DG213
Vishay Siliconix公司
四互补CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 45
W
低漏-I
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
： 85纳秒
好处
D
D
D
D
D
D
D
低电荷注入-Q量：1件
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
低成本
应用
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
多功能DG213模拟开关具有两个NC和2 NO
开关。它可以在各种配置中可使用，包括
4单刀单掷（SPST ），两个单极
双掷（SPDT ），一个“T”型开关， 1 DPDT等，这
设备制造在日前，Vishay Siliconix公司专有的
高电压硅栅CMOS工艺，从而降低了
导通电阻，更低的泄漏，更高的速度和更低的功耗
消费。
注射薪酬设计最大限度地减少开关
瞬变。这些交换机可以处理高达
"22
V和有
为30 mA的改进连续电流额定值。外延
层防止闭锁。
所有开关均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
此模拟开关被设计用于各种各样的一般
目的应用在电信，仪器仪表，
过程控制，计算机外设等的改进费用
有关更多信息，请参考应用笔记
AN208 （ FaxBack文档＃ 70606 ） 。
功能框图及引脚配置
真值表
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
文档编号： 70662
S- 00787 -REV 。男， 17 -APR- 00
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
逻辑
0
1
SW
1
， SW
4
关闭
ON
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
SW
2
， SW
3
ON
关闭
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
-40到85°C
40
16引脚窄体SOIC
16引脚TSSOP
产品型号
DG213DJ
DG213DY
DG213DQ
www.vishay.com
S
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Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（套餐） B
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
16引脚TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
= 14 V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
,
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
–0.5
–5
–0.5
–5
–0.5
–10
V–
45
1
"0.01
"0.01
"0.02
V+
60
V
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
85
2
0.5
5
0.5
5
0.5
10
W
nA
A
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
–1
5
2.4
V
0.8
1
mA
pF
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先延时
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道的串扰
t
ON
t
关闭
t
D
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
= 10 V
见图2
S网络
V
S
= 10 V ，见图3
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V ，R
g
= 0
W
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 P，R
L
= 50
W
PF，
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100的kH
千赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
15
85
55
25
1
5
5
16
90
dB
95
F
pF
pC
130
100
ns
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特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
"3
–1
–5
1
5
"22
V
1
5
mA
A
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
规格为单极性电源
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
V–
90
V+
110
140
V
W
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
c
典型值
b
最大
c
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先延时
电荷注入
t
ON
见图2
t
关闭
t
D
Q
V
S
= 8 V ，见图3
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
50
45
80
4
pC
100
ns
房间
125
200
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
)3
–1
–5
1
5
)40
V
1
5
mA
A
注意事项：
一。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
300
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
5V
250
V– = 0 V
V
L
= 5 V
40
30
20
200
I S ， I D - 电流（ PA）
10
0
–10
–20
50
–30
0
0
2
4
6
8
10
12
–40
–20
漏电流与模拟电压
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D（上）
150
7V
10 V
12 V
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
100
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
V
D
- 漏极电压（ V）
V
类似物
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S ， I D - 当前
Q - 费（ PC）
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度（℃）
V
类似物
- 模拟电压（ V）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
关断隔离与频率的关系
120
110
100
90
OIRR （ dB）的
R
L
= 50
W
80
70
60
50
40
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = +15 V
V– = –15 V
的F - 频率（Hz）
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
X
V
L
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
D
X
GND
V–
图1 。
测试电路
+15 V
V+
V
S
= +2 V
S
IN
3V
GND
V–
R
L
300
W
C
L
35 pF的
D
V
O
逻辑
输入
3V
50%
0V
t
关闭
90%
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
开关
产量
–15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
V
O
t
ON
图2中。
开关时间
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