【DG2018/2019新产品Vishay Siliconix公司低电压，双路DPDT和四路SPDT模】,IC型号DG2019,DG2019 PDF资料,DG2019经销商,ic,电子元器件-51电子网

DG2018/2019

新产品

Vishay Siliconix公司

低电压，双路DPDT和四路SPDT模拟开关

特点

D

低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）

D

低导通电阻

– r

DS （ ON）

: 6

W

@ 2.7 V

D

低电压逻辑兼容

- DG2019 ： V

INH

= 1 V

D

高带宽： 150 MHz的

D

QFN -16封装

好处

D

非常适用于模拟和数字

信号切换

D

降低功耗

D

精度高

D

减少PCB空间

D

快速开关

D

低漏

应用

D

手机

音频和视频信号路由

PCMCIA卡

电池供电系统

便携式仪表

描述

该DG2018和DG2019是低电压，单电源

类似物

开关。

该

DG2018

is

a

双

双刀/双掷（ DPDT ）有两个控制输入，

各控制一对单刀/双掷（ SPDT ）的。该

DG2019使用一个控制引脚来操作四个独立

SPDT开关。

当在+ 3V的供电， DG2018的控制引脚操作

与1.8 V数字逻辑兼容。该DG2019具有

一个V的可用功能

L

引脚，可实现1.0 V门槛

控制引脚，当V

L

电源与1.5 V.

采用Vishay Siliconix公司的低电压亚微米CMOS

过程中， DG2018和DG2019是理想的高

模拟信号的高性能开关;提供低

导通电阻（6-

W

@ +2.7 V），速度快（T

on

, T

关闭

@ 42纳秒

和16纳秒），以及一个带宽超过150兆赫。

该DG2018和DG2019旨在提供解决方案

延伸超出音频/视频功能，提供

所需的性能为当今要求苛刻的混合信号

开关在便携式应用。

外延层可以防止闩锁。刹车前先为

保证所有SPDT的。所有开关同样进行井

到电源的两个方向上时，与块

级时关闭。

功能框图及引脚配置

DG2018DN

QFN - 16 （ 3× 3 ）

COM1 NO1

16

15

V+

14

NC4

13

真值表

IN1，IN2

逻辑

0

1

NC1和NC2

ON

关闭

NO1和NO2

关闭

ON

NC1

IN1，IN2

NO2

COM2

1

2

3

4

12

11

10

9

COM4

NO4

IN3 ， IN4

NC3

IN3 ， IN4

逻辑

0

1

NC3和NC4

ON

关闭

NO3和NO4

关闭

ON

5

NC2

6

GND

7

8

订购信息

温度范围

-40到85°C

NO3 COM3

包

QFN- 16 （3× 3毫米），

产品型号

DG2018DN

www.vishay.com

顶视图

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

1

DG2018/2019

Vishay Siliconix公司

新产品

功能框图及引脚配置

DG2019DN

QFN - 16 （ 3× 3 ）

COM1 NO1

16

15

V+

14

NC4

13

真值表

逻辑

0

12

11

10

9

COM4

NO4

V

L

NC3

1

NC1 ， 2 ，3和4

ON

关闭

NO1 ， 2 ，3和4

关闭

ON

NC1

IN

NO2

COM2

1

2

3

4

订购信息

温度范围

-40到85°C

包

QFN- 16 （3× 3毫米），

产品型号

DG2019DN

5

NC2

6

GND

7

8

NO3 COM3

顶视图

绝对最大额定值

参考GND

V + 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 + 6V

IN， COM ，NC ， NO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

-0.3到（V + + 0.3V）

连续电流（任何终端）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

"50

mA

峰值电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

"100

mA

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）

存储温度（D后缀）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150℃

功率耗散（包）

b

QFN- 16 （3× 3毫米），

c

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 850毫瓦

注意事项：

一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间

最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免4.0毫瓦/ _C以上70_C

www.vishay.com

2

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

DG2018/2019

新产品

规格（ V + = 3V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

r

ON

通道间匹配

关机漏电流

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

Dr

ON

I

否（关）

,

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

I

COM（上）

V+ = 2.7 V, V

COM

= 0.2 V/1.5 V

I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 2.7 V

V

COM

= 0至V + I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+,

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

1

10

1

10

1

1.0

0

6

0.5

0.6

0.3

V+

12

15

2

3

1

10

1

10

1

10

nA

W

V

Vishay Siliconix公司

范围

40

至85℃

符号

V+ = 3 V,

"10%

（ DG2018只）V

IN

= 0.5或1.4 V.

e

（ DG2019只）V

L

= 1.5 V, V

IN

= 0.4或1.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

=0.3 V/3 V

V

COM

= 3 V/ 0.3 V

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 0.3 V/ 3 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

