DG411 ， DG412 ， DG413

数据表

二〇〇七年六月二十〇日

FN3282.13

单片四路SPST CMOS模拟

开关

该DG411系列单片CMOS模拟开关

嵌入式替代流行的DG211和DG212

系列设备。它们包括四个独立的单刀

掷（SPST）模拟开关，和TTL和CMOS

兼容数字输入。

这些开关具有较低的模拟导通电阻（ <35Ω ）

和更快的开关时间（t

ON

<175ns ）相比， DG211

或DG212 。电荷注入已减少，从而简化了

采样保持应用程序。

在DG411系列的改进成为可能

通过使用高电压硅栅工艺。外延

层防止与旧的CMOS关联的闩锁

技术。在44V最大电压范围允许

控制40V

P-P

信号。电源可能

单端的+ 5V至44V ，或拆分，从± 5V至±20V 。

这四个开关双边，难分伯仲交流或

双向信号。的导通电阻变化的模拟

信号是相当低的超过± 15V模拟输入范围。该

在DG411和DG412开关是相同的，唯一的不同

在选择逻辑的极性。两个在开关的

DG413 （＃2和＃3）使用DG211和DG411的逻辑

（即，逻辑“0 ”使开关ON），而另外两个

交换机使用DG212和DG412正逻辑。此证

的导通和关断时间为SPDT独立控制

配置，允许“突破前先”或“的makefile

先连后断“的操作具有最少的外部逻辑。

特点

导通电阻（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35Ω

低功耗（P

D

） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW

快速开关动作

- t

ON

（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns

- t

关闭

（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145ns

低电荷注入

从DG211 ， DG212升级

TTL ， CMOS兼容

单或分离电源操作

无铅加退火有（符合RoHS ）

应用

音频切换

电池供电系统

数据采集

高可靠性系统

采样和保持电路

通讯系统

自动测试设备

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

版权所有Intersil公司美洲1993年， 1994年， 1997年， 1999年， 2002年， 2004年至2007年。版权所有

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

DG411 ， DG412 ， DG413

订购信息

产品型号

DG411DJ

DG411DJZ （注）

DG411DY*

DG411DYZ * （注）

DG411DVZ * （注）

DG412DJ

DG412DJZ （注）

DG412DY*

DG412DYZ * （注）

DG412DVZ * （注）

DG413DJ

DG413DJZ （注）

DG413DY*

DG413DYZ * （注）

DG413DVZ * （注）

最热

DG411DJ

DG411DJZ

DG411DY

DG411DYZ

DG411 DVZ

DG412DJ

DG412DJZ

DG412DY

DG412DYZ

DG412 DVZ

DG413DJ

DG413DJZ

DG413DY

DG413DYZ

DG413 DVZ

TEMP 。范围（° C）

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

包

16 Ld的PDIP

16 Ld的PDIP ** （无铅）

16 Ld的SOIC （ 150万）

16 Ld的SOIC （ 150万） （无铅）

PKG 。 DWG 。 ＃

E16.3

E16.3

M16.15

M16.15

16 Ld的TSSOP （ 4.4毫米） （无铅） M16.173

16 Ld的PDIP

16 Ld的PDIP ** （无铅）

16 Ld的SOIC （ 150万）

16 Ld的SOIC （ 150万） （无铅）

E16.3

E16.3

M16.15

M16.15

16 Ld的TSSOP （ 4.4毫米） （无铅） M16.173

16 Ld的PDIP

16 Ld的PDIP ** （无铅）

16 Ld的SOIC （ 150万）

16 Ld的SOIC （ 150万） （无铅）

E16.3

E16.3

M16.15

M16.15

16 Ld的TSSOP （ 4.4毫米） （无铅） M16.173

*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。

**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接加工利用

应用程序。

注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡

板终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品

MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。

真值表

DG411

逻辑

0

1

DG412

开关

1, 4

关闭

On

DG413

开关

2, 3

On

关闭

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

符号

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

IN

3

D

3

S

3

V

L

V+

S

2

D

2

IN

2

描述

开关1逻辑控制。

漏极（输出）端子用于开关1 。

来源（输入）端子用于开关1 。

负电源端。

接地端子（逻辑公用） 。

来源（输入）端子用于开关4 。

漏极（输出）端子用于开关4 。

用于开关4逻辑控制。

用于开关3逻辑控制。

漏极（输出）端子用于开关3 。

来源（输入）端子用于开关3 。

逻辑参考电压。

正电源端（基板） 。

来源（输入）端子用于开关2 。

漏极（输出）端子用于开关2 。

用于开关2逻辑控制。

开关开关

On

关闭

关闭

On

注：逻辑“0”的

≤0.8V.

逻辑“1”的

≥2.4V.

引脚

DG411 ， DG412 ， DG413

（ 16 LD PDIP ， SOIC ， TSSOP ）

顶视图

IN

1

1

D

1

2

S

1

3

V- 4

GND 5

S

4

6

D

4

7

IN

4

8

16

IN

2

15

D

2

14

S

2

13

V+

12

V

L

11

S

3

10

D

3

9

3

10

11

12

13

14

15

16

2

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

功能图

每包四通道SPST开关开关所为逻辑“ 1 ”输入

DG411

S

1

IN

1

D

1

S

2

IN

2

D

2

S

3

IN

3

D

3

S

4

IN

4

D

4

IN

4

D

4

IN

3

D

3

S

4

IN

4

D

4

IN

2

D

2

S

3

IN

3

D

3

S

4

IN

1

D

1

S

2

IN

2

D

2

S

3

DG412

S

1

IN

1

D

1

S

2

DG413

S

1

原理图

V+

（ 1频道）

S

V-

V

L

V+

IN

X

D

GND

V-

3

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （GND -0.3V ）到（V +） + 0.3V

数字输入，V

S

, V

D

（注1 ） 。 。 。 。 。 （ V-） -2V至（V +） + 2V或30mA时

以先到为准科幻RST

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大） 。 。百毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

（ ° C / W）

PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

90

SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

110

TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

150

最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C

无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接

http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp

（ SOIC和TSSOP - 只会提示）

*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊

处理而已。它们不用于回流焊使用

处理应用。

工作条件

电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±20V

（最大）

温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C

输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V （最大）

输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V （最小值）

输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

≤20ns

注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和

导致不在保修范围内的故障。

注意事项：

在S 1信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。

2.

θ

JA

测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。

电气规格

测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定ED 。

测试条件

温度

(°C)

民

（注4 ）

典型值

（注5 ）

最大

（注4 ）

单位

参数

动态特性

导通时间，t

ON

R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF ，V

S

=

±10V

（图1）

25

85

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

110

-

100

-

25

5

68

-85

9

9

35

175

220

145

160

-

-

-

-

-

-

-

ns

ns

ns

ns

ns

pC

dB

dB

pF

pF

pF

关断时间，t

关闭

25

85

突破前先延时

电荷注入， Q（图3）

截止隔离（图5 ）

串扰（通道 - 通道） ，

（图4）

源关断电容，C

S（ OFF）

流掉电容，C

D（关闭）

通道导通电容，

C

D（上）

+ C

秒（上）

数字输入特性

输入电流V

IN

低，我

IL

输入电流V

IN

高，我

IH

DG413只，R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF （图2）

C

L

= 10nF电容，V

G

= 0V ，R

G

= 0Ω

R

L

= 50Ω, C

L

= 5pF的， F = 1MHz的

25

25

25

25

F = 1MHz的（图6）

25

25

25

V

IN

根据测试= 0.8V ，所有其他= 2.4V

V

IN

根据测试= 2.4V ，所有其他= 0.8V

满

满

-0.5

-0.5

0.005

0.005

0.5

0.5

μA

μA

模拟开关特性

模拟信号范围，V

类似物

漏极 - 源极导通电阻，

r

DS （ ON）

I

S

=

I

S

=

±

±

10mA

10毫安，V

D

=

±8.5V,

V+ = 13.5V, V- = -13.5V

满

25

满

-15

-

-

-

25

-

15

35

45

V

Ω

Ω

4

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

电气规格

测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定ED 。

（续）

测试条件

±

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

D

=

±15.5V,

V

S

=

15.5V

温度

(°C)

