DG401B/403B/405B
新产品
Vishay Siliconix公司
低功耗，高速CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
44 V电源的最大额定值
"15-V
模拟信号范围
导通电阻-R
DS （ ON）
: 23
W
低漏-I
D（上）
： 40 pA的
快速切换-T
ON
： 100纳秒
升级为DG401 /四百零五分之四百零三
TTL ， CMOS兼容
单电源供电能力
好处
D
宽动态范围
D
先开后合式开关动作
（仅限DG403B ）
D
简单接口
应用
D
D
D
D
音频和视频切换
采样保持电路
测试设备
PBX ， PABX
描述
该DG401B / 403B / 405B单片模拟开关
替代流行的DG401 /四百零五分之四百零三模拟开关
并提供改进的性能，结合高速（叔
ON
:
为100 ns ，典型值）的低功耗使得DG401B系列
非常适用于便携式和电池供电应用。
建在日前，Vishay Siliconix公司专有的高压硅栅
过程中实现开/关高额定电压和优越的开关
性能，突破前先保证为SPDT
精读网络gurations 。
每个开关进行同样在两个方向上时，
拦截高达30 V峰 - 峰值的时候了。导通电阻
是非常平坦的，在整个
"15-V
模拟范围。该DG401B有
两个独立的SPST开关。该DG403B有四个SPST
交换机NO / NC组合。该DG405B有四个
开关两个SPST对。 （参见功能框图
和引脚配置1页和第2 ）
该DG401B / 403B / 405B可在16引脚塑料DIP
和16引脚SOIC封装。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产这种产品，
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟开关
产品生产采用100％雾锡器
终端，铅（Pb ） - 免费“ -E3 ”后缀被用作
一个标志。
功能框图及引脚配置
DG401B
双列直插式和SOIC
D
1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
S
1
IN
1
V
GND
NC
V+
IN
2
S
2
每包两个单刀单掷开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
g
逻辑“1”的
w
2 4 V
2.4
开关
关闭
ON
文档编号： 73069
S- 42444 -REV 。 A， 10 -JAN- 05
www.vishay.com
1
DG401B/403B/405B
Vishay Siliconix公司
新产品
功能框图及引脚配置
DG403B
双列直插式和SOIC
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16 S
1
15
14
13
12
11
10
9
IN
1
V
GND
NC
V+
IN
2
S
2
每包两对四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
SW
1
， SW
2
关闭
ON
逻辑“0”的
v
0.8 V
1
逻辑“1”的
w
2.4 V
SW
3
， SW
4
ON
关闭
DG405B
双列直插式和SOIC
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
16 S
1
15
14
13
12
11
10
9
IN
1
V
GND
NC
V+
IN
2
S
2
每包两对四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
开关
关闭
ON
顶视图
订购信息
标准
广告
产品型号
DG401BDJ
DG403BDJ
DG405BDJ
DG401BDY
DG403BDY
DG405BDY
DG401BDY-T1
DG403BDY-T1
DG405BDY-T1
铅（Pb ） - 免费
广告
产品型号
DG401BDJ—E3
DG403BDJ—E3
DG405BDJ—E3
DG401BDY—E3
DG403BDY—E3
DG405BDY—E3
DG401BDY-T1—E3
DG403BDY-T1—E3
DG405BDY-T1—E3
包
温度
范围
16引脚塑料DIP
6
p
16引脚窄体SOIC
6
所以C
-40至85℃
0 85°C
16引脚n
16皮窄体SOIC
与磁带和卷轴
www.vishay.com
2
文档编号： 73069
S- 42444 -REV 。 A， 10 -JAN- 05
DG401B/403B/405B
新产品
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V)
0.3 V至（V + ） +0.3 V
或30毫安，以先到者为准
电流（任何终端）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
目前， S或D（脉冲1 ms的10 ％占空比） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度（ DJ ， DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
功率耗散（包）
b
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
16引脚SOIC
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
Vishay Siliconix公司
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
D
漏源导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
I
D（上）
I
S
=
10
毫安，V
D
=
"10
V
V+ = 13.5 V, V =
13.5
V
I
S
=
10
毫安，V
D
=
"5
V, 0 V
V+ = 16.5 V, V =
16.5
V
V+ = 16.5, V =
16.5
V
V
D
=
"15.5
V, V
S
=
#15.5
V
V+ = 16.5 V, V =
16.5
V
V
S
= V
D
=
"15.5
V
满
