DG2511 ， DG2512 ， DG2513
Vishay Siliconix公司
低电压，低R
ON
，单模拟开关
在miniQFN -6封装
描述
该DG2511 ， DG2512 ， DG2513是低的导通电阻，
单刀/双掷
or
单刀/单掷
单片CMOS模拟开关。它是专为低
电压应用。该DG2511 ， DG2512 ， DG2513是
非常适用于便携式和电池供电设备，需要
高性能和高效利用的电路板空间。在
附加到导通电阻低（1.3
在2.7 V ） 。
该DG2511是一种SPDT和DG2512 ， DG2513是
SPST 。该开关的导电性能相同在两个方向
当上，并阻止了电源电平的时候了。
该DG2511 ， DG2512 ， DG2513是采用Vishay
Siliconix公司的低电压JI5L过程。外延层
防止闭锁。
突破前先保证。
该DG2511 ， DG2512 ， DG2513是一种突破，
在包装开发的模拟开关产品。
该miniQFN - 6封装（ 1.2 ×1.0毫米）。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产这种产品，
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟开关
产品制造的镍钯金器件端接时，
铅（Pb ） - 免费" - E4"后缀被用作一个代号。
特点
低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
ON
: 1.3
在2.7 V
低电荷注入
闩锁电流> 300毫安（ JESD78A ）
miniQFN - 6封装（ 1.2 ×1.0 MM）
符合RoHS指令2002/95 / EC
RoHS指令
柔顺
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
保证2 V操作
应用
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
采样和保持电路
ADC和DAC的应用
低电压数据采集系统
功能框图及引脚配置
DG2511
miniQFN-6
DG2512
miniQFN-6
DG2513
miniQFN-6
NO
1
6
IN
NC
1
6
IN
NO
1
6
IN
GND
2
5
V+
GND
2
5
V+
GND
2
5
V+
NC
3
4
COM
NC
3
4
COM
NO
3
4
COM
顶部
意见
顶部
意见
顶部
意见
真值表
Ax
销1
器件标识：斧头DG2511
BX的DG2512
CX为DG2513
X =日期/批次追踪码
注：1脚有很长的
逻辑
0
1
NC
On
关闭
NO
关闭
On
商业订购信息
温度范围
- 40 ° C至85°C
包
miniQFN-6
铅（Pb ） - 免费
与磁带和卷轴
产品型号
DG2511DN-T1-E4
DG2512DN-T1-E4
DG2513DN-T1-E4
www.vishay.com
1
文档编号： 74454
S11-0984 -REV 。 C， 23日， 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG2511 ， DG2512 ， DG2513
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 150
± 300
后缀
miniQFN-6
c
- 65 150
160
单位
V
mA
°C
mW
连续电流（ NO ， NC ， COM引脚）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免2毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
MATCH
R
ON
平整度
V
NO
, V
NC
,
V
COM
R
ON
R
ON
R
ON
平整度
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
收费
注射
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
电源
电源电压范围
电源电流
d
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
符号
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.4 V或2 V
e
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0
1.4
V+
1.7
1.9
0.15
0.4
2
20
2
20
2
20
V
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.5 V/1.5 V
I
NO
, I
NC
= 100毫安
0.3
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
1.6
关机漏电流
f
V+ = 3.3 V,
V
NO
, V
NC
= 1 V/3 V, V
COM
= 3 V/1 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/3 V
nA
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
0.4
4
1
18
7
1
12
3
- 58
- 64
21
61
1.8
5.5
0.01
1
1
43
49
32
34
V
pF
A
V+ = 2.7 V, V
NO
或V
NC
= 1.5 V,
R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
V
A
V
IN
= 0或V +的
www.vishay.com
2
文档编号： 74454
S11-0984 -REV 。 C， 23日， 11
本文如有更改，恕不另行通知。
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DG2511 ， DG2512 ， DG2513
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 5 V)
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
MATCH
R
ON
平整度
V
NO
, V
NC
,
V
COM
R
ON
R
ON
R
ON
平整度
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
d
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
符号
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.6 V或1.8 V