25

满

25

满

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

S

= V

D

=

±15.5V

25

满

民

（注4 ）

-0.25

-5

-0.25

-5

-0.4

-10

典型值

（注5 ）

±0.1

-

±0.1

-

±0.1

-

最大

（注4 ）

0.25

+5

0.25

+5

0.4

+10

单位

nA

nA

nA

nA

nA

nA

参数

来源OFF漏电流，

I

S（ OFF）

流掉泄漏电流，

I

D（关闭）

通道泄漏电流，

I

D（上）

+ I

秒（上）

电源特性

正电源电流， I +

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

IN

= 0V或5V

25

85

负电源电流，I-

25

85

逻辑电源电流，I

L

25

85

接地电流，I

GND

25

85

-

-

-1

-5

-

-

-1

-5

0.0001

-

-0.0001

-

0.0001

-

-0.0001

-

1

5

-

-

1

5

-

-

μA

μA

μA

μA

μA

μA

μA

μA

电气规格

（单电源）测试条件： V + = + 12V ， V- = 0V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定ED 。

测试条件

温度

(°C)

民

（注4 ）

典型值

（注5 ）

最大

（注4 ）

单位

参数

动态特性

导通时间，t

ON

R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF ，

V

S

= 8V时， （图1）

25

85

25

85

-

-

-

-

-

-

175

-

95

-

25

25

250

315

125

140

-

-

ns

ns

ns

ns

ns

pC

关断时间，t

关闭

突破前先延时

电荷注入，Q

DG413只，R

L

= 300Ω,

C

L

= 35pF ，V

S

= 8V

C

L

= 10nF电容，V

G

= 6.0V ，R

G

= 0Ω

25

25

模拟开关特性

模拟信号范围，V

类似物

漏源导通电阻，

r

DS （ ON）

I

S

= -10mA ，V

D

= 3V, 8V

V+ = 10.8V

满

25

满

0

-

-

-

40

-

12

80

100

V

Ω

Ω

5

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

数据表

二〇〇七年六月二十〇日

FN3282.13

单片四路SPST CMOS模拟

开关

该DG411系列单片CMOS模拟开关

嵌入式替代流行的DG211和DG212

系列设备。它们包括四个独立的单刀

掷（SPST）模拟开关，和TTL和CMOS

兼容数字输入。

这些开关具有较低的模拟导通电阻（ <35Ω ）

和更快的开关时间（t

ON

<175ns ）相比， DG211

或DG212 。电荷注入已减少，从而简化了

采样保持应用程序。

在DG411系列的改进成为可能

通过使用高电压硅栅工艺。外延

层防止与旧的CMOS关联的闩锁

技术。在44V最大电压范围允许

控制40V

P-P

信号。电源可能

单端的+ 5V至44V ，或拆分，从± 5V至±20V 。

这四个开关双边，难分伯仲交流或

双向信号。的导通电阻变化的模拟

信号是相当低的超过± 15V模拟输入范围。该

在DG411和DG412开关是相同的，唯一的不同

在选择逻辑的极性。两个在开关的

DG413 （＃2和＃3）使用DG211和DG411的逻辑

（即，逻辑“0 ”使开关ON），而另外两个

交换机使用DG212和DG412正逻辑。此证

的导通和关断时间为SPDT独立控制

配置，允许“突破前先”或“的makefile

先连后断“的操作具有最少的外部逻辑。

特点

导通电阻（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35Ω

低功耗（P

D

） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW

快速开关动作

- t

ON

（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns

- t

关闭

（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145ns

低电荷注入

从DG211 ， DG212升级

TTL ， CMOS兼容

单或分离电源操作

无铅加退火有（符合RoHS ）

应用

音频切换

电池供电系统

数据采集

高可靠性系统

采样和保持电路

通讯系统

自动测试设备

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

版权所有Intersil公司美洲1993年， 1994年， 1997年， 1999年， 2002年， 2004年至2007年。版权所有

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

DG411 ， DG412 ， DG413

订购信息

产品型号

DG411DJ

DG411DJZ （注）

DG411DY*

DG411DYZ * （注）

DG411DVZ * （注）

DG412DJ

DG412DJZ （注）

DG412DY*

DG412DYZ * （注）

DG412DVZ * （注）

DG413DJ

DG413DJZ （注）

DG413DY*

DG413DYZ * （注）

DG413DVZ * （注）

最热

DG411DJ

DG411DJZ

DG411DY

DG411DYZ

DG411 DVZ

DG412DJ

DG412DJZ

DG412DY

DG412DYZ

DG412 DVZ

DG413DJ

DG413DJZ

DG413DY

DG413DYZ

DG413 DVZ

TEMP 。范围（° C）

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

包

16 Ld的PDIP

16 Ld的PDIP ** （无铅）

16 Ld的SOIC （ 150万）

16 Ld的SOIC （ 150万） （无铅）

PKG 。 DWG 。 ＃

E16.3

E16.3

M16.15

M16.15

16 Ld的TSSOP （ 4.4毫米） （无铅） M16.173

16 Ld的PDIP

16 Ld的PDIP ** （无铅）

16 Ld的SOIC （ 150万）

16 Ld的SOIC （ 150万） （无铅）

E16.3

E16.3

M16.15

M16.15

16 Ld的TSSOP （ 4.4毫米） （无铅） M16.173

16 Ld的PDIP

16 Ld的PDIP ** （无铅）

16 Ld的SOIC （ 150万）

16 Ld的SOIC （ 150万） （无铅）

E16.3

E16.3

M16.15

M16.15

16 Ld的TSSOP （ 4.4毫米） （无铅） M16.173

*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。

**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接加工利用

应用程序。

注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡

板终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品

MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。

真值表

DG411

逻辑

0

1

DG412

开关

1, 4

关闭

On

DG413

开关

2, 3

On

关闭

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

符号

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

IN

3

D

3

S

3

V

L

V+

S

2

D

2

IN

2

描述

开关1逻辑控制。

漏极（输出）端子用于开关1 。

来源（输入）端子用于开关1 。

负电源端。

接地端子（逻辑公用） 。

来源（输入）端子用于开关4 。

漏极（输出）端子用于开关4 。

用于开关4逻辑控制。

用于开关3逻辑控制。

漏极（输出）端子用于开关3 。

来源（输入）端子用于开关3 。

逻辑参考电压。

正电源端（基板） 。

来源（输入）端子用于开关2 。

漏极（输出）端子用于开关2 。

用于开关2逻辑控制。

开关开关

On

关闭

关闭

On

注：逻辑“0”的

≤0.8V.

逻辑“1”的

≥2.4V.

