DG2753
Vishay Siliconix公司
低电压， 0.7
Ω,
三重SPDT模拟开关
描述
该DG2753是一种低电压，低导通电阻，三赎罪
GLE -单刀/双掷（ SPDT ）单片CMOS模拟
开关。该设备是专为运行在1.65 V至
4.3 V单电源供电。该设备是1.8 V逻辑兼容
完整的操作电压范围内具有低的接口
电压DSP或MCU控制逻辑。这些特性使其非常适合
一节锂离子电池直接供电的便携式应用
系统蒸发散。
该DG2753充分保证操作时， V +是低
1.8 V.当采用3 V电源供电，它有一个
0.9
Ω
导通电阻，与0.1
Ω
R
ON
之间的匹配
频道和0.2
Ω
（最大值）R
ON
平整度。
每个交换机进行整个电源轨的信号同样
在直到电源支持两个方向上时，与块
当股改平。它提供了30纳秒牛逼
on
和10ns牛逼
关闭
。突破性
前先有保障。
该DG2753采用Vishay Siliconix公司的低电压亲
塞斯。外延层可以防止闭锁。
它可在QFN16 3 ×3毫米和TSSOP16封装。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和环境
包换，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品的铅
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟开关产品
QFN封装制造，铅（Pb ） - 免费" - E4" suf-
修复被用来作为一个标志符为镍 - 钯 - 金。
采用TSSOP -16封装提供的无铅（Pb ） - 免费使用
100 ％雾锡端子。在" - E3"后缀是desig-
nator 。无论是100 ％雾锡和镍钯金
设备终端满足所有JEDEC标准的回流焊
和MSL等级。
特点
低工作电压（ 1.65 4.3 V）
低导通电阻 - R的
ON
: 0.9
Ω
在2.7 V
快速切换：吨
ON
= 30纳秒
T
关闭
= 10纳秒
QFN - 16 （ 3× 3 ）包装
闩锁电流> 300毫安（ JESD78 ）
好处
降低功耗
高精度
减少电路板空间
TTL / 1.8 V逻辑兼容
应用
手机
音箱耳麦开关
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
功能框图及引脚配置
QFN16 （3× 3）
Y1
Y0
Z1
Z
Z0
启用
NC
GND
TSSOP16
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
Y
X
X1
X0
A
B
C
订购信息
温度范围
- 4085 ℃下
包
TSSOP-16
产品型号
DG2753DQ-T1-E3
16引脚QFN封装（3毫米x 3毫米）
DG2753DN-T1-E4
变化2
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1
文档编号： 73482
S- 62653 -REV 。 B， 01 -JAN- 07
DG2753
Vishay Siliconix公司
真值表
使能输入
H
L
L
L
L
L
L
X =不关心
C
X
X
X
X
X
L
H
选择输入
B
X
X
X
L
H
X
X
A
X
L
H
X
X
X
X
在交换机上
DG2753
所有开关打开
X - X0
X - X1
Y - Y0
Y - Y1
Z- Z0
Z - Z1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
参考GND
目前（除NO ， NC或COM的任何终端）
连续电流（ NO ， NC或COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
包装回流焊条件
d
功率耗散（包）
b
16引脚QFN （3× 3毫米），
QFN-16
c
V+
IN， COM ，NC ， NO
a
极限
- 0.3 5.0
- 0.3 （V + + 0.3 ）
30
± 300
± 500
- 65 150
250
1385
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免17.3毫瓦/°C， 70°C以上。
。手工焊接铁，不建议无引线元件。该QFN是一种无引线封装。引线端子的端部是
暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能得到保证
并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。
特定网络阳离子
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 1.7 V
导通电阻
r
DS （ ON）
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 1.7 V
V + = 4.2 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 2.1 V
V + = 4.2 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 2.1 V
r
ON
MATCH
r
ON
电阻平坦度
Δr
（上）
r
（上）平坦度
I
否（关）
关机漏电流
I
COM （关闭）
通道渗漏
当前
I
COM（上）
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 1.7 V
V + = 4.3 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 2.1 V
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 1.7 V
V+ = 4.3 V, V
NO
, V
NC
= 4 V/0.3 V,
V
COM
= 0.3 V/4 V
V+ = 4.3 V, V
COM
= V
NO
, V
NC
= 0.3 V/4 V
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-2
- 25
-2
- 25
-2
- 10
0.7
0
0.9
V+
1.3
1.5
1.2
1.4
0.4
0.6
0.2
2
25
2
25
2
10
nA
Ω
V
符号
V+, ± 10 %, V
IN
= 0.4或1.8 V
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
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2
文档编号： 73482
S- 62653 -REV 。 B， 01 -JAN- 07
DG2753
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
否则，除非指定
参数
数字控制
V+ = 1.8 V
输入高电压
V
INH
V+ = 3 V
V+ = 4.3 V
