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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第646页 > DG408DJ
DG408 , DG409
数据表
2006年6月13日
FN3283.8
单8通道/差分4通道,
CMOS模拟多路复用器
该DG408单8通道,和DG409差
4通道单片CMOS模拟多路复用器下拉列表中
替代流行的DG508A及DG509A系列
设备。它们各自包括的八个模拟阵列
开关, TTL / CMOS兼容的数字解码电路进行
频道选择,逻辑阈值电压基准
和一个使能输入设备选择时数
多路复用器都存在。
该DG408和DG409拥有导通电阻较低的信号
( <100Ω )和更快的开关转换时间(t
TRANS
<为250ns )
相比于DG508A或DG509A 。电荷注入有
减少,简化采样保持应用程序。该
改进的DG408系列是由成为可能
使用高电压硅栅工艺。外延层
防止与年龄较大的CMOS关联的闩锁
技术。电源可以是单端的+ 5V
至+ 34V ,或分裂
±5V
to
±20V.
模拟开关双边,难分伯仲交流或
双向信号。导通电阻变化与
模拟信号是相当低的过
±5V
模拟输入范围。
特点
导通电阻(最大值, 25 ° C) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100Ω
低功耗(P
D
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <11mW
快速开关动作
- t
TRANS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <250ns
- t
开/关(EN)
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <150ns
低电荷注入
从DG508A / DG509A升级
TTL , CMOS兼容
单或分离电源操作
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
数据采集系统
音频交换系统
自动测试仪
高可靠性系统
采样和保持电路
通讯系统
模拟选择开关
订购信息
部分
DG408DJ
DG408DJZ (注)
DG408DY*
DG408DYZ * (注)
DG408DVZ * (注)
DG409DJ
DG409DJZ (注)
DG409DY*
DG409DYZ * (注)
DG409DVZ * (注)
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接工艺应用。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
部分
记号
DG408DJ
DG408DJZ
DG408DY
DG408DYZ
DG408DVZ
DG409DJ
DG409DJZ
DG409DY
DG409DYZ
DG409DVZ
温度。
范围(° C)
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC (无铅)
16 Ld的TSSOP (无铅)
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP ** (无铅)
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC (无铅)
16 Ld的TSSOP (无铅)
PKG 。
DWG 。 #
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.173
E16.3
E16.3
M16.15
M16.15
M16.173
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1993年, 1994年, 1997年, 1999年, 2004年, 2006年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
DG408 , DG409
引脚配置
DG408 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
A
0
1
EN 2
V- 3
S
1
4
S
2
5
S
3
6
S
4
7
D 8
16 A
1
15 A
2
14 GND
13 V+
12 S
5
11 S
6
10 S
7
9 S
8
DG409 ( PDIP , SOIC , TSSOP )
顶视图
A
0
1
EN 2
V- 3
S
1A
4
S
2A
5
S
3A
6
S
4A
7
D
A
8
16 A
1
15 GND
14 V+
13 S
1B
12 S
2B
11 S
3B
10 S
4B
9 D
B
功能方框图
DG408
DG409
S
1
D
S
1A
D
A
S
2
解码器/
司机
S
4A
S
1B
解码器/
司机
D
B
S
8
S
4B
5V
REF
水平
5V
REF
水平
数字
输入
保护
数字
输入
保护
A
0
A
1
A
2
EN
A
0
A
1
EN
真值表DG408
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
5
6
7
8
A
1
X
0
0
1
1
注意事项:
A
0
X
0
1
0
1
真值表DG409
EN
0
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
1. V
AH
逻辑“1”的
≥2.4V.
2. V
AL
逻辑“0”的
≤0.8V.
2
FN3283.8
2006年6月13日
DG408 , DG409
引脚说明 - ( DG408 )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
S
8
S
7
S
6
S
5
V+
GND
A
2
A
1
描述
逻辑解码输入(位0 , LSB )
使能输入
负电源端
来源(输入)通道1
源(输入)通道2的
来源(输入)通道3
来源(输入)通道4
漏极(输出)
来源(输入)通道8
来源(输入)通道7
来源(输入)通道6
来源(输入)通道5
正电源端(基板)
接地端子(逻辑公用)
逻辑解码输入(第2位, MSB )
逻辑解码输入( 1位)
引脚说明 - ( DG409 )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
A
0
EN
V-
S
1A
S
2A
S
3A
S
4A
D
A
D
B
S
4B
S
3B
S
2B
S
1B
V+
GND
A
1
描述
逻辑解码输入(位0 , LSB )
使能输入
负电源端
来源(输入)通道1A
来源(输入)通道2A
源(输入)通道3A
来源(输入)通道4A
漏极(输出A )
漏B(输出B )
源(输入)通道4B
来源(输入)通道3B
来源(输入)通道2B
来源(输入)通道1B
正电源端
接地端子(逻辑公用)
逻辑解码输入(第1位, MSB )
3
FN3283.8
2006年6月13日
DG408 , DG409
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44.0V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .25V
数字输入,V
S
, V
D
(注3) 。 。 。 。 。 ( V-) -2V至(V + ) + 2V或20mA时,
以先到为准科幻RST
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流, S或D(脉冲为1ms , 10 %占空比最大) 。 。百毫安
热信息
热电阻(典型,注4 )
θ
JA
( ° C / W)
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
150
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至125°C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC和TSSOP - 只会提示)
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
在S 3的信号
X
, D
X
, EN或A
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限制二极管电流最大额定电流。
4.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
动态特性
过渡时间,t
TRANS
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
AL
= 0.8V, V
AH
= 2.4V ,除非另有规定编
测试条件
TEMP (℃)
(注5 )
(注6 )
典型值
(注5 )
最大
单位
(参见图1)
(参见图3)
(参见图2)
25
25
-
10
-
-
-
-
-
-
-
160
-
115
-
105
20
-75
8
3
250
-
150
225
150
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
dB
pF
pF
先开后合作间隔,T
开放
使导通时间,t
ON ( EN )
开启关闭时间,t
OFF ( EN )
电荷注入,Q
关断隔离
逻辑输入电容,C
IN
源关断电容,C
S( OFF)
流掉电容,C
D(关闭)
DG408
DG409
漏导通电容,C
D(上)
DG408
DG409
数字输入特性
逻辑输入电流,
输入电压高,我
AH
逻辑输入电流,
输入电压低,我
AL
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏极 - 源极导通电阻,
r
DS ( ON)
r
DS ( ON)
匹配的通道间,
r
DS ( ON)
来源OFF漏电流,I
S( OFF)
(参见图2)
C
L
= 10nF电容,V
S
= 0V
V
EN
= 0V ,R
L
= 1k,
F = 100kHz的(注9 )
F = 1MHz的
V
EN
= 0V, V
S
= 0V,
F = 1MHz的
V
EN
= 0V, V
D
= 0V,
F = 1MHz的
25
25
25
25
25
25
-
-
-
-
26
14
37
25
-
-
-
-
pF
pF
pF
pF
A
A
V
EN
= 3V, V
D
= 0V,
F = 1MHz时, V
A
= 0V或3V
25
25
V
A
= 2.4V, 15V
V
EN
= 0V, 2.4V,
V
A
= 0V
-10
-10
-
-
10
10
V
D
=
±10V,
I
S
= -10mA
(注7 )
V
D
= 10V , -10V (注8 )
V
EN
= 0V, V
S
=
±10V,
V
D
= +10V
25
25
25
-15
-
-
-
-0.5
-5
-
40
-
-
-
-
15
100
125
15
0.5
5
V
nA
nA
4
FN3283.8
2006年6月13日
DG408 , DG409
电气规格
参数
流掉泄漏电流,I
D(关闭)
DG408
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
AL
= 0.8V, V
AH
= 2.4V ,除非另有规定编
(续)
测试条件
V
EN
= 0V, V
D
=
±10V,
V
S
= +10V
TEMP (℃)
25
DG409
V
S
= V
D
=
±10V
(注7 )
25
DG409
25
电源特性
正电源电流, I +
负电源电流,I-
正电源电流, I +
V
EN
= 2.4V, V
A
= 0V
(启用)
V
EN
= 0V, V
A
= 0V (待机)
25
-
-75
-
-
-500
10
1
0.2
-
-
75
-
0.5
2
-
A
A
mA
mA
A
-1
-20
-1
-10
-
-
-
-
1
20
1
10
nA
nA
nA
nA
25
漏极泄漏电流,我
D(上)
DG408
(注5 )
-1
-20
-1
-10
(注6 )
典型值
-
-
-
-
(注5 )
最大
1
20
1
10
单位
nA
nA
nA
nA
负电源电流,I-
电气规格
单电源测试条件: V + = 12V ,V = 0V ,V
AL
= 0.8V, V
AH
= 2.4V,
除非另有说明
TEST
条件
TEMP (℃)
(注5 )
(注6 )
典型值
(注5 )
最大
单位
参数
动态特性
多路开关的时间,t
TRANS
使导通时间,t
ON ( EN )
开启关闭时间,t
OFF ( EN )
电荷注入,Q
V
S1
= 8V, V
S8
= 0V, V
IN
= 2.4V
V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0V,
V
S1
= 5V
C
L
= 10nF电容,V
= 0V,
R
= 0
25
25
25
25
-
-
-
-
180
180
120
5
-
-
-
-
ns
ns
ns
pC
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏源导通电阻,
r
DS ( ON)
注意事项:
5.代数惯例,由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
6.典型值是辅助设计参考,不保证也不生产测试。
7.每个序列开关。
8.
