DG408 ， DG409
Vishay Siliconix公司
8通道/双4通道高性能CMOS模拟多路复用器
描述
该DG408是一款8通道单端模拟复用器
用于连接的八个输入1至公共输出
由一个3位二进制地址（如确定的
0
, A
1
, A
2
） 。该
DG409是一款双4通道差分模拟多路复用器
用于连接的四个差分输入之一到一
如通过它的2位二进制确定共同的双输出
地址（A
0
, A
1
） 。盈亏- make之前开关动作
防止相邻之间的串扰瞬间
通道。
一个通道导通电流同样在这两个
方向。在关机状态下每通道块电压高达
到电源轨。使能（ EN）功能允许
用户复位信号多路复用器/多路分解器，以关闭所有开关
堆叠多台设备。所有的控制输入端，地址（A
x
)
与使能（ EN ）为TTL在整个指定的兼容
工作温度范围。
应用程序的DG408 ， DG409包括高速数据
采集，音频信号的交换和路由， ATE
系统和航空电子设备。高性能和低功耗
功耗使其非常适用于电池供电和
远程仪表应用。
在44 V硅栅CMOS工艺设计，
绝对最大额定电压被扩展到44 V.
此外，还允许单电源工作。一
外延层可以防止闭锁。
有关更多信息，请参见技术文章
TA201.
特点
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 100
低电荷注入 - 问： 20件
快速过渡时间 - 吨
TRANS
： 160纳秒
低功耗 - 我
供应
: 10 μA
单电源供电能力
44 V电源最大。等级
TTL兼容的逻辑
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
减少开关错误
减少毛刺
提高数据吞吐量
降低功耗
增加耐用性
宽电源电压范围（ ± 5 V至± 20 V ）
应用
数据采集系统
音频信号路由
ATE系统
电池供电系统
单电源系统
医疗器械
功能框图及引脚配置
DG408
双列直插式，
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
DG409
双列直插式，
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V-
S
1a
S
2a
S
3a
S
4a
D
a
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70062
S11-0933 -REV 。 ， 16日， 11
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DG408 ， DG409
Vishay Siliconix公司
真值表
(DG408)
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
真值表
(DG409)
A
1
X
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
笔记
逻辑“0” = V
AL
0.8 V
逻辑“ 1 ” = V
AH
2.4 V
X =无关
订购信息
（商业）
部分
CON组fi guration
TEMP 。 RANGE
包
16引脚塑料DIP
订货型号
DG408DJ
DG408DJ-E3
DG408DY
16引脚SOIC
DG408
8:1 x 1
- 40 ° C至85°C
DG408DY-E3
DG408DY-T1
DG408DY-T1-E3
DG408DQ
16引脚TSSOP
DG408DQ-E3
DG408DQ-T1
DG408DQ-T1-E3
16引脚塑料DIP
DG409DJ
DG409DJ-E3
DG409DY
16引脚SOIC
DG409
4:1 x 2
- 40 ° C至85°C
DG409DY-E3
DG409DY-T1
DG409DY-T1-E3
DG409DQ
16引脚TSSOP
DG409DQ-E3
DG409DQ-T1
DG409DQ-T1-E3
绝对最大额定值
参数
电压参考V-
数字输入
a
, V
S
, V
D
电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大）
储存温度
功率耗散（包）
b
（ DJ ， DY后缀）
16引脚塑封
DIP
c
TSSOP
d
16引脚窄体SOIC和
V+
GND
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或20mA ，以先到者为准
30
100
- 65 125
450
600
mA
°C
mW
单位
V
笔记
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
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DG408 ， DG409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
试验条件：如
另有规定编
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
之间的匹配
频道
g
来源OFF漏电流
DG408
DG408
DG409
DG409
DG408
DG408
DG409
DG409
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
动态特性
转换时间
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
关断隔离
h
源关断电容
DG408
DG409
DG408
DG409
流掉
电容
在排水
电容
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
C
L
= 10nF的，V
S
= 0 V
V
EN
= 0 V ，R
L
= 1 k,
F = 1 MHz的
V
EN
= 0 V, V
S
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
EN
= 0 V,
V
D
= 0 V,
F = 1 MHz的
见图2
参见图4
见图3
满
房间
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
满
房间
V
EN
= V
A
= 0 V或5 V
满
满
160
-
115
-
105
20
- 75
3
26
14
37
25
10
1
0.2
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 75
-
-
- 500
250
-
150
-
150
-
-
-
-
-
-
-
75
-
0.5
2
-
pF
pC
ns
V
INH
V
INL
I
AH
I
AL
C
in
V
A
= 2.4 V, 15 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
F = 1 MHz的
满
满
满
满
房间
-
-
-
-
8
2.4
-
- 10
- 10
-
-
0.8
10
10
-
V
μA
pF
排水渗漏
当前
I
D（上）
V
S
= V
D
= ± 10 V
每个序列
开关ON
