【DG2723Vishay Siliconix公司700兆赫， - 3 dB带宽;双路SPDT模拟开】,IC型号DG2723DN-T1-E4,DG2723DN-T1-E4 PDF资料,DG2723DN-T1-E4经销商,ic,电子元器件-51电子网

DG2723

Vishay Siliconix公司

700兆赫， - 3 dB带宽;双路SPDT模拟开关

描述

DG2723是一个低R

高带宽的模拟开关

配置双SPDT 。它实现了7

开关ON

电阻，大于700 MHz的 - 3 dB带宽采用5 pF

负载和信道，以在信道串扰和隔离

- 49分贝。制造具有高密度的子微CMOS

过程中， DG2723提供低寄生电容，

处理与最小化阶段双向信号流

失真。保证1.3 V逻辑高门槛使得它

可以直接与低电压的MCU连接。该

DG2723是专为宽工作电压范围

2.7 V至4.3 V ，可以直接驱动从一个细胞

锂离子电池。芯片的保护电路可保护再次故障

事件的时候，在“COM”引脚信号超出V + 。

闩锁电流为300毫安，按照JESD78 ，其ESD

公差超过8 kV的。封装在超小型miniQFN - 10

（ 1.4毫米×1.8毫米× 0.55mm）上，它是理想的便携式高

高速混合信号切换应用程序。

作为一个坚定的合作伙伴，社区和

环境，日前，Vishay Siliconix公司生产这种产品，

铅（Pb ） - 免费的设备终端。该miniQFN -10封装

有镍 - 钯 - 金设备终止与是

由铅（Pb ）表示-free " - E4"后缀的排序

零件号。镍钯金器件端接

满足所有JEDEC标准的回流焊和MSL等级。作为

中威世Siliconix的承诺进一步迹象， DG2723是

完全符合RoHS标准。

特点

宽的工作电压范围

低导通电阻， 7

（典型的为3 V ）

低电容， 5.6 pF的（典型值）

RoHS指令

柔顺

- 3分贝高带宽与5pF的负载：

700兆赫（典型值）

低位要位歪斜： 40 PS （典型值）

低功耗

低逻辑阈值： V

掉电保护：D + / D-引脚可以承受最多

5 V时， V + = 0V

逻辑（S +和S-）以上的V +宽容

8 kV ESD保护（ HBM ）

闩锁电流每JESD78 300毫安

铅（Pb ） - 免费低调miniQFN - 10 （1.4毫米× 1.8毫米

X 0.55毫米）

应用

手机

便携式媒体播放器

PDA

数码相机

全球定位系统

笔记本电脑

电视，监视器，和机顶盒

功能框图及引脚配置

miniQFN-10L

HSD1+

HSD1-

S+

V+

S-

D+

D-

HSD2+

HSD2-

GND

引脚1 ：很长的

顶部

意见

文档编号： 68767

S- 81490 -REV 。 A， 30军08

www.vishay.com

DG2723

Vishay Siliconix公司

订购信息

TEMP 。 RANGE

- 40 ° C至85°C

包

miniQFN-10

产品型号

DG2723DN-T1-E4

真值表

S + （引脚8 ）

S-（引脚10 ）

功能

D- = HSD1-

D- = HSD2-

D + = + HSD1

D + = + HSD2

引脚说明

引脚名称

S+

S-

HSD1 ± ， ± HSD2 ，D ±

描述

选择输入D +

选择输入D-

数据端口

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

参考GND

V+

S + ， S- ，D ± ， ± HSD1 ， ± HSD2

目前（除S +，S- ，D ± ， ± HSD1 ， ± HSD2任何终端）

连续电流（S +，S- ，D ± ， ± HSD1 ， ± HSD2 ）

峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）

存储温度（D后缀）

功率耗散（包）

miniQFN-10

ESD（人体模型）I / O至GND

闩锁（电流注入）

注意事项：

一。在S +，S- ，D ± ， HSD1 ±信号， HSD2超过± V +将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大电流

