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DG2799
Vishay Siliconix公司
低电压,低导通电阻,双DPDT模拟开关
描述
该DG2799是双路双刀/双掷单片
CMOS模拟开关设计的高性能开关
荷兰国际集团的模拟信号。结合低功耗,高速,低
导通电阻和小的物理尺寸, DG2799是理想
便携式和电池需要高供电应用
性能和高效利用的电路板空间。
该DG2799采用Vishay Siliconix公司的低电压亲
塞斯。外延层可以防止闭锁。打破先接后
做出保证。
该交换机进行同样在两个方向上时,
并阻止了电源电平的时候了。
作为一个坚定的合作伙伴,社区和环境
包换,日前,Vishay Siliconix公司生产该产品的
铅(Pb ) - 免费的设备终端。对于模拟开关
QFN封装制造的产品中,铅(Pb ) - 免费
“ -E3 / E4 ”只有后缀被用作一个代号。铅(以Pb计) -
随时购买免费的QFN产品将具有任一
镍钯金器件端接或100 %雾
锡器终止。不同的铅(Pb ) - 免费资料
是可以互换的,并满足所有JEDEC标准
回流焊和MSL等级。
特点
低电压操作( 1.65 V至4.3 V)
低导通电阻 - R的
ON
: 0.25
@ 2.7 V
快速开关:吨
ON
- 28纳秒
t
关闭
= 17 ns的
QFN - 16 ( 3× 3 )包装
闩锁电流> 300毫安( JESD78 )
好处
降低功耗
高精度
减少电路板空间
TTL / 1.8 -V逻辑兼容
高带宽
应用
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
功能框图及引脚配置
DG2799
QFN - 16 ( 3× 3 )
COM1 NO1
16
15
V+
14
NC4
13
真值表
逻辑
0
1
NC1 ,2,3和4中
ON
关闭
NO1 ,2,3和4中
关闭
ON
NC1
IN1,IN2
NO2
COM2
1
2
3
4
12
11
10
9
COM4
NO4
IN3 , IN4
NC3
订购信息
温度范围
-40到85°C
16引脚QFN (3× 3毫米),
变化2
产品型号
DG2799DN-T1—E4
5
NC2
6
GND
7
8
NO3 COM3
顶视图
注意:
底部裸露焊盘有没有设备的电气连接。这是消遣
ommended没有形成电连接到它。
文档编号: 72922
S- 52336 -REV 。男, 07 - NOV- 05
www.vishay.com
1
DG2799
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
参考GND
V+
IN, COM ,NC , NO
a
目前(除NO , NC或COM的任何终端)
连续电流( NO , NC或COM )
峰值电流(脉冲为1毫秒, 10 %占空比)
存储温度(D后缀)
16引脚QFN (3× 3毫米),
包装回流焊条件
d
符号
极限
-0.3 5.0
-0.3到(V + + 0.3 )
30
±300
±500
-65到150
250
1385
单位
V
mA
°C
mW
QFN-16
c
功率耗散(包)
b
笔记
一。在NC ,NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免17.3毫瓦/°C, 70°C以上
。手工焊接铁,不建议无引线元件。该QFN是一种无引线封装。引线端子的端部是
暴露的铜(未镀),为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能得到保证
并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。
规格( V + = 1.8 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 1.8 V, V
COM
- 0.2 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
导通电阻
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
1.0
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + , F = 1兆赫
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 100千赫
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ,R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
ROMM
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
66
–74
–74
108
108
240
240
pF
pC
dB
62
24
94
97
52
55
ns
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
–1
6
1
1.1
0.4
V
pF
A
r
ON
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0.9 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
0
0.35
0.45
V+
1.3
1.4
V
符号
V+ = 1.8 V, V
IN
= 0.4或1.1 V
e
温度
a
b
范围
-40到85°C
典型值
c
最大
b
单位
www.vishay.com
2
文档编号: 72922
S- 52336 -REV 。男, 07 - NOV- 05
DG2799
Vishay Siliconix公司
规格( V + = 3V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 2.7 V, V
COM
- 0.2 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
导通电阻
r
ON
r
ON
平整度
r
ON
I
否(关)
,
I
NC ( OFFF )
I
COM (关闭)
通道渗漏
当前
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
2.7
3.3
1.0
V
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + , F = 1兆赫
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 100千赫
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ,R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
ROMM
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
160
–75
–75
102
102
234
234
pF
pC
dB
28
17
57
60
45
47
ns
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
–1
6
1
1.4
0.5
V
pF
A
I
COM(上)
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
r
ON
平整度
d
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0到V + ,
I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
房间
房间
房间
房间
–1
–10
–1
–10
–1
–10
0.07
0.05
1
10
1
10
1
10
nA
0
0.3
0.25
V+
0.45
0.55
0.15
V
符号
V+ = 3 V, ±10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
b
范围
-40到85°C
典型值
c
最大
b
单位
r
ON
MATCH
d
关机漏电流
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V / 3.0 V,