流掉泄漏
当前
I
D（关闭）
V
D
= ± 10 V,
V
S
= ± 10 V,
V
EN
= 0 V
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= - 10 V，I
S
= - 10毫安
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V,
V
D
= ± 10 V, V
EN
= 0 V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
-
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 15
-
-
-
- 0.5
-5
-1
- 20
-1
- 10
-1
- 20
-1
- 10
15
100
125
15
0.5
5
1
20
1
10
1
20
1
10
nA
V
符号
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度。
b
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
单位
后缀
- 40 ° C至85°C
电源
正电源电流
负电源电流
正电源电流
负电源电流
I+
I-
I+
I-
V
EN
= V
A
= 0 V或5 V
μA
mA
μA
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DG408 ， DG409
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特定网络阳离子
a
（单电源）
试验条件：如
另有规定编
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
漏源
导通电阻
E，F
动态特性
开关时间
多路复用器
e
启用开启时间
e
启用关闭时间
e
电荷注入
e
t
TRANS
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
C
L
= 1 nF的，V
S
= 0 V ，R
S
= 0
V
S1
= 8 V, V
S8
= 0 V, V
IN
= 2.4 V
V
INH
= 2.4 V, V
INL
= 0 V,
V
S1
= 5 V
房间
房间
房间
房间
180
180
120
5
-
-
-
-
-
-
-
-
pC
ns
R
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 10 V，I
S
= - 1毫安
房间
90
-
-
符号
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度。
b
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
单位
后缀
- 40 ° C至85°C
笔记
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
R
DS （ ON）
= R
DS （ ON）
最大。 - R的
DS （ ON）
分钟。
小时。最坏的情况发生隔离的4通道由于靠近漏极引脚。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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DG408 ， DG409
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
80
V+ = 15 V
V- = - 15 V
40
60
C
D（上）
20
DG409我
D（关闭）
DG409我
D（上）
0
C
D（关闭）
40
DG408我
D（关闭）
60
V
S
= 0 V ，因为我
D（关闭）
V
S
= V
D
对于我
D（上）
（C S） ，D （PF ）
I
D
（ PA ）
- 20
20
C
S（ OFF）
- 40
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
类似物
- 模拟电压（ V）
- 60
0
2
6
8
10
V
类似物
- 模拟电压（ V）
4
12
DG408我
D（上）
源极/漏极电容与模拟电压
漏极漏电流与源极/漏极电压
（单12 V电源）
20
15
V+ = 15 V
V- = - 15 V
100
60
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
S
= - V
D
对于我
D（关闭）
V
D
= V
S（开）
对于我
D（上）
DG409我
D（关闭）
I
S（ OFF）
（ PA ）
20
I D （PA ）
10
- 20
5
- 60
DG409我
D（上）
DG408我
D（上）
, I
D（关闭）
0
V+ = 12 V
V- = 0 V
- 100
-5
- 140
- 15
- 10
- 10
-5
0
5
10
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
15
- 15
- 10
0
-5
5
V
S
- 源极电压（ V）
10
15
漏极漏电流与源极/漏极电压
源漏电流与电压源
2.0
- 100毫安
V
供应
= ± 15 V
- 10毫安
1.5
- 1毫安
V
TH
(V)
V
EN
= 2.4 V
1.0
I-
- 100 A
- 10 A
0.5
- 1 A
V
EN
= 0 V或5 V
0.0
4
8
12
+ V
供应
(V)
16
20
- 0.1 A
100
1K
10K
100K
1M
10M
开关频率（Hz ）
输入开关阈值与电源电压
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S11-0933 -REV 。 ， 16日， 11
负电流和开关频率
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DG408/409
Vishay Siliconix公司
8通道/双4通道高性能CMOS模拟多路复用器
特点
D
D
D
D
D
D
D
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 100
W
低电荷注入，问： 20件
快速转换时间-T
TRANS
： 160纳秒
低功耗-I
供应
: 10
mA
单电源供电能力
44 V电源的最大额定值
TTL兼容的逻辑
好处
D
D
D
D
D
D
减少开关错误
减少毛刺
提高数据吞吐量
降低功耗
增加耐用性
宽电源电压范围（ "5 V至
"20
V)
应用
D
D
D
D
D
D
D
数据采集系统
音频信号路由
ATE系统
电池供电系统
高相对系统
单电源系统
医疗器械
描述
该DG408是一款8通道单端模拟复用器
用于连接的八个输入1至公共输出作为
由一个3位二进制地址来确定（甲
0
, A
1
, A
2
） 。该DG409
是双4通道差分模拟多路复用器设计
连接四个差分输入一个共同的双输出
如通过它的2位二进制地址（A确定
0
, A
1
).