房间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
0.5
5
0.5
5
1
10
15
23
0.72
0.01
0.01
0.04
15
45
55
3
5
0.5
5
0.5
5
1
10
nA
V
范围
40
至85℃
符号
V+ = 15 V, V =
15
V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
W
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
I
IL
I
IH
V
IN
被测= 0.8 V，其他= 2.4 V
V
IN
被测= 2.4 V，其他= 0.8 V
满
满
1
1
0.005
0.005
1
1
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先延时（ DG403B ）
电荷注入
关断隔离拒绝率
通道到通道的串扰
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D
, C
秒（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
,
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
见图2
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
C
L
= 10,000 PF， V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
R
L
= 100
W
, C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
5
100
60
12
60
81.7
94.8
12
12
39
p
pF
pC
dB
150
100
ns
电源
正电源电流
负电源电流
地电流
I+
I
I
GND
V+ = 16.5 V, V =
16.5
V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
0.5
1
0.5
1
0.250
0.25
0.25
0.5
1
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 73069
S- 42444 -REV 。 A， 10 -JAN- 05
www.vishay.com
3
DG401B/403B/405B
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
电源电流与温度的关系
100000
V+ = 15 V
V =
15
V
I
CC
电源电流（ PA）
10000
电源电流（mA ）
60
50
40
30
20
10
0
25
5
35
65
95
125
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
温度（℃）
频率（kHz ）
电源电流与开关频率
1000
I+
I
100
10
1
55
r
ON
与模拟电压与电源电压
60
55
r
ON
导通电阻（
)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
25 20 15 10
5
0
5
10
15
20
25
V
CC
=
#6
V
V
CC
=
#10
V
V
CC
=
#12
V
V
CC
=
#15
V
V
CC
=
#20
V
V
CC
=
#22
V
r
ON
与模拟电压，单电源电压
90
80
r
ON
导通电阻（
)
70
60
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
V
D
模拟电压（ V）
V
CC
= 7.5 V
V
CC
= 10 V
V
CC
= 12 V
V
CC
= 15 V
V
CC
= 20 V
V
CC
= 22 V
V
D
模拟电压（ V）
r
ON
与模拟电压和温度
60
55
r
ON
导通电阻（
)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
15
10
5
0
5
10
15
V
CC
=
#15
V
I
S
= 10毫安
100
125
_C
85
_C
25
_C
0
_C
40
_C
55
_C
80
60
漏电流（PA ）
40
20
0
20
40
60
80
100
15
漏电流与模拟电压
V+ = 15 V
V =
15
V
对于我
D（关闭） ，
V
S
= 0 V
对于我
S（ OFF）
, V
D
= 0 V
I
D（上）
I
D（关闭）
I
S（ OFF）
5
5
15
V
D
模拟电压（ V）
www.vishay.com
V
D
模拟电压（ V）
文档编号： 73069
S- 42444 -REV 。 A， 10 -JAN- 05
4
DG401B/403B/405B
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
漏电流与温度的关系
10000
150
125
漏电流（PA ）
切换时间（纳秒）
1000
100
75
50
25
0
25
5
35
65
95
125
0
"5
"10
"15
"20
"25
温度（℃）
电源电压（ V）
t
（上）
, V
S
= +5 V
t
（上）
, V
S
=
5
V
t
（关闭）
, V
S
=
5
V
t
（关闭）
, V
S
= +5 V
Vishay Siliconix公司
开关时间与电源电压
100
10
I
S（ OFF）
I
D（上）
I
D（关闭）
1
55
开关时间与单电源电压
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
5
10
15
20
25
电源电压（ V）
20
55
切换时间（纳秒）
切换时间（纳秒）
t
（上）
, V
S
= +5 V
t
（关闭）
, V
S
= +5 V
80
70
60
50
40
30
开关时间与温度的关系
t
（上）
, V
S
= +10 V
t
（上）
, V
S
=
10
V
t
（关闭）
, V
S
= +10 V
t
（关闭）
, V
S
=
10
V
V+ = 15 V
V =
15
V
25
5
35
65
95
125
温度（℃）
输入开关阈值与电源电压
3.0
V
TH
输入门限电压（ V）
