DG211B ， DG212B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
描述
该DG211B ， DG212B模拟开关大大提高
工业标准的DG211 ， DG212的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计
减少开关瞬变。该DG211B和DG212B
可以处理最高±22 V，并具有改进的连续
30 mA电流额定值。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
的DG211B是常闭开关和DG212B是
一个常开开关。 （见真值表。 ）
特点
± 22 V电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 50
低漏 - 我
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换 - 吨
ON
： 120纳秒
低电荷注入 - 问： 1 pC的
好处
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG211 ， DG212
节省空间（ TSSOP ）
应用
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
功能框图及引脚配置
DG211B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
DG211B
ON
关闭
DG212B
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 70040
S11-0179 -REV 。 ， 07 -FEB- 11
www.vishay.com
1
DG211B ， DG212B
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
16引脚塑料DIP
标准型号
DG211BDJ
DG212BDJ
DG211BDY
DG211BDY-T1
DG212BDY
DG212BDY-T1
DG211BDQ
DG211BDQ-T1
DG212BDQ
DG212BDQ-T1
铅（Pb ） - 免费部件号
DG211BDJ-E3
DG212BDJ-E3
DG211BDY-E3
DG211BDY-T1-E3
DG212BDY-E3
DG212BDY-T1-E3
DG211BDQ-E3
DG211BDQ-T1-E3
DG212BDQ-E3
DG212BDQ-T1-E3
16引脚窄体SOIC
- 40 ° C至85°C
16引脚TSSOP
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
参考电压，V +至V-
GND
数字
输入
a
,
V
S
, V
D
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 125
16引脚塑料DIP
c
单位
V
电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大）
储存温度
功率耗散（包）
b
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
mA
°C
mW
470
640
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
原理图
（典型频道）
V+
S
X
V
L
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V-
V+
D
X
GND
V-
图1 。
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2
文档编号： 70040
S11-0179 -REV 。 ， 07 -FEB- 11
DG211B ， DG212B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
后缀
- 40 ° C至85°C
温度。
a
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
V
INH
或V
INL
满
房间
V
S
= 10 V
见图2
C
L
= 1000 PF， V
根
= 0 V ，R
根
= 0
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的，R
L
= 50
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
1
5
5
16
90
95
10
50
- 10
- 50
10
50
± 4.5
± 22
V
A
dB
pF
-1
5
300
200
分钟。
b
- 15
45
2
- 0.5
-5
- 0.5
-5
- 0.5
- 10
2.4
0.8
1
± 0.01
± 0.01
± 0.02
0.5
5
0.5
5
0.5
10
典型值。
c
马克斯。
b
15
85
100
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道的串扰
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
I+
V
D
= - 10 V，I
S
= 1毫安
V
S
= ± 14 V, V
D
= ± 14 V
V
D
= ± 14 V, V
S
= ± 14 V
V
S
= V
D
= ± 14 V
nA
V
A
pF
ns
pC
V
IN
= 0或5伏
I-
I
L
V
OP
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3
DG211B ， DG212B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
（单电源）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
后缀
- 40 ° C至85°C
温度。
a
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
4
10
50
- 10
- 50
10
50
+ 4.5
+ 25
V
A
分钟。
b
0
90
典型值。
c
马克斯。
b
12
160
200
300
200
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
Q
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
V
S
= 8 V
见图1
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
ns
pC
I+
V
IN
= 0或5伏
I-
I
L
V
OP
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
110
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
100
90
±5V
80
70
60
50
40
30
20
10
- 20 - 16 - 12
-8
-4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
± 20 V
± 10 V
± 15 V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 15
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
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4
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DG211B ， DG212B
Vishay Siliconix公司
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
250
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
225
200
I
S,
I
D
- 电流（ PA）
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
- 30
- 40
- 20
12 V
15 V
7V
20
10
0
- 10
- 20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
V+ = 5 V
40
30
V+ = 22 V
V- = - 22 V
T
A
= 25 °C
I
D（上）
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
V
类似物
- 模拟V oltage （ V）
R
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
1 nA的
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
S,
V
D
= ± 14 V
30
漏电流与模拟电压
20
Q - 费（ PC）
I
S,
I
D
- 当前
100 pA的
10
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V+ = 12 V
V- = 0 V
- 10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
- 20
1 pA的
- 55
- 35
- 15
5
25
45
65
85
105 125
- 30
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
温度（℃）
V
类似物
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
120
110
100
90
OIRR （ dB）的
R
L
= 50
Ω
80
70
60
50
40
10K
100K
1M
Q
S
, Q
D
- 电荷注入与模拟电压
V+ = + 15 V
V- = - 15 V
10M
的F - 频率（Hz）
关断隔离与频率的关系
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DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 50
W
低漏-I
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
： 120纳秒
低电荷注入-Q量：1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG211 / 212
节省空间（ TSSOP ）
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG211B / 212B模拟开关大大提高
工业标准的DG211 / 212的版本。这些设备
正在制作中的Vishay Siliconix公司专有的硅栅
CMOS工艺制造，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
最多
"22
伏，并具有改进的连续电流额定值
为30 mA 。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等的
改进的电荷注入薪酬设计最小化
开关瞬变。该DG211B和DG212B可处理
的DG211B是常闭开关和DG212B是
一个常开开关。 （见真值表。 ）
功能框图及引脚配置
DG211B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
真值表
逻辑
0
1
DG211B
ON
关闭
DG212B
关闭
ON
文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
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S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
DG212BDJ
DG211BDY
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
DG212BDY
DG211BDQ
16引脚TSSOP
DG212BDQ
产品型号
DG211BDJ
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（套餐） B
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
X
V
L
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
D
X
GND
V–
图1 。
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FaxBack 408-970-5600
4-2
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S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
,
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
–0.5
–5
–0.5
–5
–0.5
–10
–15
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
15
V
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
100
85
W
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