先开后合式开关动作防止
相邻信道之间的瞬时串扰。
一个通道导通电流同样在两个方向。
在关断状态的每个信道的块的最大电压为电源
电源轨。一个使能（EN ）功能允许用户重新设置
多路复用器/多路分解器，以关闭所有开关用于堆叠
几个设备。所有的控制输入端，地址（A
x
），并启用
（ EN ）是TTL兼容在整个规定的工作
温度范围。
应用程序的DG408 / 409包括高速数据
采集，音频信号的交换和路由， ATE系统，
和航空电子设备。高性能和低功耗
使它们非常适用于电池供电和远程
仪器仪表应用。
在44 -V硅栅CMOS工艺设计，绝对
最大额定电压被扩展到44 V.此外，
也允许单电源工作。外延层
防止闭锁。
有关更多信息，请参见技术文章TA201
（ FaxBack编号70600 ） 。
功能框图及引脚配置
DG408
双列直插式
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V–
S
1
S
2
S
3
S
4
D
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
DG409
双列直插式
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V–
S
1a
S
2a
S
3a
S
4a
D
a
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
文档编号： 70062
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
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www.siliconix.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-1
DG408/409
Vishay Siliconix公司
真值表和订购信息
真值表
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
DG408
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
真值表
ON开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
DG409
ON开关
无
1
2
3
4
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
A
1
X
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
逻辑“0” = V
AL
v
0.8 V
1
逻辑“1” = V
AH
w
2.4 V
X =无关
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
-40至85℃
40 85_C
16引脚SOIC
16引脚TSSOP
DG408
产品型号
DG408DJ
DG408DY
DG408DQ
DG408AK
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
-40至85℃
40 85_C
16引脚SOIC
16引脚TSSOP
DG409
产品型号
DG409DJ
DG409DY
DG409DQ
DG409AK
16皮 DIP
16引脚CERDIP
55 125_C
-55 125℃
DG408AK/883
55 125_C
-55 125℃
5962-9204201MEA
16皮 DIP
16引脚CERDIP
DG409AK/883
5962-9204202MEA
LCC-20*
*框图和引脚配置没有显示。
5962-9204201M2A
LCC-20*
5962-9204202M2A
绝对最大额定值
电压参考V-
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
, V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） 2 V或
20 mA，且以先到者为准
电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AK后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
16引脚CERDIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
LCC-20
f
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
笔记
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免7.6毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免12毫瓦/ _C以上75°C 。
f.
