DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 45
W
低漏-I
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
： 120纳秒
低毛刺-Q量：1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG201A / 202
节省空间（ TSSOP ）
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG201B / 202B模拟开关大大提高
工业标准DG201A / 202的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
最多
"22-V
输入信号，并已改进的连续
30 mA电流额定值。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
调节，并且将阻塞信号，以在电源电压
关断状态。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计最小化
开关瞬变。该DG201B和DG202B可处理
的DG201B是常闭开关和DG202B是
一个常开开关。 （见真值表。 ）
功能框图及引脚配置
DG201B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
真值表
逻辑
0
1
DG201B
ON
关闭
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
DG202B
关闭
ON
文档编号： 70037
S- 52433 -REV 。 G， 06 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
产品型号
DG201BDJ
DG202BDJ
DG201BDK
DG202BDK
DG201BDY
DG202BDY
DG201BDQ
DG202BDQ
DG201BAK
16引脚CERDIP
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
16引脚TSSOP
-55 125℃
55 125_C
16引脚CERDIP
16皮 DIP
DG201BAK/883
DG202BAK
DG202BAK/883
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AK ， DK后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DY ， DQ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（套餐） B
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
16引脚CERDIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
5V
REG
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
S
X
D
X
GND
V–
图1 。
www.vishay.com
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4-2
文档编号： 70037
S- 52433 -REV 。 G， 06 - 09月99
DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
-15
15
85
100
-15
15
85
100
V
W
-0.5
-20
-0.5
-20
-0.5
-40
0.5
20
0.5
20
0.5
40
–0.5
–5
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
流掉泄漏电流
-0.5
-5
-0.5
-10
漏极泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
5
–
1
2.4
0.8
1
2.4
0.8
–
1
V
mA
pF
1
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V
R
g
= 0
W
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的，R
L
= 50
W
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
V
S
= 2 V
S S小就喜钛
见开关时代笔T型电路
测试慈它
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
120
65
300
200
300
200
ns
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道
相声
1
5
5
16
90
pC
pF
F
dB
95
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
V
OP
房间
满
房间
满
满
100
-1
-5
＆ QUOT ;
4.5
＆ QUOT ;
22
50
100
-1
-5
＆ QUOT ;
4.5
＆ QUOT ;
22
50
mA
V
文档编号： 70037
S- 52433 -REV 。 G， 06 - 09月99
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S
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DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
90
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
0
12
160
200
0
12
160
200
V
W
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V
见开关时代笔T型电路
S S小就喜钛
测试慈它
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
120
60
4
300
200
300
200
ns
pC
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
V
OP
房间
满
房间
满
满
100
-1
-5
)
4.5
)
25
50
100
-1
-5
)
4.5
)
25
50
mA
V
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
100
90
80
R DS（ON ） （
W
)
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ） （
W
)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
250
225
200
175
R DS（ON ） （
W
)
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
0
12 V
15 V
0.5
V TH （ V）
7V
1.5
V+ = 5 V
2
2.5
输入开关阈值与电源电压
1
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V +正电源（ V）
漏电流与模拟电压
80
60
40
I S ， I D - 电流（ PA）
20
0
–20
–40
–60
–80
–20
–15
–10
–5
0
5
温度（℃）
10
15
20
1 pA的
–55
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
I S ， I D - 当前
100 pA的
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
1 nA的
漏电流与温度的关系
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
I
D（上）
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
温度（℃）
文档编号： 70037
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S
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4-5
DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
改进的四路CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
"22-V
电源电压额定值
TTL和CMOS兼容逻辑
低导通电阻-R
DS （ ON）
: 45
W
低漏-I
D（上）
： 20 pA的
单电源供电的可能
扩展级温度范围
快速切换-T
ON
： 120纳秒
低毛刺-Q量：1件
好处
D
D
D
D
D
D
D
广泛的模拟信号范围
简单的逻辑接口
更高的精确度
最小的瞬态
降低功耗
优于DG201A / 202
节省空间（ TSSOP ）
应用
D
D
D
D
D
D
D
工业仪器仪表
测试设备
通信系统
磁盘驱动器
电脑外设
便携式仪器
采样保持电路
描述
该DG201B / 202B模拟开关大大提高
工业标准DG201A / 202的版本。这些
设备制作的Vishay Siliconix公司自主研发的硅
栅的CMOS工艺，从而降低了导通电阻降低，
泄漏，更高的速度和更低的功耗。
