DG2517 ， DG2518
Vishay Siliconix公司
3 - Ω ，高带宽，双路SPDT模拟开关
描述
该DG2517 ， DG2518为低压双路单刀/
双掷单片CMOS模拟开关。设计
从1.8 V至5.5 V电源供电， DG2517操作，
DG2518实现了242 MHz的带宽，同时提供
低导通电阻（3-
Ω),
出色的导通电阻匹配
(0.2
Ω)
和平整度（ 1
Ω)
在整个信号范围。
该DG2517 ， DG2518提供高线性度的优点
降低信号失真，使理想的音频，视频，
和USB信号路由的应用。此外，该
DG2517 ， DG2518都在满1.6 V逻辑兼容
操作电压范围。
采用Vishay Siliconix公司专有的亚微米高
密度过程中， DG2517 ， DG2518带来的低功耗
在同一时间，消耗降低了PCB的间距与
在MSOP10和DFN10包。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品
与无铅（Pb ） - 免费的设备终端。该DFN
包有镍钯金器件端接和
由铅（Pb） -free " - E4"后缀来表示。该MSOP
封装采用100 ％雾锡端接设备，是
免费" - E3"后缀 - 由铅（Pb ）表示。无论是
雾锡和镍钯金器件端接
满足所有JEDEC标准的回流焊和MSL等级。
特点
1.8 V至5.5 V单电源供电
低R
ON
: 3
Ω
在4.2 V
242兆赫， - 3 dB带宽
低关断隔离， - 51分贝在10 MHz
+ 1.6 V逻辑兼容
RoHS指令
柔顺
好处
高线性度
低功耗
高带宽
全轨信号摆动范围
应用
USB / UART信号切换
音频/视频开关
手机
媒体播放器
调制解调器
硬盘驱动器
PCMCIA
功能框图及引脚配置
DG2517
IN1
NO1
GND
NO2
IN2
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
COM1
NC1
V+
NC2
COM2
真值表
逻辑
0
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
DG2518
IN1
NC1
GND
NC2
IN2
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
COM1
NO1
V+
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
MSOP-10
产品型号
DG2517DQ-T1-E3
DG2518DQ-T1-E3
DG2517DN-T1-E4
DG2518DN-T1-E4
NO2
COM2
- 40 ° C至85°C
DFN-10
文档编号： 74333
S- 82589 -REV 。 B， 27 - OCT- 08
www.vishay.com
1
DG2517 ， DG2518
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考GND
V+
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
功率耗散（包）
b
MSOP-10
DFN-10
d
c
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 50
± 200
- 65 150
320
1191
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免4.0毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免14.9毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
平整度
R
ON
通道间匹配
关机漏电流
f
符号
V
NO
, V
NC
,
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
ΔR
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度。
a
满
范围
- 40 ° C至85°C
典型值。
c
马克斯。
b
分钟。
b
0
3.2
1.0
0.1
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1.4
0.5
4
1
15
10
1
1
242
- 71
- 51
- 73
- 55
8
8
35
35
1
30
50
25
35
V+
4.5
5.0
1.4
16
0.3
0.4
1
10
1
10
1
10
单位
V
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5, 2 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 3.6 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/ 3 V
V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.6 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
- 3 dB带宽
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
BW
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
Ω
nA
V
pF
A
V+ = 2.7 V, V
NO
或V
NC
= 1.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
Ω
为0 dBm ，C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω
F = 1 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
F = 1 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
ns
pC
兆赫
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
电源
I+
满
0.01
1.0
A
电源电流
V
IN
= 0或V +的
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 74333
S- 82589 -REV 。 B， 27 - OCT- 08
DG2517 ， DG2518
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 5 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
平整度
R
ON
通道间匹配
V
NO
, V
NC
,
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
ΔR
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
- 3 dB带宽
