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DG211
数据表
2005年12月21日
FN3118.4
SPST 4通道模拟开关
该DG211是一款低成本, CMOS单芯片,四通道SPST
模拟开关。它可在一般用途的开关被用于
用于通信,仪器仪表,工艺应用
控制及计算机外围设备,并提供
在ON状态真正的双向性能和
块信号30V
P-P
在OFF状态。
特点
开关
±15V
模拟信号
TTL兼容
逻辑输入接受负电压
r
ON
(最大值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175Ω
无铅加退火有(符合RoHS )
产品编号信息
部分
DG211CJ
部分
温度。
打标范围大( ° C)
DG211CJ
0到70
0到70
0到70
0到70
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP *
(无铅)
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
(无铅)
PKG 。号
E16.3
E16.3
M16.15
功能方框图
DG211
S
1
IN
1
D
1
S
2
IN
2
DG211CJZ DG211CJZ
(注1,2 )
DG211CY
(注2 )
DG211CY
DG211CYZ DG211CYZ
(注1,2 )
M16.15
D
2
S
3
IN
3
D
3
S
4
IN
4
D
4
*无铅PDIPs可用于通孔波焊处理
只。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
注意事项:
1. Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和
100 %雾锡板终止完成,这是符合RoHS
标准,既锡铅和无铅焊接兼容
操作。 Intersil无铅产品分类MSL在
达到或超过了无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2.添加“T”后缀磁带和卷轴。
真值表
逻辑
0
1
DG211
ON
关闭
引脚
DG211
( PDIP , SOIC )
顶视图
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
6
7
8
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V + (子
-
施特拉特)
12 V
L
(+5V)
11 S
3
10 D
3
9
3
逻辑“0”的
≤0.8V,
逻辑“1”的
2.4V
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2001年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
DG211
原理图
DG211 (
1
/
4
如图所示)
TTL IN
-15V
GND
+15V
+5V
V
L
-15V
V-
-15V
+15V
IN
OUT
2
FN3118.4
2005年12月21日
DG211
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44V
V
IN
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V-至V +
V
L
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至25V
V
S
或V
D
到V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至-36V
V
S
或V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至36V
V +接地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
V-接地。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25V
目前,任何终端除S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
连续电流,S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流, S或D(脉冲为1ms , 10 %占空比最大) 。 。 。 。 。 70毫安
热信息
热电阻(典型,注3 )
θ
JA
( ° C / W)
PDIP封装* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
*无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用。
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
动态特性
导通时间,t
ON
关断时间,
t
OFF1
t
OFF2
关闭隔离, OIRR (注7 )
V+ = +15V, V- = -15V, V
L
= + 5V , GND ,T
A
= 25°C
测试条件
(注4 )
(注5 )
典型值
最大
单位
见图1
V
S
= 10V ,R
L
= 1kΩ的,C
L
= 35pF
-
460
-
ns
-
-
V
IN
= 5V ,R
L
= 1kΩ的,C
L
= 15pF的,V
S
= 1V
RMS
,
F = 100KHz的
V
D
= V
S
= 0V, V
IN
= 5V , F = 1MHz的
-
-
-
-
-
360
450
70
-90
5
5
16
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
dB
dB
pF
pF
pF
串扰(通道间) , CCRR
源关断电容,C
S( OFF)
流掉电容,C
D(关闭)
通道导通电容,C
D(上)
+ C
秒(上)
数字输入特性
输入电流与电压高,我
IH
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 15V
-1.0
-
-1.0
-0.0004
0.003
-0.0004
-
1.0
-
A
A
A
输入电流与电压低,我
IL
模拟开关特性
模拟信号范围,V
类似物
漏源导通电阻,R
DS ( ON)
来源OFF漏电流,I
S( OFF)
V
IN
= 0V
-15
V
D
=
±10V,
I
S
= 1mA时, V
IN
= 0.8V
V
IN
= 2.4V
V
S
= 14V, V
D
= -14V
V
S
= -14V, V
D
= 14V
-
-
-5.0
-
-5.0
-
-5.0
-
150
0.01
-0.02
0.01
-0.02
0.1
-0.15
15
175
5.0
-
5.0
-
5.0
-
V
nA
nA
nA
nA
nA
nA
流掉泄漏电流,I
D(关闭)
V
S
= -14V, V
D
= 14V
V
S
= 14V, V
D
= -14V
漏极泄漏电流,我
D(上)
(注6 )
V
IN
= 0.8V
V
S
= V
D
= 14V
V
S
= V
D
= -14V
3
FN3118.4
2005年12月21日
DG211
电气规格
参数
电源特性
正电源电流, I +
负电源电流,I-
逻辑电源电流,I
L
注意事项:
4.代数惯例,由此最负的值是最小的,并且是最积极的是最大值,用于该数据片。
5.仅供设计参考,未经100%测试。
6. I
D(上)
从驱动器泄漏到交换机上。
V
S
-
7.关断隔离
=
20日志
-------
, V
S
=
输入到开关,V
D
=
输出。
V
D
V
IN
= 0V或2.4V
-
-
-
0.1
0.1
0.1
10
10
10
A
A
A
V+ = +15V, V- = -15V, V
L
= + 5V , GND ,T
A
= 25°C
(续)
测试条件
(注4 )
(注5 )
典型值
最大
单位
测试电路和波形
显示切换为V输出波形
S
=常数逻辑
如图所示的输入波形。注意V
S
可以是+或 - 作为每
开关时间测试电路。 V
O
与稳态输出
接通。通过栅极电容馈通,可能导致
尖峰开头和结尾的输出波形的边沿。
5V
V
L
逻辑“
输入端(IN
1
)
t
r
& LT ;为20ns
t
f
& LT ;为20ns
开关
V
输入
S
90%
开关
输出(V
O
)
0V
t
OFF1
90%
10%
t
ON
t
OFF2
GND
开关
输入
V
S
= 10V
IN
1
S
1
15V
V+
开关
产量
V
O
R
L
1k
C
L
35pF
50%
D
1
逻辑
输入
V-
-15V
R
L
(重复测试
IN
2
3
而在
4
)
逻辑显示为DG211 。
图1.开关时间测量点
V
O
= V
S
R
L
+ r
DS ( ON)
图2.开关时间测试电路
4
FN3118.4
2005年12月21日
DG211
模具特点
DIE尺寸:
2159μm X 2235μm
金属化:
类型:铝
厚度: 10K
±1k
钝化:
类型: PSG /氮化物
PSG厚度: 7K
±1.4k
氮化物厚度: 8K
±1.2k
最坏情况下的电流密度:
9.1 x 10
4
A /厘米
2
金属掩模布局
DG211
销1
IN 1
销2
D1
PIN码16
IN 2
引脚15
D2
3脚
S1
引脚14
S2
引脚4
V-
引脚13
V + (基板)
5脚
GND
引脚12
VL
引脚6
S4
引脚11
S3
7针
D4
引脚8
在4
9针
IN 3
引脚10
D3
5
FN3118.4
2005年12月21日
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