新产品
DG2037/2038/2039
Vishay Siliconix公司
低电压，低R
ON
，双SPST模拟开关
描述
该DG2037 /二千○三十九分之二千○三十八是双单刀/单掷
单片CMOS模拟开关专为高
模拟信号的开关性能。结合低
动力，快速开关，低导通电阻（R
DS （ ON）
: 3.0
Ω
at
2.7 V）和小的物理尺寸， DG2037 / 2039分之2038 are
非常适用于便携式和电池供电的需要的应用
高性能和高效利用的电路板空间。
/二千○三十九分之二千○三十八是建立在日前，Vishay Siliconix公司新的DG2037
高密度低压的过程。外延层防止
闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
特点
低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 3.0
Ω
快速切换 - 12纳秒
低电荷注入 - Q
INJ
： 10件
低功耗
TTL / CMOS兼容
SOT23-8和MSOP -8封装
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
采样和保持电路
功能框图及引脚配置 - DG2037
DG2037 ， MSOP- 8
NO
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识：
2037
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
IN
1
V+
NO
2
COM
2
1
2
3
4
DG2037 。 SOT23-8
8
7
6
5
顶视图
器件标识：
E0
NO
1
COM
1
IN
2
GND
真值表 - DG2037
逻辑
0
1
开关
关闭
On
文档编号： 72359
S- 71035 -REV 。 B， 21日， 07
www.vishay.com
1
新产品
DG2037/2038/2039
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置 - DG2038 / DG2039
DG2038 ， MSOP- 8
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NC
2
IN
1
V+
NC
2
COM
2
1
2
3
4
DG2038 。 SOT23-8
8
7
6
5
NC
1
COM
1
IN
2
GND
顶视图
器件标识：
2038
顶视图
器件标识：
F1
真值表 - DG2038
逻辑
0
1
开关
On
关闭
DG2039 ， MSOP- 8
NC
1
COM
1
IN
2
GND
1
2
3
4
顶视图
器件标识：
2039
8
7
6
5
V+
IN
1
COM
2
NO
2
IN
1
V+
NO
2
COM
2
1
2
3
4
DG2039 。 SOT23-8
8
7
6
5
顶视图
器件标识：
F2
NC
1
COM
1
IN
2
GND
真值表 - DG2039
逻辑
0
1
Switch-1
On
关闭
Switch-2
关闭
On
订购信息
温度范围
包
MSOP-8
- 4085 ℃下
SOT23-8
产品型号
DG2037DQ
DG2038DQ
DG2039DQ
DG2037DS
DG2038DS
DG2039DS
www.vishay.com
2
文档编号： 72359
S- 71035 -REV 。 B， 21日， 07
新产品
DG2037/2038/2039
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
引用V +和GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
功率耗散（包）
b
MSOP-8
c
SOT23-8
c
极限
- 0.3 6.0
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 50
± 200
- 65 150
320
515
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 25°C以上。
规格（ V + = 3.0 V）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.4或1.5 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
r
ON
MATCH
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
D
= 1.5 V + ，我
D
= 10毫安
V+ = 3.3 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/3 V, V
COM
= 3 V/1 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/3 V
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
F = 1 MHz的
V
IN
= 0或V +的
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
房间
0
3
0.5
0.3
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
1.5
V+
6
7
V
Ω
关机漏电流
1
10
1
10
1
10
nA
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
汲极关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
耗电量
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
ON
V+
I+
P
C
0.4
8
-1
22
17
1
- 61
- 67
17
19
35
2.7
3.3
0.02
1.0
3.3
1
35
40
31
35
V
pF
A
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω,
科幻gure 3
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
pC
dB
pF
V
A
W
V
IN
= 0或V +的
文档编号： 72359
S- 71035 -REV 。 B， 21日， 07
www.vishay.com
3
新产品
DG2037/2038/2039
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5.0 V）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8或2.4 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
r
ON
MATCH
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 4.5 V, V
COM
= 2.5 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 4.5 V, V
COM
= 2.5到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
V + = 4.5 V，I
D
= 10 mA时， V
COM
= 2.5 V
V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/4.5 V
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
F = 1 MHz的
V
IN
= 0或V +的
满
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
房间
0
2.5
1.6
0.4
0.2
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
2.4
V+
5
6
V
Ω
关机漏电流
1
10
1
10
1
10
nA
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
d
打开-O FF
时间
d
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.8
8
-1
19
12
1
- 61
- 67
15
17
35
4.5
5.5
0.02
1.0
5.5
1
30
35
22
30
V
pF
A
t
ON
t
关闭
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NC / NO （OFF）的
C
COM （关闭）
C
ON
V+
I+
P
C
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω,
科幻gure 3
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
ns
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
汲极关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
耗电量
pC
dB
pF
V
A
W
V
IN
= 0或V +的
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。未经生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
4
文档编号： 72359
S- 71035 -REV 。 B， 21日， 07
新产品
DG2037/2038/2039
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
8
7
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
V+ = 1.8 V
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
V+ = 5.5 V
V+ = 2.7 V
V+ = 3.3 V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1
2
3
4
5
6
V
COM
- 模拟电压（ V）
V+ = 2.7 V
85
°C
25
°C
- 4 0
°C
V+ = 5.5 V
85
°C
25
°C
- 40
°C
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
电源电压
10000
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
I + - 电源电流（ NA）
I + - 电源电流（ A）
1000
r
ON
与模拟电压和温度
百毫安
10毫安
1毫安
100 A
10 A
1 A
100 nA的
V+ = 5 V
100
10
1
- 40
10 nA的
- 20
0
20
40
60
80
100
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
1000
V+ = 5.5 V
漏电流（PA ）
漏电流（PA ）
150
电源电流与输入开关频率
V+ = 3.3 V
T = 25
°C
100
I
NC （关闭）
50
I
COM（上）
100
I
COM （关闭）
I
COM（上）
10
I
否（关）
0
I
COM （关闭）
- 50
- 100
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
- 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
温度（℃）
V
COM
- 模拟电压
漏电流与温度的关系
泄漏与模拟电压
文档编号： 72359
S- 71035 -REV 。 B， 21日， 07
www.vishay.com
5
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