r
DS ( ON)
= r
DS ( ON)
(最大值) - R的
DS ( ON)
(最小值) 。
9.最糟糕的情况下,隔离发生在通道4由于靠近漏极引脚。
V
D
= 3V , 10V ,我
S
= -1mA
(注7 )
25
0
-
-
90
12
-
V
5
FN3283.8
2006年6月13日
DG408 , DG409
Vishay Siliconix公司
8通道/双4通道高性能CMOS模拟多路复用器
描述
该DG408是一款8通道单端模拟复用器
用于连接的八个输入1至公共输出
由一个3位二进制地址(如确定的
0
, A
1
, A
2
) 。该
DG409是一款双4通道差分模拟多路复用器
用于连接的四个差分输入之一到一
如通过它的2位二进制确定共同的双输出
地址(A
0
, A
1
) 。盈亏- make之前开关动作
防止相邻之间的串扰瞬间
通道。
一个通道导通电流同样在这两个
方向。在关机状态下每通道块电压高达
到电源轨。使能( EN)功能允许
用户复位信号多路复用器/多路分解器,以关闭所有开关
堆叠多台设备。所有的控制输入端,地址(A
x
)
与使能( EN )为TTL在整个指定的兼容
工作温度范围。
应用程序的DG408 , DG409包括高速数据
采集,音频信号的交换和路由, ATE
系统和航空电子设备。高性能和低功耗
功耗使其非常适用于电池供电和
远程仪表应用。
在44 V硅栅CMOS工艺设计,
绝对最大额定电压被扩展到44 V.
此外,还允许单电源工作。一
外延层可以防止闭锁。
有关更多信息,请参见技术文章
TA201.
特点
低导通电阻 - R的
DS ( ON)
: 100
低电荷注入 - 问: 20件
快速过渡时间 - 吨
TRANS
: 160纳秒
低功耗 - 我
供应
: 10 μA
单电源供电能力
44 V电源最大。等级
TTL兼容的逻辑
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
减少开关错误
减少毛刺
提高数据吞吐量
降低功耗
增加耐用性
宽电源电压范围( ± 5 V至± 20 V )
应用
数据采集系统
音频信号路由
ATE系统
电池供电系统
单电源系统
医疗器械
功能框图及引脚配置
DG408
双列直插式,
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
DG409
双列直插式,
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V-
S
1a
S
2a
S
3a
S
4a
D
a
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 70062
S11-0933 -REV 。 , 16日, 11
www.vishay.com
1
本文如有更改,恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明,所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG408 , DG409
Vishay Siliconix公司
真值表
(DG408)
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
5
6
7
8
真值表
(DG409)
A
1
X
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
笔记
逻辑“0” = V
AL
0.8 V
逻辑“ 1 ” = V
AH
2.4 V
X =无关
订购信息
(商业)
部分
CON组fi guration
TEMP 。 RANGE
16引脚塑料DIP
订货型号
DG408DJ
DG408DJ-E3
DG408DY
16引脚SOIC
DG408
8:1 x 1
- 40 ° C至85°C
DG408DY-E3
DG408DY-T1
DG408DY-T1-E3
DG408DQ
16引脚TSSOP
DG408DQ-E3
DG408DQ-T1
DG408DQ-T1-E3
16引脚塑料DIP
DG409DJ
DG409DJ-E3
DG409DY
16引脚SOIC
DG409
4:1 x 2
- 40 ° C至85°C
DG409DY-E3
DG409DY-T1
DG409DY-T1-E3
DG409DQ
16引脚TSSOP
DG409DQ-E3
DG409DQ-T1
DG409DQ-T1-E3
绝对最大额定值
参数
电压参考V-
数字输入
a
, V
S
, V
D
电流(任何终端)
峰值电流,S或D(脉冲在1毫秒, 10 %的占空比最大)
储存温度
功率耗散(包)
b
( DJ , DY后缀)
16引脚塑封
DIP
c
TSSOP
d
16引脚窄体SOIC和
V+
GND
极限
44
25
( V - ) - 2 (V + )+ 2个
或20mA ,以先到者为准
30
100
- 65 125
450
600
mA
°C
mW
单位
V
笔记
一。在S信号
X
, D
X
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C, 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C, 75°C以上。
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2
文档编号: 70062
S11-0933 -REV 。 , 16日, 11
本文如有更改,恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明,所阐述
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DG408 , DG409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
试验条件:如
另有规定编
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
R
DS ( ON)
之间的匹配
频道
g
来源OFF漏电流
DG408
DG408
DG409
DG409
DG408
DG408
DG409
DG409
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
动态特性
转换时间
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
关断隔离
h
源关断电容
DG408
DG409
DG408
DG409
流掉
电容
在排水
电容
t
TRANS
t
开放
t
ON ( EN )
t
OFF ( EN )
Q
OIRR
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
C
L
= 10nF的,V
S
= 0 V
V
EN
= 0 V ,R
L
= 1 k,
F = 1 MHz的
V
EN
= 0 V, V
S
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
EN
= 0 V,
V
D
= 0 V,
F = 1 MHz的
见图2
参见图4
见图3
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
V
EN
= V
A
= 0 V或5 V
160
-
115
-
105
20
- 75
3
26
14
37
25
10
1
0.2
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 75
-
-
- 500
250
-
150
-
150
-
-
-
-
-
-
-
75
-
0.5
2
-
pF
pC
ns
V
INH
V
INL
I
AH
I
AL
C
in
V
A
= 2.4 V, 15 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
F = 1 MHz的
房间
-
-
-
-
8
2.4
-
- 10
- 10
-
-
0.8
10
10
-
V
μA
pF
排水渗漏
当前
I
D(上)
V
S
= V
D
= ± 10 V
每个序列
开关ON
流掉泄漏
当前
I
D(关闭)
V
D
= ± 10 V,
V
S
= ± 10 V,
V
EN
= 0 V
V
类似物
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
I
S( OFF)
V
D
= - 10 V,I
S
= - 10毫安
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V,
V
D
= ± 10 V, V
EN
= 0 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
-
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 15
-
-
-
- 0.5
-5
-1
- 20
-1
- 10
-1
- 20
-1
- 10
15
100
125
15
0.5
5
1
20
1
10
1
20
1
10
nA
V
符号
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度。
b
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
单位
后缀
- 40 ° C至85°C
电源
正电源电流
负电源电流
正电源电流
负电源电流
I+
I-
I+
I-
V
EN
= V
A
= 0 V或5 V
μA
mA
μA
文档编号: 70062
S11-0933 -REV 。 , 16日, 11
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DG408 , DG409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
(单电源)
试验条件:如
另有规定编
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
漏源
导通电阻
E,F
动态特性
开关时间