最多
"22-V
输入信号，并已改进的连续
30 mA电流额定值。外延层可以防止闭锁。
所有器件均在上真正的双向性能
调节，并且将阻塞信号，以在电源电压
关断状态。
这些四单刀单掷开关的设计
用于电信的各种应用中，
仪器仪表，过程控制，计算机外设等。
一种改进的电荷注入薪酬设计最小化
开关瞬变。该DG201B和DG202B可处理
的DG201B是常闭开关和DG202B是
一个常开开关。 （见真值表。 ）
功能框图及引脚配置
DG201B
双列直插式， SOIC和TSSOP
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
2
D
2
S
2
V+
NC
S
3
D
3
IN
3
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
真值表
逻辑
0
1
DG201B
ON
关闭
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
DG202B
关闭
ON
文档编号： 70037
S- 52433 -REV 。 G， 06 - 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-1
DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
16引脚塑料DIP
产品型号
DG201BDJ
DG202BDJ
DG201BDK
DG202BDK
DG201BDY
DG202BDY
DG201BDQ
DG202BDQ
DG201BAK
16引脚CERDIP
-40至85℃
40 85_C
16引脚窄体SOIC
16引脚TSSOP
-55 125℃
55 125_C
16引脚CERDIP
16皮 DIP
DG201BAK/883
DG202BAK
DG202BAK/883
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或30毫安，以先到者为准
目前，任何终端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值电流，S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AK ， DK后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DY ， DQ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（套餐） B
16引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚窄体SOIC和TSSOP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 640毫瓦
16引脚CERDIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6.5毫瓦/ _C上述75°C
。减免7.6毫瓦/ _C上述75°C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
5V
REG
水平
SHIFT /
DRIVE
IN
X
V–
V+
S
X
D
X
GND
V–
图1 。
www.vishay.com
S
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4-2
文档编号： 70037
S- 52433 -REV 。 G， 06 - 09月99
DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源导通电阻
r
DS （ ON）
MATCH
来源OFF漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
V
D
=
"10
V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
45
2
"0.01
"0.01
"0.02
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
-15
15
85
100
-15
15
85
100
V
W
-0.5
-20
-0.5
-20
-0.5
-40
0.5
20
0.5
20
0.5
40
–0.5
–5
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
A
流掉泄漏电流
-0.5
-5
-0.5
-10
漏极泄漏电流
数字控制
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电容
V
INH
V
INL
I
INH
还是我
INL
C
IN
V
INH
或V
INL
满
满
满
房间
5
–
1
2.4
0.8
1
2.4
0.8
–
1
V
mA
pF
1
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V
R
g
= 0
W
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
D
= V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
C
L
= 15 pF的，R
L
= 50
W
V
S
= 1 V
RMS
， F = 100千赫
V
S
= 2 V
S S小就喜钛
见开关时代笔T型电路
测试慈它
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
120
65
300
200
300
200
ns
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道到通道
相声
1
5
5
16
90
pC
pF
F
dB
95
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
V
OP
房间
满
房间
满
满
100
-1
-5
＆ QUOT ;
4.5
＆ QUOT ;
22
50
100
-1
-5
＆ QUOT ;
4.5
＆ QUOT ;
22
50
mA
V
文档编号： 70037
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规格单电源供电
a
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
V
D
= 3 V ， 8 V，I
S
= 1毫安
满
房间
满
90
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
0
12
160
200
0
12
160
200
V
W
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
Q
V
S
= 8 V
见开关时代笔T型电路
S S小就喜钛
测试慈它
C
L
= 1 nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
W
房间
房间
房间
120
60
4
300
200
300
200
ns
pC
电源
正电源电流
负电源电流
电源电压范围为
连续运行
I+
V
IN
= 0或5伏
I–
V
OP
房间
满
房间
满
满
100
-1
-5
)
4.5
)
25
50
100
-1
-5
)
4.5
)
25
50
mA
V
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
110
100
90
80
R DS（ON ） （
W
)
70
60
50
40
30
20
10
–20 –16 –12
–8
–4
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
"20
V
"10
V
"15
V
"5
V
R DS（ON ） （
W
)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
125_C
85_C
25_C
–55_C
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
与单电源电压
250
225
200
175
R DS（ON ） （
W
)
150
125
10 V
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
D
- 漏极电压（ V）
0
12 V
15 V
0.5
V TH （ V）
7V
1.5
V+ = 5 V
2
2.5
输入开关阈值与电源电压
1
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V +正电源（ V）
漏电流与模拟电压
80
60
40
I S ， I D - 电流（ PA）
20
0
–20
–40
–60
–80
–20
–15
–10
–5
0
5
温度（℃）
10
15
20
1 pA的
–55
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
I S ， I D - 当前
100 pA的
V+ = 22 V
V– = –22 V
T
A
= 25_C
1 nA的
漏电流与温度的关系
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
S,
V
D
=
"14
V
I
S（ OFF）
, I
D（关闭）
10 pA的
I
D（上）
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
温度（℃）
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