DG3157A ， DG3157B
Vishay Siliconix公司
低电压， 300 MHz的 - 3 dB带宽， SPDT模拟开关与
掉电保护
（ 2 ： 1多路复用器/多路解复用器总线开关）
描述
该DG3157A ， DG3157B是高速单刀
双掷，低压开关。采用亚微米CMOS
技术， DG3157A ， DG3157B实现了低导通
电阻和可忽略的传播延迟。该DG3157A ，
DG3157B可以处理模拟和数字信号，并
允许最多Ⅴ的振幅信号
CC
要
在任一方向传送。控制逻辑输入引脚选择
可在V + 。当选择引脚为低电平时，B
0
is
连接到输出引脚上。当选择引脚为高电平，
B
1
被连接到输出端的引脚。这是开放的意志路径
有相对于输出端的引脚为高阻抗状态。
化妆前休息保证。该DG3157A有
内部下拉电阻控制引脚S上，而
DG3157B没有。
特点
超小型miniQFN6的包
为1mm× 1.2毫米
宽工作电压范围： 1.8 V至5.5 V
实用于模拟和数字两种信号
开关
300 MHz的 - 3 dB带宽
断电安全设计
低电压逻辑阈值：
V
th
（高） = 1.2 V ，在V + = 3.3 V
最小传输延迟
??先开后合式开关
零反弹流通模式
> 300毫安闭锁每JESD78电流
> 8 kV的ESD / HBM
DG3157A版本有内部下拉电阻
控制针S
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
功能框图及引脚配置
miniQFN-6
DG3157A
真值表
B
1
1
6
S
逻辑输入（ S）
0
功能
B
0
连接到
B
1
连接到
GND
2
5
V+
1
B
0
3
4
A
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至85°C
包
miniQFN-6
产品型号
DG3157ADN-T1-E4
DG3157BDN-T1-E4
顶部
意见
器件标识：电子
miniQFN-6
DG3157B
B
1
1
6
S
GND
2
5
V+
B
0
3
顶部
意见
4
A
器件标记：D
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 68628
S- 81944 -REV 。 C， 25 - 8 - 08
www.vishay.com
1
DG3157A ， DG3157B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
S，A ，B
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
D-后缀
miniQFN-6
c
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 50
± 200
- 65 150
160
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在A或B或S超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免2.0毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
DC特性
符号
V+ = 3.0 V, V
SL
= 0.5 V, V
SH
= 2.0 V
e
V + = 1.65 1.95 V
高电平输入电压
V
SH
V + = 2.0 2.6 V
V + = 2.7 3.6 V
V + = 4.5 5.5 V
V + = 1.65 1.95 V
低电平输入电压
V
SL
V + = 2.0 2.6 V
V + = 2.7 3.6 V
V + = 4.5 5.5 V
V
BN
= 0 V，I
A
= 30毫安
V+ = 4.5 V
V
BN
= 2.4 V，I
A
= - 30毫安
V
BN
= 4.5 V，I
A
= - 30毫安
导通电阻
R
ON
V+ = 3.0 V
V+ = 2.3 V
V+ = 1.65 V
V
BN
= 0 V，I
A
= 24毫安
V
BN
= 3.0 V，I
A
= - 24毫安
V
BN
= 0 V，I
A
= 8毫安
V
BN
= 2.3 V，I
A
= - 8毫安
V
BN
= 0 V，I
A
= 4毫安
V
BN
= 1.65 V，I
A
= - 4毫安
V + = 4.5 V，I
A
= - 30毫安
导通电阻平坦度
R
平
0℃， V
BN
< V +
V + = 3.0 V，I
A
= - 24毫安
V + = 2.3 V，I
A
= - 8毫安
V + = 1.65 V，I
A
= - 4毫安
V+ = 4.5 V, V
BN
= 3.15 V，I
A
= - 30毫安
导通电阻匹配
通道之间
ΔR
ON
V+ = 3.0 V, V
BN
= 2.1 V，I
A
= - 24毫安
V+ = 2.3 V, V
BN
= 1.6 V，I
A
= - 8毫安
V+ = 1.65 V, V
BN
= 1.15 V，I
A
= - 4毫安
输入漏电流
I
S
I
BN （关闭）
I
英国国民（上）
V+ = 5.5 V,
V
A
= 5.5 V,
V
S
= 0.8 V, 2.4 V
DG3157B
满
DG3157A
房间
满
房间
满
- 1.0
- 0.1
- 1.0
- 0.1
- 1.0
2.5
7.0
0.1
1.0
0.1
1.0
A
- 1.0
房间
满
4.8
5.7
10.3
5.9
13.7
7
16.2
9.2
24
8
13
24
89
0.8
0.1
0.2
0.9
1.0
满
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
1.2
1.4
2.0
2.4
0.3
0.4
0.5
0.8
7
12
15
9
20
12
30
20
50
Ω
V
典型值。
c
马克斯。
b
单位
起飞阶段漏电开关
在国家漏电开关
V+ = 5.5 V, V
A
/V
B
= 0 V/5.5 V
V+ = 5.5 V, V
A
/V
B
= 0 V/5.5 V
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2
文档编号： 68628
S- 81944 -REV 。 C， 25 - 8 - 08
DG3157A ， DG3157B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
电源
电源电压范围
静态电源电流
AC电气特征初探