V+ = 1.8 V
输入低电压
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
联系地址Transistion时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
范围
- 4085 ℃下
温度
a
满
满
满
满
满
满
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
房间
房间
房间
5
-1
30
10
30
40
- 25
- 90
dB
- 90
35
35
80
80
1
A
pF
80
pC
民
b
1
1.4
1.8
0.4
0.5
0.5
1
60
65
30
40
ns
A
V
典型值
c
最大
b
单位
符号
V+, ± 10 %, V
IN
= 0.4或1.8 V
e
V
INL
I
INL
, I
INH
V+ = 3 V
V+ = 4.3 V
V
IN
= 0 V或V +
t
ON
t
关闭
t
开放
t
TRANS
Q
INJ
O
IRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
I+
V+ = 2.7 V
V
NO
, V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
V+ = 2.7 V
V
NO
, V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
V + = 2.7 V ，C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
F = 500千赫
V
NC
, V
NO
= 2 V （测试时
COM
SIDE ）
V + = 2.7 V ，C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
F = 500千赫
V
NC
, V
NO
= 2 V （测试时
COM
SIDE ）
V + = 2.7 V ，C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω
V
NC
, V
NO
= 2 V （测试时
COM
SIDE ）
N
O
, N
C
关断电容
d
频道/导通电容
d
电源
电源电流
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V +的
满
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。其中，由最负的值是最小值和最积极的一个最大的代数惯例，用于在数据资料。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 73482
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DG2753
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典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
4.0
是= 100毫安
V
CC
= 1.6 V
3.0
r
DS （ ON）
- (Ω)
r
DS （ ON）
- (Ω)
1.2
125 °C
85 °C
0.9
25 °C
0.6
- 40 °C
1.5
V+ = 2.7 V
是= 100毫安
2.0
V
CC
= 1.8 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 4.2 V
V
CC
= 4.5 V
1.0
0.0
0
1
2
3
4
5
V
COM
（伏）
0.3
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
与电源电压
100.0E
V+ = 4.5 V
100000
I
CC
电源电流（ PA）
I + - 电源电流（ A）
1.0E-3
r
ON
与模拟电压和温度
1000000
V+ = 4.5 V
10000
V
IN
= 0 V
1000
10.0E-6
100.0E-9
100
1.0E-9
10
- 40
- 15
10
35
60
85
110
135
10.0E-12
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
2000
V+ = 4.5 V
电源电流与输入开关频率
100000
V+ = 4.5 V
I + - 电源电流（ A）
漏电流（PA ）
漏电流（PA ）
10000
1000
I
COM（上）
1000
I
（关闭）
I
（上）
0
I
NC（ OFF）时，
I
否（关）
- 1000
100
I
（关闭）
, I
（上）
10
- 50
- 2000
- 25
0
25
50
TEMP （℃）
75
100
125
0
1
2
3
V
COM
- 模拟电压（ V）
4
5
漏电流与温度的关系
漏电流与模拟电压
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文档编号： 73482
S- 62653 -REV 。 B， 01 -JAN- 07
DG2753
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
40
20
V+ = 4.5 V
RL = 50
Ω
t
开在V + = 2.7 V
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
30
0
损失
- 20
时间（纳秒）
X
TA LK
OIRR
t
开在V + = 4.5 V
20
- 40
- 60
10
t
OFF V + = 2.7 V
- 80
t
OFF V + = 4.5 V
0
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
- 100
100 k
1M
10 M
的F - 频率
100 M
1G
温度（℃）
开关时间与温度
插入损耗，关断隔离，
相声与频率的关系
150
4.5 V
3.3 V
50
1.6
V
T
- 开关阈值（ V）
100
Q - 电荷注入（ PC）
1.2
0.8
0
- 50
2.7 V
- 100
0.4
0.0
0
1
2
3
4
5
- 150
0
1
2
3
4
5
V + - 电源电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
开关阈值与电源电压
电荷注入与模拟电压
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S- 62653 -REV 。 B， 01 -JAN- 07
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5
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