减免10毫瓦/ _C以上75°C 。
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S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
DG408/409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
之间的匹配
频道
g
SOURCE OFF
漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
=
"10
V，I
S
= -10毫安
V
D
=
"10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
EN
= 0 V
V
D
=
"10
V
V
S
=
#10
V
V
EN
= 0 V
V
S
= V
D
=
"10
V
每个序列
开关ON
DG408
DG409
DG408
DG409
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
–0.5
–50
–1
–100
–1
–50
–1
–100
–1
–50
40
–15
15
100
125
15
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
–0.5
–5
–1
–20
–1
–10
–1
–20
–1
–10
–15
15
100
125
15
0.5
5
1
20
1
10
1
20
1
10
nA
A
V
W
%
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
漏极泄漏电流
I
D（上）
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
V
INH
V
INL
I
AH
I
AL
C
in
V
A
= 2.4 V, 15 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
F = 1 MHz的
满
满
满
满
房间
8
–10
–10
2.4
0.8
10
10
–10
–10
2.4
0.8
10
10
V
mA
pF
动态特性
转换时间
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
关断隔离
h
源关断电容
流掉电容
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
V
EN
= 0 V, V
D
= 0 V
V,
F = 1 MHz的
MH
排水导通电容
C
D（上）
C
L
= 10nF的，V
S
= 0 V
V
EN
= 0 V ，R
L
= 1千瓦
F = 100千赫
V
EN
= 0 V, V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
DG408
DG409
DG408
DG409
见图2
参见图4
见图3
g
满
房间
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
115
105
20
–75
3
26
14
37
25
pF
F
160
10
150
225
150
250
10
150
150
pC
dB
ns
250
电源
正电源电流
负电源电流
正电源电流
负电源电流
I+
I–
I+
I–
V
EN
= V
A
= 0 V或5 V
满
满
房间
满
满
10
1
0.2
–500
–75
0.5
2
–500
75
–75
0.5
2
75
mA
mA
mA
V
EN
= 2.4 V, V
A
= 0 V
,
文档编号： 70062
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
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DG408/409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
A
对于单电源
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
漏源
导通电阻
E，F
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 10 V，I
S
= - 1毫安
房间
90
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
动态特性
多路开关时间
e
使开启时间
e
启用关闭时间
e
电荷注入
e
t
TRANS
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
V
S1
= 8 V, V
S8
= 0 V, V
IN
= 2.4 V
V
INH
= 2.4 V, V
INL
= 0 V
,
V
S1
= 5 V
C
L
= 1 nF的，V
S
= 6 V ，R
S
= 0
房间
房间
房间
房间
180
180
120
5
pC
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
Dr
DS （ ON）
= r
DS （ ON）
马克斯 - R的
DS （ ON）
分钟。
小时。最坏的情况下隔离发生在第4频道也以接近漏极引脚。
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DG408/409
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极/漏极电容与模拟电压
80
V+ = 15 V
V– = –15 V
40
60
C
D（上）
20
（C S） ，D （PF ）
I D （PA ）
C
D（关闭）
40
DG409我
D（关闭）
DG409我
D（上）
DG408我
D（关闭）
60
V
S
= 0 V ，因为我
D（关闭）
V
S
= V
D
对于我
D（上）
漏极漏电流与源极/漏极电压
（单12 V电源）
0
–20
20
C
S（ OFF）
DG408我
D（上）
–40
0
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
类似物
- 模拟电压（ V）
–60
0
2
4
6
8
V
D
- 漏极电压（ V）
10
12
漏极漏电流与源/ DrainVoltage
100
60
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S
= –V
D
对于我
D（关闭）
V
D
= V
S（开）
对于我
D（上）
DG409我
D（关闭）
20
15
源漏电流与电压源
20
I D （PA ）
10
I S （关） （ NA）
V+ = 15 V
V– = –15 V
–20
5
–60
DG409我
D（上）
DG408我
D（上）
, I
D（关闭）
0
V+ = 12 V
V– = 0 V
–100
–5
–140
–15
–10
–10
–5
0
5
10
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
15
–15
–10
0
–5
5
V
S
- 源极电压（ V）
10
15
输入开关阈值与电源电压
2.0
负电流和开关频率
-100毫安
V
供应
=
"15
V
= 10毫安
1.5
I–
1.0
0.5
0.0
4
8
12
+V
供应
(V)
16
20
文档编号： 70062
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= 1毫安
V
EN
= 2.4 V
–100
mA
–10
mA
V
EN
= 0 V或5 V
–1
mA
V TH （ V）
–0.1
mA
100
1k
10 k
100 k
1M
10 M
开关频率（Hz ）
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5-5
DG408/409
Vishay Siliconix公司
8通道/双4通道高性能CMOS模拟多路复用器
描述
该DG408是一款8通道单端模拟复用器
用于连接的八个输入1至公共输出
由一个3位二进制地址（如确定的
0
, A
1
, A
2
） 。该
DG409是一款双4通道差分模拟多路复用器
用于连接的四个差分输入之一到一
如通过它的2位二进制确定共同的双输出
地址（A
0
, A
1
） 。盈亏- make之前开关动作
防止相邻之间的串扰瞬间
通道。
一个通道导通电流同样在这两个
方向。在关机状态下每通道块电压高达
到电源轨。使能（ EN）功能允许
用户复位信号多路复用器/多路分解器，以关闭所有开关
堆叠多台设备。所有的控制输入端，地址（A
x
)
与使能（ EN ）为TTL在整个指定的兼容
工作温度范围。
应用程序的DG408 / 409包括高速数据
采集，音频信号的交换和路由， ATE
系统和航空电子设备。高性能和低功耗
功耗使其非常适用于电池供电和远程
仪器仪表应用。
在44 V硅栅CMOS工艺设计，
绝对最大额定电压被扩展到44 V.
