DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 45
W
低漏-I
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
： < 200纳秒
低毛刺-Q量：1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG308A / 309
节省空间（ TSSOP ）
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG308B / 309B模拟开关大大提高
工业标准DG308A / 309的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
开关瞬变。该DG308B和DG309B可处理
最多
"22-V
输入信号。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计最小化
的DG308B是一个常开开关和DG309B是一
常闭开关。 （见真值表。 ）
功能框图及引脚配置
DG308B
双列直插式， SOIC和TSSOP
真值表
逻辑
DG308B
关闭
ON
逻辑“0”的
v
3.5V
逻辑“1”的
w
11 V
DG309B
ON
关闭
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
0
1
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
-40到85°C
40
16引脚窄体SOIC
16引脚TSSOP
产品型号
DG308BDJ
DG309BDJ
DG308BDY
DG309BDY
DG308BDQ
DG309BDQ
DG308BAK
DG308BAK/883
DG309BAK
DG309BAK/883
顶视图
-55到125°C
55
16引脚CERDIP
16皮 DIP
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AK ，后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DY ， DQ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
16引脚CERDIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
-15
15
85
100
-15
15
85
100
V
W
%
-0.5
-20
-0.5
-20
-0.5
-40
0.5
20
0.5
20
0.5
40
-0.5
–5
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
流掉泄漏电流
-0.5
–5
–0.5
–10
漏极泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
5
–
1
11
3.5
1
11
3.5
–
1
V
mA
pF
1
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道
相声
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
= 3 V ，见图2
房间
房间
房间
房间
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的，R
L
= 50
W
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
1
5
5
16
90
dB
95
pF
F
200
150
200
150
ns
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V,
R
g
= 0
W
pC
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或15 V
I–
V
OP
房间
满
房间
满
满
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
5
-1
-5
＆ QUOT ;
4
1
5
-1
-5
1
mA
＆ QUOT ;
22
＆ QUOT ;
4
＆ QUOT ;
22
V
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
90
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
0
12
160
200
0
12
160
200
V
W
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V ，见图2
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
4
300
200
300
200
ns
pC
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或12伏
I–
V
OP
房间
满
房间
满
满
5
-1
-5
4
1
5
-1
-5
1
mA
44
4
44
V
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
250
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
225
200
V+ = 5 V
漏电流与模拟电压
40
30
20
I S ， I D - 电流（ PA）
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D（上）
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
12 V
15 V
7V
10
0
–10
–20
–30
–40
–20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
模拟电压
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S ， I D - 当前
Q - 费（ PC）
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度（℃）
模拟电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-4
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
关断隔离与频率的关系
120
110
100
OIRR （ dB）的
90
R
L
= 50
W
80
70
60
50
40
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = 15 V
V– = –15 V
的F - 频率（Hz）
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
X
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
D
X
GND
V–
图1 。
测试电路
+15 V
V+
V
S
= +3 V
S
IN
12 V
GND
V–
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
开关
产量
–15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
V
O
t
ON
90%
D
V
O
逻辑
输入
12 V
50%
0V
t
关闭
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
图2中。
开关时间
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-5
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
描述
该DG308B / 309B模拟开关大大提高
工业标准DG308A / 309的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计
减少开关瞬变。该DG308B和DG309B
可以处理最高±22 V的输入信号。外延层
防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
的DG308B是一个常开开关和DG309B是
一常闭开关。 （见真值表。 ）
特点
± 22 V电源电压额定值
CMOS兼容逻辑
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 45
Ω
低漏 - 我
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换 - 吨
ON
： < 200纳秒
低毛刺 - 问： 1 pC的
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG308A / 309
节省空间（ TSSOP ）
应用
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
功能框图及引脚配置
DG308B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
3.5 V
逻辑"1"
≥
11 V
DG308B
关闭
ON
DG309B
ON
关闭
顶视图
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70047
S- 71241 -REV 。女，25军， 07
www.vishay.com
1
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG308BDJ
DG308BDJ-E3
DG309BDJ
DG309BDJ-E3
DG308BDY
DG308BDY-E3
DG308BDY-T1
DG308BDY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
- 4085 ℃下
DG309BDY
DG309BDY-E3
DG309BDY-T1
DG309BDY-T1-E3
DG308BDQ
DG308BDQ-E3
DG308BDQ-T1
DG308BDQ-T1-E3
16引脚TSSOP
DG309BDQ
DG309BDQ-E3
DG309BDQ-T1
DG309BDQ-T1-E3
16引脚PlasticDIP