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
满
1.8
0.01
5.5
1.0
V
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
BW
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
V+ = 4.2 V, V
NO
或V
NC
= 3 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 2.5 V ，R
根
= 0
Ω
为0 dBm ，C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
F = 10MHz的
F = 1 MHz的
F = 10MHz的
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
2
242
- 71
- 51
- 73
- 55
8
8
35
35
pF
dB
pC
兆赫
12
8
25
45
20
30
ns
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0 V或V +
满
满
满
满
1
4
1
2.0
0.8
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 4.2 V, V
COM
= 3.5 V，I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 4.2 V, V
COM
= 1, 2, 3.5 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 4.2 V, V
COM
= 3.5 V，I
NO / NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
0
3
1.1
0.1
V+
4.0
4.3
1.4
1.6
0.3
0.4
1
10
1
10
1
10
nA
Ω
V
符号
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8或2.0 V
e
温度。
a
范围
- 40 ° C至85°C
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
关机漏电流
V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V
COM
= V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 74333
S- 82589 -REV 。 B， 27 - OCT- 08
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3
DG2517 ， DG2518
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
9
8
R
O
N
- 导通电阻（ Ω ）
7
6
5
V+
= 2.7
V
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟
电压
(V)
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟
电压
(V)
V+
= 4.2
V
V+
= 1.8
V
吨= 25°C
I
NO / NC
= 10毫安
R
O
N
- 导通电阻（ Ω ）
5
V+
= 2.7
V
85
°C
25 °C
- 40 °C
4
3
2
V+
= 4.2
V
85
°C
1
25 °C
- 40 °C
R
ON
与V
COM
与电源电压
10 000
10毫安
R
ON
与模拟电压和温度
V+ = 5.5 V
V+
= 5
V
V
IN
= 0
V
1毫安
I + - 电源电流（ A）
100 A
10 A
1 A
100 nA的
10 nA的
1
- 60
1 nA的
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
I + - S
u
pply
u
rrent （PA ）
1000
100
10
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
1000
80
电源电流与输入开关频率
V+ = 5.5 V
60
I
COM（上）
漏电流（PA ）
100
I
否（关）
, I
NC （关闭）
漏电流（PA ）
40
20
0
I
NC （关闭）
, I
否（关）
- 20
- 40
I
COM （关闭）
1
- 40
I
COM （关闭）
- 60
- 80
0.0
I
COM（上）
10
- 15
10
35
60
85
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
温度（℃）
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
泄漏与模拟电压
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4
文档编号： 74333
S- 82589 -REV 。 B， 27 - OCT- 08
DG2517 ， DG2518
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
18
16
t
O
N
/ t
关闭
- S
w
瘙痒时间（μs ）
14
12
10
8
6
t
关闭
,
V+
= 2.7
V
4
2
0
- 60
- 12
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
100K
1M
10M
频率（Hz）
100M
1G
温度（℃）
t
关闭
,
V+
= 4.2
V
- 10
R
L
= 300
Ω
t
ON
,
V+
= 2.7
V
-2
0
损耗（dB）
t
ON
,
V+
= 4.2
V
-4
-6
-
8
V+
= 5
V
R
L
= 50
Ω
开关时间与温度的关系
0
- 10
- 20
OIRR ，X
TALK
（ dB）的
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
-
80
- 90
100K
- 80
1M
10M
频率（Hz）
100M
1G
0
X
TALK
OIRR
V+
= 5
V
R
L
= 50
Ω
Q - 电荷注入（ PC）
40
插入损耗与频率
20
0
V+ = 5 V
- 20
V+ = 3 V
- 40
- 60
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
关断隔离和串扰与频率的关系
电荷注入与模拟电压
2.5
V
T
- S
w
痒阈值（
V
)
2
1.5
1
0.5
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V+
- 供应
电压
(V)
开关阈值与电源电压
文档编号： 74333
S- 82589 -REV 。 B， 27 - OCT- 08
www.vishay.com
5
DG2517/DG2518
Vishay Siliconix公司
