DG308A ， DG309
Vishay Siliconix公司
四单片SPST CMOS模拟开关
描述
具有低导通电阻（ 60
)
和快速开关
（ 130纳秒） ，该DG308A提供的“常开”
配置而DG309提供“常闭” 。
输入阈值高电压CMOS兼容。
随着日前，Vishay Siliconix的PLUS- 40 CMOS工艺设计
到低功耗结合具有高击穿
44 V电压等级，每个开关导电性能相同，在
上升到电源电压的两个方向上时，与块
当关闭。外延层可防止闩锁。
该DG308B ， DG309B升级推荐新
设计。
特点
± 15 V模拟输入范围
低导通电阻： 60
快速开关： 130纳秒
低功耗： 30纳瓦
CMOS逻辑兼容
好处
全轨到轨模拟信号范围
低信号错误
宽动态范围
单电源或双电源功能
静态保护的逻辑输入
节省空间（ TSSOP ）
应用
便携式和电池供电的仪器仪表
通讯系统
计算机外设
高速多路复用
功能框图及引脚配置
DG308A
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
对于每SPST开关套餐
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
3.5
V
逻辑“1”的
11
V
DG308A
关闭
ON
DG309
ON
关闭
顶视图
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70046
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
1
DG308A ， DG309
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
0 C至70 C
包
16引脚塑料DIP
产品型号
DG308ACJ
DG308ACJ-E3
DG309CJ
DG309CJ-E3
DG308ADY
DG308ADY-E3
DG308ADY-T1
DG308ADY-T1-E3
DG309DY
DG309DY-E3
DG309DY-T1
DG309DY-T1-E3
DG308ADQ
DG308ADQ-E3
DG308ADQ-T1
DG308ADQ-T1-E3
DG309DQ
DG309DQ-E3
DG309DQ-T1
DG309DQ-T1-E3
16引脚窄体SOIC
- 40 ° C至85°C
16引脚TSSOP
绝对最大额定值
参数
参考电压V +至V-
GND
数字输入
a
, V
S
, V
D
目前，任何终端除S或D
连续电流
储存温度
s或
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）
（ AK后缀）
（ CJ ， DY和DQ后缀）
16引脚塑料DIP
c
功耗
b
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V +） + 2或
20 mA，且以先到者为准
30
20
70
- 65 150
- 65 125
470
e
单位
V
mA
°C
16引脚窄体SOIC和TSSOP
16引脚CERDIP
d
600
900
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免6.5毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 70046
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
DG308A ， DG309
Vishay Siliconix公司
原理图
（典型频道）
V+
S
V-
V
IN
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V-
图1 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
IN
= 3.5 V或11 V
f
后缀
- 55 ° C至125°C
温度。
b
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
典型值。
c
分钟。
d
- 15
60
马克斯。
d
15
100
150
1
100
1
100
1
100
C，D后缀
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
单位
15
100
125
5
100
5
100
5
200
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
数字控制
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
输入电容
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
f
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
D
=
±
10 V，I
S
= 1毫安
V
S
=
±
14 V, V
D
=
±
14 V
V
D
=
±
14 V, V
S
=
±
14 V
V
D
= V
S
=
±
14 V
±
0.1
±
0.1
±
0.1
-1
100
-1
100
-1
100
-5
- 100
-5
- 100
-5
- 200
nA
I
INH
I
INL
C
IN
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
V
IN
= 15 V
V
IN
= 0 V
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.001
- 0.001
8
130
90
- 10
11
8
27
78
-1
1
-1
1
A
pF
见图2
C
L
= 0.01 μF ，R
根
= 0
V
根
= 0 V,
F = 140千赫，V
S
, V
D
= 0 V
R
L
= 75
,
V
S
= 2 V
p-p
， F = 500千赫
200
150
200
150
ns
pC
pF
dB
文档编号： 70046
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
3
DG308A ， DG309
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
IN
= 3.5 V或11 V
f
后缀
- 55 ° C至125°C
温度。
b
房间
满
房间
满
典型值。
c
0.001
- 0.001
- 10
- 100
分钟。
d
马克斯。
d
10
100
- 100
C，D后缀
分钟。
d
马克斯。
d
单位
10
100
参数
电源
正电源电流
负电源电流
符号
I+
I-
所有通道ON或OFF
V
IN
= 0 V或15 V
A
注意事项：
答。请参阅处理方案流程图。
b.Room = 25°C ，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
d.The代数惯例，由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
设计e.Guaranteed ，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