V
COM
= 3.0 V / 0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V / 3.0 V
文档编号: 72922
S- 52336 -REV 。男, 07 - NOV- 05
www.vishay.com
3
DG2799
Vishay Siliconix公司
规格( V + = 4.3 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0.5 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
导通电阻
r
ON
r
ON
平整度
r
ON
I
否(关)
,
I
NC ( OFFF )
I
COM (关闭)
I
COM(上)
V+ = 4.3 V, V
COM
= 2.1 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
r
ON
平整度
d
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0到V + ,
I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V +的
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF, F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + , F = 1兆赫
房间
房间
房间
–1
320
–73
–73
100
100
230
230
4.3
V
IN
= 0或V +的
1.0
V
A
pF
6
1
–10
–100
–10
–100
–10
–100
1.6
0.5
0.07
0.05
10
100
10
100
10
100
nA
0
0.29
0.21
V+
0.43
0.53
0.15
V
符号
V+ = 4.3 V, V
IN
= 0.5或1.6 V
e
温度
a
b
范围
-40到85°C
典型值
c
最大
b
单位
r
ON
MATCH
d
关机泄漏
当前
d
通道渗漏
当前
d
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V / 4.0 V,
V
COM
= 4.0 V / 0.3 V
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 3.0 V / 4.0 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
pC
dB
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
pF
A
笔记
一。房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。保证了设计,不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
4
文档编号: 72922
S- 52336 -REV 。男, 07 - NOV- 05
DG2799
Vishay Siliconix公司
典型特征
0.8
0.7
r
ON
- 导通电阻(
)
0.6
V+ = 2.0 V
0.5
0.4
0.3
0.2
V+ = 3.3 V
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.6 V
V+ = 2.3 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
T = 25
C
I
S
= 100毫安
NC开关
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
0.8
0.7
r
ON
- 导通电阻(
)
0.6
0.5
25
C
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
-40
°
C
I
S
= 100毫安
V+ = 3 V
85
C
V+ = 1.65 V
V+ = 1.8 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
V
COM
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压( V)
模拟电压( V)
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.6
I
S
= 100毫安
V+ = 4.3 V
I + - 电源电流( NA)
85
C
25
C
-40
°
C
1000
10000
r
ON
与模拟电压和温度
0.5
r
ON
- 导通电阻(
)
V+ = 3 V
V
IN
= 0 V
0.4
0.3
100
0.2
10
0.1
0.0
0
1
V
COM
2
3
模拟电压( V)
4
5
1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
10
温度(
C)
r
ON
与模拟电压和温度
1000
百毫安
10毫安
I + - 电源电流( A)
1毫安
100
A
10
A
1
A
100 nA的
10 nA的
1 nA的
100 pA的
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
输入开关频率(Hz )
1
-60
V+ = 2.7 V
漏电流(PA )
100
电源电流与温度的关系
V+ = 3.3 V
I
否(关)
, I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
10
I
COM(上)
-40
-20
0
20
40
60
80
10
温度(
C)
电源电流与输入开关频率
电源电流与温度的关系
文档编号: 72922
S- 52336 -REV 。男, 07 - NOV- 05
www.vishay.com
5
DG2799
新产品
Vishay Siliconix公司
0.25 -W CMOS , 1.65 V至4.3 V,双通道双刀双掷模拟开关
特点
D
低电压操作( 1.65 V至4.3 V)
D
低导通电阻 - R的
ON:
0.25
W
@ 2.7 V
D
快速切换:吨
ON
- 28纳秒
t
关闭
= 17 ns的
D
QFN - 16 ( 3×3 )套餐
D
闩锁电流>300毫安( JESD78 )
好处
D
D
D
D
D
降低功耗
精度高
减少电路板空间
TTL / 1.8 -V逻辑兼容
高带宽
应用
D
D
D
D
D
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
描述
该DG2799是双路双刀/双掷单片
CMOS模拟开关设计的高性能开关
的模拟信号。结合低功耗,高速,低
导通电阻和小的物理尺寸, DG2799是理想的
便携式和电池需要高供电应用
性能和高效利用的电路板空间。
该DG2799采用Vishay Siliconix公司的低电压工艺制造。一
外延层可以防止闭锁。突破前先为
保证。
该交换机进行同样在两个方向上时,
并阻止了电源电平的时候了。
作为一个坚定的合作伙伴,社区和环境,
日前,Vishay Siliconix公司生产这种产品的无铅(Pb ) - 免费
设备终端。
对于模拟开关产品
QFN封装制造,铅(Pb ) - 免费“ -E3 / E4 ”
后缀被用来作为一个标志符。铅(Pb ) - 免费QFN
随时购买的产品将具有任一
镍钯金器件端接或100 %雾锡
设备终端。不同的铅(Pb ) - 免费材料
互换,满足所有JEDEC标准的回流焊和
MSL等级。
功能框图及引脚配置
QFN - 16 ( 3× 3 )
COM1 NO1
16
15
V+
14
NC4
13
DG2799
真值表
逻辑
12
11
10
9
COM4
NO4
0
1
NC1 ,2,3和4中
ON
关闭
NO1 ,2,3和4中
关闭
ON
NC1
IN1,IN2
NO2
COM2
1
2
3
4
订购信息
IN3 , IN4
NC3
温度范围
-40到85°C
16引脚QFN (3× 3毫米),
变化2
产品型号
DG2799DN-T1—E3/E4
5
NC2
注意:
6
GND
7
8
NO3 COM3
顶视图
底部裸露焊盘有没有设备的电气连接。它
建议在没有形成电连接到它。