e
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0
1
V+
1.3
1.45
0.15
0.4
2
20
2
20
2
20
V
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0.5 V/2.5 V,
I
NO
, I
NC
= 100毫安
0.3
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
1.8
关机漏电流
V+ = 5.5 V,
V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/4.5 V
nA
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
0.6
4
1
11
6
1
5
14
- 58
- 64
19
61
1.8
0.01
5.5
1
1
35
39
31
33
V
pF
A
V
NO
或V
NC
= 2.5 V ，R
L
= 50
,
C
L
= 35 pF的
ns
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50, C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
V
IN
= 0或V +的
V
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 74454
S11-0984 -REV 。 C， 23日， 11
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3
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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DG2511 ， DG2512 ， DG2513
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
3.0
V+ = 1.8 V
I + - 电源电流（PA ）
V+ = 2.0 V
2.0
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
V+ = 4.5 V
V+ = 3.6 V V+ = 5.0 V
V+ = 5.5 V
10000
100000
V+ = 5.5 V
V
IN
= 0 V
2.5
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
1000
1.5
100
1.0
0.5
吨= 25°C
I
S
= 100毫安
0.0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
10
1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
R
ON
与V
COM
与电源电压
3.0
V + = 3.0 V，I
S
= 100毫安
+ 85 °C
+ 25 °C
- 40 °C
10毫安
1毫安
I + - 电源电流（ A）
100 A
10 A
电源电流与温度的关系
2.5
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
2.0
1.5
V+ = 5.5 V
1 A
100 nA的
10 nA的
1 nA的
1.0
0.5
0.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
COM
- 模拟电压（ V）
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
输入开关频率（Hz ）
R
ON
与模拟电压和温度
3.0
V + = 5.0 V，I
S
= 100毫安
+ 85 °C
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
2.0
- 40 °C
漏电流（PA ）
+ 25 °C
1000
10000
电源电流与输入开关频率
2.5
V+ = 5.5 V
I
COM （关闭）
1.5
100
I
COM（上）
I
NC / NO （上）
1.0
10
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
COM
- 模拟电压（ V）
1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
R
ON
与模拟电压和温度
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漏电流与温度的关系
文档编号： 74454
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DG2511 ， DG2512 ， DG2513
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
500
400
V
T
- 开关阈值（ V）
300
漏电流（PA ）
200
100
0
- 100
- 200
- 300
- 400
- 500
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
V
COM
- 模拟电压（ V）
0.0
1
2
3
4
5
6
I
COM（上）
I
否（关）
/I
NC （关闭）
V+ = 5.5 V
1.5
2.0
I
COM （关闭）
1.0
0.5
V + - 电源电压（ V）
泄漏与模拟电压
25
20
10
t
ON
, t
关闭
- Switchint时间（纳秒）
20
t
ON
V+ = 2.7 V
Q - 电荷注入（ PC）
0
- 10
开关阈值与电源电压
V+ = 2.0 V
V+ = 3.0 V
15
t
ON
V+ = 4.5 V
V+ = 5.0 V
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
0.0
10
t
关闭
V+ = 2.7 V
5
t
关闭
V+ = 4.5 V
0
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
NO / NC
- 模拟电压（ V）
开关时间与温度和电源电压
10
损失
0
- 10
损失， OIRR ，X
TLAK
（ dB）的
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
- 80
100 K
X
TALK
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
OIRR
电荷注入与模拟电压