引脚

DG411 ， DG412 ， DG413

（ 16 LD PDIP ， SOIC ， TSSOP ）

顶视图

IN

1

1

D

1

2

S

1

3

V- 4

GND 5

S

4

6

D

4

7

IN

4

8

16

IN

2

15

D

2

14

S

2

13

V+

12

V

L

11

S

3

10

D

3

9

3

10

11

12

13

14

15

16

2

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

功能图

每包四通道SPST开关开关所为逻辑“ 1 ”输入

DG411

S

1

IN

1

D

1

S

2

IN

2

D

2

S

3

IN

3

D

3

S

4

IN

4

D

4

IN

4

D

4

IN

3

D

3

S

4

IN

4

D

4

IN

2

D

2

S

3

IN

3

D

3

S

4

IN

1

D

1

S

2

IN

2

D

2

S

3

DG412

S

1

IN

1

D

1

S

2

DG413

S

1

原理图

V+

（ 1频道）

S

V-

V

L

V+

IN

X

D

GND

V-

3

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （GND -0.3V ）到（V +） + 0.3V

数字输入，V

S

, V

D

（注1 ） 。 。 。 。 。 （ V-） -2V至（V +） + 2V或30mA时

以先到为准科幻RST

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大） 。 。百毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

（ ° C / W）

PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

90

SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

110

TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

150

最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C

无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接

http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp

（ SOIC和TSSOP - 只会提示）

*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊

处理而已。它们不用于回流焊使用

处理应用。

工作条件

电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±20V

（最大）

温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C

输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V （最大）

输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V （最小值）

输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

≤20ns

注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和

导致不在保修范围内的故障。

注意事项：

在S 1信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。

2.

θ

JA

测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。

电气规格

测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定ED 。

测试条件

温度

(°C)

民

（注4 ）

典型值

（注5 ）

最大

（注4 ）

单位

参数

动态特性

导通时间，t

ON

R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF ，V

S

=

±10V

（图1）

25

85

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

110

-

100

-

25

5

68

-85

9

9

35

175

220

145

160

-

-

-

-

-

-

-

ns

ns

ns

ns

ns

pC

dB

dB

pF

pF

pF

关断时间，t

关闭

25

85

突破前先延时

电荷注入， Q（图3）

截止隔离（图5 ）

串扰（通道 - 通道） ，

（图4）

源关断电容，C

S（ OFF）

流掉电容，C

D（关闭）

通道导通电容，

C

D（上）

+ C

秒（上）

数字输入特性

输入电流V

IN

低，我

IL

输入电流V

IN

高，我

IH

DG413只，R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF （图2）

C

L

= 10nF电容，V

G

= 0V ，R

G

= 0Ω

R

L

= 50Ω, C

L

= 5pF的， F = 1MHz的

25

25

25

25

F = 1MHz的（图6）

25

25

25

V

IN

根据测试= 0.8V ，所有其他= 2.4V

V

IN

根据测试= 2.4V ，所有其他= 0.8V

满

满

-0.5

-0.5

0.005

0.005

0.5

0.5

μA

μA

模拟开关特性

模拟信号范围，V

类似物

漏极 - 源极导通电阻，

r

DS （ ON）

I

S

=

I

S

=

±

±

10mA

10毫安，V

D

=

±8.5V,

V+ = 13.5V, V- = -13.5V

满

25

满

-15

-

-

-

25

-

15

35

45

V

Ω

Ω

4

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

电气规格

测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定ED 。

（续）

测试条件

±

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

D

=

±15.5V,

V

S

=

15.5V

温度

(°C)

25

满

25

满

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

S

= V

D

=

±15.5V

25

满

民

（注4 ）

-0.25

-5

-0.25

-5

-0.4

-10

典型值

（注5 ）

±0.1

-

±0.1

-

±0.1

-

最大

（注4 ）

0.25

+5

0.25

+5

0.4

+10

单位

nA

nA

nA

nA

nA

nA

参数

来源OFF漏电流，

I

S（ OFF）

流掉泄漏电流，

I

D（关闭）

通道泄漏电流，

I

D（上）

+ I

秒（上）

电源特性

正电源电流， I +

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

IN

= 0V或5V

25

85

负电源电流，I-

25

85

逻辑电源电流，I

L

25

85

接地电流，I

GND

25

85

-

-

-1

-5

-

-

-1

-5

0.0001

-

-0.0001

-

0.0001

-

-0.0001

-

1

5

-

-

1

5

-

-

μA

μA

μA

μA

μA

μA

μA

μA

电气规格

（单电源）测试条件： V + = + 12V ， V- = 0V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定ED 。

测试条件

温度

(°C)