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
www.vishay.com
1
DG2799
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到+5.0 V
IN, COM ,NC , NO
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到(V + + 0.3V)
电流(除NO,NC或COM不限终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
连续电流( NO , NC或COM ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"500
mA
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
存储温度(D后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
包装回流焊条件
d
16引脚QFN (3 ×3毫米)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250℃
功率耗散(包)
b
QFN-16
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1385毫瓦
注意事项:
一。数控信号,无需或COM或IN超过V +将被夹住间
最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免17.3毫瓦/ _C以上70_C
。手工焊接铁,不建议无引线元件。
该QFN是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜(未镀),为在manufactur-单片化处理的结果
ING 。焊料圆角处露铜唇不能得到保证,并
不要求保证足够的底侧的焊料互连。
新产品
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
规格( V + = 1.8 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0.2 V / 0.9 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
0
0.47
V+
1.3
1.4
V
W
范围
40
至85℃
符号
V+ = 1.8 V, V
IN
= 0.4或1.1 V
e
温度
a
b
典型值
c
最大
b
单位
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
IN
= 0或V +的
1.1
0.4
6
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF,
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ,R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
66
74
74
108
108
240
240
pF
pC
dB
62
24
94
97
52
55
ns
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
1.0
mA
www.vishay.com
2
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
DG2799
新产品
规格( V + = 3V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
否(关)
,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
信道泄漏电流
I
COM(上)
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.2 V / 1.5 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 2.7 V
V
COM
= 0至V + I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
10
1
10
1
10
0
0.3
0.07
0.05
1
10
1
10
1
10
nA
V+
0.45
0.55
0.15
W
V
Vishay Siliconix公司
范围
40
至85℃
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3.0 V
V
COM
= 3.0 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3.0 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
IN
= 0或V +的
1.4
0.5
6
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
收费
注射
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道上
电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF,
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ,R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
160
75
75
102
102
234
234
pF
pC
dB
28
17
57
60
45
47
ns
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
2.7
3.3
1.0
V
mA
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
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3
DG2799
Vishay Siliconix公司
规格( V + = 4.3 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
否(关)
,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
信道泄漏电流
d
I
COM(上)
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0.5 V / 2.1 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 4.3 V
V
COM
= 0至V + I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
10
100
10
100
10
100
0
0.29
0.07
0.05
10
100
10
100
10
100
nA
V+
0.43
0.53
0.15
W
V
新产品
范围
40
至85℃
符号
V+ = 4.3 V, V
IN
= 0.5或1.6 V
e
温度
a
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
d
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/4.0 V
V
COM
= 4.0 V/0.3 V
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/4.0 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
INL
C
in
V
IN
= 0或V +的
1.6
0.5
6
1
1
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
320
73
73
100
100
230
230
pF
pC
dB
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
4.3
1.0
V
mA
注意事项:
a.