插入损耗，关断隔离，串扰与
频率
文档编号： 74454
S11-0984 -REV 。 C， 23日， 11
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本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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DG2511/2512/2513
Vishay Siliconix公司
低电压，低R
ON
，单模拟开关
在miniQFN -6封装
描述
的DG2511 / DG2512 / DG2513是低的导通电阻，赎罪
GLE -单刀/双掷或单刀/单掷单片
CMOS模拟开关。它是专为低电压应用
系统蒸发散。该DG2511 / DG2512 / DG2513是理想的便携式
和电池供电的设备，需要高性能
并有效地利用电路板空间。在附加到所述低导通
电阻（ 1.3
Ω
在2.7 V ） 。
该DG2511是一种SPDT和DG2512 / DG2513是
SPST 。该开关的导电性能相同在两个方向
当上，并阻止了电源电平的时候了。
该DG2511 / DG2512 / DG2513是采用Vishay Siliconix公司的
低压JI5L过程。外延层可以防止闭锁。
突破前先保证。
该DG2511 / DG2512 / DG2513代表的突破
包装开发的模拟开关产品。该
miniQFN -6封装（1.2 ×1.0毫米）。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和环境
包换，日前，Vishay Siliconix公司生产该产品的
铅（Pb ） - 免费的设备终端。对于模拟开关
产品制造的镍钯金器件端接时，
铅（Pb ） - 免费" - E4"后缀被用作一个代号。
特点
低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
ON
: 1.3
Ω
在2.7 V
低电荷注入
低电压逻辑兼容
miniQFN - 6封装（ 1.2 ×1.0 MM）
RoHS指令
柔顺
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
保证2 V操作
应用
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
采样和保持电路
ADC和DAC的应用
低电压数据采集系统
功能框图及引脚配置
DG2511
miniQFN-6
DG2512
miniQFN-6
DG2513
miniQFN-6
NO
1
6
IN
NC
1
6
IN
NO
1
6
IN
GND
2
5
V+
GND
2
5
V+
GND
2
5
V+
NC
3
4
COM
NC
3
4
COM
NO
3
4
COM
顶视图
顶视图
顶视图
真值表
Ax
销1
器件标识：斧头DG2511
BX的DG2512
CX为DG2513
X =日期/批次追踪码
注：1脚有很长的
逻辑
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
商业订购信息
温度范围
- 4085 ℃下
包
miniQFN-6
铅（Pb ） - 免费
与磁带和卷轴
产品型号
DG2511DN-T1-E4
DG2512DN-T1-E4
DG2513DN-T1-E4
www.vishay.com
1
文档编号： 74454
S- 70327 -REV 。 B， 26 -FEB -07
DG2511/2512/2513
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（ NO ， NC ， COM引脚）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
符号
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3V）
± 150
± 300
- 65 150
单位
V
mA
°C
mW
后缀
miniQFN-6
c
160
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免2.0毫瓦/°C， 70°C以上。
规格（ V + = 3V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
MATCH
r
ON
平整度
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
Δr
ON
r
ON
平整度
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
电源
电源电压范围
电源电流
d
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
符号
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.4 V或2.0 V
e
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0
1.4
V+
1.7
1.9
0.15
0.4
2
20
2
20
2
20
V
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.5 V/1.5 V
I
NO
, I
NC
= 100毫安
Ω
0.3
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
1.6
关机漏电流
f
V+ = 3.3 V,
V
NO
, V
NC
= 1 V/3 V, V
COM
= 3 V/1 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/3 V
nA
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
0.4
4
1
18
7
1
12
3
- 58
- 64
21
61
1.8
5.5
0.01
1.0
1
43
49
32
34
V
pF
A
V+ = 2.7 V, V
NO
或V
NC
= 1.5 V,
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
V
A
V
IN
= 0或V +的
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2
文档编号： 74454
S- 70327 -REV 。 B， 26 -FEB -07
DG2511/2512/2513
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
MATCH
r
ON
平整度
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