多路复用器
e
启用开启时间
e
启用关闭时间
e
电荷注入
e
t
TRANS
t
ON ( EN )
t
OFF ( EN )
Q
C
L
= 1 nF的,V
S
= 0 V ,R
S
= 0
V
S1
= 8 V, V
S8
= 0 V, V
IN
= 2.4 V
V
INH
= 2.4 V, V
INL
= 0 V,
V
S1
= 5 V
房间
房间
房间
房间
180
180
120
5
-
-
-
-
-
-
-
-
pC
ns
R
DS ( ON)
V
D
= 3 V , 10 V,I
S
= - 1毫安
房间
90
-
-
符号
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度。
b
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
单位
后缀
- 40 ° C至85°C
笔记
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C,完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于在数据资料。
。通过设计保证,不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
R
DS ( ON)
= R
DS ( ON)
最大。 - R的
DS ( ON)
分钟。
小时。最坏的情况发生隔离的4通道由于靠近漏极引脚。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号: 70062
S11-0933 -REV 。 , 16日, 11
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DG408 , DG409
Vishay Siliconix公司
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
80
V+ = 15 V
V- = - 15 V
40
60
C
D(上)
20
DG409我
D(关闭)
DG409我
D(上)
0
C
D(关闭)
40
DG408我
D(关闭)
60
V
S
= 0 V ,因为我
D(关闭)
V
S
= V
D
对于我
D(上)
(C S) ,D (PF )
I
D
( PA )
- 20
20
C
S( OFF)
- 40
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
类似物
- 模拟电压( V)
- 60
0
2
6
8
10
V
类似物
- 模拟电压( V)
4
12
DG408我
D(上)
源极/漏极电容与模拟电压
漏极漏电流与源极/漏极电压
(单12 V电源)
20
15
V+ = 15 V
V- = - 15 V
100
60
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
S
= - V
D
对于我
D(关闭)
V
D
= V
S(开)
对于我
D(上)
DG409我
D(关闭)
I
S( OFF)
( PA )
20
I D (PA )
10
- 20
5
- 60
DG409我
D(上)
DG408我
D(上)
, I
D(关闭)
0
V+ = 12 V
V- = 0 V
- 100
-5
- 140
- 15
- 10
- 10
-5
0
5
10
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
15
- 15
- 10
0
-5
5
V
S
- 源极电压( V)
10
15
漏极漏电流与源极/漏极电压
源漏电流与电压源
2.0
- 100毫安
V
供应
= ± 15 V
- 10毫安
1.5
- 1毫安
V
TH
(V)
V
EN
= 2.4 V
1.0
I-
- 100 A
- 10 A
0.5
- 1 A
V
EN
= 0 V或5 V
0.0
4
8
12
+ V
供应
(V)
16
20
- 0.1 A
100
1K
10K
100K
1M
10M
开关频率(Hz )
输入开关阈值与电源电压
文档编号: 70062
S11-0933 -REV 。 , 16日, 11
负电流和开关频率
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DG408/409
Vishay Siliconix公司
8通道/双4通道高性能CMOS模拟多路复用器
描述
该DG408是一款8通道单端模拟复用器
用于连接的八个输入1至公共输出
由一个3位二进制地址(如确定的
0
, A
1
, A
2
) 。该
DG409是一款双4通道差分模拟多路复用器
用于连接的四个差分输入之一到一
如通过它的2位二进制确定共同的双输出
地址(A
0
, A
1
) 。盈亏- make之前开关动作
防止相邻之间的串扰瞬间
通道。
一个通道导通电流同样在这两个
方向。在关机状态下每通道块电压高达
到电源轨。使能( EN)功能允许
用户复位信号多路复用器/多路分解器,以关闭所有开关
堆叠多台设备。所有的控制输入端,地址(A
x
)
与使能( EN )为TTL在整个指定的兼容
工作温度范围。
应用程序的DG408 / 409包括高速数据
采集,音频信号的交换和路由, ATE
系统和航空电子设备。高性能和低功耗
功耗使其非常适用于电池供电和远程
仪器仪表应用。
在44 V硅栅CMOS工艺设计,
绝对最大额定电压被扩展到44 V.
此外,还允许单电源工作。一
外延层可以防止闭锁。
有关更多信息,请参见技术文章
TA201 ( FaxBack编号70600 ) 。
特点
低导通电阻 - R的
DS ( ON)
: 100
Ω
低电荷注入 - 问: 20件
快速过渡时间 - 吨
TRANS
: 160纳秒
低功耗 - 我
供应
: 10 A
单电源供电能力
44 V电源的最大额定值
TTL兼容的逻辑
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
减少开关错误
减少毛刺
提高数据吞吐量
降低功耗
增加耐用性
宽电源电压范围( ± 5 V至± 20 V )
应用
数据采集系统
音频信号路由
ATE系统
电池供电系统
高相对系统
单电源系统
医疗器械
功能框图及引脚配置
DG408
双列直插式
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
DG409
双列直插式
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V-
S
1a
S
2a
S
3a
S
4a
D
a
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 70062
S- 71155 -REV 。 G, 11军, 07
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1
DG408/409
Vishay Siliconix公司
真值表和订购信息
真值表 - DG408
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
5
6
7
8
真值表 - DG409
A
1
X
0
0
1
1
LOGIC "0" = V
AL
0.8 V
逻辑"1" = V
AH
2.4 V
X =无关
A
0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
订购信息 - DG408
温度范围
16引脚塑料DIP
产品型号
DG408DJ
DG408DJ-E3
DG408DY
DG408DY-E3
DG408DY-T1
DG408DY-T1-E3
DG408DQ
DG408DQ-E3
DG408DQ-T1
DG408DQ-T1-E3
订购信息 - DG409
温度范围
16引脚塑料DIP
产品型号
DG409DJ
DG409DJ-E3
DG409DY
DG409DY-E3
DG409DY-T1
DG409DY-T1-E3
DG409DQ
DG409DQ-E3
DG409DQ-T1
DG409DQ-T1-E3
16引脚SOIC
- 4085 ℃下
16引脚SOIC
- 4085 ℃下
16引脚TSSOP
16引脚TSSOP
绝对最大额定值
参数
电压参考V-
数字
输入
a
, V
S
, V
D
V+
GND
极限
44
25
( V - ) - 2 (V + )+ 2个
或20mA ,以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
450
600
900
750
mW
( AK后缀)
( DJ , DY后缀)
16引脚塑料DIP
c
功率耗散(包)
b
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
16引脚CERDIP
e
LCC-20
f
V
单位
电流(任何终端)
峰值电流,S或D(脉冲在1毫秒, 10 %的占空比最大值)
储存温度
mA
°C
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C, 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C, 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C, 75°C以上。
F。减免10毫瓦/°C, 75°C以上。
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2
文档编号: 70062
S- 71155 -REV 。 G, 11军, 07
DG408/409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
r
DS ( ON)
匹配之间的通道
g
来源OFF漏电流
符号
V
类似物
r
DS ( ON)
Δr
DS ( ON)
I
S( OFF)
V
D
= - 10 V,I
S
= - 10毫安
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
D
= ± 10 V, V
EN
= 0 V
V
D
= ± 10 V