3
Ω,
高带宽，双路SPDT模拟开关
描述
该DG2517 / DG2518为低压双路单刀/ dou-
BLE掷单片CMOS模拟开关。旨在
从1.8 V至5.5 V电源供电， DG2517操作/
DG2518实现了157 MHz的带宽，同时提供
低导通电阻（3-
Ω),
出色的导通电阻匹配
(0.2
Ω)
和平整度（ 1
Ω)
在整个信号范围。
的DG2517 / DG2518提供高线性度的优点
降低信号失真，使理想的音频，视频，
和USB信号路由的应用。此外，该
DG2517 / DG2518都在满1.6 V逻辑兼容
操作电压范围。
采用Vishay Siliconix公司专有的亚微米高丹麦
sity过程中， DG2517 / DG2518带来的低功率变
消耗，同时由于减少了印刷电路板的间距与
MSOP10和DFN10包。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和环境
包换，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品的
铅（Pb ） - 免费的设备终端。 DFN封装有
镍钯金器件端接，并表示
由铅（Pb ） - 免费" - E4"后缀。该MSOP封装用途
100 ％雾锡器终止，由代表
铅（Pb ） - 免费" - E3"后缀。无论是雾锡和镍
钯金器件端接满足所有JEDEC标
dards对回流焊和MSL等级。
特点
1.85.5 V单电源供电
低罗恩： 3
Ω
在4.2 V
157兆赫， - 3 dB带宽
低关断隔离， - 47分贝在10 MHz
+ 1.6 V逻辑兼容
RoHS指令
柔顺
好处
高线性度
低功耗
高带宽
全轨信号摆动范围
应用
USB / UART信号切换
音频/视频开关
手机
媒体播放器
调制解调器
硬盘驱动器
PCMCIA
功能框图及引脚配置
DG2517
IN1
NO1
GND
NO2
IN2
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
COM1
NC1
V+
NC2
COM2
真值表
逻辑
0
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
DG2518
IN1
NC1
GND
NC2
IN2
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
COM1
NO1
V+
订购信息
温度范围
包
MSOP-10
产品型号
DG2517DQ-T1-E3
DG2518DQ-T1-E3
DG2517DN-T1-E4
DG2518DN-T1-E4
NO2
COM2
- 4085 ℃下
DFN-10
文档编号： 74333
S- 61774 -REV 。 A， 11 - 09月06
www.vishay.com
1
DG2517/DG2518
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考GND
V+
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
功率耗散（包）
b
MSOP-10
DFN-10
d
c
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 50
± 200
- 65 150
320
1191
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免4.0毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免14.9毫瓦/°C， 70°C以上。
规格（ V + = 3V）
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
r
ON
通道间匹配
关机漏电流
f
符号
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
满
民
b
0
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
V+
3.2
1.0
0.1
4.5
5.0
1.4
16
0.3
0.4
1
10
1
10
1
10
单位
V
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5, 2 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 3.6 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/ 3 V
V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.6 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
- 3 dB带宽
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
BW
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
Ω
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1.4
nA
0.5
4
1
15
10
1
1
157
- 67
- 47
- 67
- 47
8
8
35
35
1
30
50
25
35
V
pF
A
V+ = 2.7 V, V
NO
或V
NC
= 1.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
Ω
为0 dBm ，C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω
F = 1 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
F = 1 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
ns
pC
兆赫
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
电源
I+
满
0.01
1.0
A
电源电流
V
IN
= 0或V +的
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
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2
文档编号： 74333
S- 61774 -REV 。 A， 11 - 09月06
DG2517/DG2518
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
r
ON
通道间匹配
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
- 3 dB带宽
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
满
1.8
0.01
5.5
1.0
V
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
BW
