DG401/403/405
Vishay Siliconix公司
低功耗，高速CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
44 V电源的最大额定值
"15-V
模拟信号范围
导通电阻-R
DS （ ON）
: 20
W
低漏-I
D（上）
： 40 pA的
快速切换-T
ON
： 100纳秒
超低功耗
要求-P
D
: 0.35
mW
D
TTL ， CMOS兼容
D
单电源供电能力
好处
D
宽动态范围
D
先开后合式开关动作
D
简单接口
应用
D
D
D
D
D
D
音频和视频切换
采样保持电路
电池操作
测试设备
高可靠性系统
PBX ， PABX
描述
该DG401 /四百〇五分之四百〇三单片模拟开关设计
提供高精度，高性能模拟开关
信号。结合低功耗（ 0.35
毫瓦，
典型值）的高速
(t
ON
： 100纳秒，典型值） ，该DG401系列非常适合于便携式
和电池供电的工业和军事应用。
每个开关进行同样在两个方向上时，
拦截高达30 V峰 - 峰值的时候了。导通电阻
是非常平坦的，在整个
"15-V
模拟范围，媲美JFET
性能没有固有的动态范围的限制。
建在日前，Vishay Siliconix公司专有的高压硅栅
过程中实现开/关高额定电压和优越的开关
性能，突破前先保证为SPDT
配置。外延层可以防止闭锁。
在本系列的三款器件是由分化型
的切换动作，如图中的功能框图。
功能框图及引脚配置
DG401
双列直插式和SOIC
NC
D
1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
S
1
IN
1
V–
GND
V
L
V+
IN
2
S
2
NC
NC
NC
NC
NC
4
5
6
7
8
9
NC
10
关键
3
DG401
D
1
2
LCC
NC S
1
1
20
IN
1
19
18
17
16
15
14
11
NC
12
S
2
13
IN
2
V–
GND
NC
V
L
V+
每包两个单刀单掷开关
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
24
开关
关闭
ON
D
2
顶视图
文档编号： 70049
S- 52433 -REV 。女， 06 ， 09月99
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
www.siliconix.com
S
FaxBack 408-970-5600
1
DG401/403/405
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG403
双列直插式和SOIC
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16 S
1
15
14
13
12
11
10
9
IN
1
V–
GND
V
L
V+
IN
2
S
2
S
4
D
4
S
3
NC
关键
4
5
6
7
8
9
10
DG403
LCC
NC
1
NC
3
2
1
S
1
20
IN
1
19
18
17
16
15
14
11
12
S
2
13
IN
2
V–
GND
NC
V
L
V+
每包两个SPDT开关
D
3
真值表
逻辑
0
1
SW
1
， SW
2
关闭
ON
逻辑“0”的
v
0.8 V
1
逻辑“1”的
w
2.4 V
SW
3
， SW
4
ON
关闭
NC
2
NC
顶视图
DG405
双列直插式和SOIC
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
16 S
1
15
14
13
12
11
10
9
IN
1
V–
GND
V
L
V+
IN
2
S
2
D
3
S
3
NC
S
4
D
4
4
5
6
7
8
9
10
关键
DG405
LCC
NC
1
NC
3
2
1
S
1
20
IN
1
19
18
17
16
15
14
11
12
S
2
13
IN
2
V–
GND
NC
V
L
V+
两个DPST每包交换机
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
开关
关闭
ON
NC
2
NC
顶视图
顶视图
www.siliconix.com
S
FaxBack 408-970-5600
2
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
文档编号： 70049
S- 52433 -REV 。女， 06 ， 09月99
DG401/403/405
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG401
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚CERDIP
-55 125℃
55 125_C
LCC-20
DG401DJ
DG401AK
DG401AK / 883 ， 5962-9056901MEA
DG401AZ / 883 ， 5962-9056901M2A
DG403
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
-55 125℃
55 125_C
LCC-20
DG403DJ
DG403DY
DG403AK
DG403AK / 883 ， 5962-8976301MEA
5962-8976301M2A
DG405
-40到85°C
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
LCC-20
DG405DJ
DG405DY
DG405AK / 883 ， 5962-8996101EA
5962-89961012A
-55到125°C
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND - 0.3 V ）至（ V + ） +0.3 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +加2 V）
或30毫安，以先到者为准
电流（任何终端）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
目前， S或D（脉冲1 ms的10 ％占空比） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AK ，AZ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
16引脚CERDIP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
16引脚SOIC
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
LCC-20
f
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
f.
减免13毫瓦/ _C上述75°C
文档编号： 70049
S- 52433 -REV 。女， 06 ， 09月99
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
www.siliconix.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
DG401/403/405
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
D
漏源
导通电阻
关闭
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
S
= -10毫安，V
D
=
"10
V
V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V
I
S
= -10毫安，V
D
=
"5
V, 0 V
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
V+ = 16.5, V– = –16.5 V
,
V
D
=
"15.5
V V
S
=
#15.5
V
15 5 V,
15 5
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
V
S
= V
D
=
"15.5
V
满
房间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
20
3
–0.01
–0.01
–0.04
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.4
–40
–15
15
35
45
3
5
0.25
20
0.25
20
0.4
40
–0.5
–5
–0.5
–5
–1
–10
–15
15
45
55
3
5
0.5
5
0.5
5
1
10
nA
A
V
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
W
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
满
满
0.005
0.005
–1
–1
1
1
–1
–1
1
mA
1
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
时间延迟（ DG403 ）
电荷注入
关断隔离拒绝率
通道到通道的串扰
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D
, C
秒（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
MH
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 p
pF
S网络
见图2
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
C
L
= 10,000 pF的
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
R
L
= 100
W
, C
L
= 5 pF的
p
F = 1 MHz的
MH
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
100
60
12
60
72
90
12
12
39
pF
F
5
150
100
5
pC
dB
150
100
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
I
L
I
GND
房间
满
V+ 16 5 V, V
V = 16.5 V, V– = –16.5 V
16 5
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
0.01
–0.01
0.01
–0.01
–1
–5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
1
5
mA
A
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.siliconix.com
S
FaxBack 408-970-5600
4
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
文档编号： 70049
S- 52433 -REV 。女， 06 ， 09月99
DG401/403/405
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输入开关阈值与逻辑电源电压
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
T
A
= 25_C
3.5
3.0
2.5
V TH （ V）
6
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
(V+)
5
10
15
20
25
30
35
40
V
L
= 5 V
V
L
= 7 V
输入开关阈值与电源电压
8
V T（ V）
4
DG403
SW3 ， 4
2
0
V
L
- 逻辑电源（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
35
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V
40
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
T
A
= 25_C
"6
V
30
125_C
25
85_C
20
30
"10
V
"12
V
20
"15
V
"20
V
"22
V
10
–25
–15
–5
5
15
26
25_C
0_C
15
–40_C
–55_C
10
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
(V– = 0 V)
70
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
T
A
= 25_C
60
7.5 V
50
10 V
12 V
30
15 V
20 V
20
22 V
60
40
20
10
0
5
10
15
20
25
0
–15
Q（ PC）
200
180
160
140
120
电荷注入与模拟电压
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V
C
L
= 10千pF的
1千pF的
40
100
80
100 pF的
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V
S
- 源极电压（ V）
文档编号： 70049
S- 52433 -REV 。女， 06 ， 09月99
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
www.siliconix.com
S
FaxBack 408-970-5600
5
QQ：2881677436 复制
