW
4
关闭
ON
SW
2
, SW
3
ON
关闭
11
12
13
D
3
IN
4
NC IN
3
顶视图
文档编号: 70050
S11-1185 -REV 。 G, 13军, 11
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DG411 , DG412 , DG413
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
产品型号
DG411DJ
DG411DJ-E3
DG412DJ
DG412DJ-E3
DG413DJ
DG413DJ-E3
DG411DY
DG411DY-E3
DG411DY-T1
DG411DY-T1-E3
DG412DY
DG412DY-E3
DG412DY-T1
DG412DY-T1-E3
DG413DY
DG413DY-E3
DG413DY-T1
DG413DY-T1-E3
DG411DQ-E3
DG411DQ-T1-E3
16引脚TSSOP
DG412DQ-E3
DG412DQ-T1-E3
DG413DQ-E3
DG413DQ-T1-E3
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
绝对最大额定值
参数
V +到V -
GND到V -
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
连续电流(任何终端)
峰值电流,S或D(脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
储存温度
( AK ,AZ后缀)
( DJ , DY后缀)
16引脚塑料DIP
c
功率耗散(包)
b
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
LCC-20
e
e
d
极限
44
25
(GND - 0.3 )至(V +) + 0.3
( V-) -2至(V + )+2
或30毫安,以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
600
900
900
单位
V
mA
°C
mW
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V - 由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C, 25°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C, 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C, 75°C以上。
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DG411 , DG412 , DG413
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V + = 15 V, V - = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
- 55 ° C至125°C
温度。
b
V + = 13.5 V, V - = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安,V
D
=
±
8.5 V
V + = 16.5, V - = - 16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V
V + = 16.5 V, V - = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
V
IN
根据测试= 0.8 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
25
典型值。
c
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
35
45
0.25
20
0.25
20
0.4
40
0.5
0.5
175
240
145
160
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.4
10
0.5
0.5
175
220
145
160
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
关机泄漏
当前
渠道渗漏
当前
数字控制
输入电流,V
IN
输入电流,V
IN
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道上
电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
符号
V
类似物
R
DS ( ON)
I
S( OFF)
I
D(关闭)
I
D(上)
I
IL
I
IH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
±
0.1
±
0.1
±
0.1
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.4
- 40
- 0.5
- 0.5
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.4
- 10
- 0.5
- 0.5
nA
0.005
0.005
110
100
25
5
68
85
9
9
35
A
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
±
10 V ,见图2
DG413只,V
S
= 10 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ,R
g
= 0
C
L
- 10 nF的
R
L
= 50
C
L
= 5 pF的,
F = 1 MHz的
ns
pC
dB
pF
I+
I-
I
L
I
GND
V + = 16.5 V, V - = - 16.5 V
V
IN
= 0 V或5 V
房间
房间
房间
房间
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
A
1
5
文档编号: 70050
S11-1185 -REV 。 G, 13军, 11
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DG411 , DG412 , DG413
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
(对于单极性电源)
参数
模拟开关
V
类似物
模拟信号范围
e
漏源
R
DS ( ON)
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
V + = 13.5 V, V
IN
= 0 V或5 V
I
L
I
GND
房间
房间
房间
房间
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
A
t
ON
t
关闭
t
D
Q
V + = 10.8 V,
I
S
= - 10毫安,V
D
=
3
V, 8 V
房间
房间
房间
房间
房间
40
12
80
100
250
400
125
140
12
80
100
250
315
125
140
V
符号
测试条件
除非指定
V + = 12 V, V - = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
典型值。
c
后缀
- 55 ° C至125°C
分钟。
d
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
单位
马克斯。
d
马克斯。
d
175
95
25
25
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
8
V,见图2
DG413只,V
S
= 8 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 6 V ,R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
ns
pC
注意事项:
答。请参阅处理方案流程图。
b.Room = 25°C ,完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
d.The代数惯例,由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
设计e.Guaranteed ,不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
50
300
T
A
= 25 °C
±5
V
250
V+ = 3 V
V
L
= 3 V
V
L
= 5 V
R
DS ( ON)
- 漏源导通电阻( Ω )
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
- 20
±
8V
± 10
V
± 15
V
± 12
V
200
150
V
V+ = 5 V
100
± 20
V
50
8V
12 V
15 V
20 V
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
0
2
4
V
D
- 排水
V
oltage ( V)
6
8
10 12 14
V
D
- 漏极电压( V)
16
18
20
导通电阻与V
D
与电源电压
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
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4
文档编号: 70050
S11-1185 -REV 。 G, 13军, 11
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DG411 , DG412 , DG413
Vishay Siliconix公司
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
40
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
T
A
= 25 °C
R
DS ( ON)
- 漏源导通电阻( Ω )
30
20
10
I
S
, I
D
( PA )
0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
I
S( OFF)
I
D(上)
35
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
125 °C
25
85 °C
20
25 °C
15
- 55 °C
10
30
I
D(关闭)
5
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
漏电流与模拟电压
I
D
, I
S
泄漏与温度的关系
100
80
60
40
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
140
120
100
80
60
C
L
- 10 nF的
Q( PC)
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
C
L
- 10 nF的
Q( PC)
20
0
- 20
- 40
- 60
- 15
C
L
= 1 nF的
40
20
0
- 20
- 40
C
L
= 1 nF的
- 10
-5
0
5
V
S
- 源极电压( V)
10
15
- 60
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
电荷注入与模拟电压
3.5
3.0
2.5
电荷注入与模拟电压
240
210
180
t
ON
, t
关闭
(纳秒)
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
L
= 5 V
V
S
= 10 V
V
L
= 7.5 V
150
t
ON
120
t
关闭
90
60
30
0
- 55 - 35
V
TH
(V)
2.0
6.5 V
1.5
1.0
0.5
0
5
10
15
20
(V+)
25
30
35
40
4.5 V
5.5 V
- 15
5
25
45
65
85
105 125
温度(℃)
输入开关阈值与电源电压
开关时间与温度的关系
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