b.
c.
d.
e.
房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
保证了设计,不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
DG2799
新产品
典型特征( 25_C除非另有说明)
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.8
0.7
r
ON
导通电阻(
W
)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 3.6 V
V+ = 1.65 V
中T = 25℃
I
S
= 100毫安
NC开关
0.8
0.7
r
ON
导通电阻(
W
)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
I
S
= 100毫安
V+ = 3 V
85_C
25_C
40_C
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.3 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压( V)
V
COM
模拟电压( V)
r
ON
与模拟电压和温度
0.6
0.5
r
ON
导通电阻(
W
)
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
V
COM
模拟电压( V)
1
60
40
I
S
= 100毫安
V+ = 4.3 V
I+
电源电流( NA)
85_C
25_C
40_C
1000
10000
电源电流与温度的关系
V+ = 3 V
V
IN
= 0 V
100
10
20
0
20
40
60
80
100
温度(℃)
电源电流与输入开关频率
百毫安
10毫安
I+
电源电流( A)
1毫安
漏电流(PA )
100
mA
10
mA
1
mA
100 nA的
10 nA的
1 nA的
100 pA的
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
输入开关频率(Hz )
V+ = 2.7 V
漏电流与温度的关系
1000
V+ = 3.3 V
I
否(关)
, I
NC (关闭)
100
I
COM (关闭)
10
I
COM(上)
1
60
40
20
0
20
40
60
80
100
温度(℃)
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
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5
DG2799
新产品
Vishay Siliconix公司
0.25 -W CMOS , 1.65 V至4.3 V,双通道双刀双掷模拟开关
特点
D
低电压操作( 1.65 V至4.3 V)
D
低导通电阻 - R的
ON:
0.25
W
@ 2.7 V
D
快速切换:吨
ON
- 28纳秒
t
关闭
= 17 ns的
D
QFN - 16 ( 3×3 )套餐
D
闩锁电流>300毫安( JESD78 )
好处
D
D
D
D
D
降低功耗
精度高
减少电路板空间
TTL / 1.8 -V逻辑兼容
高带宽
应用
D
D
D
D
D
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
描述
该DG2799是双路双刀/双掷单片
CMOS模拟开关设计的高性能开关
的模拟信号。结合低功耗,高速,低
导通电阻和小的物理尺寸, DG2799是理想的
便携式和电池需要高供电应用
性能和高效利用的电路板空间。
该DG2799采用Vishay Siliconix公司的低电压工艺制造。一
外延层可以防止闭锁。突破前先为
保证。
该交换机进行同样在两个方向上时,
并阻止了电源电平的时候了。
作为一个坚定的合作伙伴,社区和环境,
日前,Vishay Siliconix公司生产这种产品的无铅(Pb ) - 免费
设备终端。
对于模拟开关产品
QFN封装制造,铅(Pb ) - 免费“ -E3 / E4 ”
后缀被用来作为一个标志符。铅(Pb ) - 免费QFN
随时购买的产品将具有任一
镍钯金器件端接或100 %雾锡
设备终端。不同的铅(Pb ) - 免费材料
互换,满足所有JEDEC标准的回流焊和
MSL等级。
功能框图及引脚配置
QFN - 16 ( 3× 3 )
COM1 NO1
16
15
V+
14
NC4
13
DG2799
真值表
逻辑
12
11
10
9
COM4
NO4
0
1
NC1 ,2,3和4中
ON
关闭
NO1 ,2,3和4中
关闭
ON
NC1
IN1,IN2
NO2
COM2
1
2
3
4
订购信息
IN3 , IN4
NC3
温度范围
-40到85°C
16引脚QFN (3× 3毫米),
变化2
产品型号
DG2799DN-T1—E3/E4
5
NC2
注意:
6
GND
7
8
NO3 COM3
顶视图
底部裸露焊盘有没有设备的电气连接。它
建议在没有形成电连接到它。
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
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1
DG2799
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到+5.0 V
IN, COM ,NC , NO
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到(V + + 0.3V)
电流(除NO,NC或COM不限终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
连续电流( NO , NC或COM ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"500
mA
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
存储温度(D后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
包装回流焊条件
d
16引脚QFN (3 ×3毫米)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250℃
功率耗散(包)
b
QFN-16
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1385毫瓦
注意事项:
一。数控信号,无需或COM或IN超过V +将被夹住间
最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免17.3毫瓦/ _C以上70_C