–1
5
2.4
V
0.8
1
mA
pF
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道的串扰
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
=10 V
见图2
S网络
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V ，R
g
= 0
W
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 P，R
L
= 50
W
PF，
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100的kH
千赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
5
5
16
90
dB
95
pF
F
300
ns
200
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
"4.5
–10
–50
10
50
"22
V
10
50
mA
A
文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
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S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
0
90
12
160
200
V
W
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V
见图2
S网络
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
4
300
ns
200
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
)4.5
–10
–50
10
50
)25
V
10
50
mA
A
注意事项：
一。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-4
文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
250
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
225
200
20
I S ， I D - 电流（ PA）
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
–30
–40
–20
12 V
15 V
7V
10
0
–10
–20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
V+ = 5 V
40
30
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D（上）
漏电流与模拟电压
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
V
类似物
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S ， I D - 当前
Q - 费（ PC）
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度（℃）
V
类似物
- 模拟电压（ V）
关断隔离与频率的关系
120
110
100
90
OIRR （ dB）的
R
L
= 50
W
80
70
60
50
40
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = +15 V
V– = –15 V
的F - 频率（Hz）
文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
www.vishay.com
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DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 50
W
低漏-I
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
： 120纳秒
低电荷注入-Q量：1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG211 / 212
节省空间（ TSSOP ）
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG211B / 212B模拟开关大大提高
工业标准的DG211 / 212的版本。这些设备
正在制作中的Vishay Siliconix公司专有的硅栅
CMOS工艺制造，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
最多
"22
伏，并具有改进的连续电流额定值
为30 mA 。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等的
改进的电荷注入薪酬设计最小化
开关瞬变。该DG211B和DG212B可处理
的DG211B是常闭开关和DG212B是
一个常开开关。 （见真值表。 ）
功能框图及引脚配置
DG211B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
真值表
逻辑
0
1
DG211B
ON
关闭
DG212B
关闭
ON
文档编号： 70040
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订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
DG212BDJ
DG211BDY
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
DG212BDY
DG211BDQ
16引脚TSSOP
DG212BDQ
产品型号
DG211BDJ
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（套餐） B
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
X
V
L
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
D
X
GND
V–
图1 。
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特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
,
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
–0.5
–5
–0.5
–5
–0.5
–10
–15
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
15
V
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
100
85
W
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
–1
5
2.4
V
0.8
1
mA
pF
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道的串扰
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
=10 V
见图2
S网络
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V ，R
g
= 0
W
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 P，R
L
= 50
W
PF，
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100的kH
千赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
5
5
16
90
dB
95
pF
F
300
ns
200
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
"4.5
–10
–50
10
50
"22
V
10
50
mA
A
文档编号： 70040
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Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
0
90
12
160
200
V
W
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V
见图2
S网络
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
4
300
ns
200
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
)4.5
–10
–50
10
50
)25
V
10
50
mA
A
注意事项：
一。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
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S
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
250
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
225
200
20
I S ， I D - 电流（ PA）
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
–30
–40
–20
12 V
15 V
7V
10
0
–10
–20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
V+ = 5 V
40
30
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D（上）
漏电流与模拟电压
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
V
类似物
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S ， I D - 当前
Q - 费（ PC）
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度（℃）
V
类似物
- 模拟电压（ V）
关断隔离与频率的关系
120
110
100
90
OIRR （ dB）的
R
L
= 50
W
80
70
60
50
40
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = +15 V
V– = –15 V
的F - 频率（Hz）
文档编号： 70040
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Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 50
W
低漏-I
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
： 120纳秒
低电荷注入-Q量：1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG211 / 212
节省空间（ TSSOP ）
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG211B / 212B模拟开关大大提高
工业标准的DG211 / 212的版本。这些设备
正在制作中的Vishay Siliconix公司专有的硅栅
CMOS工艺制造，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
最多
"22
伏，并具有改进的连续电流额定值
为30 mA 。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等的
改进的电荷注入薪酬设计最小化
开关瞬变。该DG211B和DG212B可处理
的DG211B是常闭开关和DG212B是
一个常开开关。 （见真值表。 ）
功能框图及引脚配置
DG211B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
真值表
逻辑
0
1
DG211B
ON
关闭
DG212B
关闭
ON
文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
www.vishay.com
S
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DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
DG212BDJ
DG211BDY
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
DG212BDY
DG211BDQ
16引脚TSSOP
DG212BDQ
产品型号
DG211BDJ
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（套餐） B
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
X
V
L
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