民

（注4 ）

典型值

（注5 ）

最大

（注4 ）

单位

参数

动态特性

导通时间，t

ON

R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF ，

V

S

= 8V时， （图1）

25

85

25

85

-

-

-

-

-

-

175

-

95

-

25

25

250

315

125

140

-

-

ns

ns

ns

ns

ns

pC

关断时间，t

关闭

突破前先延时

电荷注入，Q

DG413只，R

L

= 300Ω,

C

L

= 35pF ，V

S

= 8V

C

L

= 10nF电容，V

G

= 6.0V ，R

G

= 0Ω

25

25

模拟开关特性

模拟信号范围，V

类似物

漏源导通电阻，

r

DS （ ON）

I

S

= -10mA ，V

D

= 3V, 8V

V+ = 10.8V

满

25

满

0

-

-

-

40

-

12

80

100

V

Ω

Ω

5

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

数据表

二〇〇七年六月二十〇日

FN3282.13

单片四路SPST CMOS模拟

开关

该DG411系列单片CMOS模拟开关

嵌入式替代流行的DG211和DG212

系列设备。它们包括四个独立的单刀

掷（SPST）模拟开关，和TTL和CMOS

兼容数字输入。

这些开关具有较低的模拟导通电阻（ <35Ω ）

和更快的开关时间（t

ON

<175ns ）相比， DG211

或DG212 。电荷注入已减少，从而简化了

采样保持应用程序。

在DG411系列的改进成为可能

通过使用高电压硅栅工艺。外延

层防止与旧的CMOS关联的闩锁

技术。在44V最大电压范围允许

控制40V

P-P

信号。电源可能

单端的+ 5V至44V ，或拆分，从± 5V至±20V 。

这四个开关双边，难分伯仲交流或

双向信号。的导通电阻变化的模拟

信号是相当低的超过± 15V模拟输入范围。该

在DG411和DG412开关是相同的，唯一的不同

在选择逻辑的极性。两个在开关的

DG413 （＃2和＃3）使用DG211和DG411的逻辑

（即，逻辑“0 ”使开关ON），而另外两个

交换机使用DG212和DG412正逻辑。此证

的导通和关断时间为SPDT独立控制

配置，允许“突破前先”或“的makefile

先连后断“的操作具有最少的外部逻辑。

特点

导通电阻（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35Ω

低功耗（P

D

） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW

快速开关动作

- t

ON

（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns

- t

关闭

（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145ns

低电荷注入

从DG211 ， DG212升级

TTL ， CMOS兼容

单或分离电源操作

无铅加退火有（符合RoHS ）

应用

音频切换

电池供电系统

数据采集

高可靠性系统

采样和保持电路

通讯系统

自动测试设备

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

|

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

版权所有Intersil公司美洲1993年， 1994年， 1997年， 1999年， 2002年， 2004年至2007年。版权所有

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

DG411 ， DG412 ， DG413

订购信息

产品型号

DG411DJ

DG411DJZ （注）

DG411DY*

DG411DYZ * （注）

DG411DVZ * （注）

DG412DJ

DG412DJZ （注）

DG412DY*

DG412DYZ * （注）

DG412DVZ * （注）

DG413DJ

DG413DJZ （注）

DG413DY*

DG413DYZ * （注）

DG413DVZ * （注）

最热

DG411DJ

DG411DJZ

DG411DY

DG411DYZ

DG411 DVZ

DG412DJ

DG412DJZ

DG412DY

DG412DYZ

DG412 DVZ

DG413DJ

DG413DJZ

DG413DY

DG413DYZ

DG413 DVZ

TEMP 。范围（° C）

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

-40至+85

包

16 Ld的PDIP

16 Ld的PDIP ** （无铅）

16 Ld的SOIC （ 150万）

16 Ld的SOIC （ 150万） （无铅）

PKG 。 DWG 。 ＃

E16.3

E16.3

M16.15

M16.15

16 Ld的TSSOP （ 4.4毫米） （无铅） M16.173

16 Ld的PDIP

16 Ld的PDIP ** （无铅）

16 Ld的SOIC （ 150万）

16 Ld的SOIC （ 150万） （无铅）

E16.3

E16.3

M16.15

M16.15

16 Ld的TSSOP （ 4.4毫米） （无铅） M16.173

16 Ld的PDIP

16 Ld的PDIP ** （无铅）

16 Ld的SOIC （ 150万）

16 Ld的SOIC （ 150万） （无铅）

E16.3

E16.3

M16.15

M16.15

16 Ld的TSSOP （ 4.4毫米） （无铅） M16.173

*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。

**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接加工利用

应用程序。

注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡

板终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品

MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。

真值表

DG411

逻辑

0

1

DG412

开关

1, 4

关闭

On

DG413

开关

2, 3

On

关闭

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

符号

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

IN

3

D

3

S

3

V

L

V+

S

2

D

2

IN

2

描述

开关1逻辑控制。

漏极（输出）端子用于开关1 。

来源（输入）端子用于开关1 。

负电源端。

接地端子（逻辑公用） 。

来源（输入）端子用于开关4 。

漏极（输出）端子用于开关4 。

用于开关4逻辑控制。

用于开关3逻辑控制。

漏极（输出）端子用于开关3 。

来源（输入）端子用于开关3 。

逻辑参考电压。

正电源端（基板） 。

来源（输入）端子用于开关2 。

漏极（输出）端子用于开关2 。

用于开关2逻辑控制。

开关开关

On

关闭

关闭

On

注：逻辑“0”的

≤0.8V.

逻辑“1”的

≥2.4V.

引脚

DG411 ， DG412 ， DG413

（ 16 LD PDIP ， SOIC ， TSSOP ）

顶视图

IN

1

1

D

1

2

S

1

3

V- 4

GND 5

S

4

6

D

4

7

IN

4

8

16

IN

2

15

D

2

14

S

2

13

V+

12

V

L

11

S

3

10

D

3

9

3

10

11

12

13

14

15

16

2

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

功能图

每包四通道SPST开关开关所为逻辑“ 1 ”输入

DG411

S

1

IN

1

D

1

S

2

IN

2

D

2

S

3

IN

3

D

3

S

4

IN

4

D

4

IN

4

D

4

IN

3

D

3

S

4

IN

4

D

4

IN

2

D

2

S

3

IN

3

D

3

S

4

IN

1

D

1

S

2

IN

2

D

2

S

3

DG412

S

1

IN

1

D

1

S

2

DG413

S

1

原理图

V+

（ 1频道）

S

V-

V

L

V+

IN

X

D

GND

V-

3

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （GND -0.3V ）到（V +） + 0.3V

数字输入，V

S

, V

D

（注1 ） 。 。 。 。 。 （ V-） -2V至（V +） + 2V或30mA时

以先到为准科幻RST

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大） 。 。百毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

（ ° C / W）

PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

90

SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

110

TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

150

最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C

无铅回流焊曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接

http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp

（ SOIC和TSSOP - 只会提示）

*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊

处理而已。它们不用于回流焊使用

处理应用。

工作条件

电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±20V

（最大）

温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C

输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V （最大）

输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V （最小值）

输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

≤20ns

注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和

导致不在保修范围内的故障。

注意事项：

在S 1信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。

2.

θ

JA

测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。

电气规格

测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定ED 。

测试条件

温度

(°C)

民

（注4 ）

典型值

（注5 ）

最大

（注4 ）

单位

参数

动态特性

导通时间，t

ON

R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF ，V

S

=

±10V

（图1）

25

85

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

110

-

100

-

25

5

68

-85

9

9

35

175

220

145

160

-

-

-

-

-

-

-

ns

ns

ns

ns

ns

pC

dB

dB

pF

pF

pF

关断时间，t

关闭

25

85

突破前先延时

电荷注入， Q（图3）

截止隔离（图5 ）

串扰（通道 - 通道） ，

（图4）

源关断电容，C

S（ OFF）

流掉电容，C

D（关闭）

通道导通电容，

C

D（上）

+ C

秒（上）

数字输入特性

输入电流V

IN

低，我

IL

输入电流V

IN

高，我

IH

DG413只，R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF （图2）

C

L

= 10nF电容，V

G

= 0V ，R

G

= 0Ω

R

L

= 50Ω, C

L

= 5pF的， F = 1MHz的

25

25

25

25

F = 1MHz的（图6）

25

25

25

V

IN

根据测试= 0.8V ，所有其他= 2.4V

V

IN

根据测试= 2.4V ，所有其他= 0.8V

满

满

-0.5

-0.5

0.005

0.005

0.5

0.5

μA

μA

模拟开关特性

模拟信号范围，V

类似物

漏极 - 源极导通电阻，

r

DS （ ON）

I

S

=

I

S

=

±

±

10mA

10毫安，V

D

=

±8.5V,

V+ = 13.5V, V- = -13.5V

满

25

满

-15

-

-

-

25

-

15

35

45

V

Ω

Ω

4

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411 ， DG412 ， DG413

电气规格

测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定ED 。

（续）

测试条件

±

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

D

=

±15.5V,

V

S

=

15.5V

温度

(°C)

25

满

25

满

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

S

= V

D

=

±15.5V

25

满

民

（注4 ）

-0.25

-5

-0.25

-5

-0.4

-10

典型值

（注5 ）

±0.1

-

±0.1

-

±0.1

-

最大

（注4 ）

0.25

+5

0.25

+5

0.4

+10

单位

nA

nA

nA

nA

nA

nA

参数

来源OFF漏电流，

I

S（ OFF）

流掉泄漏电流，

I

D（关闭）

通道泄漏电流，

I

D（上）

+ I

秒（上）

电源特性

正电源电流， I +

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

IN

= 0V或5V

25

85

负电源电流，I-

25

85

逻辑电源电流，I

L

25

85

接地电流，I

GND

25

85

-

-

-1

-5

-

-

-1

-5

0.0001

-

-0.0001

-

0.0001

-

-0.0001

-

1

5

-

-

1

5

-

-

μA

μA

μA

μA

μA

μA

μA

μA

电气规格

（单电源）测试条件： V + = + 12V ， V- = 0V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定ED 。

测试条件

温度

(°C)

