DG2737 ， DG2738 ， DG2739
Vishay Siliconix公司
6 Ω ，低电压，双通道SPST模拟开关
描述
该DG2737 ， DG2738和DG2739是高性能，
低导通电阻模拟双SPST开关的
配置。
采用Vishay Siliconix公司的亚微米CMOS技术，
DG2737 ， DG2738 ， DG2739实现导通电阻的开关
6
Ω
在3 V V + 。它的 - 3 dB带宽通常是720兆赫。
它可以切换信号，具有多达Ⅴ的振幅
CC
要
在任一方向传送。
结合低功耗，高速，低导通电阻和
小的物理尺寸， DG2737 ， DG2738 ， DG2739是理想
便携式和电池需要高供电应用
性能和高效利用的电路板空间。
该DG2737 ， DG2738 ， DG2739进来一个小miniQFN - 8
引线封装（ 1.4 ×1.4× 0.55mm）上。作为一个忠实的合作伙伴
对社区和环境，日前，Vishay Siliconix公司
生产该产品的铅（Pb） -free设备
终端和100％符合RoHS标准。
特点
电压范围： 2.3 V至4.3 V
低导通电阻： 6
Ω
（典型值） 。在3 V
- 48分贝串扰在240兆赫
RoHS指令
柔顺
低功耗
1.4× 1.4 * 0.55毫米超小型封装miniQFN8
> 300毫安闭锁每JESD78电流
开关超过5 kV的ESD / HBM
功能框图及引脚配置
DG2737
miniQFN-8L
V+
8
V
IN
S
1
D
1
1
2
3
4
8
GND
顶部
意见
7
6
5
NC
S
2
D
2
V
IN1
S
1
D
1
1
2
3
DG2738
miniQFN-8L
V+
88
7
6
5
4
8
GND
顶部
意见
V
IN2
S
2
D
2
V
IN1
S
1
D
1
1
2
3
DG2739
miniQFN-8L
V+
88
7
6
5
3
4
8
GND
顶部
意见
V
IN2
S
2
D
2
Ax
销1
器件标识：斧头DG2737
X =日期/批次追踪码
销1
Bx
销1
Cx
器件标识： Bx的为DG2738
X =日期/批次追踪码
器件标识：CX为DG2739
X =日期/批次追踪码
文档编号： 68801
S- 82643 -REV 。 B， 03 - NOV- 08
www.vishay.com
1
DG2737 ， DG2738 ， DG2739
Vishay Siliconix公司
真值表1
输入
逻辑
低
高
DG2737
S
1
和D
1
ON
关闭
S
2
和D
2
ON
关闭
V
IN
真值表2
输入
逻辑
低
高
低
高
DG2738
S
1
和D
1
ON
关闭
X
X
S
2
和D
2
X
X
ON
关闭
S
1
和D
1
ON
关闭
X
X
DG2739
S
2
和D
2
X
X
关闭
ON
V
IN1
V
IN2
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至85°C
包
miniQFN-8L
产品型号
DG2737DN-T1-E4
DG2738DN-T1-E4
DG2739DN-T1-E4
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
参考GND
V+
V
IN
， D，S
a
极限
- 0.3 5.0
- 0.3 （V + + 0.3 ）
30
± 300
± 500
- 65 150
190
单位
V
电流（除了D或S的任何终端）
mA
连续电流（ D或S）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
°C
b
c
功率耗散（包）
miniQFN-8L
mW
注意事项：
一。在V信号
IN
D，或S的超过V +由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免2.4毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
V+ = 3 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V
IN
= 0.4 V或1.4 V.
e
R
ON
V + = 3 V，I
S
= 8毫安， V
D
= 0.4 V
V + = 3 V，I
S
= 8毫安， V
D
= 0.4 V
V + = 3 V，I
S
= 8毫安，
V
D
= 0 V, 1 V
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
满
房间
满
房间
房间
0.1
2.6
分钟。
b
0
6
典型值。
c
马克斯。
b
V+
8
9
0.5
4
Ω
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
MATCH
d
符号
V
类似物
R
ON
ΔR
ON
R
ON
平整度
R
ON
平整度
d
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2
文档编号： 68801
S- 82643 -REV 。 B， 03 - NOV- 08
DG2737 ， DG2738 ， DG2739
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
V+ = 3 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V
IN
= 0.4 V或1.4 V.