。手工焊接铁,不建议无引线元件。
该QFN是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜(未镀),为在manufactur-单片化处理的结果
ING 。焊料圆角处露铜唇不能得到保证,并
不要求保证足够的底侧的焊料互连。
新产品
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
规格( V + = 1.8 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0.2 V / 0.9 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
0
0.47
V+
1.3
1.4
V
W
范围
40
至85℃
符号
V+ = 1.8 V, V
IN
= 0.4或1.1 V
e
温度
a
b
典型值
c
最大
b
单位
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
IN
= 0或V +的
1.1
0.4
6
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF,
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ,R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
66
74
74
108
108
240
240
pF
pC
dB
62
24
94
97
52
55
ns
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
1.0
mA
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文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
DG2799
新产品
规格( V + = 3V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
否(关)
,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
信道泄漏电流
I
COM(上)
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.2 V / 1.5 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 2.7 V
V
COM
= 0至V + I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
10
1
10
1
10
0
0.3
0.07
0.05
1
10
1
10
1
10
nA
V+
0.45
0.55
0.15
W
V
Vishay Siliconix公司
范围
40
至85℃
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3.0 V
V
COM
= 3.0 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3.0 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
IN
= 0或V +的
1.4
0.5
6
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
收费
注射
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道上
电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF,
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ,R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
160
75
75
102
102
234
234
pF
pC
dB
28
17
57
60
45
47
ns
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
2.7
3.3
1.0
V
mA
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
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3
DG2799
Vishay Siliconix公司
规格( V + = 4.3 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
否(关)
,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
信道泄漏电流
d
I
COM(上)
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0.5 V / 2.1 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 4.3 V
V
COM
= 0至V + I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
10
100
10
100
10
100
0
0.29
0.07
0.05
10
100
10
100
10
100
nA
V+
0.43
0.53
0.15
W
V
新产品
范围
40
至85℃
符号
V+ = 4.3 V, V
IN
= 0.5或1.6 V
e
温度
a
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
d
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/4.0 V
V
COM
= 4.0 V/0.3 V
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/4.0 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
INL
C
in
V
IN
= 0或V +的
1.6
0.5
6
1
1
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
320
73
73
100
100
230
230
pF
pC
dB
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
4.3
1.0
V
mA
注意事项:
a.
b.
c.
d.
e.