D
X
GND
V–
图1 。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
,
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
–0.5
–5
–0.5
–5
–0.5
–10
–15
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
15
V
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
100
85
W
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
–1
5
2.4
V
0.8
1
mA
pF
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道的串扰
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
=10 V
见图2
S网络
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V ，R
g
= 0
W
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 P，R
L
= 50
W
PF，
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100的kH
千赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
5
5
16
90
dB
95
pF
F
300
ns
200
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
"4.5
–10
–50
10
50
"22
V
10
50
mA
A
文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
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S
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DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
0
90
12
160
200
V
W
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V
见图2
S网络
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
4
300
ns
200
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
)4.5
–10
–50
10
50
)25
V
10
50
mA
A
注意事项：
一。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
www.vishay.com
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文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
DG211B/212B
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
250
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
225
200
20
I S ， I D - 电流（ PA）
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
–30
–40
–20
12 V
15 V
7V
10
0
–10
–20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
V+ = 5 V
40
30
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D（上）
漏电流与模拟电压
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
V
类似物
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S ， I D - 当前
Q - 费（ PC）
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度（℃）
V
类似物
- 模拟电压（ V）
关断隔离与频率的关系
120
110
100
90
OIRR （ dB）的
R
L
= 50
W
80
70
60
50
40
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = +15 V
V– = –15 V
的F - 频率（Hz）
文档编号： 70040
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DG211B/212B
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改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 50
W
低漏-I
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
： 120纳秒
低电荷注入-Q量：1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG211 / 212
节省空间（ TSSOP ）
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG211B / 212B模拟开关大大提高
工业标准的DG211 / 212的版本。这些设备
正在制作中的Vishay Siliconix公司专有的硅栅
CMOS工艺制造，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
最多
"22
伏，并具有改进的连续电流额定值
为30 mA 。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
条件，并且将阻塞信号到电源电平的关
条件。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等的
改进的电荷注入薪酬设计最小化
开关瞬变。该DG211B和DG212B可处理
的DG211B是常闭开关和DG212B是
一个常开开关。 （见真值表。 ）
功能框图及引脚配置
DG211B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
IN
2
D
2
S
2
V+
V
L
S
3
D
3
IN
3
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
真值表
逻辑
0
1
DG211B
ON
关闭
DG212B
关闭
ON
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订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
DG212BDJ
DG211BDY
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
DG212BDY
DG211BDQ
16引脚TSSOP
DG212BDQ
产品型号
DG211BDJ
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（套餐） B
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
X
V
L
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
D
X
GND
V–
图1 。
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Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
,
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
–0.5
–5
–0.5
–5
–0.5
–10
–15
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
15
V
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
100
85
W
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
–1
5
2.4
V
0.8
1
mA
pF
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道的串扰
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
=10 V
见图2
S网络
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V ，R
g
= 0
W
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 P，R
L
= 50
W
PF，
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100的kH
千赫
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
1
5
5
16
90
dB
95
pF
F
300
ns
200
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
"4.5
–10
–50
10
50
"22
V
10
50
mA
A
文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
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S
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DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
漏源导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
0
90
12
160
200
V
W
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V
见图2
S网络
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
4
300
ns
200
pC
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
I
L
V
OP
房间
满
房间
满
房间
满
满
)4.5
–10
–50
10
50
)25
V
10
50
mA
A
注意事项：
一。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
www.vishay.com
S
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DG211B/212B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
250
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
225
200
20
I S ， I D - 电流（ PA）
175
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
–30
–40
–20
12 V
15 V
7V
10
0
–10
–20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
V+ = 5 V
40
30
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
I
D（上）
漏电流与模拟电压
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
V
类似物
- 模拟电压（ V）
漏电流与温度的关系
1 nA的
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
30
Q
S,
Q
D
- 电荷注入与模拟电压
20
I S ， I D - 当前
Q - 费（ PC）
100 pA的
10
V+ = 15 V
V– = –15 V
V+ = 12 V
V– = 0 V
–10
0
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
–20
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
温度（℃）
V
类似物
- 模拟电压（ V）
关断隔离与频率的关系
120
110
100
90
OIRR （ dB）的
R
L
= 50
W
80
70
60
50
40
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = +15 V
V– = –15 V
的F - 频率（Hz）
文档编号： 70040
S- 00788 -REV 。 H， 24 -APR- 00
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S
FaxBack 408-970-5600
4-5