民

（注4 ）

典型值

（注5 ）

最大

（注4 ）

单位

参数

动态特性

导通时间，t

ON

R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF ，

V

S

= 8V时， （图1）

25

85

25

85

-

-

-

-

-

-

175

-

95

-

25

25

250

315

125

140

-

-

ns

ns

ns

ns

ns

pC

关断时间，t

关闭

突破前先延时

电荷注入，Q

DG413只，R

L

= 300Ω,

C

L

= 35pF ，V

S

= 8V

C

L

= 10nF电容，V

G

= 6.0V ，R

G

= 0Ω

25

25

模拟开关特性

模拟信号范围，V

类似物

漏源导通电阻，

r

DS （ ON）

I

S

= -10mA ，V

D

= 3V, 8V

V+ = 10.8V

满

25

满

0

-

-

-

40

-

12

80

100

V

Ω

Ω

5

FN3282.13

二〇〇七年六月二十〇日

DG411/412/413

Vishay Siliconix公司

精密单片四路SPST CMOS模拟开关

特点

D

D

D

D

D

D

D

44 V电源的最大额定值

"15-V

模拟信号范围

导通电阻-R

DS （ ON）

: 25

W

快速切换-T

ON

： 110纳秒

超低功耗-P

D

: 0.35

mW

TTL ， CMOS兼容

单电源供电能力

好处

D

D

D

D

最宽的动态范围

低信号误差和失真

先开后合式开关动作

简单接口

应用

D

D

D

D

D

高精度自动测试设备

精密数据采集

通信系统

电池供电系统

电脑外设

描述

该DG411系列单片四路模拟开关是

旨在提供高速，低误差切换

高精度模拟信号。结合低功耗（ 0.35

毫瓦）

同

高速（T

ON

： 110毫微秒） ，该DG411家族非常适合于

便携式及电池供电的工业和军事

应用程序。

为了实现高电压等级和出色的开关

表现， DG411系列是采用Vishay Siliconix公司的

高电压硅栅工艺。外延层防止

闭锁。

每个开关进行同样在两个方向上时，

并阻止输入电压高达电源的水平时关闭。

该DG411和DG412响应相反的控制逻辑

在真值表所示。该DG413有两个常开

和两个常闭开关。

功能框图及引脚配置

DG411

双列直插式和SOIC

IN

1

D

1

S

1

V–

GND

S

4

D

4

IN

4

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

IN

2

D

2

S

2

V+

V

L

S

3

D

3

IN

3

S

1

V–

NC

GND

S

4

4

5

6

7

8

9

10

DG411

LCC

D

1

IN

1

NC IN

2

D

2

关键

3

2

1

20

19

18

17

16

15

14

11

12

13

S

2

V+

NC

V

L

S

3

真值表

逻辑

0

1

DG411

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

24

DG412

关闭

ON

D

4

IN

4

NC IN

3

D

3

顶视图

文档编号： 70050

S- 52433 -REV 。 D， 06 09月99

www.vishay.com

S

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4-1

DG411/412/413

Vishay Siliconix公司

功能框图及引脚配置

DG413

双列直插式和SOIC

关键

4

5

6

7

8

D

1

3

S

1

V–

NC

GND

S

4

D

4

IN

4

5

6

7

8

顶视图

12

11

10

9

V

L

S

3

D

3

IN

3

GND

S

4

DG413

LCC

IN

1

NC IN

2

2

1

20

D

2

19

18

17

16

15

14

S

2

V+

NC

V

L

S

3

IN

2

D

2

S

2

V+

IN

1

D

1

S

1

V–

1

2

3

4

16

15

14

13

真值表

逻辑

0

1

SW

1

， SW

4

关闭

ON

SW

2

， SW

3

ON

关闭

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

24

9

D

4

10

11

12

13

D

3

IN

4

NC IN

3

顶视图

订购信息

温度范围

包

产品型号

DG411/412

-40到85°C

16引脚塑料DIP

DG411DJ

DG412DJ

DG411DY

DG412DY

DG411AK ， DG411AK / 883 ， 5962-9073101MEA

DG412AK ， DG412AK / 883 ， 5962-9073102MEA

DG411AZ / 883 ， 5962-9073101M2A

5962-9073102M2A

-40至85℃

40 85_C

16引脚窄体SOIC

16引脚CERDIP

-55 125℃

55 125_C

LCC-20

DG413

-40到85°C

16引脚塑料DIP

16引脚窄体SOIC

16引脚CERDIP

LCC-20

DG413DJ

DG413DY

DG413AK ， DG413AK / 883 ， 5962-9073103MEA

5962-9073103M2A

-55到125°C

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND -0.3 V）至（V + ） +0.3 V

数字输入

a

, V

S

, V

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V

或30毫安，以先到者为准

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

峰值电流， S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安

储存温度

（ AK ，AZ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C

（ DJ ， DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C

功率耗散（包）

b

16引脚塑料DIP

c

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

16引脚窄体SOIC

d

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

16引脚CERDIP

e

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

LCC-20

e

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

470毫瓦

600毫瓦

900毫瓦

900毫瓦

注意事项：

一。在S信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-将由内部钳位

二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6毫瓦/ _C以上25_C

。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C

。减免12毫瓦/ _C上述75°C

文档编号： 70050

S- 52433 -REV 。 D， 06 09月99

www.vishay.com

S

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4-2

DG411/412/413

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

关闭

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S（ OFF）

I

D（关闭）

I

D（上）

V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V

I

S

= -10毫安，V

D

=

"8.5

V

,

V+ = 16.5, V– = –16.5 V

V

D

=

"15.5

V V

S

=

#15.5

V

15 5 V,

15 5

V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V

V

S

= V

D

=

"15.5

V

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

25

"0.1

"0.1

"0.1

–0.25

–20

–0.25

–20

–0.4

–40

–15

15

35

45

0.25

20

0.25

20

0.4

40

–0.25

–5

–0.25

–5

–0.4

–10

–15

15

35

45

0.25

5

0.25

5

0.4

10

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

后缀

-40到85°C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

数字控制

输入电流，V

IN

低

输入电流，V

IN

高

I

IL

I

IH

V

IN

根据测试= 0.8 V

V

IN

根据测试= 2.4 V

满

满

0.005

0.005

–0.5

–0.5

0.5

0.5

–0.5

–0.5

0.5

0.5

mA

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

突破前先

延时

电荷注入

关断隔离

e

通道到通道交叉

TALK

e

源关断电容

e

流掉电容

e

通道导通电容

e

t

ON

t

关闭

t

D

Q

OIRR

X

TALK

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

F = 1 MHz的

MH

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 p

pF

V

S

=

"10

V见图2

[10] S网络

DG413只，V

S

= 10 V

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 0 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

R

L

= 50

W,

C

L

= 5 pF的，

W

,

F = 1 MHz的

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

110

100

175

240

145

160

175

220

145

160

ns

25

5

68

dB

85

9

9

35

pF

F

pC

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

地电流

I+

I–

I

L

I

GND

V = 16.5, V = –16.5 V

16 5

V+ 16 5, V–

V

IN

= 0或5伏

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

0.0001

–0.0001

0.0001

–0.0001

–1

–5

–1

–5

1

5

–1

–5

1

5

–1

–5

1

5

1

5

A

mA

文档编号： 70050

S- 52433 -REV 。 D， 06 09月99

www.vishay.com

S

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4-3

DG411/412/413

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

单极用品

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

V + = 10.8 V，I

S

= -10毫安

V

D

= 3 V, 8 V

满

房间

满

40

12

80

100

12

80

100

V

W

后缀

-55到125°C

后缀

-40到85°C

符号

V+ = 12 V, V– = 0 V

V

L

= 5 V, V

IN

= 2.4 V, 0.8 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

突破前先

延时

电荷注入

t

ON

t

关闭

t

D

Q

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 p

pF

V

S

= 8 V ，见图2

νs的网络连接

DG413只，V

S

= 8 V,

R

L

= 300

W

, C

L

= 35 pF的

V

g

= 6 V ，R

g

= 0

W

, C

L

- 10 nF的

房间

热

房间

热

房间

房间

175

95

250

400

125

140

250

315

125

140

ns

25

25

pC

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

地电流

I+

I–

V+ 13 5

V = 13.5, V

IN

= 0或5伏

I

L

I

GND

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

0.0001

–0.0001

0.0001

–0.0001

–1

–5

–1

–5

1

5

–1

–5

1

5

–1

–5

1

5

1

5

mA

A

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

典型特征（ 25_C除非另有说明）

导通电阻与V

D

与电源电压

50

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

–

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

–20

–15

–10

–5

0

5

10

15

20

V

D

- 漏极电压（ V）

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

"20

V

50

"15

V

"8

V

"10

V

"12

V

V DS （ ON） （

W

)

T

A

= 25_C

"5

V

250

V+ = 3 V

V

L

= 3 V

导通电阻与V

D

与单极性电源电压

300

V

L

= 5 V

200

150

V+ = 5 V

100

8V

12 V

15 V

20 V

V

D

- 漏极电压（ V）

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-4

文档编号： 70050

S- 52433 -REV 。 D， 06 09月99

DG411/412/413

Vishay Siliconix公司

典型特征（ 25_C除非另有说明）

漏电流与模拟电压

40

V+ = 15 V

V– = –15 V

V

L

= 5 V

T

A

= 25_C

R DS（ON ）漏源导通电阻（

W

)