房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
保证了设计,不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.vishay.com
4
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
DG2799
新产品
典型特征( 25_C除非另有说明)
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.8
0.7
r
ON
导通电阻(
W
)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 3.6 V
V+ = 1.65 V
中T = 25℃
I
S
= 100毫安
NC开关
0.8
0.7
r
ON
导通电阻(
W
)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
I
S
= 100毫安
V+ = 3 V
85_C
25_C
40_C
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.3 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压( V)
V
COM
模拟电压( V)
r
ON
与模拟电压和温度
0.6
0.5
r
ON
导通电阻(
W
)
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
V
COM
模拟电压( V)
1
60
40
I
S
= 100毫安
V+ = 4.3 V
I+
电源电流( NA)
85_C
25_C
40_C
1000
10000
电源电流与温度的关系
V+ = 3 V
V
IN
= 0 V
100
10
20
0
20
40
60
80
100
温度(℃)
电源电流与输入开关频率
百毫安
10毫安
I+
电源电流( A)
1毫安
漏电流(PA )
100
mA
10
mA
1
mA
100 nA的
10 nA的
1 nA的
100 pA的
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
输入开关频率(Hz )
V+ = 2.7 V
漏电流与温度的关系
1000
V+ = 3.3 V
I
否(关)
, I
NC (关闭)
100
I
COM (关闭)
10
I
COM(上)
1
60
40
20
0
20
40
60
80
100
温度(℃)
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
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5
DG2799
新产品
Vishay Siliconix公司
0.25 -W CMOS , 1.65 V至4.3 V,双通道双刀双掷模拟开关
特点
D
低电压操作( 1.65 V至4.3 V)
D
低导通电阻 - R的
ON:
0.25
W
@ 2.7 V
D
快速切换:吨
ON
- 28纳秒
t
关闭
= 17 ns的
D
QFN - 16 ( 3×3 )套餐
D
闩锁电流>300毫安( JESD78 )
好处
D
D
D
D
D
降低功耗
精度高
减少电路板空间
TTL / 1.8 -V逻辑兼容
高带宽
应用
D
D
D
D
D
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
描述
该DG2799是双路双刀/双掷单片
CMOS模拟开关设计的高性能开关
的模拟信号。结合低功耗,高速,低
导通电阻和小的物理尺寸, DG2799是理想的
便携式和电池需要高供电应用
性能和高效利用的电路板空间。
该DG2799采用Vishay Siliconix公司的低电压工艺制造。一
外延层可以防止闭锁。突破前先为
保证。
该交换机进行同样在两个方向上时,
并阻止了电源电平的时候了。
作为一个坚定的合作伙伴,社区和环境,
日前,Vishay Siliconix公司生产这种产品的无铅(Pb ) - 免费
设备终端。
对于模拟开关产品
QFN封装制造,铅(Pb ) - 免费“ -E3 / E4 ”
后缀被用来作为一个标志符。铅(Pb ) - 免费QFN
随时购买的产品将具有任一
镍钯金器件端接或100 %雾锡
设备终端。不同的铅(Pb ) - 免费材料
互换,满足所有JEDEC标准的回流焊和
MSL等级。
功能框图及引脚配置
QFN - 16 ( 3× 3 )
COM1 NO1
16
15
V+
14
NC4
13
DG2799
真值表
逻辑
12
11
10
9
COM4
NO4
0
1
NC1 ,2,3和4中
ON
关闭
NO1 ,2,3和4中
关闭
ON
NC1
IN1,IN2
NO2
COM2
1
2
3
4
订购信息
IN3 , IN4
NC3
温度范围
-40到85°C
16引脚QFN (3× 3毫米),
变化2
产品型号
DG2799DN-T1—E3/E4
5
NC2
注意:
6
GND
7
8
NO3 COM3
顶视图
底部裸露焊盘有没有设备的电气连接。它
建议在没有形成电连接到它。
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S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
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DG2799
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到+5.0 V
IN, COM ,NC , NO
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3到(V + + 0.3V)
电流(除NO,NC或COM不限终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
连续电流( NO , NC或COM ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"500
mA
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
存储温度(D后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
包装回流焊条件
d
16引脚QFN (3 ×3毫米)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250℃
功率耗散(包)
b
QFN-16
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1385毫瓦
注意事项:
一。数控信号,无需或COM或IN超过V +将被夹住间
最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免17.3毫瓦/ _C以上70_C
。手工焊接铁,不建议无引线元件。
该QFN是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜(未镀),为在manufactur-单片化处理的结果
ING 。焊料圆角处露铜唇不能得到保证,并
不要求保证足够的底侧的焊料互连。
新产品
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
规格( V + = 1.8 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0.2 V / 0.9 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
0
0.47
V+
1.3
1.4
V
W
范围
40
至85℃
符号
V+ = 1.8 V, V
IN
= 0.4或1.1 V
e
温度
a
b
典型值
c
最大
b
单位
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
IN
= 0或V +的
1.1
0.4
6
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF,
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ,R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
66
74
74
108
108
240
240
pF
pC
dB
62
24
94
97
52
55
ns
电源
电源电流
I+
V
IN
= 0或V +的
1.0
mA