此外，还允许单电源工作。一
外延层可以防止闭锁。
有关更多信息，请参见技术文章
TA201 （ FaxBack编号70600 ） 。
特点
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 100
Ω
低电荷注入 - 问： 20件
快速过渡时间 - 吨
TRANS
： 160纳秒
低功耗 - 我
供应
: 10 A
单电源供电能力
44 V电源的最大额定值
TTL兼容的逻辑
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
减少开关错误
减少毛刺
提高数据吞吐量
降低功耗
增加耐用性
宽电源电压范围（ ± 5 V至± 20 V ）
应用
数据采集系统
音频信号路由
ATE系统
电池供电系统
高相对系统
单电源系统
医疗器械
功能框图及引脚配置
DG408
双列直插式
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
DG409
双列直插式
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V-
S
1a
S
2a
S
3a
S
4a
D
a
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70062
S- 71155 -REV 。 G， 11军， 07
www.vishay.com
1
DG408/409
Vishay Siliconix公司
真值表和订购信息
真值表 - DG408
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
真值表 - DG409
A
1
X
0
0
1
1
LOGIC "0" = V
AL
≤
0.8 V
逻辑"1" = V
AH
≥
2.4 V
X =无关
A
0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
订购信息 - DG408
温度范围
包
16引脚塑料DIP
产品型号
DG408DJ
DG408DJ-E3
DG408DY
DG408DY-E3
DG408DY-T1
DG408DY-T1-E3
DG408DQ
DG408DQ-E3
DG408DQ-T1
DG408DQ-T1-E3
订购信息 - DG409
温度范围
包
16引脚塑料DIP
产品型号
DG409DJ
DG409DJ-E3
DG409DY
DG409DY-E3
DG409DY-T1
DG409DY-T1-E3
DG409DQ
DG409DQ-E3
DG409DQ-T1
DG409DQ-T1-E3
16引脚SOIC
- 4085 ℃下
16引脚SOIC
- 4085 ℃下
16引脚TSSOP
16引脚TSSOP
绝对最大额定值
参数
电压参考V-
数字
输入
a
, V
S
, V
D
V+
GND
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或20mA ，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
450
600
900
750
mW
（ AK后缀）
（ DJ ， DY后缀）
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
16引脚CERDIP
e
LCC-20
f
V
单位
电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大值）
储存温度
mA
°C
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
F。减免10毫瓦/°C， 75°C以上。
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2
文档编号： 70062
S- 71155 -REV 。 G， 11军， 07
DG408/409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
r
DS （ ON）
匹配之间的通道
g
来源OFF漏电流
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
= - 10 V，I
S
= - 10毫安
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
D
= ± 10 V, V
EN
= 0 V
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
EN
= 0 V
V
S
= V
D
= ± 10
每个序列
开关ON
DG408
DG409
DG408
DG409
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度
b
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
V
A
= 2.4 V, 15 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
F = 1 MHz的
见图2
参见图4
见图3
C
L
= 10nF的，V
S
= 0 V
V
EN
= 0 V ，R
L
= 1 kΩ
F = 100千赫
V
EN
= 0 V, V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
EN
= 0 V
V
D
= 0 V
F = 1 MHz的
DG408
DG409
DG408
DG409
满
满
房间
满
房间
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
满
房间
满
满
8
160
10
115
105
20
- 75
3
26
14
37
25
10
1
0.2
- 75
0.5
2
- 500
- 500
75
- 75
0.5
2
75
pF
150
225
150
250
10
150
150
pC
