DG3537/3538/3539/3540
Vishay Siliconix公司
4 Ω ， 360 - MHz的双通道SPST模拟开关
描述
该DG3537 / 3539分之3538 / 3540顷双SPST模拟
而其使用的1.8 V至5.5 V单电源轨开关
供应量。它们设计用于音频，视频和USB开关
应用程序。
该设备具有4个
Ω
导通电阻和360兆赫3分贝
带宽。 0.2
Ω
导通电阻匹配和1
Ω
平整度
使该设备的高线性度。该设备是1.6 V逻辑
完整的操作电压范围内兼容。
这些开关都是建立在亚微米的高密度
过程带来的低功耗和低电压
性能。
这些开关封装在微FOOT芯片级
包3× 3凸点阵列。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和环境，
日前，Vishay Siliconix公司生产该产品的铅
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于MICRO FOOT模拟
交换机产品制造的锡/银/铜
（锡银铜）设备终端，铅（Pb ） - 免费" - E1"后缀
被用作一个标志符。
特点
1.8 V至5.5 V操作
3
Ω
在2.7 V R
ON
360兆赫 - 3 dB带宽
ESD方法3015.7 > 2千伏
闩锁电流0.300毫安（ JESD 78 ）
1.6 V逻辑兼容
节省空间MICRO FOOT
包
高线性度
低功耗
高带宽
全轨信号摆动范围
RoHS指令
柔顺
好处
应用
手机
MP3
媒体播放器
调制解调器
硬盘驱动器
PCMCIA
功能框图及引脚配置
DG3537
MICRO FOOT 8焊球
V+
A
IN
1
NO
1
COM
1
B
COM
1
COM
2
IN
2
GND
NO
2
1
2
3
器件标识
A1定位器
NO
2
COM
2
C
NO
1
V+
IN
1
XXX
3537
3537 =器件标识
XXX =数据/批次追踪码
IN
2
顶视图
颠簸下来
GND
文档编号： 73320
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
www.vishay.com
1
DG3537/3538/3539/3540
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG3538
MICRO FOOT 8焊球
V+
A
IN
1
NC
1
NC
2
COM
1
COM
2
C
NC
1
V+
IN
1
B
COM
1
COM
2
IN
2
GND
NC
2
1
2
3
器件标识
A1定位器
XXX
3538
3538 =器件标识
IN
2
顶视图
颠簸下来
GND
XXX =数据/批次追踪码
DG3539
MICRO FOOT 8焊球
V+
A
IN
1
NO
1
COM
1
COM
2
C
NO
1
V+
IN
1
B
COM
1
COM
2
IN
2
GND
NC
2
1
2
3
器件标识
A1定位器
NC
2
XXX
3539
3539 =器件标识
IN
2
顶视图
颠簸下来
GND
XXX =数据/批次追踪码
DG3540
MICRO FOOT 8焊球
V+
A
IN
1
NO
1
COM
1
B
COM
2
COM
1
IN
1
V+
NO
1
1
2
3
器件标识
A1定位器
NO
2
COM
2
C
NO
2
GND
IN
2
XXX
3540
3540 =器件标识
IN
2
顶视图
颠簸下来
GND
XXX =数据/批次追踪码
真值表
逻辑
0
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
订购信息
温度范围
- 4085 ℃下
包
MICRO FOOT ： 8凹凸
（3× ，0.5 mm间距，
238微米的凸起高度）
产品型号
DG3537DB-T5-E1
DG3538DB-T5-E1
DG3539DB-T5-E1
DG3540DB-T1-E1
www.vishay.com
2
文档编号： 73320
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
DG3537/3538/3539/3540
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（ NO ， NC ， COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
包装回流焊条件
b
每个方法3015.7 ESD
功耗
（包）
c
MICRO FOOT ： 8凹凸（ 3× 3
mm)
d
（D后缀）
IR /对流
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3V）
± 100
± 200
- 65 150
250
>2
400
单位
V
mA
°C
kV
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020B ）
。所有凸块焊接或钎焊到印刷电路板。
。减免5.0毫瓦/°C， 70°C以上。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
DS （ ON）
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
f
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
1
8
1
1.4
0.5
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.2/1.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
0
3
V+
4
4.3
1.2
0.25
2
20
2
20
2
20
nA
Ω
V
符号
V + = 2.7 3.6 V ，V
IN
= 0.5 V或1.4 V.