DG2018

V

L

= 1.5 V

V

L

= 1.5 V

F = 1 MHz的

V

IN

= 0或V +的

DG2019

DG2018

DG2019

满

1.4

1.0

0.5

0.4

9

1

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

N

O

, N

C

关断电容

d

通道上

电容

d

t

ON

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 300

W

C

L

= 35 pF的

20V

W,

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

数控（ON）的

V

IN

= 0或V + F = 1 MHz的

V+,

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 50

W,

C

L

= 35 pF的

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

C

L

= 5 pF的F = 1 MHz的

W,

PF，

房间

满

房间

满

房间

1

1.46

54

53

9

30

pF

pC

dB

42

16

55

65

25

35

ns

电源

电源电流

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

I+

V

IN

= 0或V +的

满

0.01

1.0

mA

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

www.vishay.com

3

DG2018/2019

Vishay Siliconix公司

规格（ V + = 5 V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

r

ON

通道间匹配

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

Dr

ON

I

否（关）

,

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

f

I

COM（上）

V+ = 4.5 V, V

COM

= 3 V，I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 4.5 V

V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 10毫安

V+

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

1

10

1

10

1

10

0

4

0.6

0.03

V+

8

10

1.2

1

10

1

10

1

10

nA

W

V

新产品

范围

40

至85℃

符号

V+ = 5 V,

"10%,

（ DG2018只）V

IN

= 0.8或1.8 V

e

（ DG2019只）V

L

= 1.5 V, V

IN

= 0.4或1.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

关机漏电流

f

V+ = 5.5 V

V

NO

, V

NC

= 1 V/4.5 V, V

COM

= 4.5 V/1 V

V+ = 5.5 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 1 V/4.5 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

DG2018

V

L

= 1.5 V

V

L

= 1.5 V

V

IN

= 0或V +的

DG2019

DG2018

DG2019

满

1.8

1.0

0.8

0.4

9

1

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

收费

注射

d

关断隔离

d

相声

d

源关闭

源关断电容

d

通道上

电容

d

t

ON

V

NO

或V

NC

= 3 V R

L

= 300

W

C

L

= 35 pF的

V,

W,

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

数控（ON）的

V

IN

= 0或V + F = 1 MHz的

V+,

V

NO

或V

NC

= 3 V ，R

L

= 50

W,

C

L

= 35 pF的

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

C

L

= 5 pF的F = 1 MHz的

W,

PF，

房间

满

房间

满

房间

1

2.46

54

53

7.5

30

pF

pC

dB

44

19

48

52

33

35

ns

电源

电源电压范围

电源电流

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

f.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

未经生产测试。

V+

I+

V

IN

= 0或V +的

满

1.8

0.01

5.5

1.0

V

mA

www.vishay.com

4

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

DG2018/2019

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

ON

与V

COM

与电源电压

10

中T = 25℃

I

COM

= 10毫安

V+ = 2.7 V

6

V+ = 5.5 V

4

V+ = 3.3 V

9

8

r

ON

导通电阻（

W

)

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

模拟电压（ V）

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

模拟电压（ V）

V+ = 5.5 V

85_C

25_C

40_C

Vishay Siliconix公司

r

ON

与模拟电压和温度

V+ = 2.7 V

85_C

25_C

40_C

8

r

ON

导通电阻（

W

)

2

电源电流与温度的关系

10000

10毫安

1毫安

I+

电源电流（ PA）

I+

电源电流（ A）

1000

V+ = 5.5 V

V

IN

= 0 V

100

mA

10

mA

1

mA

100 nA的

10 nA的

1

60

0

40

20

0

20

40

60

80

100

0

电源电流与输入开关频率

10

2M

4M

6M

8M

10 M

温度（℃）

输入开关频率（Hz ）

漏电流与温度的关系

10000

V+ = 5 V

1000

漏电流（PA ）

150

125

100

75

50

25

0

25

50

75

100

125

1

60

40

20

0

20

40

60

80

100

150

0.0

0.5

I

COM （关闭）

泄漏与模拟电压

V

+

= 3.3 V

I

否（关）

, II

NC （关闭）

100

I

COM （关闭）

10

I

COM（上）

I

COM（上）

I

否（关）

, I

NC （关闭）

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

温度（℃）

V

COM

, V

NO

, V

NC

模拟电压（ V）

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

www.vishay.com

5

DG2018 ， DG2019

Vishay Siliconix公司

低电压，双路DPDT和四路SPDT模拟开关

描述

该DG2018和DG2019是低电压，单电源

模拟开关。该DG2018是双路双刀/双

掷（DPDT）具有两个控制输入，每个控制一个

对单刀/双掷（ SPDT ）的。该DG2019用途

一个控制引脚来操作四个独立的单刀双掷开关。

当在+ 3V的供电， DG2018的控制引脚操作

与1.8 V数字逻辑兼容。该DG2019具有

一个V的可用功能

L

引脚，可实现1.0 V门槛

当控制引脚V

L

电源与1.5 V.

