DG2788 ， DG2789
Vishay Siliconix公司
低电压，低导通电阻，双DPDT /四路SPDT
模拟开关
描述
该DG2788 ， DG2789是单片CMOS模拟
交换产品设计的高性能开关
的模拟信号。结合低功耗，高速，低
导通电阻和小的物理尺寸， DG2788 ， DG2789
非常适合于便携式和电池供电应用
需要高性能和高效利用的电路板空间。
该DG2788 ， DG2789是采用Vishay Siliconix的低点
电压的过程。外延层可以防止闭锁。突破性
前先有保障。
该交换机进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。该
DG2788被配置为双双刀双掷
开关而DG2789配置为四路单
单刀双掷。该DG2789具有一个控制引脚为所有
4 SPDT开关，也有一个使能引脚，可以把
全部关闭。
该DG2788和DG2789采用小型miniQFN -16
引线封装（2.6× 1.8× 0.75mm）组合。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与铅（Pb） -free设备终端和为100％
符合RoHS 。
特点
低电压工作（ 1.65 V至4.3 V）
低导通电阻 - R的
ON
: 0.4
（典型值） 。在2.7 V
快速开关：吨
ON
= 47 ns的
t
关闭
- 15纳秒
miniQFN -16封装
闩锁电流> 300毫安（ JESD78 ）
好处
降低功耗
高精度
减少电路板空间
TTL / 1.8 V逻辑兼容
高带宽
应用
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
功能框图及引脚配置
DG2788
miniQFN-16
COM1 NO1 V + NC4
16
15
14
13
DG2789
miniQFN-16
COM1 NO1 V + NC4
16 15 14 13
真值表
(DG2788)
逻辑
0
NC1 ，2，3和4中
ON
关闭
NO1 ，2，3和4中
关闭
ON
NC1
IN1，IN2
NO2
COM2
1
2
3
4
12 COM4
11 NO4
10 IN3 ， IN4
9
NC3
NC1
1
12 COM4
11 NO4
10
9
EN
NC3
1
2 IN1
NO2 3
COM2
4
真值表
(DG2789)
EN逻辑
逻辑
0
1
x
NC1 ，2，3和4的NO1 ，2，3和4中
ON
关闭
关闭
关闭
ON
关闭
0
0
1
5
6
7
8
5
6
7
8
NC2 GND NO3 COM3
顶视图
NC2 GND NO3 COM3
顶视图
AXX
销1
器件标识： AXX的DG2788
BXX为DG2789
XX =日期/批次追踪码
注：1脚有很长的
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至85°C
包
miniQFN-16
产品型号
DG2788DN-T1-E4
DG2789DN-T1-E4
文档编号： 73863
S11-0303 -REV 。 E， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
1
DG2788 ， DG2789
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
参考GND
V+
IN， COM ，NC ， NO
a
目前（除NO ， NC或COM的任何终端）
连续电流（ NO ， NC或COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
miniQFN-16
包装回流焊条件
d
miniQFN-16
c
符号
极限
- 0.3 5.0
- 0.3 （V + + 0.3 ）
30
± 300
± 500
- 65 150
250
525
单位
V
mA
°C
mW
功率耗散（包）
b
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.6毫瓦/°C， 70°C以上
。手工焊接铁，不建议无引线元件。该miniQFN - 16是一种无引线封装。引线端子的端
是暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能
保证不要求保证足够的底侧的焊料互连。
www.vishay.com
2
文档编号： 73863
S11-0303 -REV 。 E， 28 -FEB- 11
DG2788 ， DG2789
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
导通电阻
R
ON
R
ON
平整度
R
ON
I
否（关）
,
I
NC （ OFFF ）
I
COM （关闭）
通道渗漏
当前
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
D，F
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
满
2.7
3.3
1.0
V
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
F = 1 MHz的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
ROMM
满
房间
满
满
房间
1
87
- 69
- 49
- 106
- 96
81
81
186
186
pF
dB
pC
47
15
72
75
43
45
ns
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
-1
6
1
1.4
0.5
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
R
ON
平整度
d
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0到V + ，
I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
0.1
0.05
1
10
1
10
1
10
nA
0
0.4
0.33
V+
0.5
0.56
0.15
V
符号
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
R
ON
MATCH
d
关机漏电流
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3.0 V,
V
COM
= 3.0 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3.0 V
文档编号： 73863
S11-0303 -REV 。 E， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
3
DG2788 ， DG2789
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 4.3 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0.9 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
导通电阻
R
ON
R
ON
平整度
R
ON
I
否（关）
,
I
NC （ OFFF ）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V+ = 4.3 V, V
COM
= 2.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
R
ON
平整度
d
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0到V + ，
I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
满
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
-1
105
79
79
183
183
4.3
V
IN
= 0或V +的
满
1.0
V
A
pF
6
1
-10
- 100
- 10
- 100
- 10
- 100
1.6
0.5
0.1
0.03
10
100
10