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
V+ = 4.2 V, V
NO
或V
NC
= 3 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 2.5 V ，R
根
= 0
Ω
为0 dBm ，C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
F = 10MHz的
F = 1 MHz的
F = 10MHz的
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
2
157
- 67
- 47
- 67
- 47
8
8
35
35
pF
dB
pC
兆赫
12
8
25
45
20
30
ns
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0 V或V +
满
满
满
满
1
4
1
2.0
0.8
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 4.2 V, V
COM
= 3.5 V，I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 4.2 V, V
COM
= 1, 2, 3.5 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 4.2 V, V
COM
= 3.5 V，I
NO / NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
0
3
1.1
0.1
V+
4.0
4.3
1.4
1.6
0.3
0.4
1
10
1
10
1
10
nA
Ω
V
符号
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8或2.0 V
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V
COM
= V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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S- 61774 -REV 。 A， 11 - 09月06
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DG2517/DG2518
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ° C，除非另有说明
10
9
8
r
ON
- 在铼
s
i
s
t
a
NCE （ Ω ）
7
6
5
V+ = 2.7 V
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
V+ = 4.2 V
r
ON
- 在铼
s
i
s
t
a
NCE （ Ω ）
V+ = 1.8 V
吨= 25°C
I
NO / NC
= 10毫安
5
V+ = 2.7 V
85
°C
25 °C
- 40 °C
4
3
2
V+ = 4.2 V
85
°C
1
25 °C
- 40 °C
r
ON
与V
COM
与电源电压
10000
10毫安
r
ON
与模拟电压和温度
V+ = 5.5 V
1毫安
I+ -
Su
pply
u
rrent （PA ）
I+ -
Su
pply
u
rrent （ A）
1000
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
100
A
10
A
1
A
100 nA的
10 nA的
1
- 60
1 nA的
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
100
10
温度（℃）
输入
开关
频率（Hz）
电源电流与温度的关系
1000
80
电源电流与输入开关频率
V+ = 5.5 V
60
I
COM（上）
Le
a
k
a
GE消费
u
rrent （PA ）
100
I
否（关）
, I
NC （关闭）
Le
a
k
a
GE消费
u
rrent （PA ）
40
20
0
I
NC （关闭）
, I
否（关）
- 20
- 40
I
COM （关闭）
1
- 40
I
COM （关闭）
- 60
-
80
0.0
I
COM（上）
10
- 15
10
35
60
85
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
温度（℃）
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
泄漏与模拟电压
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DG2517/DG2518
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ° C，除非另有说明
18
插入螺
ss
， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
16
t
ON
/ t
关闭
-
S
魔力时间（μs ）
14
12
10
8
6
t
关闭
, V+ = 2.7 V
4
2
0
- 60
t
关闭
, V+ = 4.2 V
R
L
=
300
Ω
t
ON
, V+ = 2.7 V
0
- 10
- 20
-
30
- 40
OIRR
- 50
- 60
- 70
-
80
- 90
100K
V+ = 5 V
R
L
= 50
Ω
1M
10M
频率（Hz）
100M
1G
X
TALK
损失
t
ON
, V+ = 4.2 V
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
开关时间与温度的关系
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
40
2.5
V
T
-
S
魔力THRE
s
持有（ V）
2
Q - 中国
a
RGE注射液（ PC）
20
0
V+ = 5 V
- 20
V+ =
3
V
1.5
1
- 40
0.5
- 60
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V+ -
供应
电压（V）的
4.5
5
-
80
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
开关阈值与电源电压
电荷注入与模拟电压
测试电路
V+
逻辑
输入
V+
开关
输入
NO或NC
IN
逻辑
输入
GND
0V
C
L
（包括夹具
和杂散
电容）
V
OUT
V
COM
R
L
R
L
R
ON
逻辑“1”=
开关
On
逻辑输入波形倒置
开关
有
相反的逻辑
感。
R
L
300
Ω
C
L
35
pF
COM
开关
产量
V
OUT
0.9× V
OUT
开关
产量
0V
t
ON
t
关闭
V
INH
50
%
V
INL
t
r
＆ LT ; 5纳秒
t
f
＆ LT ; 5纳秒
图1.开关时间
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DG2517/DG2518
