DG401 ， DG403 ， DG405
Vishay Siliconix公司
低功耗，高速CMOS模拟开关
描述
该DG401 ， DG403 ， DG405单片模拟开关
旨在提供高精度，高性能
模拟信号的切换。结合低功耗（ 0.35 μW ，
典型值） ，高速（T
ON
： 75纳秒，典型值） ，该DG401系列
非常适合便携式及电池供电的工业和
军事应用。
建在日前，Vishay Siliconix公司专有的高压
硅栅工艺达到高额定电压和
优越的开关开/关的表现，突破前先为
保证了SPDT配置。外延层
防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并阻止高达30 V峰至峰时关闭。导通
阻力都非常平坦，充分± 15 V的模拟范围，
JFET相媲美的性能没有内在动力
范围的限制。
在本系列的三款器件是由分化型
的切换动作，如图中的功能框图。
特点
44 V电源最大。等级
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS
（上） ： 30
Ω
低漏 - 我
D（上）
： 40 pA的
快速切换 - 吨
ON
： 75纳秒
超低功耗的要求 - P
D
: 0.35 W
TTL ， CMOS兼容
单电源供电能力
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
宽动态范围
先开后合式开关动作
简单的接口
应用
音频和视频切换
采样保持电路
电池操作
测试设备
通信系统
PBX ， PABX
功能框图及引脚配置
DG401
双列直插式和SOIC
NC
D
1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
S
1
IN
1
V-
GND
V
L
V+
IN
2
S
2
NC
NC
NC
NC
NC
4
5
6
7
8
9
NC
10
关键
3
DG401
LCC
D
1
2
NC
1
S
1
20
IN
1
19
18
17
16
15
14
11
NC
12
S
2
13
IN
2
V-
GND
NC
V
L
V+
每包两个单刀单掷开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
开关
关闭
ON
D
2
顶视图
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70049
S09-2561 -REV 。我， 11月30日 - 09
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1
DG401 ， DG403 ， DG405
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG403
双列直插式和SOIC
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16 S
1
15
14
13
12
11
10
9
IN
1
V-
GND
V
L
V+
IN
2
S
2
S
4
D
4
S
3
NC
关键
4
5
6
7
8
9
10
DG403
LCC
NC
1
NC
3
2
1
S
1
20
IN
1
19
18
17
16
15
14
11
12
S
2
13
IN
2
V-
GND
NC
V
L
V+
D
3
每包两个SPDT开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
SW
1
， SW
2
关闭
ON
SW
3
， SW
4
ON
关闭
NC
2
NC
顶视图
DG405
双列直插式和SOIC
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
16 S
1
15
14
13
12
11
10
9
IN
1
V-
GND
V
L
V+
IN
2
S
2
D
3
S
3
NC
S
4
D
4
4
5
6
7
8
9
10
关键
3
2
DG405
LCC
NC
1
NC
1
S
1
20
IN
1
19
18
17
16
15
14
11
12
S
2
13
IN
2
V-
GND
NC
V
L
V+
两个DPST每包交换机
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
开关
关闭
ON
NC
2
NC
顶视图
顶视图
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2
文档编号： 70049
S09-2561 -REV 。我， 11月30日 - 09
DG401 ， DG403 ， DG405
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
DG401
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
DG403
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
DG405
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
16引脚窄体SOIC
DG405DJ
DG405DJ-E3
DG405DY
DG405DY-E3
DG405DY-T1
DG405DY-T1-E3
DG403DJ
DG403DJ-E3
DG403DY
DG403DY-E3
DG403DY-T1
DG403DY-T1-E3
DG401DJ
DG401DJ-E3
DG401DY
DG401DY-T1
DG401DY-E3
DG401DY-T1-E3
包
产品型号
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
数字输入
a
, V
S
, V
D
电流（任何终端）连续
目前， S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
（ DJ ， DY后缀）
16引脚塑料DIP
c
16引脚SOIC
d
极限
44
25
（GND - 0.3 ）至（V +） + 0.3
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 125
450
600
mW
mA
°C
V
单位
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
文档编号： 70049
S09-2561 -REV 。我， 11月30日 - 09
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DG401 ， DG403 ， DG405
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
Δ
漏源
导通电阻
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
时间延迟（ DG403 ）
电荷注入
关断隔离拒绝率
通道到通道的串扰
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.01
- 0.01
0.01
- 0.01
-1
-5
-1
-5
1
5
1
5
A
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D
, C
秒（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
见图2
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
- 10 nF的
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 100
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
75
30
35
60
72
90
12
12
39
pF
5
pC
dB
150
100
ns
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
满
满
0.005
0.005
-1
-1
1
A
1
I
D（上）
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
10 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
5 V, 0 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
满
房间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
30
3
- 0.01
- 0.01
- 0.04
- 0.5
-5
- 0.5
-5
-1
- 10
典型值。
c
后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
45
55
3
5
0.5
5
0.5
5
1
10
单位
V
Ω
nA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 70049
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DG401 ， DG403 ， DG405
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
7
6
5
V
TH
(V)
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V+ = 15 V
V- = -15 V
SW1 ， 2
2.5
V
L
= 7 V
SW3 ， 4
2
1.5
1
0.5
0
5
10
15
20
(V+)
25
30
35
V
L
- 逻辑电源（ V）
V
L
= 5 V
3.5
3
V
T
(V)
输入开关阈值与逻辑电源电压
50
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
- 15
- 40 °C
85 °C
25 °C
0 °C
V+ = 15 V, V- = - 15 V
VL = 5 V
60
输入开关阈值与电源电压
T
A
= 25 °C
50
±6V
40
± 10 V
± 12 V
± 15 V
± 20 V
30
± 22 V
20
10
- 10
-5
0
5
10
15
- 25
- 15
-5
5
15
26
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
100
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
T
A
= 25 °C
90
7.5 V
80
70
Q（ PC）
60
50
15 V
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
V
D
- 漏极电压（ V）
20 V
22 V
- 10
- 20
- 30
- 15
10 V
12 V
20
10
0
50
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
C
L
- 10 nF的
40
30
1 nF的
100 pF的
- 10
-5
0
5
10
15
V
S
- 源极电压（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压（V- = 0 V）
电荷注入与模拟电压
文档编号： 70049
S09-2561 -REV 。我， 11月30日 - 09
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