DG2041 ， DG2042 ， DG2043
Vishay Siliconix公司
低电压，低R
ON
四通道SPST模拟开关
描述
该DG2041 /二千○四十三分之二千○四十二are四单刀/单掷
单片CMOS模拟开关专为高
模拟信号的开关性能。结合低
动力，快速开关，低导通电阻（R
DS （ ON）
: 1
at
2.7 V）和小的物理尺寸， DG2041 / 2043分之2042 are
非常适用于便携式和电池供电的需要的应用
高性能和高效利用的电路板空间。
/二千○四十三分之二千○四十二是建立在日前，Vishay Siliconix公司新的DG2041
高密度低压的过程。外延层防止
闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
低电压工作（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 1
快速切换 - 14纳秒吨
ON
低电荷注入 - Q
INJ
量：1件
低功耗
?? TTL / CMOS兼容
TSSOP -16和QFN- 16封装
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
采样和保持电路
应用
功能框图及引脚配置 - DG2041
DG2041DN
QFN- 16（4 ×4）
COM1
COM2
IN1
IN2
16
15
14
13
IN1
1
2
3
4
5
6
7
8
DG2041DQ
TSSOP
16
15
14
13
顶视图
12
11
10
9
IN2
COM2
NC2
V+
北卡罗来纳州
NC1
北卡罗来纳州
GND
NC4
1
2
TOP V IEW
3
4
12
11
10
9
NC2
V+
北卡罗来纳州
NC3
COM1
NC1
北卡罗来纳州
GND
NC4
COM4
IN4
NC3
COM3
IN3
5
COM4
6
IN4
7
IN3
8
COM3
真值表 - DG2041
逻辑
0
1
如图所示为逻辑“0”输入开关
文档编号： 72091
S11-1185 -REV 。 B， 13军， 11
www.vishay.com
1
开关
On
关闭
本文如有更改，恕不另行通知。
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DG2041 ， DG2042 ， DG2043
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置 - DG2042 ， DG2043
DG2042DN
QFN- 16（4 ×4）
COM1
COM2
IN1
IN2
16
15
14
13
IN1
1
2
3
4
5
6
7
8
DG2042DQ
TSSOP
16
15
14
顶视图
13
12
11
10
9
IN2
COM2
NO2
V+
北卡罗来纳州
NO1
北卡罗来纳州
GND
NO4
1
2
TOP V IEW
3
4
12
11
10
9
NO2
COM1
V+
北卡罗来纳州
NO3
NO1
北卡罗来纳州
GND
NO4
COM4
NO3
COM3
IN3
5
COM4
6
IN4
7
IN3
8
COM3
IN4
真值表 - DG2042
逻辑
0
1
如图所示为逻辑“0”输入开关
开关
关闭
On
DG2043DN
QFN- 16（4 ×4）
COM1
COM2
IN1
IN2
16
15
14
13
IN1
1
2
3
4
5
6
7
8
DG2043DQ
TSSOP
16
15
14
13
顶视图
12
11
10
9
IN2
COM2
NC2
V+
北卡罗来纳州
NO1
北卡罗来纳州
GND
NO4
1
2
顶视图
3
4
12
11
10
9
NC2
V+
北卡罗来纳州
NC3
COM1
NO1
北卡罗来纳州
GND
NO4
COM4
IN4
NC3
COM3
IN3
5
COM4
6
IN4
7
IN3
8
COM3
真值表 - DG2043
逻辑
0
1
开关如图所示为逻辑“ 0 ”输入
开关1,4
关闭
On
开关2,3
On
关闭
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2
文档编号： 72091
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DG2041 ， DG2042 ， DG2043
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG2041DQ-T1
DG2041DQ-T1-E3
TSSOP-16
- 40 ° C至85°C
DG2042DQ-T1
DG2042DQ-T1-E3
DG2043DQ-T1
DG2043DQ-T1-E3
QFN-16
（4毫米× 4mm）所
DG2041DN-T1-E4
DG2042DN-T1-E4
DG2043DN-T1-E4
绝对最大额定值
参数
参考V +至GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
功率耗散（包）
b
TSSOP-16
c
QFN- 16 （直径4 mm ×4mm）所
d
符号
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 50
± 200
- 65 150
450
1880
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.6毫瓦/°C， 70°C以上
。减免23.5毫瓦/°C， 70°C以上
。手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。该QFN是一种无引线封装。引线结束
端子露出铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能
被保证，并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。
特定网络阳离子
(V+ = 2 V)
测试条件
否则，除非指定
V+ = 2 V, V
IN
= 0.4 V或1.6 V
e
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
平整度
d
R
ON
通道间匹配
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
R
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 2 V, V
COM
= 0.2 V / 1.2 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 2 V, V
COM
= 0 V到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
满
房间
房间
V+ = 2.2 V
V
NO
, V
NC
= 0.2 V/2 V, V
COM
= 2 V/0.2 V
房间
满
d
房间
满
d
房间
满
d
0
3
V+
6.3
6.3
4.2
0.4
V
关机漏电流
f
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1
10
1
10
1
10
nA
信道泄漏电流
f
I
COM（上）
V+ = 2.2 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.2 V/2 V
文档编号： 72091
S11-1185 -REV 。 B， 13军， 11
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3
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DG2041 ， DG2042 ， DG2043
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 2 V)
测试条件
否则，除非指定