Vishay Siliconix公司
3
Ω,
高带宽，双路SPDT模拟开关
描述
该DG2517 / DG2518为低压双路单刀/ dou-
BLE掷单片CMOS模拟开关。旨在
从1.8 V至5.5 V电源供电， DG2517操作/
DG2518实现了157 MHz的带宽，同时提供
低导通电阻（3-
Ω),
出色的导通电阻匹配
(0.2
Ω)
和平整度（ 1
Ω)
在整个信号范围。
的DG2517 / DG2518提供高线性度的优点
降低信号失真，使理想的音频，视频，
和USB信号路由的应用。此外，该
DG2517 / DG2518都在满1.6 V逻辑兼容
操作电压范围。
采用Vishay Siliconix公司专有的亚微米高丹麦
sity过程中， DG2517 / DG2518带来的低功率变
消耗，同时由于减少了印刷电路板的间距与
MSOP10和DFN10包。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和环境
包换，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品的
铅（Pb ） - 免费的设备终端。 DFN封装有
镍钯金器件端接，并表示
由铅（Pb ） - 免费" - E4"后缀。该MSOP封装用途
100 ％雾锡器终止，由代表
铅（Pb ） - 免费" - E3"后缀。无论是雾锡和镍
钯金器件端接满足所有JEDEC标
dards对回流焊和MSL等级。
特点
1.85.5 V单电源供电
低罗恩： 3
Ω
在4.2 V
157兆赫， - 3 dB带宽
低关断隔离， - 47分贝在10 MHz
+ 1.6 V逻辑兼容
RoHS指令
柔顺
好处
高线性度
低功耗
高带宽
全轨信号摆动范围
应用
USB / UART信号切换
音频/视频开关
手机
媒体播放器
调制解调器
硬盘驱动器
PCMCIA
功能框图及引脚配置
DG2517
IN1
NO1
GND
NO2
IN2
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
COM1
NC1
V+
NC2
COM2
真值表
逻辑
0
1
NC1和NC2
ON
关闭
NO1和NO2
关闭
ON
DG2518
IN1
NC1
GND
NC2
IN2
1
2
3
4
5
顶视图
10
9
8
7
6
COM1
NO1
V+
订购信息
温度范围
包
MSOP-10
产品型号
DG2517DQ-T1-E3
DG2518DQ-T1-E3
DG2517DN-T1-E4
DG2518DN-T1-E4
NO2
COM2
- 4085 ℃下
DFN-10
文档编号： 74333
S- 61774 -REV 。 A， 11 - 09月06
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1
DG2517/DG2518
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考GND
V+
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
功率耗散（包）
b
MSOP-10
DFN-10
d
c
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 50
± 200
- 65 150
320
1191
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免4.0毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免14.9毫瓦/°C， 70°C以上。
规格（ V + = 3V）
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
r
ON
通道间匹配
关机漏电流
f
符号
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.5或1.4 V.
e
温度
a
满
民
b
0
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
V+
3.2
1.0
0.1
4.5
5.0
1.4
16
0.3
0.4
1
10
1
10
1
10
单位
V
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5, 2 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 3.6 V, V
NO
, V
NC
= 0.3 V/ 3 V
V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.6 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
- 3 dB带宽
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
BW
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
Ω
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1.4
nA
0.5
4
1
15
10
1
1
157
- 67
- 47
- 67
- 47
8
8
35
35
1
30
50
25
35
V
pF
A
V+ = 2.7 V, V
NO
或V
NC
= 1.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 1.5 V ，R
根
= 0
Ω
为0 dBm ，C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω
F = 1 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
F = 1 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 10MHz的
ns
pC
兆赫
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
电源
I+
满
0.01
1.0
A
电源电流
V
IN
= 0或V +的
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
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文档编号： 74333
S- 61774 -REV 。 A， 11 - 09月06
DG2517/DG2518
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
r
ON
通道间匹配
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
- 3 dB带宽
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
满
1.8
0.01
5.5
1.0
V
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