收视率。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免2.6毫瓦/°C， 70°C以上。

极限

- 0.3 5.0

- 0.3 （V + + 0.3 ）

± 250

± 500

- 65 150

208

300

单位

°C

特定网络阳离子

V+ = 3.0 V

测试条件

否则，除非指定

DS （ ON）

V + = 3.0 V，I

D±

= 8毫安， V

HSD1/2±

= 0.4 V

V + = 3.0 V，I

D±

= 8毫安， V

HSD1/2±

= 0.4 V

V + = 3.0 V，I

D±

= 8毫安， V

HSD1/2±

= 0.0 V, 1.0 V

V+ = 4.3 V, V

HSD1/2±

= 0.3 V, 3.0 V,

D±

= 3.0 V, 0.3 V

V+ = 4.3 V, V

HSD1/2±

= 0.3 V, 4.0 V,

D±

= 4.0 V, 0.3 V

V + = 3.0 V至3.6 V

V+ = 4.3 V

V + = 3.0 V至4.3 V

= 0或V +的

范围

- 40 ° C至85°C

温度。

分钟。

满

房间

满

房间

满

- 100

- 200

0.8

2.0

100

200

典型值。

马克斯。

V+

单位

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻

导通电阻匹配

导通电阻电阻

平整度

关机漏电流

通道泄漏电流

数字控制

输入电压高

输入电压低

输入电容

输入电流

符号

类似物

DS （ ON）

ΔR

平整度

（关闭）

（上）

INH

INL

还是我

INH

满

1.3

1.5

0.5

5.6

-1

www.vishay.com

文档编号： 68767

S- 81490 -REV 。 A， 30军08

DG2723

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

V+ = 3.0 V

测试条件

否则，除非指定

范围

- 40 ° C至85°C

温度。

房间

满

V+ = 3.0 V, V

D1/2 ±

= 1.5 V ，R

= 50

Ω,

= 35 pF的

房间

满

房间

满

= 1 nF的，R

根

= 0

Ω,

根

= 0 V

V + = 3.0 V至3.6 V ，R

= 50

Ω,

= 5 pF的，

F = 240 MHz的

V + = 3.0 V至3.6 V ，C

= 5 pF的，R

= 50

Ω,

- 3分贝

0.5

- 30

- 45

700

2.5

V + = 3.3 V ， F = 1兆赫

房间

2.5

6.5

V + = 3.0 V至3.6 V ，R

= 50

Ω,

= 5 pF的

200

2.6

= 0 V或V +

满

4.3

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

参数

动态特性

先开后合式时间

E，D

启用开启时间

E，D

启用关闭时间

E，D

电荷注入

关断隔离

相声

带宽

通道关断电容

通道导通电容

通道至通道偏移

歪斜关相反传输方向

相同的输出

总抖动

电源

电源电压范围

电源电流

符号

BBM

ON （ EN ）

OFF （ EN ）

INJ

OIRR

TALK

D1 ± （关闭）

D2 ± （关闭）

± （关闭）

± （上）

SK （ O）

SK （p）的

V+

I+

兆赫

注意事项：

一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。保证了设计，不进行生产测试。

。 V

=输入电压来执行适当的功能。

F。通道间的串扰测量。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

文档编号： 68767

S- 81490 -REV 。 A， 30军08

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DG2723

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典型特征

= 25 ℃，除非另有说明

- 导通电阻（ Ω ）

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

- 模拟

电压

(V)

0.5

1.5

2.5

V+

= 3.3

V+

= 3.6

V+

= 4.3

V+

= 2.6

V+

= 3.0

吨= 25°C

D1±

- 导通电阻（ Ω ）

V+

= 2.6

°C

+ 25 °C

- 40 °C

- 模拟

电压

(V)

与V

与单电源电压

V+

= 3.0

- 导通电阻（ Ω ）

+ 25 °C

°C

与模拟电压和温度

V+

= 3.3

°C

+ 25 °C

- 40 °C

0.5

1.5

2.5

- 模拟

电压

(V)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

- 模拟

电压

(V)

与模拟电压和温度

V+

= 3.6

- 导通电阻（ Ω ）

°C

与模拟电压和温度

V+

= 4.3

°C

+ 25 °C

- 40 °C

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

- 模拟

电压

(V)

- 模拟

电压

(V)

与模拟电压和温度

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DG2723

Vishay Siliconix公司

典型特征

= 25 ℃，除非另有说明

10毫安

1毫安

V+

= 4.3

I + - 电源电流（ A）

100

100 nA的

10 nA的

1 nA的

100 pA的

100

10 K

100 K

10 M

输入开关频率（Hz ）

0.1

- 60 - 40 - 20

V+

= 3.0

V+

= 2.6

V+

= 3.3

漏电流（PA ）

100

V+

= 3.6

1000

10 000

V+

= 4.3

± （ON）的

± （OFF）的

100 120 140

温度（℃）

电源电流与输入开关频率

1.20

1.15

1.10

- 开关阈值（ V）

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

0.80

0.75

0.70

0.65

0.60

0.55

0.50

2.5

2.7

2.9

3.1

3.3

3.5

3.7

3.9

4.1

4.3

4.5

-6

-7

-3

增益（dB ）

-4

-5

-1

-2

漏电流与温度的关系

100

频率（MHz）

1000

10 000

V+

- 供应

电压

(V)

开关阈值与电源电压

- 10

- 20

- 30

断隔离度（dB ）

- 40

- 50

- 60

- 70

- 90

- 100

100

1000

串扰（ dB）的

- 10

- 20

- 30

- 40

- 50

- 60

- 70

- 90

- 100

增益与频率，V + = 3.3 V

100

频率（MHz）

1000

频率（MHz）

关断隔离，V + = 3.3 V

串扰，V + = 3.3 V

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S- 81490 -REV 。 A， 30军08