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
0.75
关机漏电流
f
V+ = 3.6 V,
V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3.3 V, V
COM
= 3.3 V/0.3 V
V+ = 3.6 V,
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3.3 V
文档编号： 73320
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
www.vishay.com
3
DG3537/3538/3539/3540
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
关断隔离
d
相声
d
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
房间
满
0.001
1.0
1.0
A
t
ON
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
OIRR
X
TALK
C
NO / NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
NO / NC （上）
C
COM（上）
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
V+ = 2.7 V, V
NO
或V
NC
= 1.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 2 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
16
7
1
- 78.5
- 113
- 58
- 66
8
14
27
27
pF
dB
46
48
37
39
符号
V + = 2.7 3.6 V ，V
IN
= 0.5 V或1.4 V.
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
ns
pC
www.vishay.com
4
文档编号： 73320
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
DG3537/3538/3539/3540
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
DS （ ON）
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
房间
满
0.001
1.0
1.0
A
t
ON
t
关闭
Q
INJ
C
NO / NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
NO / NC （上）
C
COM（上）
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
V+ = 4.2 V, V
NO
或V
NC
= 3.0 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 2 V ，R
根
= 0
Ω
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
11
7
1
8
14
28
28
pF
41
43
37
39
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
1
8
1
2.0
0.8
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 4.2 V, V
COM
= 0.5/3.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
0
2.6
V+
3.5
3.7
1.2
0.2
2
20
2
20
2
20
nA
Ω
V
符号
V + = 4.2 5.5 V ，V
IN
= 0.8 V或2.0 V
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
0.8
关机漏电流
V+ = 5.5 V,
V
NO
, V
NC
= 1.0 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1.0 V
V+ = 5.5 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1.0 V/4.5 V
ns
pC
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
文档编号： 73320
S- 70853 -REV 。 C， 30 -APR- 07
www.vishay.com
5
DG3537 ， DG3538 ， DG3539 ， DG3540
Vishay Siliconix公司
4
,
360 MHz的双通道SPST模拟开关
描述
该DG3537 ， DG3538 ， DG3539 ， DG3540是双SPST
而其使用的1.8 V至5.5 V单轨模拟开关
电源。它们设计用于音频，视频，和USB
开关应用。
该设备具有4个
导通电阻和360兆赫3分贝
带宽。 0.2
导通电阻匹配和1
平整度
使该设备的高线性度。该设备是1.6 V逻辑
完整的操作电压范围内兼容。
这些开关都是建立在亚微米的高密度
过程带来的低功耗和低电压
性能。
这些开关封装在微FOOT芯片级
包3× 3凸点阵列。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和环境，
日前，Vishay Siliconix公司生产该产品的铅
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于MICRO FOOT模拟
交换机产品制造的锡/银/铜
（锡银铜）设备终端，铅（Pb ） - 免费“ -E1 ”后缀
被用作一个标志符。
特点
1.8 V至5.5 V操作
3
在2.7 V R
ON
360兆赫 - 3 dB带宽
ESD方法3015.7 > 2千伏
闩锁电流0.300毫安（ JESD 78 ）
1.6 V逻辑兼容
节省空间MICRO FOOT
包
高线性度
低功耗
高带宽
全轨信号摆动范围
好处
应用
手机
MP3
媒体播放器
调制解调器
硬盘驱动器
PCMCIA
功能框图及引脚配置
DG3537
MICRO FOOT 8焊球
V+
A
IN
1
NO
1
COM
1
B
COM
1
COM
2
IN
2
GND
NO
2
1
2
3
器件标识
A1定位器
NO
2
COM
2
C
NO
1
V+
IN
1
XXX
3537
3537 =器件标识
XXX =数据/批次追踪码
IN
2
顶视图
颠簸下来
GND
文档编号： 73320
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
1
DG3537 ， DG3538 ， DG3539 ， DG3540
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG3538
MICRO FOOT 8焊球
V+
A
IN
1
NC
1
NC
2
COM
1
COM
2
C
NC
1
V+
IN
1
B
COM
1
COM
2
IN
2
GND
NC
2
1
2
3
器件标识
A1定位器
XXX
3538
3538 =器件标识
IN
2
顶视图
颠簸下来
GND
XXX =数据/批次追踪码
DG3539
MICRO FOOT 8焊球
V+
A
IN
1
NO
1
COM
1
COM
2
C
NO
1
V+
IN
1
B
COM
1
COM
2
IN
2
GND
NC
2
1
2
3
器件标识
A1定位器
NC
2
XXX
3539
3539 =器件标识
IN
2
顶视图
颠簸下来
GND
XXX =数据/批次追踪码
DG3540
MICRO FOOT 8焊球
V+
A
IN
1
NO
1
COM
1
B
COM
2
COM
1
IN
1
V+
NO
1
1
2
3
器件标识
A1定位器
NO
2
COM
2
C
NO
2
GND
IN
2
XXX
3540