V + = 1.65 1.95 V
传播延迟时间
f
t
PHL
/t
PLH
V
A
= 0 V
V + = 2.3 2.7 V
V + = 3.0 3.6 V
V + = 4.5 5.5 V
V + = 1.65 1.95 V
V
负载
= 2× V +在t
PZL
V
负载
= 0 V在t
PZH
V + = 2.3 2.7 V
V + = 3.0 3.6 V
V + = 4.5 5.5 V
V + = 1.65 1.95 V
V
负载
= 2× V +在t
PLZ
V
负载
= 0 V在t
PHZ
V + = 2.3 2.7 V
V + = 3.0 3.6 V
V + = 4.5 5.5 V
V + = 1.65 1.95 V
先开后合式时间
d
t
BBM
V + = 2.3 2.7 V
V + = 3.0 3.65
V + = 4.5 5.5 V
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V
V+ = 5 V
R
根
= 0
Ω
V+ = 3.3 V
R
L
= 50
Ω,
F = 10MHz的
R
L
= 50
Ω
R
L
= 600
Ω,
0.5 Vp-p的F = 600赫兹 - 20千赫
V+ = 0 V
V+ = 5 V
满
满
满
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1.5
0.8
0.4
0.3
27
15
10
7
16
10
8
6
0.5
0.5
0.5
0.5
11
6
4
3
7
5
- 57
- 64
300
0.016
3.7
7
pF
pC
dB
兆赫
%
50
45
30
25
45
40
35
21
ns
符号
V+
I+
V+ = 5.5 V, V
A
= V +或GND
V+ = 3.0 V, V
SL
= 0.5 V, V
SH
= 2.0 V
e
温度。
a
满
房间
满
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
1.65
典型值。
c
马克斯。
b
5.5
1
10
单位
V
A
输出使能时间
f
t
PZL
/t
PZH
输出禁止时间
f
t
PLZ
/t
PHZ
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
- 3 dB带宽
d
总谐波失真
d
电容
控制引脚电容
d
B端口关断电容
d
一个端口电容当
Q
OIRR
X
TALK
BW
THD
C
S
C
IO -B
C
IO -A （上）
房间
19
开关启用
d
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
S
=输入电压来执行适当的功能。
F。通过设计保证，而不是生产测试。根据总线开关传播延迟的RC时间常数的贡献的一个函数
导通电阻和与理想电压源（零输出阻抗）将指定的负载电容驱动该开关。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 68628
S- 81944 -REV 。 C， 25 - 8 - 08
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DG3157A ， DG3157B
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逻辑图
正逻辑
B
1
1
S
6
4
A
B
0
3
图1 。
AC加载和波形
V
LD
R
L
500
Ω
从输出
被测
C
L
50 pF的
R
L
500
Ω
SW
开放
GND
TEST
t
PLH
/t
PHL
t
PLZ
/t
PZL
t
PHZ
/t
PZH
SW
开放
V
LD
GND
负载电路
图2. AC测试电路
t
f
= 2.5纳秒
t
r
= 2.5纳秒
90 %
开关
输入
10 %
t
w
t
PLH
t
PHL
V
OH
50 %
50 %
产量
波形1
SW在V
LD
t
PZH
V
OL
产量
波形2
SW在GND
50 %
50 %
50 %
90 %
50 %
10 %
t
f
= 2.5纳秒
V+
逻辑
输入
90 %
50 %
10 %
GND
t
PZL
10 %
t
r
= 2.5纳秒
90 %
50 %
GND
t
PLZ
V
LD
2
V+
V
OL
+ 0.3 V
V
OL
t
PHZ
V
OH
V
OH
0.3 V
产量
0V
传输延时T输入法
启用和禁用牛逼IME -低收入和高级别启用
图3. AC波形
注意事项：
C
L
包括探头和夹具电容。
波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
所有输入脉冲提供由具有以下特征的发电机：输入PRR
=
1.0兆赫，T
w
= 500纳秒。
输出被测量一次一个地与每测量1过渡。
V
LD
= 2 V+.
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典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
100
90
80
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
V
A
- 模拟
电压
(V)
0.0
1
2
3
4
5
6
V+
- 供应
电压
(V)
V+
= 4.5
V
I
B
= + 30毫安
V+
= 3.0
V
I
B
= + 24毫安
V+
= 1.65
V
I
B
= + 4毫安
吨= 25°C
V+
= 2.3
V
I
B
= +
8
mA
2.0
V
T
- 开关阈值（ V）
1.5
1.0
0.5
R
ON
与V
A
与电源电压
开关阈值与电源电压
10
0
- 10
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
-
80
- 90
- 100
100k
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
OIRR
X
TALK
V+
= 3.0
V
R
L
= 50
Ω
损失
插入损耗，关断隔离，串扰与频率的关系
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S- 81944 -REV 。 C， 25 - 8 - 08
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