100
10
100
nA
0
0.32
0.27
V+
0.45
0.5
0.15
V
符号
V+ = 4.3 V, V
IN
= 0.5或1.6 V
e
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
R
ON
MATCH
d
关机泄漏
当前
d
通道渗漏
当前
d
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/4.0 V,
V
COM
= 4.0 V/0.3 V
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 3.0 V/4.0 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
电荷注入
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
Q
INJ
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
pC
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
pF
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。通道间的串扰测量。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 73863
S11-0303 -REV 。 E， 28 -FEB- 11
DG2788 ， DG2789
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
1.25
V+
= 1.65
V
1.00
R
O
N
- 导通电阻（ Ω ）
V+
= 1.8
V
V+
= 2.3
V
0.75
V+
= 2.7
V
V+
= 3.0
V
V+
= 3.6
V
吨= 25°C
I
S
= 100毫安
NC
开关
0.7
I
S
= 100毫安
V+
= 3
V
0.6
R
O
N
- 导通电阻（ Ω ）
85
°C
25 °C
- 40 °C
0.5
0.4
0.50
0.3
0.25
0.2
V+
= 4.3
V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.00
0.0
0.1
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
V
COM
- 模拟
电压
(V)
V
COM
- 模拟
电压
(V)
R
ON
与V
COM
与电源电压
0.6
I
S
= 100毫安
V+
= 4.3
V
10 000
R
ON
与模拟电压和温度
0.5
R
O
N
- 导通电阻（ Ω ）
85
°C
- 40 °C
I + - S
u
pply
u
rrent （PA ）
25 °C
1000
V+
= 3
V
V
IN = 0
V
0.4
0.3
0.2
100
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
V
COM
- 模拟
电压
(V)
温度（℃）
R
ON
与模拟电压和温度
100 m
V+
= 3.0
V
10 m
I + - S
u
P P LY
u
R R简T（A ）
1m
泄漏
u
rrent （PA ）
100
10
1
100 n
10 n
1n
10
1
- 60
100
1000
电源电流与温度的关系
V+
= 3.3
V
NC
I
COM（上）
I
NC （关闭）
10
I
COM （关闭）
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
输入开关频率（Hz ）
温度（℃）
电源电流与输入开关频率
漏电流与温度的关系
文档编号： 73863
S11-0303 -REV 。 E， 28 -FEB- 11
www.vishay.com
5
DG2788/DG2789
Vishay Siliconix公司
低电压，低导通电阻，双DPDT /四路SPDT
模拟开关
描述
该DG2788 / DG2789是单片CMOS模拟开关
荷兰国际集团的产品设计用于高性能的交换
模拟信号。结合低功耗，高速，低导通
电阻和小的物理尺寸， DG2788 / DG2789是
非常适用于便携式和电池供电的需要的应用
高性能和高效利用的电路板空间。
该DG2788 / DG2789是采用Vishay Siliconix公司的低电压
时代的过程。外延层可以防止闭锁。突破性
前先有保障。
该交换机进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。该
DG2788被配置为双双刀双掷
开关而DG2789配置为四路单
单刀双掷。该DG2789具有一个控制引脚为所有
4 SPDT开关，也有一个使能引脚，可以把
全部关闭。
该DG2788和DG2789采用小型miniQFN -16
引线封装（2.6× 1.8× 0.75mm）组合。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和环境
包换，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品的
铅（Pb ） - 免费终端设备，是100 ％符合RoHS的COM
绕指柔。
特点
低电压操作（ 1.65 V至4.3 V）
低导通电阻 - R的
ON
: 0.4
Ω
（典型值） 。在2.7 V
快速开关：吨
ON
= 47 ns的
t
关闭
- 15纳秒
miniQFN -16封装
闩锁电流> 300毫安（ JESD78 ）
RoHS指令
柔顺
好处
降低功耗
高精度
减少电路板空间
TTL / 1.8 V逻辑兼容
高带宽
应用
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
功能框图及引脚配置
DG2788
miniQFN-16
COM1 NO1 V + NC4
16
15
14
13
DG2789
miniQFN-16
COM1 NO1 V + NC4
16 15 14 13
真值表DG2788
逻辑
0
NC1 ，2，3和4中
ON
关闭
NO1 ，2，3和4中
关闭
ON
NC1
IN1，IN2
NO2
COM2
1
2
3
4
12 COM4
11 NO4
10 IN3 ， IN4
9
NC3
NC1
1
12 COM4
11 NO4
10
9
EN
NC3
1
2 IN1
NO2
3
COM2
4
真值表DG2789
EN逻辑
逻辑
0
1
x
NC1 ，2，3和4的NO1 ，2，3和4中
ON
关闭
关闭
关闭
ON
关闭
0
0
1
5
6
7
8
5
6
7
8
NC2 GND NO3 COM3
顶视图
NC2 GND NO3 COM3
顶视图
AXX
销1
器件标识： AXX的DG2788
BXX为DG2789
XX =日期/批次追踪码
注：1脚有很长的
订购信息
温度范围
- 4085 ℃下
包
miniQFN-16
产品型号
DG2788DN-T1-E4
DG2789DN-T1-E4
文档编号： 73863
S- 70327 -REV 。 D， 26 -FEB -07
www.vishay.com
1
DG2788/DG2789
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
IN， COM ，NC ， NO
a
目前（除NO ， NC或COM的任何终端）
连续电流（ NO ， NC或COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
miniQFN-16
包装回流焊条件
d
功率耗散（包）
b
miniQFN-16
c
参考GND
V+
符号
极限
- 0.3 5.0
- 0.3 （V + + 0.3 ）
30
± 300
± 500
- 65 150
250
525
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.6毫瓦/°C， 70°C以上
。手工焊接铁，不建议无引线元件。该miniQFN - 16是一种无引线封装。引线端子的端
是暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇将无法提供
及担，并且不需要以确保足够的底侧的焊料互连。
www.vishay.com
2
文档编号： 73863