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
5
10
15
20
25
30
电源电压（ V）
文档编号： 73069
S- 42444 -REV 。 A， 10 -JAN- 05
130
0.01
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
10
30
50
70
90
110
10
插入损耗，关-Isolation
串扰与频率
插入损耗
关断隔离
相声
0.1
1
10
频率（MHz）
100
1000
www.vishay.com
5
DG401B ， DG403B ， DG405B
Vishay Siliconix公司
低功耗，高速CMOS模拟开关
描述
该DG401B ， DG403B ， DG405B单片模拟开关
是替代流行的DG401 /四百〇五分之四百〇三模拟
开关和提供改进的性能，组合
高速（T
ON
： 100纳秒，典型值）的低功耗
使得DG401B系列非常适用于便携式和电池
供电的应用。
建在日前，Vishay Siliconix公司专有的高压硅
门处理，以实现高的额定电压和优异的
开关
开/关
性能方面，
突破前先
is
保证了SPDT配置。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并阻止高达30 V峰至峰时关闭。
导通电阻是非常平坦的，在整个±15伏模拟范围。
的DG401B具有两个独立的单刀单掷开关。该
DG403B在NO / NC组合4 SPST开关。
该DG405B有两个SPST对四个开关（见
功能框图和引脚配置上页
1和2 ）
该DG401B ， DG403B ， DG405B可在16针
塑料DIP和16引脚SOIC封装。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与无铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟
开关产品生产采用100％雾锡
设备终端，铅（Pb ） - 免费“ -E3 ”后缀是
用作标志符。
特点
44 V电源的最大额定值
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 23
低漏 - 我
D（上）
： 40 pA的
快速切换 - 吨
ON
： 100纳秒
升级到DG401B ， DG403B ， DG405B
TTL ， CMOS兼容
单电源供电能力
好处
宽动态范围
先开后合式开关动作
（仅限DG403B ）
简单的接口
应用
音频和视频切换
采样保持电路
测试设备
PBX ， PABX
功能框图及引脚配置
DG401B
双列直插式和SOIC
D
1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
S
1
IN
1
V-
GND
NC
V+
IN
2
S
2
每包两个单刀单掷开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
开关
关闭
ON
文档编号： 73069
S11-0179 -REV 。 B， 07 -FEB- 11
www.vishay.com
1
DG401B ， DG403B ， DG405B
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG403B
双列直插式和SOIC
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16 S
1
15
14
13
12
11
10
9
IN
1
V-
GND
NC
V+
IN
2
S
2
每包两对四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
SW
1
， SW
2
关闭
ON
SW
3
， SW
4
ON
关闭
DG405B
双列直插式和SOIC
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
16 S
1
15
14
13
12
11
10
9
IN
1
V-
GND
NC
V+
IN
2
S
2
每包两对四通道SPST开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
开关
关闭
ON
顶视图
订购信息
标准
广告
产品型号
DG401BDJ
DG403BDJ
DG405BDJ
DG401BDY
DG403BDY
DG405BDY
DG401BDY-T1
DG403BDY-T1
DG405BDY-T1
铅（Pb ） - 免费
广告
产品型号
DG401BDJ-E3
DG403BDJ-E3
DG405BDJ-E3
DG401BDY-E3
DG403BDY-E3
DG405BDY-E3
DG401BDY-T1-E3
DG403BDY-T1-E3
DG405BDY-T1-E3
16引脚窄体SOIC用胶带和
REEL
16引脚窄体SOIC
- 4085 ℃下
16引脚塑料DIP
包
温度
范围
www.vishay.com
2
文档编号： 73069
S11-0179 -REV 。 B， 07 -FEB- 11
DG401B ， DG403B ， DG405B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
数字
输入
a
,
V
S
, V
D
符号
极限
44
25
（ V - ） - 0.3 V至（V +） + 0.3 V或
30毫安，以先到为准
30
100
- 65 125
450
600
V
单位
电流（任何终端）连续
目前， S或D（脉冲1 ms的10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
（ DJ ， DY后缀）
16引脚塑料DIP
c
16引脚SOIC
d
mA
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
b
分钟。
d
单位
d
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
漏源
导通电阻
符号
典型值。
c
马克斯。
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
S
= - 10毫安，V
D