采用Vishay Siliconix公司的低电压亚微米CMOS

过程中， DG2018和DG2019是理想的高

模拟信号的高性能开关;提供低导通

电阻（ 6

Ω

在+ 2.7 V ），速度快（T

on

, T

关闭

在42和NS

16毫微秒），并且带宽超过180兆赫。

该DG2018和DG2019旨在提供解决方案

延伸超出音频/视频功能，提供

所需的性能为当今要求苛刻的混合信号

开关在便携式应用。

外延层可以防止闩锁。刹车前先为

保证所有SPDT的。所有开关进行同样出色

在直到电源的两个方向上时，与块

当供给水平了。

特点

低电压工作（ 1.8 V至5.5 V ）

低导通电阻

- R

DS （ ON）

: 6

Ω

在2.7 V

兼容低电压逻辑

- DG2019 ： V

INH

= 1 V

高带宽： 180 MHz的

QFN -16封装

好处

理想的模拟和数字信号切换

降低功耗

精度高

减少PCB空间

快速开关

低漏

应用

手机

音频和视频信号路由

PCMCIA卡

电池供电系统

便携式仪表

功能框图及引脚配置

DG2018DN

QFN - 16 （ 3× 3 ）

COM1 NO1

16

15

V+

14

NC4

13

真值表

IN1，IN2

逻辑

0

1

COM4

NO4

IN3 ， IN4

NC3

NC1和NC2

ON

关闭

NC3和NC4

ON

关闭

NO1和NO2

关闭

ON

NO3和NO4

关闭

ON

NC1

IN1，IN2

NO2

COM2

1

2

3

4

12

11

10

9

IN3 ， IN4

逻辑

0

1

订购信息

TEMP 。 RANGE

- 40 ° C至85°C

包

QFN- 16 （3× 3毫米），

产品型号

DG2018DN

5

NC2

6

GND

7

8

NO3 COM3

顶视图

文档编号： 72342

S- 82626 -REV 。 C， 03 - NOV- 08

www.vishay.com

1

DG2018 ， DG2019

Vishay Siliconix公司

功能框图及引脚配置

DG2019DN

QFN - 16 （ 3× 3 ）

COM1 NO1

16

15

V+

14

NC4

13

真值表

逻辑

0

1

12

11

10

9

COM4

NO4

V

L

NC3

NC1 ，2，3和4中

ON

关闭

NO1 ，2，3和4中

关闭

ON

NC1

IN

NO2

COM2

1

2

3

4

订购信息

TEMP 。 RANGE

- 40 ° C至85°C

包

QFN- 16 （3× 3毫米），

产品型号

DG2019DN

5

NC2

6

GND

7

8

NO3 COM3

顶视图

绝对最大额定值

参数

参考V +至GND

IN， COM ，NC ， NO

连续电流（任何终端）

峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）

存储温度（D后缀）

功率耗散（包）

b

QFN- 16 （3× 3毫米），

c

极限

- 0.3 + 6

- 0.3 （V + + 0.3 ）

± 50

± 100

- 65 150

850

单位

V

mA

°C

mW

注意事项：

一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免4.0毫瓦/°C， 70°C以上。

www.vishay.com

2

文档编号： 72342

S- 82626 -REV 。 C， 03 - NOV- 08

DG2018 ， DG2019

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

V+ = 3 V

测试条件

否则，除非指定

V+ = 3 V, ± 10 %,

（ DG2018只）V

IN

= 0.5或1.4 V.