V
S
= ± 10 V
V
EN
= 0 V
V
S
= V
D
= ± 10
每个序列
开关ON
DG408
DG409
DG408
DG409
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度
b
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
V
A
= 2.4 V, 15 V
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
F = 1 MHz的
见图2
参见图4
见图3
C
L
= 10nF的,V
S
= 0 V
V
EN
= 0 V ,R
L
= 1 kΩ
F = 100千赫
V
EN
= 0 V, V
S
= 0 V , F = 1兆赫
V
EN
= 0 V
V
D
= 0 V
F = 1 MHz的
DG408
DG409
DG408
DG409
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
160
10
115
105
20
- 75
3
26
14
37
25
10
1
0.2
- 75
0.5
2
- 500
- 500
75
- 75
0.5
2
75
pF
150
225
150
250
10
150
150
pC
dB
ns
250
- 10
- 10
- 0.5
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
2.4
0.8
10
10
- 10
- 10
40
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
d
- 15
最大
d
15
100
125
15
0.5
50
1
100
1
50
1
100
1
50
- 0.5
-5
-1
- 20
-1
- 10
-1
- 20
-1
- 10
2.4
0.8
10
10
后缀
- 4085 ℃下
d
- 15
最大
d
15
100
125
15
0.5
5
1
20
1
10
1
20
1
10
单位
V
Ω
%
流掉泄漏电流
I
D(关闭)
nA
漏极泄漏电流
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
动态特性
转换时间
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
关断隔离
h
源关断电容
流掉电容
排水导通电容
电源
正电源电流
负电源电流
正电源电流
负电源电流
I
D(上)
V
INH
V
INL
I
AH
I
AL
C
in
t
TRANS
t
开放
t
ON ( EN )
t
OFF ( EN )
Q
OIRR
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
V
A
pF
I+
I-
I+
I-
V
EN
= V
A
= 0 V或5 V
V
EN
= 2.4 V, V
A
= 0 V
A
mA
A
文档编号: 70062
S- 71155 -REV 。 G, 11军, 07
www.vishay.com
3
DG408/409
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
漏源
导通电阻
E,F
动态特性
多路开关时间
e
启用打开,在
时间
e
启用关闭时间
e
电荷注入
e
符号
V
AL
= 0.8 V, V
AH
= 2.4 V
f
温度
b
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
d
最大
d
后缀
- 4085 ℃下
d
最大
d
单位
Ω
r
DS ( ON)
V
D
= 3 V , 10 V,I
S
= - 1毫安
房间
90
t
TRANS
t
ON ( EN )
t
OFF ( EN )
Q
V
S1
= 8 V, V
S8
= 0 V, V
IN
= 2.4 V
V
INH
= 2.4 V, V
INL
= 0 V
V
S1
= 5 V
C
L
= 1 nF的,V
S
= 6 V ,R
S
= 0
房间
房间
房间
房间
180
180
120
5
pC
ns
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C,完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
g.
Δr
DS ( ON)
= r
DS ( ON)
马克斯 - R的
DS ( ON)
分钟。
小时。最坏的情况发生隔离的4通道由于靠近漏极引脚。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
4
文档编号: 70062
S- 71155 -REV 。 G, 11军, 07
DG408/409
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
80
V+ = 15 V
V- = - 15 V
40
60
C
D(上)
20
(C S) ,D (PF )
I D (PA )
C
D(关闭)
40
DG409我
D(关闭)
DG409我
D(上)
0
DG408我
D(关闭)
60
V
S
= 0 V ,因为我
D(关闭)
V
S
= V
D
对于我
D(上)
- 20
20
C
S( OFF)
- 40
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
类似物
- 模拟电压( V)
- 60
0
2
6
8
10
V
类似物
- 模拟V oltage ( V)
4
12
DG408我
D(上)
源极/漏极电容与模拟电压
漏极漏电流与源极/漏极电压
(单12 V电源)
20
15
V+ = 15 V
V- = - 15 V
100
60
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
S
= -V
D
对于我
D(关闭)
V
D
= V
S(开)
对于我
D(上)
DG409我
D(关闭)
I
S( OFF)
( PA )
DG409我
D(上)
DG408我
D(上)
, I
D(关闭)
20
I D (PA )
10
- 20
5
- 60
0
V+ = 12 V
V- = 0 V
- 100
-5
- 140
- 15
- 10
- 10
-5
0
5
10
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
15
- 15
- 10
-5
5
0
V
S
- 源极电压( V)
10
15
漏极漏电流与源/ DrainVoltage
源漏电流与电压源
2.0
- 100毫安
V
供应
= ± 15 V
- 10毫安
1.5
- 1毫安
V TH ( V)
V
EN
= 2.4 V
1.0
I-
- 100 A
- 10 A
0.5
- 1 A
V
EN
= 0 V或5 V
0.0
4
8
12
+V
供应
(V)
16
20
- 0.1 A
100
1k
10 k
100 k
1M
10 M
开关频率(Hz )
输入开关阈值与电源电压
负电流和开关频率
文档编号: 70062
S- 71155 -REV 。 G, 11军, 07
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5
19-4725 ;转4 ; 9/08
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
_______________General说明
Maxim的重新设计的DG408和DG409 CMOS模拟
现在多路复用器之间的功能匹配保证
通道( 8Ω max)和平整度超过规定的显
纳尔范围( 9Ω最大值)。这些低导通电阻复用器
( 100Ω最大)在任一方向进行同样好和
功能保证低电荷注入( 15PC最大值) 。在
此外,这些新的多路复用器提供低输入关断漏
电流过温度低于消耗5nA在+ 85 ℃。
的DG408是一个1 - 8多路转换器/多路分解器和
该DG409是双4通道多路复用器/ demultiplex-
呃。这两个多路复用器与+ 5V至+ 30V的单电源操作
帘布层和± 5V至±20V双电源供电。 ESD保护
保证不是每个方法2000V是更大
3015.7 MIL -STD- 883 。这些改进都是复用器
引脚兼容的插件,升级为行业标
准DG408和DG409 。
____________________________Features
引脚兼容的插件升级为
行业标准DG408 / DG409
通道间匹配保证, 8Ω最大
保证导通电阻平坦度, 9Ω最大
保证低电荷注入, 15PC最大
低导通电阻,最大100Ω
输入泄漏,消耗5nA最大为+ 85°C
低功耗, 1.25MW最大
轨至轨信号处理
数字输入控制TTL / CMOS兼容
每个方法3015.7 ESD保护>2000V
DG408/DG409
应用
采样保持电路
测试设备
制导与控制系统
通信系统
数据采集系统
音频信号路由
部分
DG408CUE
DG408CJ
DG408CY
DG408C/D
DG408EUE
DG408DJ
DG408DY
订购信息
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
16 TSSOP
16塑料DIP
16窄SO
骰子*
16 TSSOP
16塑料DIP
16窄SO
订购信息不断在数据表的末尾。
*联系方式
工厂骰子规格。
**联系
工厂的可用性和处理,以MIL- STD-883标准。
销刀豆网络gurations
V+
功能图
V-
GND
顶视图
S1
A0 1
EN 2
V- 3
S1 4
S2
5
S3
6
S4
7
D
8
16 A1
15 A2
14 GND
S2
S3
S4
D
S5
S6
S7
S8
解码器/驱动器
DG408
13 V+
12
S5
11
S6
10
S7
9
S8
DIP / SO / TSSOP
DG409在数据表的末尾。
A0
A1
A2
EN
DG408 1 - 8复用器/解复用器
DG409在数据表的末尾。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