= ± 10 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
= ± 5 V, 0 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
V
D
= ± 15.5 V, V
S
= ± 15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
= ± 15.5 V
V
IN
被测= 0.8 V，其他= 2.4 V
V
IN
被测= 2.4 V，其他= 0.8 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
见图2
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 10 000 pF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 100
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
满
房间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
房间
房间
-15
23
0.72
- 0.5
-5
- 0.5
-5
-1
- 10
-1
-1
- 0.01
- 0.01
- 0.04
15
45
55
3
5
0.5
5
0.5
5
1
10
1
1
150
100
V
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先延时
(DG403B)
电荷注入
关断隔离拒绝率
通道到通道的串扰
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D
, C
秒（上）
I
IL
I
IH
I
D（上）
nA
0.005
0.005
100
60
A
ns
5
12
60
- 81.7
- 94.8
12
12
39
pF
pC
dB
文档编号： 73069
S11-0179 -REV 。 B， 07 -FEB- 11
www.vishay.com
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DG401B ， DG403B ， DG405B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
b
单位
参数
电源
正电源电流
负电源电流
地电流
符号
分钟。
d
典型值。
c
马克斯。
d
I+
I-
I
GND
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
- 0.5
-1
- 0.5
-1
0.250
0.25
0.25
0.5
1
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100 000
V+ = 15 V
V- = - 15 V
I
CC
- 电源电流（PA ）
10 000
电源电流（mA ）
60
50
40
1000
I+
I-
30
100
20
10
10
1
- 55
- 25
5
35
65
95
125
0
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
温度（℃）
频率（kHz ）
电源电流与温度的关系
电源电流与开关频率
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4
文档编号： 73069
S11-0179 -REV 。 B， 07 -FEB- 11
DG401B ， DG403B ， DG405B
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
60
55
R
ON
- 导通电阻（
Ω)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
- 25 - 20 - 15 - 10
20
10
-5
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
V
D
- 模拟电压（ V）
V
CC
=
V
CC
=
V
CC
=
V
CC
=
V
CC
=
V
CC
=
±6V
± 10 V
± 12 V
± 15 V
± 20 V
± 22 V
90
80
R
ON
- 导通电阻（
Ω)
70
60
50
40
30
V
CC
= 7.5 V
V
CC
= 10 V
V
CC
= 12 V
V
CC
= 15 V
V
CC
= 20 V
V
CC
= 22 V
V
D
- 模拟电压（ V）
R
ON
与模拟电压与电源电压
60
55
R
ON
- 导通电阻（
Ω)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
- 15
V
CC
= ± 15 V
I
S
= 10毫安
125 °C
85 °C
25 °C
0 °C
- 40 °C
- 55 °C
R
ON
与模拟电压，单电源电压
100
80
60
漏电流（PA ）
40
20
0
- 20
- 40
- 60
- 80
- 100
- 15
I
D（上）
I
D（关闭）
I
S（ OFF）
V+ = 15 V
V- = - 15 V
对于我
D（关闭） ，
V
S
= 0 V
对于我
S（ OFF）
, V
D
= 0 V
- 10
-5
0
5
10
15
-5
5
15
V
D
- 模拟电压（ V）
V
D
- 模拟电压（ V）
R
ON
与模拟电压和温度
10 000
150
漏电流与模拟电压
125
漏电流（PA ）
切换时间（纳秒）
1000
t
（上）
, V
S
= + 5 V
t
（上）
, V
S
= - 5 V
t
（关闭）
, V
S
= - 5 V
t
（关闭）
, V
S
= + 5 V
100
100
75
50
10
I
S（ OFF）
I
D（上）
I
D（关闭）
25
1
- 55
- 25
5
35
65
95
125
0
0
±5
± 10
± 15
± 20
± 25
温度（℃）
电源电压（ V）
漏电流与温度的关系
开关时间与电源电压
文档编号： 73069
S11-0179 -REV 。 B， 07 -FEB- 11
www.vishay.com
5
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