e

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

R

ON

平整度

R

ON

之间的匹配

频道

V

NO

, V

NC

,

V

COM

R

ON

R

ON

平整度

ΔR

ON

I

否（关）

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

带宽

d

N

O

, N

C

关断电容

d

通道导通电容

d

电源

电源电流

I+

V

IN

= 0或V +的

满

0.01

1.0

A

注意事项：

一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，也不进行生产测试。

。 V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

t

ON

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

BW

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

NC （上

V

IN

= 0或V + ， F = 1兆赫

R

L

= 50

Ω,

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 50

Ω,

C

L

= 35 pF的

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

Ω

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 300

Ω,

C

L

= 35 pF的

房间

满

房间

满

房间

1

- 1.46

- 67

- 72

180

9

30

pF

pC

dB

兆赫

42

16

55

65

25

35

ns

V

INH

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

DG2018

V

L

= 1.5 V

V

L

= 1.5 V

F = 1 MHz的

V

IN

= 0或V +的

DG2019

DG2018

DG2019

满

-1

9

1

1.4

1.0

0.5

0.4

pF

A

V

I

COM（上）

V+ = 2.7 V, V

COM

= 0.2 V/1.5 V

I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 2.7 V

V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 10毫安

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

- 10

-1

- 10

-1

10

0

6

V+

12

15

2

3

1

10

1

10

1

10

nA

Ω

V

符号

（ DG2019只）V

L

= 1.5 V, V

IN

= 0.4或1.0 V

e

温度。

a

范围

- 40 ° C至85°C

分钟。

b

典型值。

c

马克斯。

b

单位

0.5

0.6

0.3

关机漏电流

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

= 0.3 V/3 V

V

COM

= 3 V/0.3 V

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 0.3 V/3 V

文档编号： 72342

S- 82626 -REV 。 C， 03 - NOV- 08

www.vishay.com

3

DG2018 ， DG2019

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

V+ = 5 V

测试条件

否则，除非指定

V+ = 5 V, ± 10 %,

（ DG2018只）V

IN

= 0.8或1.8 V

e

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

R

ON

平整度

R

ON

通道间匹配

关机漏电流

f

V

NO

, V

NC

,

V

COM

R

ON

R

ON

平整度

ΔR

ON

I

否（关）

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

f

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

带宽

d

源关断电容

d

通道导通电容

d

电源

电源电压范围

电源电流

V+

I+

V

IN

= 0或V +的

满

1.8

0.01

5.5

1.0

V

A

t

ON

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

BW

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

NC （上

V

IN

= 0或V + ， F = 1兆赫

R

L

= 50

Ω,

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

V

NO

或V

NC

= 3 V ，R

L

= 50

Ω,

C

L

= 35 pF的

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

Ω

V

NO

或V

NC

= 3 V ，R

L

= 300

Ω,

C

L

= 35 pF的

房间

满

房间

满

房间

1

- 2.46

- 67

- 72

180

7.5

30

pF

pC

dB

兆赫

44

19

48

52

33

35

ns

V

INH

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

V

IN

= 0或V +的

DG2018

V

L

= 1.5 V

V

L

= 1.5 V

DG2019

DG2018

DG2019

满

1

9

1

1.8

1.0

0.8

0.4

pF

A

V

I

COM（上）

V+ = 4.5 V, V

COM

= 3 V，I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 4.5 V

V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 10毫安

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

-1

- 10

-1

- 10

-1

- 10

0

4

0.6

0.03

V+

8

10

1.2

1

10

1

10

1

10

nA

Ω

V

符号

（ DG2019只）V

L

= 1.5 V, V

IN

= 0.4或1.0 V

e

温度。

a

范围

- 40 ° C至85°C

分钟。

b

典型值。

c

马克斯。

b

单位

V+ = 5.5 V

V

NO

, V

NC

= 1 V/4.5 V, V

COM

= 4.5 V/1 V

V+ = 5.5 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 1 V/4.5 V

注意事项：

一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，也不进行生产测试。

。 V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

F。未经生产测试。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

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4

文档编号： 72342

S- 82626 -REV 。 C， 03 - NOV- 08

DG2018 ， DG2019

Vishay Siliconix公司

典型特征

25 ℃，除非另有说明

10

T = 25

°C

I

COM

= 10毫安

V+ = 2.7 V

6

V+ = 5.5 V

4

V+ = 3.3 V

9

8

R

ON

- 导通电阻（ Ω ）

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

- 模拟电压（ V）