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或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
DG408/DG409
绝对最大额定值
电压参考V-
V+ ............................................................................-0.3V, 44V
GND ................................................. ........................- 0.3V , 25V
数字输入, S, D(注1 ) .................... ( V- - 2V )至(v + + 2V )或
30mA时(以先到者为准)
连续电流(任何终端) ...................................... 30毫安
峰值电流, S,D
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大) ..........................百毫安
连续功率耗散(T
A
= +70°C)
TSSOP (减免9.4mW / ° C以上+ 70 ° C) .................... 755mW
塑料DIP (减免10.53mW / ° C以上+ 70 ° C) .......... 842mW
窄SO (减免8.70mW / ° C以上+ 70 ° C) ............ 696mW
CERDIP (减免10.00mW / ° C以上+ 70 ° C) ............... 800mW的
工作温度范围
DG408 / DG409C_ ............................................... 0.0 ° C至+ 70°C
DG408 / DG409D , E_ .........................................- 40℃至+ 85°C
DG408 / DG409AK ..........................................- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ............................. + 300℃
注1 :
上S_ , D_ ,EN, A0,A1或A2的信号超过V +或V-被内部二极管钳位。限制正向电流
最大额定电流。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性,双电源
(V + = 15V ,V = -15V , GND = 0V ,V
AH
= +2.4V, V
AL
= + 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
导通电阻匹配
通道之间
导通电阻平坦度
源关闭时泄漏电流
(注5 )
V
类似物
r
DS ( ON)
Δr
DS ( ON)
r
(注3)
I
S
= -1.0mA ,
V
D
= ±10V
I
S
= -1.0mA ,
V
D
= ± 10V (注4 )
I
S
= -1.0mA ,
V
D
= ± 5V或0V
V
D
= +10V,
V
S
= ±10V,
V
EN
= 0V
V
D
= ±10V,
V
S
= +10V,
V
EN
= 0V
I
D(关闭)
V
D
= +10V,
V
S
= ±10V,
V
EN
= 0V
DG409
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
DG408
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
漏极泄漏电流
(注5 )
V
D
= ±10V,
V
S
= ±10V,
顺序
每个开关
on
DG408
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
DG409
T
A
= T
给T
最大
C,D
A
C,D
A
C,D
A
C,D
A
C,D
A
-0.5
-5
-50
-1
-10
-100
-1
-5
-50
-1
-20
-100
-1
-10
-50
0.02
0.02
0.02
0.02
0.01
1.8
1.5
-15
60
15
100
125
8
10
9
12
0.5
5
50
1
10
100
1
5
50
1
20
100
1
10
50
nA
nA
nA
V
Ω
Ω
Ω
符号
条件
典型值
最大
(注2 )
单位
I
S( OFF)
汲极关漏电流
(注5 )
I
D(上)
2
_______________________________________________________________________________________
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
电气特性,双电源(续)
(V + = 15V ,V = -15V , GND = 0V ,V
AH
= +2.4V, V
AL
= + 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
供应
电源电压范围
V
EN
= V
A
= 0V或4.5V
正电源电流
I+
V
EN
= 2.4V,
V
A( ALL)
= 0V或2.4V
V
EN
= 2.4V,
V
A( ALL)
= 0V或2.4V
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
I
AH
I
AL
V
A
= 2.4V或15V
V
EN
= 0V或2.4V ,
V
A
= 0V
-1.0
-1.0
1.0
1.0
A
A
符号
条件
典型值
最大
(注2 )
单位
DG408/DG409
±5
16
0.075
-1
-10
85
10
40
85
负电源电流
动态
转换时间
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
(注3)
关断隔离
(注6 )
I-
±20
30
75
0.5
2
1
10
175
250
150
225
150
300
15
V
A
mA
A
t
TRANS
t
开放
t
ON ( EN )
t
OFF ( EN )
图2
图4
科幻gure 3
科幻gure 3
C
L
= 1.0nF ,
V
S
= 0V,
R
S
= 0Ω ,图5中
V
EN
= 0V,
R
L
= 1kΩ,
F = 100kHz时,图6
V
EN
= 2.4V,
F = 100kHz时,
V
= 1V
P-P
,
R
L
= 1kΩ的,图7中
F = 1MHz的
F = 1MHz时,
V
EN
= V
S
= 0V,
图8
F = 1MHz时,
V
EN
= 0.8V
V
D
= 0V,
图8
F = 1MHz时,
V
EN
= 2.4V
V
D
= 0V,
图8
DG408
ns
ns
ns
ns
Q
2
pC
V
ISO
T
A
= +25°C
-75
dB
输入端之间串音
频道
逻辑输入电容
源关断电容
V
CT
C
IN
C
S( OFF)
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
-92
dB
8
3
26
pF
pF
汲极关断电容
C
D(关闭)
T
A
= +25°C
DG409
DG408
T
A
= +25°C
DG409
25
14
37
pF
汲极导通电容
C
D(上)
+
C
秒(上)
pF
_______________________________________________________________________________________
3
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
DG408/DG409
电气特性,单电源
(V + = 12V ,V = 0V , GND = 0V ,V
AH
= +2.4V, V
AL
= + 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
开关
模拟信号范围
漏源导通电阻
动态
转换时间
(注3)
t
TRANS
V
S1
= 8V,
V
S8
= 0V,
V
A
= 0V,
图2
V
AL
= 0V,
V
S1
= 5V,
科幻gure 3
V
AL
= 0V,
V
S1
= 5V,
科幻gure 3
C
L
= 1.0nF ,
V
S
= 0V,
R
S
= 0Ω
T
A
= +25°C
115
450
ns
V
类似物
r
DS ( ON)
(注3)
I
S
= -1.0mA
V
D
= 3V或10V
T
A
= +25°C
0
120
12
175
V
Ω
符号
条件
典型值
最大
(注2 )
单位
启用开启时间
(注3)
t
ON ( EN )
T
A
= +25°C
100
600
ns
启用关闭时间
(注3)
t
OFF ( EN )
T
A
= +25°C
75
300
ns
电荷注入
Q
T
A
= +25°C
2
pC
注2 :
其中最负的值是最小值和最正值的最大值被用在代数公约
此数据表。
注3 :
通过设计保证。
注4 :
ΔR
ON
= R
开( MAX)的
- R
ON(MIN ) 。
导通电阻与指定的信道和平整度之间的比赛只能保证
电压。如在测量平面度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
所规定的模拟信号范围的极限。
注5 :
泄漏参数100% + 25°C测试在最大额定热的温度和保障的相关性。
注6 :
关断隔离= 20log V
D
/V
S
其中V
D
=输出和V
S
=输入到开关。
4
_______________________________________________________________________________________
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