绝对最大额定值
参数
参考电压，V +至V-
GND
数字输入，V
S
, V
D
当前，在任何终端
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大值）
储存温度
（ AK后缀）
（ DJ ， DY和DQ后缀）
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
16引脚CERDIP
e
a
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
or
30毫安，以先到为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
640
900
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 70047
S- 71241 -REV 。女，25军， 07
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
a
测试条件
除非指定
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0 V或12 V
I-
V
OP
房间
满
房间
满
满
1
5
-1
-5
4
44
-1
-5
4
44
1
5
A
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
Q
V
D
=
3
V， 8 V，I
S
= 1毫安
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
满
房间
满
房间
房间
房间
4
90
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
0
最大
d
12
160
200
300
200
后缀
- 4085 ℃下
民
d
0
最大
d
12
160
200
300
200
单位
V
Ω
V
S
= 8 V ，见图2
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
Ω
ns
pC
V
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
4
文档编号： 70047
S- 71241 -REV 。女，25军， 07
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 45
W
低漏-I
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
： < 200纳秒
低毛刺-Q量：1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG308A / 309
节省空间（ TSSOP ）
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG308B / 309B模拟开关大大提高
工业标准DG308A / 309的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
开关瞬变。该DG308B和DG309B可处理
最多
"22-V
输入信号。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计最小化
的DG308B是一个常开开关和DG309B是一
常闭开关。 （见真值表。 ）
功能框图及引脚配置
DG308B
双列直插式， SOIC和TSSOP
真值表
逻辑
DG308B
关闭
ON
逻辑“0”的
v
3.5V
逻辑“1”的
w
11 V
DG309B
ON
关闭
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
0
1
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
-40到85°C
40
16引脚窄体SOIC
16引脚TSSOP
产品型号
DG308BDJ
DG309BDJ
DG308BDY
DG309BDY
DG308BDQ
DG309BDQ
DG308BAK
DG308BAK/883
DG309BAK
DG309BAK/883
顶视图
-55到125°C
55
16引脚CERDIP
16皮 DIP
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AK ，后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DY ， DQ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
16引脚CERDIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
-15
15
85
100
-15
15
85
100
V
W
%
-0.5
-20
-0.5
-20
-0.5
-40
0.5
20
0.5
20
0.5
40
-0.5
–5
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
流掉泄漏电流
-0.5
–5
–0.5
–10
漏极泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
5
–
1
11
3.5
1
11
3.5
–
1
V
mA
pF
1
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道
相声
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
= 3 V ，见图2
房间
房间
房间
房间
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的，R
L
= 50
W
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
1
5
5
16
90
dB
95
pF
F
200
150
200
150
ns
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V,
R
g
= 0
W
pC
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或15 V
I–
V
OP
房间
满
房间
满
满
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
5
-1
-5
＆ QUOT ;
4
1
5
-1
-5
1
mA
＆ QUOT ;
22
＆ QUOT ;
4
＆ QUOT ;
22
V
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
90
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
0
12
160
200
0
12
160
200
V
W
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V ，见图2
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
4
300
200
300
200
ns
pC
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或12伏
I–
V
OP
房间
满
房间
满
满
5
-1
-5
4
1
5
-1
-5
1
mA
44
4
44
V
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
250
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
225
200
V+ = 5 V
漏电流与模拟电压
40
30
20
I S ， I D - 电流（ PA）
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D（上）
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
12 V
15 V
7V
10
0
–10
–20
–30
–40
–20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
模拟电压
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S ， I D - 当前
Q - 费（ PC）
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度（℃）
模拟电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-4
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
DG308B/309B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
关断隔离与频率的关系
120
110
100
OIRR （ dB）的
90
R
L
= 50
W
80
70
60
50
40
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = 15 V
V– = –15 V
的F - 频率（Hz）
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
X
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
D
X
GND
V–
图1 。
测试电路
+15 V
V+
V
S
= +3 V
S
IN
12 V
GND
V–
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
开关
产量
–15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
V
O
t
ON
90%
D
V
O
逻辑
输入
12 V
50%
0V
t
关闭
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
图2中。
开关时间
文档编号： 70047
S- 52896 -REV 。 E， 7月14日 - 97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-5