e
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
房间
V+ = 4.3 V, V
S
= 0.3 V/3.3 V,
V
D
= 3.3 V/0.3 V
满
房间
满
V+ = 4.3 V, V
S
= V
D
= 4 V/0.3 V
房间
满
满
满
满
房间
V + = 2.3 V至3.6 V ，V
NO
或V
S
= 1.5 V,
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
满
房间
满
V + = 2.3 V至4.3 V
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
关断隔离
d
O
IRR
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 240 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
相声
d
3 dB带宽
d
d
参数
模拟开关
关机泄漏
当前
符号
分钟。
b
- 10
- 100
- 10
- 100
- 10
- 100
1.3
典型值。
c
马克斯。
b
10
100
10
100
10
100
单位
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
nA
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电流
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
V
INH
V
INL
I
INL
还是我
INH
V + = 2.3 V至4.3 V
V
IN
= 0或V +的
0.5
-1
23
13
6
1
10.4
- 79
- 59
- 28
- 109
- 99
- 48
1
60
70
50
60
V
A
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
ns
先开后合式时间
电荷注入
d
房间
满
房间
ns
pC
房间
dB
X
TALK
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 240 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
房间
720
25
兆赫
通道到通道偏移
相反传输方向上的偏移
相同的输出的
d
总抖动
d
源关断电容
d
流掉电容
d
房间
20
200
ps
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
C
IN
V+
I+
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
D
= 0 V
F = 1MHz时， V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
房间
2.3
4.4
3.8
10
8.3
4.3
1.0
V
A
pF
排水导通电容
d
控制引脚电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V
IN
= 0或V +的
满
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 68801
S- 82643 -REV 。 B， 03 - NOV- 08
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3
DG2737 ， DG2738 ， DG2739
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
35
V+ = 2.3V
2.3 V
30
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
25
V+ = 2.7V
2.7 V
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
D
- 模拟电压（ V）
V+ == 3 V
V+ 3 V
V+ = 3.6 V
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
V+ = 2.5 V
14
12
10
8
- 40 °C
6
4
2
V+ = 3.0 V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
D
- 模拟电压（ V）
+ 25 °C
18
16
+ 85 °C
V+ = 4.3 V
R
ON
与V
D
与电源电压
80
V+ = 4.3 V
75
70
漏电流（PA ）
65
60
55
50
45
40
- 60
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
0
200
R
ON
与V
D
和温度
V+ = + 4.3 V
I
D（关闭）
I
D（上）
I + - 电源电流（ NA）
I
S（ OFF）
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
D
, V
S
- 模拟电压（ V）
电源电流与温度的关系
10 000
V + = + 4.3 V
14
I
D（关闭）
Q - 电荷注入（ PC）
1000
漏电流（PA ）
I
D（上）
100
12
10
8
16
泄漏与模拟电压
V+ = + 4.3 V
V+ = + 3.6 V
6
V+ = + 3 V
4
2
0
V+ = + 2.3 V
V+ = + 2.7 V
C
L
= 1 nF的
漏
10
I
S（ OFF）
1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
D
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
电荷注入与模拟电压
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S- 82643 -REV 。 B， 03 - NOV- 08
DG2737 ， DG2738 ， DG2739
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
35
30
t
ON
, t
关闭
- 开关时间（纳秒）
25
20
15
10
5
0
- 60
V+ = 3.6 V
t
关闭
V+ = 2.7 V
t
关闭
V+ = 3.6 V
t
ON
V+ = 2.7 V
t
ON
V
T
- 开关阈值（ V）
1.3
1.2
- 40 ° C至85°C
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
2.0
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
温度（℃）
V + - 电源电压（ V）
开关时间与温度的关系
0
0
- 10
-1
- 20
- 30
插入损耗（dB ）
OIRR ，X
TALK
（ dB）的
-2
- 40
- 50
- 60
- 70
- 80
- 90
- 100
-5
开关阈值与电源电压
OIRR
-3
X
TALK
-4
V+ = 3 V
R
L
= 50
Ω
- 110
- 120
1G
- 130
100K
1M
10M
频率（Hz）
V+ = 3 V
R
L
= 50
Ω
-6
100K
1M
10M
频率（Hz）
100M
100M
1G
插入损耗与频率
关断隔离，串扰与频率的关系
文档编号： 68801
S- 82643 -REV 。 B， 03 - NOV- 08
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5
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