BW
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
编号为（ON）的
C
数控（ON）的
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
V+ = 4.2 V, V
NO
或V
NC
= 3 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 2.5 V ，R
根
= 0
Ω
为0 dBm ，C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
F = 10MHz的
F = 1 MHz的
F = 10MHz的
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
2
157
- 67
- 47
- 67
- 47
8
8
35
35
pF
dB
pC
兆赫
12
8
25
45
20
30
ns
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0 V或V +
满
满
满
满
1
4
1
2.0
0.8
V
pF
A
I
COM（上）
V+ = 4.2 V, V
COM
= 3.5 V，I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 4.2 V, V
COM
= 1, 2, 3.5 V
I
NO / NC
= 10毫安
V+ = 4.2 V, V
COM
= 3.5 V，I
NO / NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
0
3
1.1
0.1
V+
4.0
4.3
1.4
1.6
0.3
0.4
1
10
1
10
1
10
nA
Ω
V
符号
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8或2.0 V
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V
COM
= V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 74333
S- 61774 -REV 。 A， 11 - 09月06
www.vishay.com
3
DG2517/DG2518
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ° C，除非另有说明
10
9
8
r
ON
- 在铼
s
i
s
t
a
NCE （ Ω ）
7
6
5
V+ = 2.7 V
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
V+ = 4.2 V
r
ON
- 在铼
s
i
s
t
a
NCE （ Ω ）
V+ = 1.8 V
吨= 25°C
I
NO / NC
= 10毫安
5
V+ = 2.7 V
85
°C
25 °C
- 40 °C
4
3
2
V+ = 4.2 V
85
°C
1
25 °C
- 40 °C
r
ON
与V
COM
与电源电压
10000
10毫安
r
ON
与模拟电压和温度
V+ = 5.5 V
1毫安
I+ -
Su
pply
u
rrent （PA ）
I+ -
Su
pply
u
rrent （ A）
1000
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
100
A
10
A
1
A
100 nA的
10 nA的
1
- 60
1 nA的
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
100
10
温度（℃）
输入
开关
频率（Hz）
电源电流与温度的关系
1000
80
电源电流与输入开关频率
V+ = 5.5 V
60
I
COM（上）
Le
a
k
a
GE消费
u
rrent （PA ）
100
I
否（关）
, I
NC （关闭）
Le
a
k
a
GE消费
u
rrent （PA ）
40
20
0
I
NC （关闭）
, I
否（关）
- 20
- 40
I
COM （关闭）
1
- 40
I
COM （关闭）
- 60
-
80
0.0
I
COM（上）
10
- 15
10
35
60
85
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
温度（℃）
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
泄漏与模拟电压
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DG2517/DG2518
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典型特征
25 ° C，除非另有说明
18
插入螺
ss
， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
16
t
ON
/ t
关闭
-
S
魔力时间（μs ）
14
12
10
8
6
t
关闭
, V+ = 2.7 V
4
2
0
- 60
t
关闭
, V+ = 4.2 V
R
L
=
300
Ω
t
ON
, V+ = 2.7 V
0
- 10
- 20
-
30
- 40
OIRR
- 50
- 60
- 70
-
80
- 90
100K
V+ = 5 V
R
L
= 50
Ω
1M
10M
频率（Hz）
100M
1G
X
TALK
损失
t
ON
, V+ = 4.2 V
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
开关时间与温度的关系
插入损耗，关断隔离
串扰与频率
40
2.5
V
T
-
S
魔力THRE
s
持有（ V）
2
Q - 中国
a
RGE注射液（ PC）
20
0
V+ = 5 V
- 20
V+ =
3
V
1.5
1
- 40
0.5
- 60
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V+ -
供应
电压（V）的
4.5
5
-
80
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
开关阈值与电源电压
电荷注入与模拟电压
测试电路
V+
逻辑
输入
V+
开关
输入
NO或NC
IN
逻辑
输入
GND
0V
C
L
（包括夹具
和杂散
电容）
V
OUT
V
COM
R
L
R
L
R
ON
逻辑“1”=
开关
On
逻辑输入波形倒置
开关
有
相反的逻辑
感。
R
L
300
Ω
C
L
35
pF
COM
开关
产量
V
OUT
0.9× V
OUT
开关
产量
0V
t
ON
t
关闭
V
INH
50
%
V
INL
t
r
＆ LT ; 5纳秒
t
f
＆ LT ; 5纳秒
图1.开关时间
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S- 61774 -REV 。 A， 11 - 09月06
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