3540 =器件标识
IN
2
顶视图
颠簸下来
GND
XXX =数据/批次追踪码
真值表
逻辑
0
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至85°C
包
MICRO FOOT ： 8凹凸
（3× ，0.5 mm间距，
238微米的凸起高度）
产品型号
DG3537DB-T5-E1
DG3538DB-T5-E1
DG3539DB-T5-E1
DG3540DB-T1-E1
www.vishay.com
2
文档编号： 73320
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
DG3537 ， DG3538 ， DG3539 ， DG3540
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（ NO ， NC ， COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
包装回流焊条件
b
每个方法3015.7 ESD
功率耗散（包）
c
MICRO FOOT ： 8凹凸（ 3× 3毫米），
d
（D后缀）
IR /对流
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3V）
± 100
± 200
- 65 150
250
>2
400
单位
V
mA
°C
kV
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020B ）
。所有凸块焊接或钎焊到印刷电路板。
。减免5.0毫瓦/°C， 70°C以上。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
R
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
R
DS （ ON）
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
f
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
1
8
1
1.4
0.5
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.2/1.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
0
3
V+
4
4.3
1.2
0.25
2
20
2
20
2
20
nA
V
符号
V + = 2.7 3.6 V ，V
IN
= 0.5 V或1.4 V.
e
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
0.75
关机漏电流
f
V+ = 3.6 V,
V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3.3 V, V
COM
= 3.3 V/0.3 V
V+ = 3.6 V,
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3.3 V
文档编号： 73320
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
3
DG3537 ， DG3538 ， DG3539 ， DG3540
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
关断隔离
d
相声
d
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
分钟。
b
典型值。
c
16
7
1
- 78.5
- 113
- 58
- 66
8
14
27
27
0.001
1.0
1.0
pF
dB
马克斯。
b
46
48
37
39
单位
符号
V + = 2.7 3.6 V ，V
IN
= 0.5 V或1.4 V.
e
t
ON
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
OIRR
X
TALK
C
NO / NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
NO / NC （上）
C
COM（上）
V+ = 2.7 V, V
NO
或V
NC
= 1.5 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 2 V ，R
根
= 0
R
L
= 50, C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50, C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
ns
pC
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电流
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
I+
V
IN
= 0或V +的
A
www.vishay.com
4
文档编号： 73320
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
DG3537 ， DG3538 ， DG3539 ， DG3540
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 5 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
r
ON
平整度
d
导通电阻
通道间匹配
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
R
DS （ ON）
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
房间
满
0.001
1.0
1.0
A
t
ON
t
关闭
Q
INJ
C
NO / NC （关闭）
C
COM （关闭）
C
NO / NC （上）
C
COM（上）
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
V+ = 4.2 V, V
NO
或V
NC
= 3.0 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 2 V ，R
根
= 0
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
11
7
1
8
14
28
28
pF
41
43
37
39
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
1
8
1
2.0
0.8
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 4.2 V, V
COM
= 0.5/3.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
0
2.6
V+
3.5
3.7
1.2
0.2
2
20
2
20
2
20
nA
V
符号
V + = 4.2 5.5 V ，V
IN
= 0.8 V或2.0 V
e
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
0.8
关机漏电流
V+ = 5.5 V,
V
NO
, V
NC
= 1.0 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1.0 V
V+ = 5.5 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1.0 V/4.5 V
ns
pC
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
文档编号： 73320
S11-0303 -REV 。 D， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
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