__________________________________________Typical工作特性
(T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
DG408/DG409
导通电阻与V
D
(双电源)
DG408 / 9 TOC- 01
导通电阻与V
D
温度(双电源)
DG408 / 9 TOC -02
导通电阻与V
D
(单电源)
360
320
DG408 / 9 TOC -03
160
140
120
r
DS ( ON)
(Ω)
100
80
60
40
20
0
-20
-15
-10
-5
0
V
D
(V)
5
10
15
±15V
±20V
±5V
±10V
120
100
80
r
DS ( ON)
(Ω)
60
40
20
0
400
V+ = 15V
V- = -15V
+125°C
+85°C
+25°C
-55°C
r
DS ( ON)
(Ω)
280
5V
240
200
160
120
80
40
10V
15V
20V
0
5
10
V
D
(V)
15
20
20
-15
-10
-5
0
V
D
(V)
5
10
15
导通电阻与V
D
温度(单电源)
DG408 / 9 TOC -04
关闭泄漏与温度
DG408 / 9 TOC -05
漏电与温度
V+ = 15V
V- = -15V
DG408 / 9 TOC -05
160
140
120
r
DS ( ON)
(Ω)
100
80
60
40
20
0
0
V+ = 15V
V- = 0V
+125°C
1000
100
关闭泄漏( NA)
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
I
COM (ON)的
V+ = 15V
V- = -15V
1000
100
渗漏( NA)
10
1
0.1
0.01
I
COM (ON)的
0.001
0.0001
+85°C
+25°C
-55°C
I
编号为(OFF)的
5
V
D
(V)
10
15
-55 -35 -15
5
25 45
65
85 105 125
-55 -35 -15
5
25 45
65
85 105 125
温度(℃)
温度(℃)
电荷注入与V
D
DG408 / 9 TOC -07
电源电流与温度的关系
I+
10
DG408 / 9 TOC -08
30
20
10
Q
j
(PC)的
0
-10
-20
-30
-15
-10
-5
0
V
D
(V)
5
10
15
V+ = 12V
V- = 0V
V+ = 15V
V- = -15V
100
I + , I- ( μA )
1
0.1
I-
0.01
V+ = 15V
V- = -15V
V
EN
= V
A
= 0V, 4.5V
-55 -35 -15
5
25 45
65
85 105 125
0.001
温度(℃)
_______________________________________________________________________________________
5
DG408 , DG409
数据表
1999年6月
网络文件编号
3283.5
单8通道/差分4通道,
CMOS模拟多路复用器
该DG408单8通道,和DG409差
4通道单片CMOS模拟多路复用器下拉列表中
替代流行的DG508A及DG509A系列
设备。它们各自包括的八个模拟阵列
开关, TTL / CMOS兼容的数字解码电路进行
频道选择,逻辑阈值电压基准
和一个使能输入设备选择时数
多路复用器都存在。
该DG408和DG409拥有导通电阻较低的信号
( <100Ω )和更快的开关转换时间(t
TRANS
<为250ns )
相比于DG508A或DG509A 。电荷注入有
减少,简化采样保持应用程序。该
改进的DG408系列是由成为可能
使用高电压硅栅工艺。外延层
防止与年龄较大的CMOS关联的闩锁
技术。电源可以是单端的+ 5V
至+ 34V ,或分裂
±5V
to
±20V.
模拟开关双边,难分伯仲交流或
双向信号。导通电阻变化与
模拟信号是相当低的过
±5V
模拟输入范围。
特点
导通电阻(最大值, 25
o
C). . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
低功耗(P
D
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <11mW
快速开关动作
- t
TRANS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <250ns
- t
开/关(EN)
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <150ns
低电荷注入
从DG508A / DG509A升级
TTL , CMOS兼容
单或分离电源操作
应用
数据采集系统
音频交换系统
自动测试仪
高可靠性系统
采样和保持电路
通讯系统
模拟选择开关
引脚配置
DG408 ( PDIP , SOIC )
顶视图
订购信息
部分
DG408DJ
DG408DY
DG409DJ
DG409DY
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
PKG 。号
E16.3
M16.15
E16.3
M16.15
A
0
1
EN 2
V- 3
S
1
4
S
2
5
S
3
6
S
4
7
D 8
16 A
1
15 A
2
14 GND
13 V+
12 S
5
11 S
6
10 S
7
9 S
8
DG409 ( PDIP , SOIC )
顶视图
A
0
1
EN 2
V- 3
S
1A
4
S
2A
5
S
3A
6
S
4A
7
D
A
8
16 A
1
15 GND
14 V+
13 S
1B
12 S
2B
11 S
3B
10 S
4B
9 D
B
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
DG408 , DG409
功能方框图
DG408
DG409
S
1
D
S
1A
D
A
S
2
解码器/
司机
S
4A
S
1B
解码器/
司机
D
B
S
8
S
4B
5V
REF
水平
5V
REF
水平
数字
输入
保护
数字
输入
保护
A
0
A
1
A
2
EN
A
0
A
1
EN
真值表DG408
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
5
6
7
8
A
1
X
0
0
1
1
注意事项:
A
0
X
0
1
0
1
真值表DG409
EN
0
1
1
1
1
ON开关
1
2
3
4
1. V
AH
逻辑“1”的
≥2.4V.
2. V
AL
逻辑“0”的
≤0.8V.
2
DG408 , DG409
引脚说明 - ( DG408 )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
S
8
S
7
S
6
S
5
V+
GND
A
2
A
1
描述
逻辑解码输入(位0 , LSB )
使能输入
负电源端
来源(输入)通道1
源(输入)通道2的
来源(输入)通道3
来源(输入)通道4
漏极(输出)
来源(输入)通道8
来源(输入)通道7
来源(输入)通道6
来源(输入)通道5
正电源端(基板)
接地端子(逻辑公用)
逻辑解码输入(第2位, MSB )
逻辑解码输入( 1位)
引脚说明 - ( DG409 )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
A
0
EN
V-
S
1A
S
2A
S
3A
S
4A
D
A
D
B
S
4B
S
3B
S
2B
S
1B
V+
GND
A
1
描述
逻辑解码输入(位0 , LSB )
使能输入
负电源端
来源(输入)通道1A
来源(输入)通道2A
源(输入)通道3A
来源(输入)通道4A
漏极(输出A )
漏B(输出B )
源(输入)通道4B
来源(输入)通道3B
来源(输入)通道2B
来源(输入)通道1B
正电源端
接地端子(逻辑公用)
逻辑解码输入(第1位, MSB )
3
DG408 , DG409
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44.0V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .25V
数字输入,V
S
, V
D
(注3) 。 。 。 。 。 ( V-) -2V至(V + ) + 2V或20mA时,
以先到为准科幻RST
连续电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流, S或D(脉冲为1ms , 10 %占空比最大) 。 。百毫安
热信息
热电阻(典型,注4 )
θ
JA
(
o
C / W )
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至125
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
在S 3的信号
X
, D
X
, EN或A
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限制二极管电流最大额定电流。
4.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
动态特性
过渡时间,t
TRANS
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
AL
= 0.8V, V
AH
= 2.4V ,除非另有规定编
测试条件
温度(
o
C)
(注5 )
(注6 )
典型值
(注5 )
最大
单位
(参见图1)
(参见图3)
(参见图2)
25
25
-
10
-
-
-
-
-
-
-
160
-
115
-
105
20
-75
8
3
250
-
150
225
150
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pC
dB
pF
pF
先开后合作间隔,T
开放
使导通时间,t
ON ( EN )
开启关闭时间,t
OFF ( EN )
电荷注入,Q
关断隔离
逻辑输入电容,C
IN
源关断电容,C
S( OFF)
流掉电容,C