–

30

20

10

I S ， I D （PA ）

0

–10

–20

–30

–40

–50

–60

–15

–10

–5

0

5

10

15

V

D

或V

S

- 漏极或源极电压（ V）

I

S（ OFF）

I

D（上）

35

V+ = 15 V

V– = –15 V

V

L

= 5 V

125_C

25

85_C

20

25_C

15

–55_C

10

I

D,

I

S

泄漏与温度的关系

30

I

D（关闭）

5

–15

–10

–5

0

5

10

15

V

D

- 漏极电压（ V）

电荷注入与模拟电压

100

80

60

80

40

Q（ PC）

Q（ PC）

C

L

- 10 nF的

20

0

C

L

= 1 nF的

–20

–20

–40

–60

–15

–10

–5

0

5

10

15

V

S

- 源极电压（ V）

–40

–60

–15

60

V+ = 15 V

V– = –15 V

V

L

= 5 V

140

120

100

电荷注入与模拟电压

V+ = 15 V

V– = –15 V

V

L

= 5 V

C

L

- 10 nF的

C

L

= 1 nF的

40

20

0

–10

–5

0

5

10

15

V

D

- 漏极电压（ V）

输入开关阈值与电源电压

3.5

3.0

2.5

V TH （ V）

2.0

6.5 V

1.5

1.0

0.5

0

(V+) 5

10

15

20

25

30

35

40

4.5 V

5.5 V

240

210

180

吨对T OFF （ NS ）

,

V

L

= 7.5 V

150

开关时间与温度的关系

V+ = 15 V

V– = –15 V

V

L

= 5 V

V

S

= 10 V

t

ON

120

t

关闭

90

60

30

0

–55 –35

–15

5

25

45

65

85

105 125

温度（℃）

文档编号： 70050

S- 52433 -REV 。 D， 06 09月99

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-5

19-4728 ;第七版; 9/08

改善，四，

SPST模拟开关

概述

Maxim的重新设计的DG411 / DG412 / DG413模拟

现在交换机具有低导通电阻匹配

开关（ 3Ω最大） ，并保证导通电阻之间

tance平坦度在信号范围（ Δ4Ω最大值）。这些

低导通电阻开关同样进行井

任一方向。他们保证低电荷注入，

低功率消耗，以及一个耐ESD

每个方法3015.7 2000V降到最低。新设计

提供了较低的关断漏电流随温度（以下

比消耗5nA在+ 85 ℃）。

该DG411 / DG412 / DG413是四，单杆/赎罪

GLE掷（SPST ）模拟开关。该DG411属于正常

马利闭（NC ），并且DG412是常开

氧化氮（NO） 。该DG413有两个常闭开关和两个NO

开关。切换时间小于150ns的最大值为

t

ON

而小于100ns的最大的吨

关闭

。这些设备

从单一的+ 10V至+ 30V供电，或双极性工作

± 4.5V至± 20V电源。 Maxim的改进

DG411 / DG412 / DG413均选用一个44V硅

栅工艺。

______________________New特点

插件升级为行业标准

DG411/DG412/DG413

改进的R

DS （ ON）

通道间匹配

（ 3Ω最大）

保证

平（ON）的

在信号范围（ Δ4Ω ）

改进的电荷注入（ 10PC最大）

提高关断漏电流过温

（ <消耗5nA在+ 85°C ）

承受静电放电（ 2000V分钟）

每个方法3015.7

DG411/DG412/DG413

__________________Existing特点

低R

DS （ ON）

（ 35Ω最大）

单电源供电+ 10V至+ 30V

双极性电源供电± 4.5V至± 20V

低功耗（ 35μW最大）

轨至轨信号处理

TTL / CMOS逻辑兼容

订购信息

部分

DG411CJ

DG411CUE

DG411EVE

DG411CY

DG411C/D

温度范围

0 ° C至+ 70°C

0 ° C至+ 70°C

-40 ° C至+ 85°C

0 ° C至+ 70°C

0 ° C至+ 70°C

PIN- PACKAGE

16塑料DIP

16 TSSOP

16 TSSOP

16窄SO

骰子

________________________Applications

采样保持电路

测试设备

平视显示器

指导&控制系统

军用无线通信设备

通信系统

电池供电系统

PBX ， PABX

音频信号路由

订购信息不断在数据表的末尾。

●联系

工厂骰子规格。

引脚配置/功能框图/真值表

顶视图

IN1

D1

S1

V-

GND

S4

D4

IN4

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

IN2

D2

S2

V+

V

L

S3

D3

IN3

IN1

D1

S1

V-

GND

S4

D4

IN4

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

IN2

D2

S2

V+

V

L

S3

D3

IN3

IN1

D1

S1

V-

GND

S4

D4

IN4

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

IN2

D2

S2

V+

V

L

S3

D3

IN3

DG411

12

11

10

9

DG412

12

11

10

9

DG413

12

11

10

9

DIP / SO / TSSOP

DG411

逻辑

0

1

开关

ON

关闭

DIP / SO / TSSOP

DG412

逻辑

0

1

开关

关闭

ON

逻辑

0

1

DIP / SO / TSSOP

DG413

开关

1, 4

关闭

ON

开关

2, 3

ON

关闭

如图所示为逻辑“0”输入开关

引脚配置及功能图继续在数据表的末尾。

________________________________________________________________

Maxim Integrated Products版权所有

1

对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，

或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。

改善，四，

SPST模拟开关

DG411/DG412/DG413

绝对最大额定值

（所有电压参考V- ）。

V+.........................................................................................44V

GND ................................................. .................................... 25V

V

L

.................................................. ... （ GND -0.3V ）至（v + + 0.3V ）

数字输入，V

S

, V

D

（注1 ） ........ （ V- -2V ）至（v + + 2V ）或30毫安

（以先到为准）

连续电流（任何终端） ...................................... 30毫安

峰值电流

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大） ............................ 100毫安

连续功率耗散（T

A

= +70°C)

16引脚塑料DIP （减免10.53mW / ° C以上+ 70 ° C） .842mW

16引脚窄SO （减免8.70mW / ° C以上+ 70 ° C） ... 696mW

16引脚CERDIP （减免10.00mW / ° C以上+ 70 ° C） ...... 800mW的

16引脚TSSOP （减免6.7mW / ° C以上+ 70 ° C） ........... 457mW

16引脚QFN （减免19.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ........... 1538mW

