DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
描述
该DG201B / 202B模拟开关大大提高
工业标准DG201A / 202的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等。
An
改进
收费
注射
赔偿金
设计
减少开关瞬变。该DG201B和DG202B
可以处理最高±22 V的输入信号，并有改进
30 mA连续电流额定值。外延层
防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
调节，并且将阻塞信号，以在电源电压
关断状态。
的DG201B是常闭开关和DG202B是
一个常开开关。 （见真值表。 ）
特点
± 22 V电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 45
Ω
低漏 - 我
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换 - 吨
ON
： 120纳秒
低毛刺 - 问： 1 pC的
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG201A / 202
节省空间（ TSSOP ）
应用
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
功能框图及引脚配置
DG201B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
DG201B
ON
关闭
DG202B
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70037
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
www.vishay.com
1
DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG201BDJ
DG201BDJ-E3
DG202BDJ
DG202BDJ-E3
DG201BDY
DG201BDY-E3
DG201BDY-T1
DG201BDY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
- 4085 ℃下
DG202BDY
DG202BDY-E3
DG202BDY-T1
DG202BDY-T1-E3
DG201BDQ
DG201BDQ-E3
DG201BDQ-T1
DG201BDQ-T1-E3
16引脚TSSOP
DG202BDQ
DG202BDQ-E3
DG202BDQ-T1
DG202BDQ-T1-E3
16引脚塑料DIP
绝对最大额定值
参数
参考电压，V +至V-
GND
数字输入
a
,
极限
44
25
V
S
, V
D
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
or
30毫安，以先到为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
640
900
（ AK ， DK后缀）
（ DJ ， DY ， DQ后缀）
16引脚塑料DIP
c
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
16引脚CERDIP
e
单位
V
当前，在任何终端
峰值电流S或D（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比最大）
储存温度
mA
°C
功率耗散（包）
b
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 70037
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
5V
REG
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V-
V+
S
X
D
X
GND
V-
图1 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
流掉泄漏电流
漏极泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道
相声
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
文档编号： 70037
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
I+
V
IN
= 0或5伏
I-
V
OP
房间
满
房间
满
满
50
100
-1
-5
± 4.5
± 22
-1
-5
± 4.5
± 22
50
100
A
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
= 2 V
见开关时间测试电路
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V
R
g
= 0
Ω
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的，R
L
= 50
Ω
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
120
65
300
200
300
200
ns
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
5
-1
2.4
0.8
1
-1
2.4
0.8
1
V
A
pF
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （上
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
D
= - 10 V，I
S
= 1毫安
V
S
= ± 14 V, V
D
= ± 14 V
V
D
= ± 14 V, V
S
= ± 14 V
V
S
= V
D
= ± 14 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
45
2
± 0.01
± 0.01
± 0.02
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
- 15
最大
d
15
85
100
- 0.5
- 20
- 0.5
- 20
- 0.5
- 40
0.5
20
0.5
20
0.5
40
- 0.5
-5
- 0.5
-5
- 0.5
- 10
后缀
- 4085 ℃下
民
d
- 15
最大
d
15
85
100
0.5
5
0.5
5
0.5
10
单位
V
Ω
nA
1
5
5
16
90
95
pC
pF
dB
V
www.vishay.com
3
DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
a
测试条件
除非指定
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I-
V
OP
房间
满
房间
满
满
50
100
-1
-5
+ 4.5
+ 25
-1
-5
+ 4.5
+ 25
50
100
A
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
t
ON
t
关闭
Q
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
满
房间
满
房间
房间
房间
90
典型值
c
后缀
- 55至125℃的
民
d
0
最大
d
12
160
200
300
200
后缀
- 4085 ℃下
民
d
0
最大
d
12
160
200
300
200
单位
V
Ω
V
S
= 8 V
见开关时间测试电路
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V
R
根
= 0
Ω
120
60
4
ns
pC
V
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 70037
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
110
100
90
80
r
DS （ ON）
(Ω)
70
60
50
40
30
20
10
- 20 - 16 - 12
-8
-4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
± 20 V
± 10 V
± 15 V
±5V
r
DS （ ON）
(Ω)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 15
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
250
225
200
175
r
DS （ ON）
(Ω)
7V
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
0
4
6
12 V
15 V
0.5
V TH （ V）
150
125
1.5
V+ = 5 V
2
2.5
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
1
8
10
12
14
16
18
20
V +正电源（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
80
60
40
I S ， I D - 电流（ PA）
20
0
- 20
- 40
- 60
- 80
- 20
- 15
- 10
-5
0
5
温度（℃）
10
15
20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
I S ， I D - 当前
100 pA的
V+ = 22 V
V- = - 22 V
T
A
= 25 °C
1 nA的
输入开关阈值与电源电压
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
S,
V
D
= ± 14 V
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
I
D（上）
1 pA的
- 55
- 35
- 15
5
25
45
65
85
105 125
温度（℃）
漏电流与模拟电压
漏电流与温度的关系
文档编号： 70037
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
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5
DG201B ， DG202B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
描述
该DG201B ， DG202B模拟开关大大提高
工业标准DG201A ， DG202的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计
减少开关瞬变。该DG201B和DG202B
可以处理最高±22 V的输入信号，并有改进
30 mA连续电流额定值。外延层
防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