Δr
ON
r
ON
平整度
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
V
NO
或V
NC
= 2.5 V ，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1.8
0.01
11
6
1
5
14
- 58
- 64
19
61
5.5
1.0
V
A
pC
dB
35
39
31
33
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0.5 V/2.5 V,
I
NO
, I
NC
= 100毫安
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
满
1
4
1
-2
- 20
-2
- 20
-2
- 20
1.8
0.6
0
1
V+
1.3
1.45
0.15
0.4
2
20
2
20
2
20
nA
V
符号
V+ = 5.0 V, ± 10 %, V
IN
= 0.6 V或1.8 V
e
温度
a
民
b
范围
- 4085 ℃下
典型值
c
最大
b
单位
Ω
0.3
关机漏电流
V+ = 5.5 V,
V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1.0 V
V+ = 5.5 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1.0 V/4.5 V
V
pF
A
ns
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
V
IN
= 0或V +的
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 VIN =输入电压进行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 74454
S- 70327 -REV 。 B， 26 -FEB -07
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DG2511/2512/2513
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
3.0
V+ = 1.8 V
I + - 电源电流（PA ）
V+ = 2.0 V
2.0
V+ = 2.7 V
V+ = 3.0 V
V+ = 4.5 V
V+ = 3.6 V V+ = 5.0 V
V+ = 5.5 V
10000
100000
V+ = 5.5 V
V
IN
= 0 V
2.5
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
1000
1.5
100
1.0
0.5
吨= 25°C
I
S
= 100毫安
0.0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
10
1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
r
ON
与V
COM
与电源电压
3.0
V + = 3.0 V，I
S
= 100毫安
+ 85 °C
+ 25 °C
- 40 °C
10毫安
1毫安
I + - 电源电流（ A）
100 A
10 A
电源电流与温度的关系
2.5
r
ON
- 导通电阻（ W）
2.0
1.5
V+ = 5.5 V
1 A
100 nA的
10 nA的
1 nA的
1.0
0.5
0.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
COM
- 模拟电压（ V）
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
输入开关频率（Hz ）
r
ON
与模拟电压和温度
3.0
V + = 5.0 V，I
S
= 100毫安
+ 85 °C
r
ON
- 导通电阻（ W）
2.0
- 40 °C
漏电流（PA ）
+ 25 °C
1000
10000
电源电流与输入开关频率
2.5
V+ = 5.5 V
I
COM （关闭）
1.5
100
I
COM（上）
I
NC / NO （上）
1.0
10
0.5
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
COM
- 模拟电压（ V）
1
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
r
ON
与模拟电压和温度
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漏电流与温度的关系
文档编号： 74454
S- 70327 -REV 。 B， 26 -FEB -07
DG2511/2512/2513
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
500
400
V
T
- 开关阈值（ V）
300
漏电流（PA ）
200
100
0
- 100
- 200
- 300
- 400
- 500
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
V
COM
- 模拟电压（ V）
0.0
1
2
3
4
5
6
I
COM（上）
I
否（关）
/I
NC （关闭）
V+ = 5.5 V
1.5
2.0
I
COM （关闭）
1.0
0.5
V + - 电源电压（ V）
泄漏与模拟电压
25
20
10
t
ON
, t
关闭
- Switchint时间（纳秒）
20
t
ON
V+ = 2.7 V
Q - 电荷注入（ PC）
0
- 10
开关阈值与电源电压
V+ = 2.0 V
V+ = 3.0 V
15
t
ON
V+ = 4.5 V
V+ = 5.0 V
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
0.0
10
t
关闭
V+ = 2.7 V
5
t
关闭
V+ = 4.5 V
0
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
NO / NC
- 模拟电压（ V）
开关时间与温度和电源电压
10
损失
0
- 10
损失， OIRR ，X
TLAK
（ dB）的
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
- 80
100 K
X
TALK
V+ = 3.0 V
R
L
= 50
Ω
1M
10 M
频率（Hz）
100 M
1G
OIRR
电荷注入与模拟电压
插入损耗，关断隔离，串扰与
频率
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