工作温度范围

DG41_C_ ................................................. ............. 0 ° C至+ 70°C

DG41_D_ ................................................. ..........- 40 ° C至+ 85°C

DG41_AK_ ................................................. ......- 55 ° C至+ 125°C

存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C

焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃

注1 ：

在S ，D信号，或在超过V +或V-由内部二极管钳位。为最大限度地正向电流

电流额定值。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

电气特性，双电源

(V+ = 15V, V- = -15V, V

L

= 5V, V

GND

= 0V, V

INH

= 2.4V, V

INL

= 0.8V ，T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

参数

开关

模拟信号范围

漏源

导通电阻

导通电阻

通道间匹配

（注4 ）

导通电阻平坦度

（注4 ）

源断开泄漏电流

（注7 ）

V

类似物

r

DS （ ON）

（注3）

V+ = 13.5V,

V- = -13.5V,

V

D

= ±8.5V,

I

S

= -10mA

V+ = 15V, V- = -15V,

V

D

= ±10V,

I

S

= -10mA

V+ = 15V, V- = -15V,

V

D

= ±5V, 0V,

I

S

= -10mA

V+ = 16.5V,

V- = -16.5V,

V

D

= ±15.5V,

V

S

= 15.5V

V+ = 16.5V,

V- = -16.5V,

V

D

= ±15.5V,

V

S

= 15.5V

V+ = 16.5V,

V- = -16.5V,

V

D

= ±15.5V,

V

S

= 15.5V

±

±

±

T

A

= +25°C

C，D

A

-15

17

17

15

45

30

45

3

5

4

6

-0.25

-5

-10

-0.25

-5

-10

-0.4

-20

-40

-0.1

-0.10

-0.10

0.25

5

10

0.25

5

10

0.4

20

40

nA

nA

nA

Ω

Ω

Ω

V

符号

条件

民

典型值

（注2 ）

最大

单位

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

to

T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

to

T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

to

T

最大

C， D，A

C，D

A

C， D，A

C，D

A

C， D，A

C，D

A

Δr

DS （ ON）

r

平（ON）的

I

S（ OFF）

流掉泄漏电流

（注7 ）

I

D（关闭）

I

D（上）

漏极导通漏电流

（注7 ）

+

I

秒（上）

2

_______________________________________________________________________________________

改善，四，

SPST模拟开关

电气特性，双电源（续）

(V+ = 15V, V- = -15V, V

L

= 5V, V

GND

= 0V, V

INH

= 2.4V, V

INL

= 0.8V ，T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

参数

输入

输入电流与输入电压

高

输入电流与输入电压

低

供应

电源电压范围

正电源电流

I+

开启或关闭所有通道

V+ = 16.5V,

V- = -16.5V,

V

IN

= 0V或5V

开启或关闭所有通道

V+ = 16.5V,

V- = -16.5V,

V

IN

= 0V或5V

开启或关闭所有通道

V+ = 16.5V,

V- = -16.5V,

V

IN

= 0V或5V

开启或关闭所有通道

V+ = 16.5V,

V- = -16.5V,

V

IN

= 0V或5V

V

D

= ±10V,

图2

V

D

= ±10V,

图2

DG413只，

R

L

= 300Ω,

C

L

= 35pF ，图3中

C

L

= 1.0nF ，

V

根

= 0V,

R

根

= 0Ω ，图4中

R

L

= 50Ω,

C

L

= 5pF的，

F = 1MHz时，图5

R

L

= 50Ω,

C

L

= 5pF的，

F = 1MHz时，图6

F = 1MHz时，图7

F = 1MHz时，图7

F = 1MHz时，图8

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

±4.5

-1

-5

-1

-5

-1

-5

-1

-5

-0.0001

0.0001

-0.0001

0.0001

±20.0

1

A

5

1

A

5

1

A

5

1

A

5

V

I

INH

I

INL

IN = 2.4V ，所有的人= 0.8V

IN = 0.8V ，所有的人= 2.4V

-0.500

-0.500

0.005

0.005

0.500

0.500

A

A

符号

条件

民

典型值

（注2 ）

最大

单位

DG411/DG412/DG413

负电源电流

I-

逻辑电源电流

I

L

地电流

动态

开启时间

打开-O FF时间

I

GND

t

ON

t

关闭

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

110

100

175

220

145

160

ns

ns

突破前先延时

t

D

25

ns

电荷注入（注3 ）

Q

T

A

= +25°C

5

10

pC

关断隔离（注5 ）

OIRR

T

A

= +25°C

68

dB

串扰（注6 ）

源关断电容

汲极关断电容

漏导通电容

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

+

C

秒（上）

T

A

= +25°C

T

A

= +25°C

T

A

= +25°C

T

A

= +25°C

85

9

9

35

dB

pF

pF

pF

3

_______________________________________________________________________________________

改善，四，

SPST模拟开关

DG411/DG412/DG413

电气特性，单电源

(V+ = 12V, V- = 0V, V

L

= 5V, V

GND

= 0V, V

INH

= 2.4V, V

INL

= 0.8V ，T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

参数

开关

模拟信号范围

漏源导通电阻

供应

正电源电流

I+

开启或关闭所有通道

V+ = 13.2V,

V

IN

= 0V或5V

开启或关闭所有通道

V+ = 13.2V,

V

IN

= 0V或5V

开启或关闭所有通道

V

L

= 5.25V,

V

IN

= 0V或5V

开启或关闭所有通道

V

L

= 5.25V,

V

IN

= 0V或5V

T

A

= +25°C

T

A

= T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

最大

-1

-5

-1

-5

-1

-5

-1

-5

-0.0001

0.0001

0.0001

0.0001

1

A

5

1

A

5

1

A

5

1

A

5

V

类似物

R

DS （ ON）

（注3）

V+ = 10.8V,

V

D

= 3.8V,

I

S

= -10mA

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

0

40

12

80

Ω

100

V

符号

条件

民

典型值

（注2 ）

最大

单位

负电源电流

I-

逻辑电源电流

I

L

地电流

动态

开启时间

打开-O FF时间

I

GND

t

ON

t

关闭

V

S

= 8V,

图2

V

S

= 8V,

图2

DG413只，

R

L

= 300Ω, C

L

= 35pF ，

科幻gure 3

C

L

= 1.0nF ，

V

根

= 0V,

R

根

= 0V,

图4

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

T

A

= T

民

给T

最大

T

A

= +25°C

175

95

250

315

125

140

ns

ns

突破前先延时

t

D

25

ns

电荷注入

（注3）

注2 ：

注3 ：

注4 ：

Q

T

A

= +25°C

5

10

pC

注5 ：

注6 ：

注7 ：

代数约定，其中最负的值是最小值和最积极的值最大时，采用的是

此数据表。

通过设计保证。

ΔR

ON

=

ΔR

ON

马克斯 -

ΔR

ON

分钟。导通电阻的渠道和平整度之间的匹配是保证只有

双极性电源供电。平坦度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差

如在所规定的模拟信号范围的极限进行测定。

关断隔离= 20日志（V

D/

V

S)

, V

D

=输出，V

S

=输入到开关。见图5 。

任意两个交换机之间。参见图6 。

泄漏的参数我

S（ OFF）

, I

D（关闭）

和我

D（上）

100％经过测试在最大额定热的温度和保证

通过相关性在+ 25°C 。

4

_______________________________________________________________________________________

改善，四，

SPST模拟开关

__________________________________________Typical工作特性

(T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。 ）

导通电阻与V

D

和

电源电压

DG411-01

DG411/DG412/DG413

导通电阻与V

D

和

温度

DG411-02

导通电阻与V

D

和

温度（单电源）

V- = 0V

140

DG411-03

70

60

50

r

DS （ ON）

(Ω)

40

30

20

10

0

r

DS （ ON）

(Ω)

r

DS （ ON）

(Ω)

答： V + = 5V ，

V- = -5V

B： V + = 10V ，

V- = -10V

C： V + = 15V ，

V- = -15V

D： V + = 20V ，

V- = -20V

60

50

40

V+ = 15V

V- = -15V

T

A

= +125°C

T

A

= +85°C

160

A

120

V+ = 5V

100

80

60

V+ = 10V

V+ = 15V

40

20

V+ = 20V

B

C

D

30

20

10

0

T

A

= +25°C

T

A

= -55°C

-20

-10

0

V

D

(V)

10

20

-20

-10

0

V

D

(V)

10

20

0

5

10

V

D

(V)

15

20

导通电阻与V

D

（单电源）

DG411-04

OFF-漏电流与

温度

DG411-05

ON-漏电流与

温度

V+ = 16.5V

V- = -16.5V

V

D

=

±15V

V

S

=

±15V

DG411-06

80

70

60

r

DS （ ON）

(Ω)

50

40

30

20

0

5

10

V

D

(V)

15

V+ = 12V

V- = 0V

T

A

= +125°C

100

10

关断漏（ NA）

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

V+ = 16.5V

V- = -16.5V

V

D

=

±15V

V

S

=

±15V

100

10

开漏（ NA）

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

T

A

= +85°C

T

A

= +25°C

20

-55

+25

温度（℃）

+125

-55

+25

温度（℃）

+125

电荷注入与

模拟电压

DG411-07

电源电流与温度的关系

A:

B:

C:

A

B

C

I + AT V + = 16.5V

I- AT V- = -16.5V

I

L

在V

L

= 5V

DG411-08

60

40

20

0

-20

-40

-60

-20

-15 -10

-5

0

V

D

(V)

5

10

15

V+ = 15V

V- = -15V

V

L

= 5V

CL = 1nF的

100

10

1

I+, I-, I

L

(μA)

0.1

0.01

0.001

0.0001

Q（ PC）

20

-55

+25

温度（℃）

+125

_______________________________________________________________________________________

5

DG411 ， DG412 ， DG413

数据表

1999年6月

网络文件编号

3282.5

单片四路SPST CMOS模拟

开关

该DG411系列单片CMOS模拟开关

嵌入式替代流行的DG211和DG212

系列设备。它们包括四个独立的单刀

掷（SPST）模拟开关，和TTL和CMOS

兼容数字输入。

这些开关具有导通电阻较低模拟（ <35Ω ）

和更快的开关时间（t

ON

< 175ns ）相比

DG211和DG212 。电荷注入已经减少，

简化采样保持应用程序。

在DG411系列的改进成为可能

通过使用高电压硅栅工艺。外延

层防止与旧的CMOS关联的闩锁

技术。在44V最大电压范围允许

控制40V

P-P

信号。电源可能

单端的+ 5V至+ 34V ，或从分裂

±5V

to

±20V.

这四个开关双边，难分伯仲交流或

双向信号。导通电阻变化与

模拟信号是相当低的过

±15V

模拟输入范围。

在DG411和DG412开关是相同的，

只是在不同的选择逻辑的极性。两个

在DG413开关（ ＃1和＃ 4）使用的逻辑

DG211和DG411 （即逻辑“ 0 ”打开开关）和

另两个开关使用DG212和DG412正逻辑。

这允许导通和关断的独立控制

时间SPDT CON连接gurations ，允许“破先接后

使“或”先接后断“操作用最少的

外部逻辑。

真值表

DG411

逻辑

0

1

注意：

DG412

开关

1, 4

关闭

ON

DG413

开关

2, 3

ON

关闭

特点

导通电阻（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35Ω

低功耗（P

D

） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <35μW

快速开关动作

- t

ON

（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175ns

- t

关闭

（最大值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145ns

低电荷注入

从DG211 / DG212升级

TTL ， CMOS兼容

单或分离电源操作

应用

音频切换

电池供电系统

数据采集

高可靠性系统

采样和保持电路

通讯系统

自动测试设备

引脚

DG411 ， DG412 ， DG413

（ PDIP ， SOIC ）

顶视图

IN

1

1

D

1

2

S

1

3

V- 4

GND 5

16

2

15 D

2

14 S

2

13 V+

12 V

L

11 S

3

10 D

3

9

3

开关开关

ON

关闭

关闭

ON

S

4

6

D

4

7

IN

4

8

逻辑“0”的

≤0.8V.

逻辑“1”的

≥2.4V.

订购信息

部分

数

DG411DJ

DG411DY

DG412DJ

DG412DY

DG413DJ

DG413DY

TEMP 。 RANGE

(

o

C)

-40到85

-40到85

-40到85

-40到85

-40到85

-40到85

包

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

16 Ld的PDIP

16 Ld的SOIC

PKG 。号

E16.3

M16.15

E16.3

M16.15

E16.3

M16.15

1

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

http://www.intersil.com或407-727-9207 |版权所有 Intersil公司1999年公司

DG411 ， DG412 ， DG413

功能图

IN

1

D

1

S

2

IN

2

D

2

S

3

IN

3

D

3

S

4

IN

4

D

4

IN

4

D

4

IN

3

D

3

S

4

IN

4

D

4

IN

2

D

2

S

3

IN

3

D

3

S

4

每包四通道SPST开关开关所为逻辑“ 1 ”输入

DG411

S

1

IN

1

D

1

S

2

IN

2

D

2

S

3

DG412

S

1

IN

1

D

1

S

2

DG413

S

1

原理图

V+

（ 1频道）

S

V-

V

L

V+

IN

X

D

GND

V-

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

符号

IN

1

D

1

S

1

V-

GND

S

4

D

4

IN

4

IN

3

D

3

S

3

V

L

V+

S

2

D

2

IN

2

描述

开关1逻辑控制。

漏极（输出）端子用于开关1 。

来源（输入）端子用于开关1 。

负电源端。

接地端子（逻辑公用） 。

来源（输入）端子用于开关4 。

漏极（输出）端子用于开关4 。

用于开关4逻辑控制。

用于开关3逻辑控制。

漏极（输出）端子用于开关3 。

来源（输入）端子用于开关3 。

逻辑参考电压。

正电源端（基板） 。

来源（输入）端子用于开关2 。

漏极（输出）端子用于开关2 。

用于开关2逻辑控制。

2

DG411 ， DG412 ， DG413

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V

GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V

V

L

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （GND -0.3V ）到（V +） + 0.3V

数字输入，V

S

, V

D

（注1 ） 。 。 。 。 。 （ V-） -2V至（V +） + 2V或30mA时

以先到为准科幻RST

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

峰值电流， S或D（脉冲为1ms ， 10 ％占空比最大） 。 。百毫安

热信息

热电阻（典型，注2 ）

θ

JA

(

o

C / W ）

PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

90

SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

100

最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 .150

o

C

最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65

o

C至150

o

C

最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300

o

C

（ SOIC - 只会提示）

工作条件

电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±20V

（最大）

温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40

o

C至85

o

C

输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8V （最大）

输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4V （最小值）

输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

≤20ns

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

在S 1信号

X

, D

X

或IN

X

超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。

2.

θ

JA

测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。

电气连接特定的阳离子

测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定编

测试条件

温度

(

o

C)

（注4 ） （注5 ） （注4 ）

民

典型值

最大

单位

参数

动态特性

导通时间，t

ON

R

L

= 300, C

L

= 35pF ，V

S

=

±10V

（图1）

25

85

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

110

-

100

-

25

5

68

-85

9

9

35

175

220

145

160

-

-

-

-

-

-

-

ns

ns

ns

ns

ns

pC

dB

dB

pF

pF

pF

关断时间，t

关闭

25

85

突破前先延时

电荷注入， Q（图3）

截止隔离（图5 ）

串扰（通道 - 通道） ，

（图4）

源关断电容，C

S（ OFF）

流掉电容，C

D（关闭）

通道导通电容，

C

D（上）

+ C

秒（上）

数字输入特性

输入电流V

IN

低，我

IL

输入电流V

IN

高，我

IH

DG413只，R

L

= 300, C

L

= 35pF （图2）

C

L

= 10nF电容，V

G

= 0V ，R

G

= 0

R

L

= 50, C

L

= 5pF的， F = 1MHz的

25

25

25

25

F = 1MHz的（图6）

25

25

25

V

IN

根据测试= 0.8V ，所有其他= 2.4V

V

IN

根据测试= 2.4V ，所有其他= 0.8V

满

满

-0.5

-0.5

0.005

0.005

0.5

0.5

A

A

模拟开关特性

模拟信号范围，V

类似物

漏极 - 源极导通电阻，

r

DS （ ON）

I

S

=

I

S

=

±

±

10mA

10毫安，V

D

=

±8.5V,

V+ = 13.5V, V- = -13.5V

满

25

满

-15

-

-

-

25

-

15

35

45

V

3

DG411 ， DG412 ， DG413

电气连接特定的阳离子

测试条件： V + = + 15V ，V = -15V ，V

L

= 5V, V

IN

= 2.4V ， 0.8V （注3 ） ，

除非另有规定编

（续）

测试条件

±

V+ = 16.5V, V- = -16.5V, V

D

=

±15.5V,

V