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

- 模拟电压（ V）

V+ = 5.5 V

85

°C

25

°C

- 40

°C

V+ = 2.7 V

85

°C

25

°C

- 40

°C

8

R

ON

- 导通电阻（ Ω ）

2

R

ON

与V

COM

与电源电压

10 000

10毫安

1毫安

I + - 电源电流（PA ）

I + - 电源电流（ A）

1000

V+ = 5.5 V

V

IN

= 0 V

100

100 A

10 A

1 A

100 nA的

10 nA的

1

- 60

0

- 40

- 20

0

20

40

60

80

100

0

R

ON

与模拟电压和温度

10

2M

4M

6M

8M

10 M

温度（℃）

输入开关频率（Hz ）

电源电流与温度的关系

10 000

V+ = 5 V

1000

漏电流（PA ）

150

125

100

75

50

25

0

- 25

- 50

- 75

- 100

- 125

1

- 60

- 40

- 20

0

20

40

60

80

100

电源电流与输入开关频率

V

+

= 3.3 V

I

COM （关闭）

I

否（关）

, II

NC （关闭）

100

I

COM （关闭）

10

I

COM（上）

I

COM（上）

I

否（关）

, I

NC （关闭）

- 150

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

温度（℃）

V

COM

, V

NO

, V

NC

- 模拟电压（ V）

漏电流与温度的关系

泄漏与模拟电压

文档编号： 72342

S- 82626 -REV 。 C， 03 - NOV- 08

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5

DG2018/2019

新产品

Vishay Siliconix公司

低电压，双路DPDT和四路SPDT模拟开关

特点

D

低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）

D

低导通电阻

– r

DS （ ON）

: 6

W

@ 2.7 V

D

低电压逻辑兼容

- DG2019 ： V

INH

= 1 V

D

高带宽： 150 MHz的

D

QFN -16封装

好处

D

非常适用于模拟和数字

信号切换

D

降低功耗

D

精度高

D

减少PCB空间

D

快速开关

D

低漏

应用

D

手机

音频和视频信号路由

PCMCIA卡

电池供电系统

便携式仪表

描述

该DG2018和DG2019是低电压，单电源

类似物

开关。

该

DG2018

is

a

双

双刀/双掷（ DPDT ）有两个控制输入，

各控制一对单刀/双掷（ SPDT ）的。该

DG2019使用一个控制引脚来操作四个独立

SPDT开关。

当在+ 3V的供电， DG2018的控制引脚操作

与1.8 V数字逻辑兼容。该DG2019具有

一个V的可用功能

L

引脚，可实现1.0 V门槛

控制引脚，当V

L

电源与1.5 V.

采用Vishay Siliconix公司的低电压亚微米CMOS

过程中， DG2018和DG2019是理想的高

模拟信号的高性能开关;提供低

导通电阻（6-

W

@ +2.7 V），速度快（T

on

, T

关闭

@ 42纳秒

和16纳秒），以及一个带宽超过150兆赫。

该DG2018和DG2019旨在提供解决方案

延伸超出音频/视频功能，提供

所需的性能为当今要求苛刻的混合信号

开关在便携式应用。

外延层可以防止闩锁。刹车前先为

保证所有SPDT的。所有开关同样进行井

到电源的两个方向上时，与块

级时关闭。

功能框图及引脚配置

DG2018DN

QFN - 16 （ 3× 3 ）

COM1 NO1

16

15

V+

14

NC4

13

真值表

IN1，IN2

逻辑

0

1

NC1和NC2

ON

关闭

NO1和NO2

关闭

ON

NC1

IN1，IN2

NO2

COM2

1

2

3

4

12

11

10

9

COM4

NO4

IN3 ， IN4

NC3

IN3 ， IN4

逻辑

0

1

NC3和NC4

ON

关闭

NO3和NO4

关闭

ON

5

NC2

6

GND

7

8

订购信息

温度范围

-40到85°C

NO3 COM3

包

QFN- 16 （3× 3毫米），

产品型号

DG2018DN

www.vishay.com

顶视图

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

1

DG2018/2019

Vishay Siliconix公司

新产品

功能框图及引脚配置

DG2019DN

QFN - 16 （ 3× 3 ）

COM1 NO1

16

15

V+

14

NC4

13

真值表

逻辑

0

12

11

10

9

COM4

NO4

V

L

NC3

1

NC1 ， 2 ，3和4

ON

关闭

NO1 ， 2 ，3和4

关闭

ON

NC1

IN

NO2

COM2

1

2

3

4

订购信息

温度范围

-40到85°C

包

QFN- 16 （3× 3毫米），

产品型号

DG2019DN

5

NC2

6

GND

7

8

NO3 COM3

顶视图

绝对最大额定值

参考GND

V + 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 + 6V

IN， COM ，NC ， NO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

-0.3到（V + + 0.3V）

连续电流（任何终端）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

"50

mA

峰值电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

"100

mA

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）

存储温度（D后缀）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150℃

功率耗散（包）

b

QFN- 16 （3× 3毫米），

c

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 850毫瓦

注意事项：

一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间

最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免4.0毫瓦/ _C以上70_C

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2

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

DG2018/2019

新产品

规格（ V + = 3V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

r

ON

通道间匹配

关机漏电流

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

Dr

ON

I

否（关）

,

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

I

COM（上）

V+ = 2.7 V, V

COM

= 0.2 V/1.5 V

I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 2.7 V

V

COM

= 0至V + I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+,

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

1

10

1

10

1

1.0

0

6

0.5

0.6

0.3

V+

12

15

2

3

1

10

1

10

1

10

nA

W

V

Vishay Siliconix公司

范围

40

至85℃

符号

V+ = 3 V,

"10%

（ DG2018只）V

IN

= 0.5或1.4 V.