1000
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
150
T
A
= 25 °C
±5V
800
120
600
I + ， I- （ μA ）
90
± 7.5 V
± 10 V
60
± 15 V
30
± 20 V
200
± 15 V电源
T
A
= 25 °C
400
I-
I+
0
- 20
100
- 15
- 10
-5
5
0
10
V
D
- 漏极电压（ V）
15
20
1k
10 k
100 k
1M
的F - 频率（Hz）
R
DS （ ON）
与V
D
和电源
20
电源电流与开关频率（所有输入有效）
250
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
T
A
= 25 °C
10
I
S（ OFF）
0
I
S
, I
D
（ PA ）
I
D（关闭）
- 10
I
D（上）
V+ = + 7.5 V
200
T
A
= 25 °C
V- = 0 V
150
+ 10 V
100
+ 15 V
- 20
50
+ 20 V
- 30
- 15 - 12 - 9 - 6 - 3
0
3
6
9
12
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
15
0
0
5
10
V
D
- 漏极电压（ V）
15
20
漏电流与模拟电压
www.vishay.com
4
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
文档编号： 70046
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
DG308A ， DG309
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
10
T
A
= 25 °C
7
8
6
6
V
T
(V)
V
T
(V)
5
4
3
2
1
0
0
±5
± 10
± 15
± 20
V + ， V-正负电源（ V）
0
0
5
10
15
8
V- = 0 V
T
A
= 25 °C
4
2
输入开关阈值
与V +和V-电源电压
V + - 正电源电压（ V）
输入开关阈值与正
电源电压
+ 15 V
V+
V
S
= + 3 V
S
IN
12 V
GND
V-
R
L
1 k
C
L
35 pF的
开关
产量
- 15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ R
DS （ ON）
V
O
t
ON
90 %
D
V
O
逻辑
输入
12 V
50 %
0V
t
关闭
t
r
< 20纳秒
t
f
< 20纳秒
图2.开关时间
应用
单电源供电
该DG308A和DG309将切换正模拟信号
而使用单一正电源。这将允许使用在
许多应用中，只有一个电源可用。该
权衡或性能放弃，而使用单
耗材：
1 ）加强研究
DS （ ON）
和2）更慢的切换速度。如
在数据的绝对最大额定值部分规定
片，所述模拟电压不应该高于或低于
电源电压采用单电源供电的V +和
0 V.
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?70046.
文档编号： 70046
S11-0303 -REV 。 G， 28 -FEB- 11
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DG308A/DG309
Vishay Siliconix公司
四单片SPST CMOS模拟开关
描述
具有低导通电阻（ 60
Ω)
和快速开关
（ 130纳秒） ，该DG308A提供的“常开”
配置而DG309提供“常闭” 。
输入阈值高电压CMOS兼容。
随着日前，Vishay Siliconix的PLUS- 40 CMOS工艺设计
到低功耗结合具有高击穿
44 V电压等级，每个开关导电性能相同，在
上升到电源电压的两个方向上时，与块
当关闭。外延层可防止闩锁。
该DG308B / 309B的升级推荐新
设计。
特点
± 15 V模拟输入范围
低导通电阻： 60
Ω
快速开关： 130纳秒
低功耗： 30纳瓦
CMOS逻辑兼容
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
全轨到轨模拟信号范围
低信号错误
宽动态范围
单电源或双电源功能
静态保护的逻辑输入
节省空间（ TSSOP ）
应用
便携式和电池供电的仪器仪表
通讯系统
计算机外设
高速多路复用
功能框图及引脚配置
DG308A
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
对于每SPST开关套餐
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
3.5 V
逻辑"1"
≥
11 V
DG308A
关闭
ON
DG309
ON
关闭
顶视图
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70046
S- 71155 -REV 。男， 11军， 07
www.vishay.com
1
DG308A/DG309
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
0至70℃
包
16引脚塑料DIP
产品型号
DG308ACJ
DG308ACJ-E3
DG309CJ
DG309CJ-E3
DG308ADY
DG308ADY-E3
DG308ADY-T1
DG308ADY-T1-E3
DG309DY
DG309DY-E3
DG309DY-T1
DG309DY-T1-E3
DG308ADQ
DG308ADQ-E3
DG308ADQ-T1
DG308ADQ-T1-E3
DG309DQ
DG309DQ-E3
DG309DQ-T1
DG309DQ-T1-E3
16引脚窄体SOIC
- 4085 ℃下
16引脚TSSOP
绝对最大额定值
参数
参考电压V +至V-
GND
数字
输入
a
,
V
S
, V
D
s或
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
（ AK后缀）
（ CJ ， DY和DQ后缀）
16引脚塑料DIP
c
功耗
b
16引脚窄体SOIC和TSSOP
e
16引脚CERDIP
d
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V +） + 2或
20 mA，且以先到者为准
30
20
70
- 65 150
- 65 125
470
600
900
mW
°C
mA
V
单位
目前，任何终端除S或D
连续电流
储存温度
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免6.5毫瓦/°C， 25°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
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2
文档编号： 70046
S- 71155 -REV 。男， 11军， 07
DG308A/DG309
Vishay Siliconix公司