V+ = 2 V, V
IN
= 0.4 V或1.6 V
e
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
满
满
满
V
IN
= 0 V或V +
满
房间
满
d
房间
满
d
房间
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0 V或V +
5
1
- 63
- 95
24
48
0.001
1
A
pC
dB
-1
30
22
4
1
81
82
41
42
ns
分钟。
b
1.6
0.4
典型值。
c
马克斯。
b
单位
参数
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
延迟
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道上
电容
d
符号
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
V
pF
A
t
ON
t
关闭
t
D
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
I+
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
图。 1和2的
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
（仅DG2043 ）
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
,
图。 2
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
V
IN
= 0 V或V + ， F = 1兆赫
pF
电源
电源电流
d
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %
,
V
IN
= 0.4 V或2 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度。
a
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
平整度
d
R
ON
通道间匹配
关机漏电流
f
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
R
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.7 V / 1.5 V，I
NO
,
I
NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0 V到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
满
房间
房间
V+ = 3.3 V
V
NO
, V
NC
= 0.3 V/3 V, V
COM
= 3 V/0.3 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.3 V/3 V
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0 V或V +
满
0
1.6
V+
2.1
2.2
0.7
0.3
V
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1.6
1
10
1
10
1
10
nA
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
d
输入低电压
输入电容
d
输入电流
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.4
4
-1
1
V
pF
A
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4
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DG2041 ， DG2042 ， DG2043
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(V+ = 3 V)
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %
,
V
IN
= 0.4 V或2 V
e
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0 V或V +
2
3
- 63
- 94
25
49
0.001
1
A
pC
dB
分钟。
b
典型值。
c
19
17
马克斯。
b
51
52
36
37
ns
单位
参数
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
突破前先延时
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电流
符号
t
ON
t
关闭
t
D
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
I+
V
NO
或V
NC
= 2 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
图。 1和2的
V
NO
或V
NC
= 2 V ，R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
（仅DG2043 ）
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
,
图。 2
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
V
IN
= 0 V或V + ， F = 1兆赫
pF
特定网络阳离子
(V+ = 5 V)
测试条件
否则，除非指定
V+ = 5 V, ± 10 %
,
V
IN
= 0.8 V或2.4 V
e
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
分钟。
b
典型值。
c
马克斯。
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
R
ON
平整度
d
R
ON
之间的匹配
频道
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
R
ON
R
ON
平整度
R
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0.7 V / 2.5 V，I
NO
,
I
NC
= 10毫安
房间
满
房间
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0 V到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0 V或V +
满
0
1
V+
1.5
1.6
0.7
0.3
V
关机漏电流
V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/4.5 V
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
2.4
1
10
1
10
1
10
nA
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.8
4
-1
1
V
pF
A
文档编号： 72091
S11-1185 -REV 。 B， 13军， 11
www.vishay.com
5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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QQ：2880707522 复制