D(关闭)
DG408
DG409
漏导通电容,C
D(上)
DG408
DG409
数字输入特性
逻辑输入电流,
输入电压高,我
AH
逻辑输入电流,
输入电压低,我
AL
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏极 - 源极导通电阻,
r
DS ( ON)
r
DS ( ON)
匹配的通道间,
r
DS ( ON)
来源OFF漏电流,I
S( OFF)
(参见图2)
C
L
= 10nF电容,V
S
= 0V
V
EN
= 0V ,R
L
= 1k,
F = 100kHz的(注9 )
F = 1MHz的
V
EN
= 0V, V
S
= 0V,
F = 1MHz的
V
EN
= 0V, V
D
= 0V,
F = 1MHz的
25
25
25
25
25
25
-
-
-
-
26
14
37
25
-
-
-
-
pF
pF
pF
pF
A
A
V
EN
= 3V, V
D
= 0V,
F = 1MHz时, V
A
= 0V或3V
25
25
V
A
= 2.4V, 15V
V
EN
= 0V, 2.4V,
V
A
= 0V
-10
-10
-
-
10
10
V
D
=
±10V,
I
S
= -10mA
(注7 )
V
D
= 10V , -10V (注8 )
V
EN
= 0V, V
S
=
±10V,
V
D
= +10V
25
25
25
-15
-
-
-
-0.5
-5
-
40
-
-
-
-
15
100
125
15
0.5
5
V
nA
nA
4
DG408 , DG409
电气连接特定的阳离子
参数
流掉泄漏电流,I
D(关闭)
DG408
测试条件: V + = + 15V ,V = -15V ,V
AL
= 0.8V, V
AH
= 2.4V ,除非另有规定编
(续)
测试条件
V
EN
= 0V, V
D
=
±10V,
V
S
= +10V
温度(
o
C)
25
DG409
V
S
= V
D
=
±10V
(注7 )
25
DG409
25
电源特性
正电源电流, I +
负电源电流,I-
正电源电流, I +
V
EN
= 2.4V, V
A
= 0V
(启用)
V
EN
= 0V, V
A
= 0V (待机)
25
-
-75
-
-
-500
10
1
0.2
-
-
75
-
0.5
2
-
A
A
mA
mA
A
-1
-20
-1
-10
-
-
-
-
1
20
1
10
nA
nA
nA
nA
25
漏极泄漏电流,我
D(上)
DG408
(注5 )
-1
-20
-1
-10
(注6 )
典型值
-
-
-
-
(注5 )
最大
1
20
1
10
单位
nA
nA
nA
nA
负电源电流,I-
电气连接特定的阳离子
单电源测试条件: V + = 12V ,V = 0V ,V
AL
= 0.8V, V
AH
= 2.4V,
除非另有规定编
TEST
条件
温度(
o
C)
(注5 )
(注6 )
典型值
(注5 )
最大
单位
参数
动态特性
多路开关的时间,t
TRANS
使导通时间,t
ON ( EN )
开启关闭时间,t
OFF ( EN )
电荷注入,Q
V
S1
= 8V, V
S8
= 0V, V
IN
= 2.4V
V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0V,
V
S1
= 5V
C
L
= 10nF电容,V
= 0V,
R
= 0
25
25
25
25
-
-
-
-
180
180
120
5
-
-
-
-
ns
ns
ns
pC
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏源导通电阻,
r
DS ( ON)
注意事项:
5.代数惯例,由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
6.典型值是辅助设计参考,不保证也不生产测试。
7.每个序列开关。
8.
r
DS ( ON)
= r
DS ( ON)
(最大值) - R的
DS ( ON)
(最小值) 。
9.最糟糕的情况下,隔离发生在通道4由于靠近漏极引脚。
V
D
= 3V , 10V ,我
S
= -1mA
(注7 )
25
0
-
-
90
12
-
V
5
19-4725 ;第2版; 6/99
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
_______________General说明
Maxim的重新设计的DG408和DG409 CMOS模拟
现在多路复用器之间的功能匹配保证
通道( 8Ω max)和平整度超过规定的显
纳尔范围( 9Ω最大值)。这些低导通电阻复用器
( 100Ω最大)在任一方向进行同样好和
功能保证低电荷注入( 15PC最大值) 。在
此外,这些新的多路复用器提供低输入关断漏
电流过温度低于消耗5nA在+ 85 ℃。
的DG408是一个1 - 8多路转换器/多路分解器和
该DG409是双4通道多路复用器/ demultiplex-
呃。这两个多路复用器工作于+ 4.5V至+ 30V单
电源和± 4.5V至±20V双电源供电。 ESD亲
tection保证是大于2000V每
方法MIL - STD-883标准的3015.7 。这些改进
多路复用器是引脚兼容的插件升级为
行业标准的DG408和DG409 。
____________________________Features
o
引脚兼容的插件升级为
行业标准DG408 / DG409
o
通道间匹配保证, 8Ω最大
o
保证导通电阻平坦度, 9Ω最大
o
保证低电荷注入, 15PC最大
o
低导通电阻,最大100Ω
o
输入泄漏,消耗5nA最大为+ 85°C
o
低功耗, 1.25MW最大
o
轨至轨信号处理
o
数字输入控制TTL / CMOS兼容
o
每个方法3015.7 ESD保护>2000V
DG408/DG409
________________________Applications
采样保持电路
测试设备
制导与控制系统
通信系统
数据采集系统
音频信号路由
______________Ordering信息
部分
DG408CJ
DG408CY
DG408C/D
DG408DJ
DG408DY
DG408DK
DG408AK
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
PIN- PACKAGE
16塑料DIP
16窄SO
骰子*
16塑料DIP
16窄SO
16 CERDIP
16 CERDIP **
订购信息不断在数据表的末尾。
*联系工厂骰子规格。
**联系工厂。
_________________Pin配置
顶视图
_______________Functional图
V+
S1
V-
GND
A0
1
EN
2
V-
3
S1
4
S2
5
S3
6
S4
7
D
8
16
A1
15
A2
14
GND
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
解码器/驱动器
D
DG408
13
V+
12
S5
11
S6
10
S7
9
S8
DIP / SO
DG409在数据表的末尾。
A0
A1
A2
EN
DG408 1 - 8复用器/解复用器
DG409在数据表的末尾。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
免费样品&最新文献: http://www.maxim-ic.com ,或电话1-800-998-8800 。
对于小批量订货,电话1-800-835-8769 。
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
DG408/DG409
绝对最大额定值
电压参考V-
V+ ............................................................................-0.3V, 44V
GND ................................................. ........................- 0.3V , 25V
数字输入, S, D(注1 ) .................... ( V- - 2V )至(v + + 2V )或
30mA时(以先到者为准)
连续电流(任何终端) ...................................... 30毫安
峰值电流, S,D
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比最大) ..........................百毫安
连续功率耗散(T
A
= +70°C)
塑料DIP (减免10.53mW / ° C以上+ 70 ° C) .......... 842mW
窄SO (减免8.70mW / ° C以上+ 70 ° C) ............ 696mW
CERDIP (减免10.00mW / ° C以上+ 70 ° C) ............... 800mW的
工作温度范围
DG408 / DG409C_ ............................................... 0.0 ° C至+ 70°C
DG408 / DG409D _.............................................- 40 ° C至+ 85°C
DG408 / DG409AK ..........................................- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ............................. + 300℃
注1 :
上S_ , D_ ,EN, A0,A1或A2的信号超过V +或V-被内部二极管钳位。限制正向电流
最大额定电流。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性,双电源
(V + = 15V ,V = -15V , GND = 0V ,V
AH
= +2.4V, V
AL
= + 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