dB
ns
250
- 10
- 10
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
2.4
0.8
10
10
- 10
- 10
40
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
- 15
最大
d
15
100
125
15
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
- 0.5
-5
-1
- 20
-1
- 10
-1
- 20
-1
- 10
2.4
0.8
10
10
后缀
- 4085 ℃下
民
d
- 15
最大
d
15
100
125
15
0.5
5
1
20
1
10
1
20
1
10
单位
V
Ω
%
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
nA
漏极泄漏电流
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
动态特性
转换时间
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
关断隔离
h
源关断电容
流掉电容
排水导通电容
电源
正电源电流
负电源电流
正电源电流
负电源电流
I
D（上）
V
INH
V
INL
I
AH
I
AL
C
in
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
V
A
pF
I+
I-
I+
I-
V
EN
= V
A
= 0 V或5 V
V
EN
= 2.4 V, V
A
= 0 V
A
mA
A
文档编号： 70062
S- 71155 -REV 。 G， 11军， 07
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3
DG408/409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
漏源
导通电阻
E，F
动态特性
多路开关时间
e
启用打开，在
时间
e
启用关闭时间
e
电荷注入
e
符号
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度
b
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
最大
d
后缀
- 4085 ℃下
民
d
最大
d
单位
Ω
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 10 V，I
S
= - 1毫安
房间
90
t
TRANS
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
V
S1
= 8 V, V
S8
= 0 V, V
IN
= 2.4 V
V
INH
= 2.4 V, V
INL
= 0 V
V
S1
= 5 V
C
L
= 1 nF的，V
S
= 6 V ，R
S
= 0
房间
房间
房间
房间
180
180
120
5
pC
ns
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
Δr
DS （ ON）
= r
DS （ ON）
马克斯 - R的
DS （ ON）
分钟。
小时。最坏的情况发生隔离的4通道由于靠近漏极引脚。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 70062
S- 71155 -REV 。 G， 11军， 07
DG408/409
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
80
V+ = 15 V
V- = - 15 V
40
60
C
D（上）
20
（C S） ，D （PF ）
I D （PA ）
C
D（关闭）
40
DG409我
D（关闭）
DG409我
D（上）
0
DG408我
D（关闭）
60
V
S
= 0 V ，因为我
D（关闭）
V
S
= V
D
对于我
D（上）
- 20
20
C
S（ OFF）
- 40
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
类似物
- 模拟电压（ V）
- 60
0
2
6
8
10
V
类似物
- 模拟V oltage （ V）
4
12
DG408我
D（上）
源极/漏极电容与模拟电压
漏极漏电流与源极/漏极电压
（单12 V电源）
20
15
V+ = 15 V
V- = - 15 V
100
60
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
S
= -V
D
对于我
D（关闭）
V
D
= V
S（开）
对于我
D（上）
DG409我
D（关闭）
I
S（ OFF）
（ PA ）
DG409我
D（上）
DG408我
D（上）
, I
D（关闭）
20
I D （PA ）
10
- 20
5
- 60
0
V+ = 12 V
V- = 0 V
- 100
-5
- 140
- 15
- 10
- 10
-5
0
5
10
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
15
- 15
- 10
-5
5
0
V
S
- 源极电压（ V）
10
15
漏极漏电流与源/ DrainVoltage
源漏电流与电压源
2.0
- 100毫安
V
供应
= ± 15 V
- 10毫安
1.5
- 1毫安
V TH （ V）
V
EN
= 2.4 V
1.0
I-
- 100 A
- 10 A
0.5
- 1 A
V
EN
= 0 V或5 V
0.0
4
8
12
+V
供应
(V)
16
20
- 0.1 A
100
1k
10 k
100 k
1M
10 M
开关频率（Hz ）
输入开关阈值与电源电压
负电流和开关频率
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