调节，并且将阻塞信号，以在电源电压
关断状态。
的DG201B是常闭开关和DG202B是
一个常开开关。 （见真值表。 ）
特点
± 22 V电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 45
低漏 - 我
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换 - 吨
ON
： 120纳秒
低毛刺 - 问： 1 pC的
符合RoHS指令2002/95 / EC
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG201A ， DG202
节省空间（ TSSOP ）
应用
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
功能框图及引脚配置
DG201B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
0.8
V
逻辑“1”的
2.4
V
DG201B
ON
关闭
DG202B
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70037
S11-0800 -REV 。 ， 25 -APR- 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
DG201B ， DG202B
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 55 ° C至125°C
包
16引脚CERDIP
产品型号
DG201BAK
DG202BAK
DG201BDJ
DG201BDJ-E3
DG202BDJ
DG202BDJ-E3
DG201BDY
DG201BDY-E3
DG201BDY-T1
DG201BDY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
- 40 ° C至85°C
DG202BDY
DG202BDY-E3
DG202BDY-T1
DG202BDY-T1-E3
DG201BDQ
DG201BDQ-E3
DG201BDQ-T1
DG201BDQ-T1-E3
16引脚TSSOP
DG202BDQ
DG202BDQ-E3
DG202BDQ-T1
DG202BDQ-T1-E3
16引脚塑料DIP
绝对最大额定值
参数
参考电压，V +至V-
GND
数字
输入
a
, V
S
, V
D
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
470
d
单位
V
电流（任何终端）
峰值电流S或D（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比最大。 ）
储存温度
（ AK ， DK后缀）
（ DJ ， DY ， DQ后缀）
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚窄体SOIC和TSSOP
16引脚CERDIP
LCC-20
f
e
mA
°C
640
900
750
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免7.6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
F。减免10毫瓦/°C， 75°C以上。
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S11-0800 -REV 。 ， 25 -APR- 11
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本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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DG201B ， DG202B
Vishay Siliconix公司
原理图
（典型频道）
V+
5V
REG
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V-
V+
S
X
D
X
GND
V-
图1 。
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
典型值。
c
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
V
INH
或V
INL
满
房间
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
5
120
65
1
5
5
16
90
95
dB
pF
300
200
300
200
ns
-1
分钟。
d
- 15
45
2
± 0.01
± 0.01
± 0.02
马克斯。
d
15
85
100
0.5
20
0.5
20
0.5
40
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
85
100
0.5
5
0.5
5
0.5
10
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
MATCH
来源OFF泄漏
当前
流掉泄漏
当前
排水渗漏
当前
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道
相声
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （上
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
D
= - 10 V，I
S
= 1毫安
V
S
= ± 14 V, V
D
= ± 14 V
V
D
= ± 14 V, V
S
= ± 14 V
V
S
= V
D
= ± 14 V
- 0.5
- 20
- 0.5
- 20
- 0.5
- 40
2.4
- 0.5
-5
- 0.5
-5
- 0.5
- 10
2.4
nA
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
0.8
1
-1
0.8
1
V
A
pF
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
= 2 V
见开关时间测试电路
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V
R
g
= 0
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的，R
L
= 50
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
pC
I+
V
IN
= 0或5伏
I-
V
OP
房间
满
房间
满
满
50
100
-1
-5
± 4.5
± 22
-1
-5
± 4.5
50
100
A
± 22
V
文档编号： 70037
S11-0800 -REV 。 ， 25 -APR- 11
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DG201B ， DG202B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
（单电源）
a
测试条件
除非指定
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
典型值。
c
满
房间
满
房间
房间
房间
分钟。
d
0
90
马克斯。
d
12
160
200
300
200
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
160
200
300
200
单位
V
参数
符号
模拟开关
V
类似物
模拟信号范围
e
漏源
R
DS （ ON）
导通电阻
动态特性
开启时间
t
ON
打开-O FF时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
t
关闭
Q
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
V
S
= 8 V
见开关时间测试电路
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V
R
根
= 0
120
60
4
ns
pC
V
IN
= 0或5伏
I-
V
OP
房间
满
房间
满
满
50
100
-1
-5
+ 4.5
+ 25
-1
-5
+ 4.5
50
100
A
+ 25
V
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 70037
S11-0800 -REV 。 ， 25 -APR- 11
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
110
100
90
80
R
DS （ ON）
(Ω)
70
60
50
40
30
20
10
- 20 - 16 - 12
-8
-4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
± 20 V
20
10
0
- 15
± 10 V
± 15 V
±5V
R
DS （ ON）
(Ω)
100
90
80
70
60
50
40
30
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
250
225
200
175
R
DS （ ON）
(Ω)
7V
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
0
4
6
12 V
15 V
0.5
V
TH
(V)
150
125
1.5
V+ = 5 V
2
2.5
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
1
8
10
12
14
16
18
20
V +正电源（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
80
60
40
I
S,
I
D
- 电流（ PA）
20
0
- 20
- 40
- 60
- 80
- 20
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
I
S
, I
D
- 当前
100 pA的
V+ = 22 V
V- = - 22 V
T
A
= 25 °C
1 nA的
输入开关阈值与电源电压
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V
S,
V
D
= ± 14 V
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
I
D（上）
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
1 pA的
- 55
- 35
- 15
5
25
45
65
85
105 125
温度（℃）
温度（℃）
漏电流与模拟电压
漏电流与温度的关系
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