e

（ DG2019只）V

L

= 1.5 V, V

IN

= 0.4或1.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

=0.3 V/3 V

V

COM

= 3 V/ 0.3 V

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 0.3 V/ 3 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

DG2018

V

L

= 1.5 V

V

L

= 1.5 V

F = 1 MHz的

V

IN

= 0或V +的

DG2019

DG2018

DG2019

满

1.4

1.0

0.5

0.4

9

1

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

N

O

, N

C

关断电容

d

通道上

电容

d

t

ON

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 300

W

C

L

= 35 pF的

20V

W,

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

数控（ON）的

V

IN

= 0或V + F = 1 MHz的

V+,

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 50

W,

C

L

= 35 pF的

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

C

L

= 5 pF的F = 1 MHz的

W,

PF，

房间

满

房间

满

房间

1

1.46

54

53

9

30

pF

pC

dB

42

16

55

65

25

35

ns

电源

电源电流

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

I+

V

IN

= 0或V +的

满

0.01

1.0

mA

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

www.vishay.com

3

DG2018/2019

Vishay Siliconix公司

规格（ V + = 5 V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

r

ON

通道间匹配

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

Dr

ON

I

否（关）

,

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

f

I

COM（上）

V+ = 4.5 V, V

COM

= 3 V，I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 4.5 V

V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 10毫安

V+

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

1

10

1

10

1

10

0

4

0.6

0.03

V+

8

10

1.2

1

10

1

10

1

10

nA

W

V

新产品

范围

40

至85℃

符号

V+ = 5 V,

"10%,

（ DG2018只）V

IN

= 0.8或1.8 V

e

（ DG2019只）V

L

= 1.5 V, V

IN

= 0.4或1.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

关机漏电流

f

V+ = 5.5 V

V

NO

, V

NC

= 1 V/4.5 V, V

COM

= 4.5 V/1 V

V+ = 5.5 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 1 V/4.5 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

DG2018

V

L

= 1.5 V

V

L

= 1.5 V

V

IN

= 0或V +的

DG2019

DG2018

DG2019

满

1.8

1.0

0.8

0.4

9

1

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

收费

注射

d

关断隔离

d

相声

d

源关闭

源关断电容

d

通道上

电容

d

t

ON

V

NO

或V

NC

= 3 V R

L

= 300

W

C

L

= 35 pF的

V,

W,

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

数控（ON）的

V

IN

= 0或V + F = 1 MHz的

V+,

V

NO

或V

NC

= 3 V ，R

L

= 50

W,

C

L

= 35 pF的

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

C

L

= 5 pF的F = 1 MHz的

W,

PF，

房间

满

房间

满

房间

1

2.46

54

53

7.5

30

pF

pC

dB

44

19

48

52

33

35

ns

电源

电源电压范围

电源电流

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

f.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

未经生产测试。

V+

I+

V

IN

= 0或V +的

满

1.8

0.01

5.5

1.0

V

mA

www.vishay.com

4

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

DG2018/2019

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

ON

与V

COM

与电源电压

10

中T = 25℃

I

COM

= 10毫安

V+ = 2.7 V

6

V+ = 5.5 V

4

V+ = 3.3 V

9

8

r

ON

导通电阻（

W

)

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

模拟电压（ V）

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

模拟电压（ V）

V+ = 5.5 V

85_C

25_C

40_C

Vishay Siliconix公司

r

ON

与模拟电压和温度

V+ = 2.7 V

85_C

25_C

40_C

8

r

ON

导通电阻（

W

)

