DG2616 ， DG2617 ， DG2618
Vishay Siliconix公司
低电压，双路SPDT模拟开关
电荷泵
描述
该DG2616 ， DG2617 ， DG2618是单片CMOS
模拟开关产品设计的高性能
模拟信号的切换。结合低功耗，高
速度，低导通电阻和小的物理尺寸，该
DG2616 ， DG2617 ， DG2618非常适合便携式和
电池供电的应用。
该DG2616 ， DG2617 ， DG2618具有内置的电荷泵
电路，降低了最小供电电压到+ 1.5V的
同时保持低的导通电阻。所述的控制电路
允许DG2616 ， DG2617 ， DG2618在不同的操作
精读网络gurations 。
采用Vishay Siliconix公司的低电压的过程中， DG2616 ，
DG2617 ， DG2618具有防止外延层
闭锁。突破前先保证。
该DG2616 ， DG2617 ， DG2618在空间制
节能DFN - 10 （ 3.0× 3.0mm厚） 。而作为一个忠实的合作伙伴
对社区和环境，日前，Vishay Siliconix公司
生产该产品与无铅（Pb ） - 免费的设备
终端和100％符合RoHS标准。
特点
低电压操作（ 1.5 V至3.6 V ）
低导通电阻 - R的
ON
: 4.2
Ω
（典型值） 。在2.7 V
快速开关：吨
ON
= 39 ns的
t
关闭
= 8纳秒
DFN -10封装
RoHS指令
柔顺
好处
降低功耗
高精度
减少电路板空间
TTL / 1.8 V逻辑兼容
高带宽
应用
手机
音频和视频信号路由
PCMCIA卡
电池供电系统
功能框图及引脚配置
真值表DG2616
逻辑
0
1
NC1 ， 2
ON
关闭
NO1 ， 2
关闭
ON
真值表DG2618
SHDN / EN逻辑逻辑NC1 ， 2
0
0
1
0
1
x
ON
关闭
关闭
NO1 ， 2
关闭
ON
关闭
电荷泵
ON
ON
关闭
真值表DG2617
SHDN / EN逻辑
0
0
1
1
逻辑
0
1
0
1
NC1 ， NO1 2 ， 2
ON
关闭
ON
关闭
关闭
ON
关闭
ON
电荷泵
ON
ON
关闭
关闭
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至85°C
包
DFN-10
产品型号
DG2616DN-T1-E4
DG2617DN-T1-E4
DG2618DN-T1-E4
文档编号： 74411
S- 82149 -REV 。 B， 08 - 09月08
www.vishay.com
1
DG2616 ， DG2617 ， DG2618
Vishay Siliconix公司
DG2616
IN1
IN2
GND
COM1
COM2
1
2
3
4
5
顶部
意见
10
9
8
7
6
V+
NC1
NC2
NO1
NO2
DG2617/DG2618
IN1
SHDN / EN
GND
COM1
COM2
1
2
3
4
5
顶部
意见
10
9
8
7
6
V+
NC1
NC2
NO1
NO2
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
参考GND
目前（除NO ， NC或COM的任何终端）
连续电流（ NO ， NC或COM ）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度（ D-后缀）
V+
IN， COM ，NC ， NO
a
极限
- 0.3 6.0
- 0.3 （V + + 0.3 ）
30
± 150
± 300
- 65 150
单位
V
mA
°C
包装回流焊条件
d
1191
mW
功率耗散（包）
b
DFN-10
c
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免14.9毫瓦/°C， 70°C以上
。手工焊接铁，不建议无引线元件。该DFN - 10是一种无引线封装。引线端子的端部是
暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能
保证不要求保证足够的底侧的焊料互连。
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2
文档编号： 74411
S- 82149 -REV 。 B， 08 - 09月08
DG2616 ， DG2617 ， DG2618
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
V+ = 3 V
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
V+ = 1.5 V, V
COM
= 1.5 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
导通电阻
R
ON
V+ = 2.7 V, V
COM
= 2.7 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
满
V+ = 3.6 V, V
COM
= 3.6 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
R
ON
平整度
d
R
ON
MATCH
d
导通电阻（关机）
R
ON
平整度
ΔR
ON
R
SHDN
I
否（关）
,
关机漏电流
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
通道渗漏
当前
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
D，F
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
t
ON
V + = 2.7或3.6 V ，V
NO
或V
NC
= 1.5 V,
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
F = 1 MHz的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100 MHz的
房间
房间
房间
房间
房间
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
房间
满
房间
满
满
房间
1
7
- 77
- 32
- 80
- 32
9
7
21
19
pF
dB
pC
9
39
69
76
39
41
ns
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
V+ = 1.5 V
V + = 2.7 V至3.6 V
V+ = 1.5 V
V + = 2.7 V至3.6 V
满
满
-1
3.2
1
满
1.0
1.4
0.4
0.5
pF
A
V
I
COM（上）
V+ = 3.6 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3.3 V,
V
COM
= 3.3 V/0.3 V
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V, 2.7 V,
I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 3.6 V, V
COM
= 1.7 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
V+ = 3.6 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3.3 V
房间
满
-2
- 10
-2
- 10
-2
- 10
0.6
0.1
15
20
21
2
10
2
10
2
10
nA
5.5
4.2
4.7
0
5.3
V+
7.0
8.0
7.0
8.0
7.0
8.0
2.0
Ω
V
符号
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
文档编号： 74411
S- 82149 -REV 。 B， 08 - 09月08
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DG2616 ， DG2617 ， DG2618
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
V+ = 3 V
测试条件
否则，除非指定
参数
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V+ = 3.6 V, V
IN
= 0或V + ， SHDN / EN = 0 V
V+ = 3.6 V, V
IN
= 0或V + ， SHDN / EN = V +
满
1.5
104
0.1
3.6
300
2
V
A
符号
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。通道间的串扰测量。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 74411
S- 82149 -REV 。 B， 08 - 09月08
DG2616 ， DG2617 ， DG2618
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
13
12
11
R
O
N
- 导通电阻（ Ω ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟
电压
(V)
吨= 25°C
I
NO / NC
= 10毫安
V+
= 1.5
V
V+
= 1.2
V
V+
= 2.0
V
V+
= 2.7
V
V+
= 3.0
V
V+
= 3.6
V
R
O
N
- 导通电阻（ Ω ）
10
V+
= 4.2
V
V+
= 5.0
V
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
COM
- 模拟
电压
(V)
V+
= 2.7
V,
是= 10毫安
+
85
°C
+ 25 °C
- 40 °C
R
ON
与V
COM
与电源电压
10
9
8
R
O
N
- 导通电阻（ Ω ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
COM
- 模拟
电压
(V)
0
- 60
200
R
ON
与模拟电压和温度
I + - S
u
pply
u
rrent （
A)
V+
= 3.6
V,
是= 10毫安
+
85
°C
+ 25 °C
- 40 °C
V+
= 3.6
V
150
100
50
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
R
ON
与模拟电压和温度
1000
V+
= 3.6V
泄漏
u
rrent （PA ）
泄漏
u
rrent （PA ）
500
400
300
100
I
COM （关闭）
I
否（关）
I
COM（上）
10
200
电源电流与温度的关系
V+
= 3.6
V
I
COM（上）
100
0
- 100
I
COM （关闭）
- 200
- 300
- 400
I
否（关）
/I
NC （关闭）
1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
- 500
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
3.6
温度（℃）
V
COM
- 模拟
电压
(V)
漏电流与温度的关系
泄漏与模拟电压
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5
文档编号： 74411
S- 82149 -REV 。 B， 08 - 09月08
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