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
V-
V
IN
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V-
图1 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
数字控制
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
输入电容
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
f
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
R
L
= 75
Ω,
V
S
= 2 V
p-p
， F = 500千赫
F = 140千赫，V
S
, V
D
= 0 V
见图2
C
L
= 0.01 μF ，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
130
90
- 10
11
8
27
78
dB
pF
200
150
200
150
ns
pC
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
D
=
±
10 V，I
S
= 1毫安
V
S
=
±
14 V, V
D
=
±
14 V
V
D
=
±
14 V, V
S
=
±
14 V
V
D
= V
S
=
±
14 V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
60
- 15
15
100
150
1
100
1
100
1
100
- 15
15
100
125
5
100
5
100
5
200
V
Ω
符号
V
IN
= 3.5 V或11 V
f
温度
b
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
最大
d
C，D后缀
民
d
最大
d
单位
±
0.1
±
0.1
±
0.1
-1
100
-1
100
-1
100
-5
- 100
-5
- 100
-5
- 200
nA
I
INH
I
INL
C
IN
V
IN
= 15 V
V
IN
= 0 V
满
满
房间
0.001
- 0.001
8
-1
1
-1
1
A
pF
文档编号： 70046
S- 71155 -REV 。男， 11军， 07
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3
DG308A/DG309
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
电源
正电源电流
负电源电流
符号
V
IN
= 3.5 V或11 V
f
温度
b
房间
满
房间
满
典型值
c
0.001
- 0.001
- 10
- 100
后缀
- 55至125℃的
民
d
最大
d
10
100
- 100
C，D后缀
民
d
最大
d
10
100
单位
I+
I-
所有通道ON或OFF
V
IN
= 0 V或15 V
A
注意事项：
答。请参阅处理方案流程图。
b.Room = 25°C ，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
d.The代数惯例，由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
设计e.Guaranteed ，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1000
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
150
T
A
= 25 °C
±5V
800
120
600
± 15 V电源
T
A
= 25 °C
90
± 10 V
60
± 15 V
± 20 V
I + ， I- （ μA ）
± 7.5 V
400
I-
200
I+
30
0
- 20
100
- 15
- 10
-5
5
0
10
V
D
- 漏极电压（ V）
15
20
1k
10 k
100 k
1M
的F - 频率（Hz）
r
DS （ ON）
与V
D
和电源
20
电源电流与开关频率（所有输入有效）
250
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
T
A
= 25 °C
10
I
S（ OFF）
0
I S ， I D （PA ）
I
D（关闭）
- 10
I
D（上）
V+ = + 7.5 V
200
T
A
= 25 °C
V- = 0 V
150
+ 10 V
100
+ 15 V
- 20
50
+ 20 V
- 30
- 15 - 12 - 9 - 6 - 3
0
3
6 9
12
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
15
0
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
20
漏电流与模拟电压
www.vishay.com
4
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
文档编号： 70046
S- 71155 -REV 。男， 11军， 07
DG308A/DG309
Vishay Siliconix公司
典型特征
10
T
A
= 25 °C
7
8
6
5
V T（ V）
4
3
2
2
1
0
0
0
±5
± 10
± 15
V + ， V-正&负电源（ V）
± 20
0
5
10
15
25 ℃，除非另有说明
8
V- = 0 V
T
A
= 25 °C
6
V T（ V）
4
输入开关阈值
与V +和V-电源电压
V + - 正电源电压（ V）
输入开关阈值与正
电源电压
测试电路
+ 15 V
V+
V
S
= + 3 V
S
IN
12 V
GND
V-
R
L
1k
C
L
35 pF的
开关
产量
- 15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
V
O
t
ON
90 %
D
V
O
逻辑
输入
12 V
50 %
0V
t
关闭
t
r
< 20纳秒
t
f
< 20纳秒
图2.开关时间
应用
单电源供电
该DG308A和DG309将切换正模拟信号
而使用单一正电源。这将允许使用在
许多应用中，只有一个电源可用。该
权衡或性能放弃，而使用单
耗材：
1 ）加强研究
DS （ ON）
和2）更慢的切换速度。正如
在数据表中的绝对最大额定值部分，
模拟电压不应该高于或低于供应
该电压在单电源供电的V +和0 V.
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技可靠性数据
术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性
数据见
http://www.vishay.com/ppg?70046 。
文档编号： 70046
S- 71155 -REV 。男， 11军， 07
www.vishay.com
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