2

电源电流与温度的关系

10000

10毫安

1毫安

I+

电源电流（ PA）

I+

电源电流（ A）

1000

V+ = 5.5 V

V

IN

= 0 V

100

mA

10

mA

1

mA

100 nA的

10 nA的

1

60

0

40

20

0

20

40

60

80

100

0

电源电流与输入开关频率

10

2M

4M

6M

8M

10 M

温度（℃）

输入开关频率（Hz ）

漏电流与温度的关系

10000

V+ = 5 V

1000

漏电流（PA ）

150

125

100

75

50

25

0

25

50

75

100

125

1

60

40

20

0

20

40

60

80

100

150

0.0

0.5

I

COM （关闭）

泄漏与模拟电压

V

+

= 3.3 V

I

否（关）

, II

NC （关闭）

100

I

COM （关闭）

10

I

COM（上）

I

COM（上）

I

否（关）

, I

NC （关闭）

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

温度（℃）

V

COM

, V

NO

, V

NC

模拟电压（ V）

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

www.vishay.com

5

DG2018/2019

新产品

Vishay Siliconix公司

低电压，双路DPDT和四路SPDT模拟开关

特点

D

低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）

D

低导通电阻

– r

DS （ ON）

: 6

W

@ 2.7 V

D

低电压逻辑兼容

- DG2019 ： V

INH

= 1 V

D

高带宽： 150 MHz的

D

QFN -16封装

好处

D

非常适用于模拟和数字

信号切换

D

降低功耗

D

精度高

D

减少PCB空间

D

快速开关

D

低漏

应用

D

手机

音频和视频信号路由

PCMCIA卡

电池供电系统

便携式仪表

描述

该DG2018和DG2019是低电压，单电源

类似物

开关。

该

DG2018

is

a

双

双刀/双掷（ DPDT ）有两个控制输入，

各控制一对单刀/双掷（ SPDT ）的。该

DG2019使用一个控制引脚来操作四个独立

SPDT开关。

当在+ 3V的供电， DG2018的控制引脚操作

与1.8 V数字逻辑兼容。该DG2019具有

一个V的可用功能

L

引脚，可实现1.0 V门槛

控制引脚，当V

L

电源与1.5 V.

采用Vishay Siliconix公司的低电压亚微米CMOS

过程中， DG2018和DG2019是理想的高

模拟信号的高性能开关;提供低

导通电阻（6-

W

@ +2.7 V），速度快（T

on

, T

关闭

@ 42纳秒

和16纳秒），以及一个带宽超过150兆赫。

该DG2018和DG2019旨在提供解决方案

延伸超出音频/视频功能，提供

所需的性能为当今要求苛刻的混合信号

开关在便携式应用。

外延层可以防止闩锁。刹车前先为

保证所有SPDT的。所有开关同样进行井

到电源的两个方向上时，与块

级时关闭。

功能框图及引脚配置

DG2018DN

QFN - 16 （ 3× 3 ）

COM1 NO1

16

15

V+

14

NC4

13

真值表

IN1，IN2

逻辑

0

1

NC1和NC2

ON

关闭

NO1和NO2

关闭

ON

NC1

IN1，IN2

NO2

COM2

1

2

3

4

12

11

10

9

COM4

NO4

IN3 ， IN4

NC3

IN3 ， IN4

逻辑

0

1

NC3和NC4

ON

关闭

NO3和NO4

关闭

ON

5

NC2

6

GND

7

8

订购信息

温度范围

-40到85°C

NO3 COM3

包

QFN- 16 （3× 3毫米），

产品型号

DG2018DN

www.vishay.com

顶视图

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

1

DG2018/2019

Vishay Siliconix公司

新产品

功能框图及引脚配置

DG2019DN

QFN - 16 （ 3× 3 ）

COM1 NO1

16

15

V+

14

NC4

13

真值表

逻辑

0

12

11

10

9

COM4

NO4

V

L

NC3

1

NC1 ， 2 ，3和4

ON

关闭

NO1 ， 2 ，3和4

关闭

ON

NC1

IN

NO2

COM2

1

2

3

4

订购信息

温度范围

-40到85°C

包

QFN- 16 （3× 3毫米），

产品型号

DG2019DN

5

NC2

6

GND

7

8

NO3 COM3

顶视图

绝对最大额定值

参考GND

V + 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 + 6V

IN， COM ，NC ， NO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

-0.3到（V + + 0.3V）

连续电流（任何终端）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

"50

mA

峰值电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

"100

mA

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）

存储温度（D后缀）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150℃

功率耗散（包）

b

QFN- 16 （3× 3毫米），

c

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 850毫瓦

注意事项：

一。数控信号，无需或COM或IN超过V +将被夹住间

最终二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免4.0毫瓦/ _C以上70_C

www.vishay.com

2

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

DG2018/2019

新产品

规格（ V + = 3V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

r

ON

通道间匹配

关机漏电流

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

Dr

ON

I

否（关）

,

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

I

COM（上）

V+ = 2.7 V, V

COM

= 0.2 V/1.5 V

I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 2.7 V

V

COM

= 0至V + I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+,

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

1

10

1

10

1

1.0

0

6

0.5

0.6

0.3

V+

12

15

2

3

1

10

1

10

1

10

nA

W

V

Vishay Siliconix公司

范围

40

至85℃

符号

V+ = 3 V,

"10%

（ DG2018只）V

IN

= 0.5或1.4 V.

e

（ DG2019只）V

L

= 1.5 V, V

IN

= 0.4或1.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

=0.3 V/3 V

V

COM

= 3 V/ 0.3 V

V+ = 3.3 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 0.3 V/ 3 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