S- 70327 -REV 。 D， 26 -FEB -07
DG2788/DG2789
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
导通电阻
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
否（关）
,
I
NC （ OFFF ）
I
COM （关闭）
通道渗漏
当前
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
D，F
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
满
2.7
3.3
1.0
V
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
F = 1 MHz的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
ROMM
满
房间
满
满
房间
1
87
- 69
- 49
- 106
- 96
81
81
186
186
pF
dB
pC
47
15
72
75
43
45
ns
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
满
满
满
满
-1
6
1
1.4
0.5
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
r
ON
平整度
d
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0到V + ，
I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
0.1
0.05
1
10
1
10
1
10
nA
0
0.4
0.33
V+
0.5
0.56
0.15
Ω
V
符号
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
r
ON
MATCH
d
关机漏电流
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3.0 V,
V
COM
= 3.0 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3.0 V
文档编号： 73863
S- 70327 -REV 。 D， 26 -FEB -07
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DG2788/DG2789
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 4.3 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0.9 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
导通电阻
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
否（关）
,
I
NC （ OFFF ）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V+ = 4.3 V, V
COM
= 2.5 V，I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
r
ON
平整度
d
V+ = 4.3 V, V
COM
= 0到V + ，
I
NO
, I
NC
= 100毫安
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
满
房间
房间
房间
F = 1 MHz的
房间
房间
-1
105
79
79
183
183
4.3
V
IN
= 0或V +的
满
1.0
V
A
pF
6
1
-10
- 100
- 10
- 100
- 10
- 100
1.6
0.5
0.1
0.03
10
100
10
100
10
100
nA
0
0.32
0.27
V+
0.45
0.5
0.15
Ω
V
符号
V+ = 4.3 V, V
IN
= 0.5或1.6 V
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
r
ON
MATCH
d
关机泄漏
当前
d
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V / 4.0 V,
V
COM
= 4.0 V / 0.3 V
通道渗漏
当前
d
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 3.0 V / 4.0 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
电荷注入
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
Q
INJ
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
pC
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
pF
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。通道间的串扰测量。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 73863
S- 70327 -REV 。 D， 26 -FEB -07
DG2788/DG2789
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典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1.25
V+ = 1.65 V
1.00
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
V+ = 1.8 V
V+ = 2.3 V
0.75
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
V+ = 3.6 V
吨= 25°C
I
S
= 100毫安
NC开关
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
0.7
I
S
= 100毫安
V+ = 3 V
0.6
85 °C
25 °C
- 40 °C
0.5
0.4
0.50
0.3
0.25
0.2
V+ = 4.3 V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.00
0.0
0.1
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
与电源电压
0.6
I
S
= 100毫安
V+ = 4.3 V
85 °C
25 °C
I + - 电源电流（PA ）
- 40 °C
0.4
1000
10000
r
ON
与模拟电压和温度
0.5
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
V+ = 3 V
VIN = 0 V
0.3
0.2
100
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
- 60
- 40
- 20
V
COM
- 模拟电压（ V）
0
20
40
温度（℃）
60
80
100
r
ON
与模拟电压和温度
100 m
V+ =
3.0
V
10 m
I + –
的SuI
P P LY
u
R R简T（A ）
1m
漏电流（PA ）
100
10
1
100 n
10 n
1n
10
1
- 60
100
1000
电源电流与温度的关系
V+ = 3.3 V
NC
I
COM（上）
I
NC （关闭）
10
I
COM （关闭）
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
输入
开关
频率（Hz）
温度（℃）
电源电流与输入开关频率
漏电流与温度的关系
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