导通电阻匹配
通道之间
导通电阻平坦度
源关闭时泄漏电流
(注5 )
V
类似物
r
DS ( ON)
r
DS ( ON)
r
(注3)
I
S
= -1.0mA ,
V
D
= ±10V
I
S
= -1.0mA ,
V
D
= ± 10V (注4 )
I
S
= -1.0mA ,
V
D
= ± 5V或0V
V
D
= +10V,
V
S
= ±10V,
V
EN
= 0V
V
D
= ±10V,
V
S
= +10V,
V
EN
= 0V
I
D(关闭)
V
D
= +10V,
V
S
= ±10V,
V
EN
= 0V
DG409
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
DG408
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
漏极泄漏电流
(注5 )
V
D
= ±10V,
V
S
= ±10V,
顺序
每个开关
on
DG408
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
DG409
T
A
= T
给T
最大
C,D
A
C,D
A
C,D
A
C,D
A
C,D
A
-0.5
-5
-50
-1
-10
-100
-1
-5
-50
-1
-20
-100
-1
-10
-50
0.02
0.02
0.02
0.02
0.01
1.8
1.5
-15
60
15
100
125
8
10
9
12
0.5
5
50
1
10
100
1
5
50
1
20
100
1
10
50
nA
nA
nA
V
符号
条件
典型值
最大
(注2 )
单位
I
S( OFF)
汲极关漏电流
(注5 )
I
D(上)
2
_______________________________________________________________________________________
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
电气特性,双电源(续)
(V + = 15V ,V = -15V , GND = 0V ,V
AH
= +2.4V, V
AL
= + 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
供应
电源电压范围
V
EN
= V
A
= 0V或4.5V
正电源电流
I+
V
EN
= 2.4V,
V
A( ALL)
= 0V或2.4V
V
EN
= 2.4V,
V
A( ALL)
= 0V或2.4V
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
I
AH
I
AL
V
A
= 2.4V或15V
V
EN
= 0V或2.4V ,
V
A
= 0V
-1.0
-1.0
1.0
1.0
A
A
符号
条件
典型值
最大
(注2 )
单位
DG408/DG409
±4.5
16
0.075
-1
-10
85
10
40
85
负电源电流
动态
转换时间
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
(注3)
关断隔离
(注6 )
I-
±20
30
75
0.5
2
1
10
175
250
150
225
150
300
15
V
A
mA
A
t
TRANS
t
开放
t
ON ( EN )
t
OFF ( EN )
图2
图4
科幻gure 3
科幻gure 3
C
L
= 1.0nF ,
V
S
= 0V,
R
S
= 0Ω ,图5中
V
EN
= 0V,
R
L
= 1k,
F = 100kHz时,图6
V
EN
= 2.4V,
F = 100kHz时,
V
= 1V
P-P
,
R
L
= 1kΩ的,图7中
F = 1MHz的
F = 1MHz时,
V
EN
= V
S
= 0V,
图8
F = 1MHz时,
V
EN
= 0.8V
V
D
= 0V,
图8
F = 1MHz时,
V
EN
= 2.4V
V
D
= 0V,
图8
DG408
ns
ns
ns
ns
Q
2
pC
V
ISO
T
A
= +25°C
-75
dB
输入端之间串音
频道
逻辑输入电容
源关断电容
V
CT
C
IN
C
S( OFF)
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
-92
dB
8
3
26
pF
pF
汲极关断电容
C
D(关闭)
T
A
= +25°C
DG409
DG408
T
A
= +25°C
DG409
25
14
37
pF
汲极导通电容
C
D(上)
+
C
秒(上)
pF
_______________________________________________________________________________________
3
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
DG408/DG409
电气特性,单电源
(V + = 12V ,V = 0V , GND = 0V ,V
AH
= +2.4V, V
AL
= + 0.8V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
开关
模拟信号范围
漏源导通电阻
动态
转换时间
(注3)
t
TRANS
V
S1
= 8V,
V
S8
= 0V,
V
A
= 0V,
图2
V
AL
= 0V,
V
S1
= 5V,
科幻gure 3
V
AL
= 0V,
V
S1
= 5V,
科幻gure 3
C
L
= 1.0nF ,
V
S
= 0V,
R
S
= 0
T
A
= +25°C
115
450
ns
V
类似物
r
DS ( ON)
(注3)
I
S
= -1.0mA
V
D
= 3V或10V
T
A
= +25°C
0
120
12
175
V
符号
条件
典型值
最大
(注2 )
单位
启用开启时间
(注3)
t
ON ( EN )
T
A
= +25°C
100
600
ns
启用关闭时间
(注3)
t
OFF ( EN )
T
A
= +25°C
75
300
ns
电荷注入
Q
T
A
= +25°C
2
pC
注2 :
其中最负的值是最小值和最正值的最大值被用在代数公约
此数据表。
注3 :
通过设计保证。
注4 :
R
ON
= R
开( MAX)的
- R
ON(MIN ) 。
导通电阻与指定的信道和平整度之间的比赛只能保证
电压。如在测量平面度被定义为导通电阻的最大值和最小值之间的差
所规定的模拟信号范围的极限。
注5 :
泄漏参数100% + 25°C测试在最大额定热的温度和保障的相关性。
注6 :
关断隔离= 20log V
D
/V
S
其中V
D
=输出和V
S
=输入到开关。
4
_______________________________________________________________________________________
改善, 8通道/双4通道,
CMOS模拟多路复用器
__________________________________________Typical工作特性
(T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
DG408/DG409
导通电阻与V
D
(双电源)
DG408 / 9 TOC- 01
导通电阻与V
D
温度(双电源)
V+ = 15V
V- = -15V
DG408 / 9 TOC -02
导通电阻与V
D
(单电源)
360
320
DG408 / 9 TOC -03
160
140
±5V
120
r
DS ( ON)
()
100
80
60
40
20
0
-20
-15 -10
-5
0
V
D
(V)
5
10
15
±15V
±20V
±10V
120
100
80
r
DS ( ON)
()
60
40
20
0
400
+125°C
+85°C
+25°C
-55°C
r
DS ( ON)
()
280
5V
240
200
160
120
80
40
10V
15V
20V
0
5
10
V
D
(V)
15
20
20
-15
-10
-5
0
V
D
(V)
5
10
15
导通电阻与V
D
温度(单电源)
DG408 / 9 TOC -04
关闭泄漏与温度
DG408 / 9 TOC -05
漏电与温度
V+ = 15V
V- = -15V
DG408 / 9 TOC -05
160
140
120
r
DS ( ON)
()
100
80
60
40
20
0
0
1000
100
关闭泄漏( NA)
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
I
COM (ON)的
V+ = 15V
V- = -15V
V+ = 15V
V- = 0V
+125°C
+85°C
+25°C
-55°C
1000
100
渗漏( NA)
10
1
0.1
0.01
I
COM (ON)的
0.001
0.0001
-55 -35 -15
5
25 45
65
I
编号为(OFF)的
5
V
D
(V)
10
15
-55 -35 -15
5
25 45
65
85 105 125
85 105 125
温度(℃)
温度(℃)
电荷注入与V
D
DG408 / 9 TOC -07
电源电流与温度的关系
I+
10
DG408 / 9 TOC -08
30
20
10
Q
j
(PC)的
0
-10
-20
-30
-15
-10
-5
0
V
D
(V)
5
10
V+ = 12V
V- = 0V
V+ = 15V
V- = -15V
100
I + , I- ( μA )
1
0.1
I-
0.01
V+ = 15V
V- = -15V
V
EN
= V
A
= 0V, 4.5V
-55 -35 -15
5
25 45
65
85 105 125
0.001
15
温度(℃)
_______________________________________________________________________________________
5
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