DG308B ， DG309B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
描述
该DG308B ， DG309B模拟开关大大提高
工业标准DG308A ， DG309的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计
减少开关瞬变。该DG308B和DG309B
可以处理最高±22 V的输入信号。外延层
防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
的DG308B是一个常开开关和DG309B是
一常闭开关。 （见真值表。 ）
特点
± 22 V电源电压额定值
CMOS兼容逻辑
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 45
低漏 - 我
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换 - 吨
ON
： < 200纳秒
低毛刺 - 问： 1 pC的
好处
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG308A ， DG309
节省空间（ TSSOP ）
应用
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
功能框图及引脚配置
DG308B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
3.5
V
逻辑“1”的
11
V
DG308B
关闭
ON
DG309B
ON
关闭
顶视图
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70047
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
1
DG308B ， DG309B
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
产品型号
DG308BDJ
DG308BDJ-E3
DG309BDJ
DG309BDJ-E3
DG308BDY
DG308BDY-E3
DG308BDY-T1
DG308BDY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
- 40 ° C至85°C
DG309BDY
DG309BDY-E3
DG309BDY-T1
DG309BDY-T1-E3
DG308BDQ
DG308BDQ-E3
DG308BDQ-T1
DG308BDQ-T1-E3
16引脚TSSOP
DG309BDQ
DG309BDQ-E3
DG309BDQ-T1
DG309BDQ-T1-E3
16引脚PlasticDIP
绝对最大额定值
参数
参考电压，V +至V-
GND
数字输入
a
,
极限
44
25
V
S
, V
D
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
or
30毫安，以先到为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
d
单位
V
当前，在任何终端
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大）
储存温度
（ AK后缀）
（ DJ ， DY和DQ后缀）
16引脚塑料DIP
c
功耗
（包）
b
16引脚窄体SOIC和TSSOP
16引脚CERDIP
e
mA
°C
640
900
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 70047
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
DG308B ， DG309B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
V
INH
或V
INL
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
5
5
16
90
95
dB
pF
5
200
150
200
150
-1
典型值。
c
分钟。
d
- 15
45
2
±
0.01
马克斯。
d
15
85
100
0.5
20
0.5
20
0.5
40
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
85
100
0.5
5
0.5
5
0.5
10
单位
V
%
- 0.5
- 20
- 0.5
- 20
- 0.5
- 40
11
3.5
1
-1
- 0.5
-5
- 0.5
-5
- 0.5
- 10
11
3.5
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入，电压低
输入电流
输入电容
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道
相声
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
D
=
±
10 V，I
S
= 1毫安
V
S
=
±
14 V, V
D
=
±
14 V
V
D
=
±
14 V, V
S
=
±
14 V
V
S
= V
D
=
±
14 V
±
0.01
±
0.02
nA
V
A
pF
V
S
= 3 V ，见图2
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V ，R
g
= 0
V
S
= 0 V ， F = 1MHz时，
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的，R
L
= 50
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
ns
pC
I+
V
IN
= 0 V或15 V
I-
V
OP
房间
满
房间
满
满
1
5
-1
-5
-1
-5
1
5
A
±
4
±
22
±
4
±
22
V
文档编号： 70047
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
3
DG308B ， DG309B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（单电源）
测试条件
除非指定
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
IN
= 11 V, 3.5 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
满
4
1
5
-1
-5
4
44
-1
-5
4
44
1
5
典型值。
c
分钟。
d
0
90
马克斯。
d
12
160
200
300
200
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
160
200
300
200
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
Q
V
D
=
3
V， 8 V，I
S
= 1毫安
V
S
= 8 V ，见图2
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
ns
pC
I+
V
IN
= 0 V或12 V
I-
V
OP
A
V
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
4
文档编号： 70047
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
DG308B ， DG309B
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
110
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
- 20 - 16 - 12
-8
-4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
± 20 V
100
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
±5V
± 10 V
± 15 V
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
250
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
225
200
20
I
S,
I
D
- 电流（ PA）
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
- 30
- 40
- 20
12 V
15 V
7V
10
0
- 10
- 20
V+ = 5 V
40
30
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
V+ = 22 V
V- = - 22 V
T
A
= 25 °C
I
D（上）
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
V
D
- 漏极电压（ V）
模拟电压
R
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
1 nA的
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
S,
V
D
= ± 14 V
30
漏电流与模拟电压
20
I
S,
I
D
- 当前
100 pA的
Q - 费（ PC）
10
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V+ = 12 V
V- = 0 V
- 10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
- 20
1 pA的
- 55
- 35
- 15
5
25
45
65
85
105 125
- 30
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
温度（℃）
模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
Q
S
, Q
D
- 电荷注入与模拟电压
文档编号： 70047
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
5
QQ：2880707522 复制