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2
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
DG2799
新产品
规格( V + = 3V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
否(关)
,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
信道泄漏电流
I
COM(上)
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.2 V / 1.5 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 2.7 V
V
COM
= 0至V + I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
10
1
10
1
10
0
0.3
0.07
0.05
1
10
1
10
1
10
nA
V+
0.45
0.55
0.15
W
V
Vishay Siliconix公司
范围
40
至85℃
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3.0 V
V
COM
= 3.0 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3.0 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
IN
= 0或V +的
1.4
0.5
6
1
1
V
INL
C
in
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
收费
注射
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道上
电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF,
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ,R
L
= 50
W,
C
L
= 35 pF的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
160
75
75
102
102
234
234
pF
pC
dB
28
17
57
60
45
47
ns
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
2.7
3.3
1.0
V
mA
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
www.vishay.com
3
DG2799
Vishay Siliconix公司
规格( V + = 4.3 V)
测试条件
否则,除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
否(关)
,
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
信道泄漏电流
d
I
COM(上)
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0.5 V / 2.1 V,I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+ = 4.3 V
V
COM
= 0至V + I
NO
, I
NC
= 100毫安
V+,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
10
100
10
100
10
100
0
0.29
0.07
0.05
10
100
10
100
10
100
nA
V+
0.43
0.53
0.15
W
V
新产品
范围
40
至85℃
符号
V+ = 4.3 V, V
IN
= 0.5或1.6 V
e
温度
a
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
d
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/4.0 V
V
COM
= 4.0 V/0.3 V
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/4.0 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
V
INL
C
in
V
IN
= 0或V +的
1.6
0.5
6
1
1
V
pF
mA
I
INL
还是我
INH
动态特性
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道上
通道导通电容
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
编号为(ON)的
C
数控(ON)的
V
IN
= 0或V + F = 1 MHz的
V+,
C
L
= 1 nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 100千赫
W,
PF,
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
320
73
73
100
100
230
230
pF
pC
dB
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
4.3
1.0
V
mA
注意事项:
a.
b.
c.
d.
e.
房间= 25 ° C,完全=由经营后缀确定。
典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
保证了设计,不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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4
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
DG2799
新产品
典型特征( 25_C除非另有说明)
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.8
0.7
r
ON
导通电阻(
W
)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
V+ = 3.3 V
V+ = 3.6 V
V+ = 1.65 V
中T = 25℃
I
S
= 100毫安
NC开关
0.8
0.7
r
ON
导通电阻(
W
)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
I
S
= 100毫安
V+ = 3 V
85_C
25_C
40_C
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度
V+ = 1.8 V
V+ = 2.0 V
V+ = 2.3 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
模拟电压( V)
V
COM
模拟电压( V)
r
ON
与模拟电压和温度
0.6
0.5
r
ON
导通电阻(
W
)
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
V
COM
模拟电压( V)
1
60
40
I
S
= 100毫安
V+ = 4.3 V
I+
电源电流( NA)
85_C
25_C
40_C
1000
10000
电源电流与温度的关系
V+ = 3 V
V
IN
= 0 V
100
10
20
0
20
40
60
80
100
温度(℃)
电源电流与输入开关频率
百毫安
10毫安
I+
电源电流( A)
1毫安
漏电流(PA )
100
mA
10
mA
1
mA
100 nA的
10 nA的
1 nA的
100 pA的
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
输入开关频率(Hz )
V+ = 2.7 V
漏电流与温度的关系
1000
V+ = 3.3 V
I
否(关)
, I
NC (关闭)
100
I
COM (关闭)
10
I
COM(上)
1
60
40
20
0
20
40
60
80
100
温度(℃)
文档编号: 72922
S- 41957 -REV 。 B, 25 - OCT- 04
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