DG2018

V

L

= 1.5 V

V

L

= 1.5 V

F = 1 MHz的

V

IN

= 0或V +的

DG2019

DG2018

DG2019

满

1.4

1.0

0.5

0.4

9

1

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

N

O

, N

C

关断电容

d

通道上

电容

d

t

ON

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 300

W

C

L

= 35 pF的

20V

W,

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

数控（ON）的

V

IN

= 0或V + F = 1 MHz的

V+,

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 50

W,

C

L

= 35 pF的

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

C

L

= 5 pF的F = 1 MHz的

W,

PF，

房间

满

房间

满

房间

1

1.46

54

53

9

30

pF

pC

dB

42

16

55

65

25

35

ns

电源

电源电流

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

I+

V

IN

= 0或V +的

满

0.01

1.0

mA

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

www.vishay.com

3

DG2018/2019

Vishay Siliconix公司

规格（ V + = 5 V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

r

ON

通道间匹配

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

Dr

ON

I

否（关）

,

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

f

I

COM（上）

V+ = 4.5 V, V

COM

= 3 V，I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 4.5 V

V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 10毫安

V+

满

房间

满

房间

满

房间

满

房间

满

1

10

1

10

1

10

0

4

0.6

0.03

V+

8

10

1.2

1

10

1

10

1

10

nA

W

V

新产品

范围

40

至85℃

符号

V+ = 5 V,

"10%,

（ DG2018只）V

IN

= 0.8或1.8 V

e

（ DG2019只）V

L

= 1.5 V, V

IN

= 0.4或1.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

关机漏电流

f

V+ = 5.5 V

V

NO

, V

NC

= 1 V/4.5 V, V

COM

= 4.5 V/1 V

V+ = 5.5 V, V

NO

, V

NC

= V

COM

= 1 V/4.5 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

DG2018

V

L

= 1.5 V

V

L

= 1.5 V

V

IN

= 0或V +的

DG2019

DG2018

DG2019

满

1.8

1.0

0.8

0.4

9

1

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

先开后合式时间

收费

注射

d

关断隔离

d

相声

d

源关闭

源关断电容

d

通道上

电容

d

t

ON

V

NO

或V

NC

= 3 V R

L

= 300

W

C

L

= 35 pF的

V,

W,

t

关闭

t

d

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

否（关）

C

NC （关闭）

C

编号为（ON）的

C

数控（ON）的

V

IN

= 0或V + F = 1 MHz的

V+,

V

NO

或V

NC

= 3 V ，R

L

= 50

W,

C

L

= 35 pF的

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W

R

L

= 50

W

C

L

= 5 pF的F = 1 MHz的

W,

PF，

房间

满

房间

满

房间

1

2.46

54

53

7.5

30

pF

pC

dB

44

19

48

52

33

35

ns

电源

电源电压范围

电源电流

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

f.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

未经生产测试。

V+

I+

V

IN

= 0或V +的

满

1.8

0.01

5.5

1.0

V

mA

www.vishay.com

4

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

DG2018/2019

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

ON

与V

COM

与电源电压

10

中T = 25℃

I

COM

= 10毫安

V+ = 2.7 V

6

V+ = 5.5 V

4

V+ = 3.3 V

9

8

r

ON

导通电阻（

W

)

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

模拟电压（ V）

0

1

2

3

4

5

6

V

COM

模拟电压（ V）

V+ = 5.5 V

85_C

25_C

40_C

Vishay Siliconix公司

r

ON

与模拟电压和温度

V+ = 2.7 V

85_C

25_C

40_C

8

r

ON

导通电阻（

W

)

2

电源电流与温度的关系

10000

10毫安

1毫安

I+

电源电流（ PA）

I+

电源电流（ A）

1000

V+ = 5.5 V

V

IN

= 0 V

100

mA

10

mA

1

mA

100 nA的

10 nA的

1

60

0

40

20

0

20

40

60

80

100

0

电源电流与输入开关频率

10

2M

4M

6M

8M

10 M

温度（℃）

输入开关频率（Hz ）

漏电流与温度的关系

10000

V+ = 5 V

1000

漏电流（PA ）

150

125

100

75

50

25

0

25

50

75

100

125

1

60

40

20

0

20

40

60

80

100

150

0.0

0.5

I

COM （关闭）

泄漏与模拟电压

V

+

= 3.3 V

I

否（关）

, II

NC （关闭）

100

I

COM （关闭）

10

I

COM（上）

I

COM（上）

I

否（关）

, I

NC （关闭）

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

温度（℃）

V

COM

, V

NO

, V

NC

模拟电压（ V）

文档编号： 72342

S- 31644 -REV 。 A， 01 - 8 - 03

www.vishay.com

5