DG2012
新产品
Vishay Siliconix公司
低电压单SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 1
W
典型值。
快速切换 - 吨
ON
： 17纳秒，T
关闭
： 13纳秒
低漏
TTL / CMOS兼容
6引脚SC- 70封装
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
D
D
D
D
D
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
采样和保持电路
描述
该DG2012是一个单刀/双掷单片CMOS
专为高性能开关模拟开关
模拟信号。结合低功耗，高速（T
ON
： 17纳秒，
t
关闭
： 13毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
: 1
W)
和小
物理尺寸（ SC70 ）中， DG2012是理想的便携式和
电池供电应用要求高性能和
有效地利用电路板空间。
该DG2012采用Vishay Siliconix公司的低电压
亚微米CMOS工艺。外延层防止
闭锁。先开-make保证了DG2012 。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置
真值表
逻辑
SC-70
IN
V+
GND
1
2
3
顶视图
器件标识： E7xx
6
5
4
NO （图片来源
1
)
COM
NC （图片来源
2
)
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
订购信息
温度范围
-40到85°C
包
SC70-6
产品型号
DG2012DL
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
www.vishay.com
1
DG2012
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（ NO ， NC和COM引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"100
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
功率耗散（包）
b
6引脚SO70
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫瓦
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将受钳制
内部二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免3.1毫瓦/ _C以上70_C
新产品
规格（ V + = 2.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
I
COM（上）
V+ = 2.2 V
V
NO ，
V
NC
= 0.5 V/1.5 V, V
COM
= 1.5 V/0.5 V
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0.2 V/0.9 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
d
房间
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
d
房间
满
d
房间
满
d
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
0.25
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
0
2.7
2.7
V+
5.3
5.3
3
W
V
范围
-40到85°C
符号
V+ = 2.0 V,
"10%,
V
IN
= 0.4或1.6 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
f
V+ = 2.2 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 0.5 V/1.5 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
f
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
1.6
0.4
3
-1
1
V
pF
mA
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道导通电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W,
科幻gure 3
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 1 MHz的
W,
PF，
V
NO
或V
NC
1 = 5 V R
L
= 300
W
C
L
= 35 pF的
1.5 V,
W,
F
图1和图2
房间
满
d
房间
满
d
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
58
2
7
-63
-64
22
pF
dB
pC
43
23
63
65
45
46
ns
www.vishay.com
2
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
DG2012
新产品
规格（ V + = 3.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
r
ON
MatchFlat
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
I
COM（上）
V+ = 3.3 V
V
NO ，
V
NC
= 1 V/3 V, V
COM
= 3 V/1 V
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.2 V / 1.5 V，I
NO
I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
0.25
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
0
1.4
1.6
V+
2.1
2.3
0.85
W
V
Vishay Siliconix公司
范围
-40到85°C
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.6或2.0 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
f
V+ = 3.3 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 1 V/3 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
f
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
2
0.6
3
-1
1
V
pF
mA
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道上
电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W,
科幻gure 3
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 1 MHz的
W,
PF，
V
NO
或V
NC
2 = 0 V R
L
= 300
W
C
L
= 35 pF的
2.0 V,
W,
F
图1和图2
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
57
1
10
-63
-64
21
pF
dB
pC
27
17
47
48
37
38
ns
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
1.8
0.01
5.5
1.0
V
mA
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
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3
DG2012
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
关机漏电流
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
I
COM（上）
V+ = 5.0 V
V
NO ，
V
NC
= 0.5 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/0.5 V
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0.5 V/2.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
0.25
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
0
1.0
1.2
V+
1.8
1.9
0.55
W
V
新产品
范围
-40到85°C
符号
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
V+ = 5.0 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 0.5 V/4.5 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
2.4
0.8
3
-1
1
V
pF
mA
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
通道上
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
通过设计保证，也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
5 -V泄漏检测保证，未经生产测试。
电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W,
科幻gure 3
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 1 MHz的
W,
PF，
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
W
C
L
= 35 pF的
V
W,
F
图1和图2
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
56
1
20
-63
-64
20
pF
dB
pC
17
13
38
39
32
33
ns
www.vishay.com
4
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
DG2012
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
ON
与V
COM
电源电压
6
I
S
= 10毫安
r
ON
- 导通电阻（
W
)
r
ON
- 导通电阻（
W
)
5
5
6
I
S
= 10毫安
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度
4
V+ = 1.8 V
3
V+ = 2 V
2
V+ = 3 V
V+ = 5 V
4
V+ = 2 V
3
85_C
25_C
-40_C
V+ = 3 V
85_C
25_C
-40_C
V+ = 5 V
85_C
25_C
2
1
1
-40_C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
电源电流与温度的关系
10000
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
I + - 电源电流（ NA）
1000
I + - 电源电流（ A）
10 m
1m
100
m
10
m
1
m
100 n
10 n
1n
1
-60
100 p
-40
-20
0
20
40
60
80
100
电源电流与输入开关频率
V+ = 3 V
100
10
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
漏电流与温度的关系
1000
V+ = 5 V
250
200
150
100
漏电流（PA ）
漏电流（PA ）
100
50
0
-50
-100
-150
I
COM （关闭）
0.1
-60
-200
-250
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0
泄漏与模拟电压
V+ = 5 V
中T = 25℃
I
COM （关闭）
10
I
否（关）
/I
NC （关闭）
I
COM（上）
I
COM（上）
I
否（关）
/I
NC （关闭）
1
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压
文档编号： 72176
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DG2012
新产品
Vishay Siliconix公司
低电压单SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 1
W
典型值。
快速切换 - 吨
ON
： 17纳秒，T
关闭
： 13纳秒
低漏
TTL / CMOS兼容
6引脚SC- 70封装
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
D
D
D
D
D
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
采样和保持电路
描述
该DG2012是一个单刀/双掷单片CMOS
专为高性能开关模拟开关
模拟信号。结合低功耗，高速（T
ON
： 17纳秒，
t
关闭
： 13毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
: 1
W)
和小
物理尺寸（ SC70 ）中， DG2012是理想的便携式和
电池供电应用要求高性能和
有效地利用电路板空间。
该DG2012采用Vishay Siliconix公司的低电压
亚微米CMOS工艺。外延层防止
闭锁。先开-make保证了DG2012 。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置
真值表
逻辑
SC-70
IN
V+
GND
1
2
3
顶视图
器件标识： E7xx
6
5
4
NO （图片来源
1
)
COM
NC （图片来源
2
)
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
订购信息
温度范围
-40到85°C
包
SC70-6
产品型号
DG2012DL
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
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1
DG2012
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（ NO ， NC和COM引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"100
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
功率耗散（包）
b
6引脚SO70
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫瓦
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将受钳制
内部二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免3.1毫瓦/ _C以上70_C
新产品
规格（ V + = 2.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
I
COM（上）
V+ = 2.2 V
V
NO ，
V
NC
= 0.5 V/1.5 V, V
COM
= 1.5 V/0.5 V
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0.2 V/0.9 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
d
房间
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
d
房间
满
d
房间
满
d
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
0.25
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
0
2.7
2.7
V+
5.3
5.3
3
W
V
范围
-40到85°C
符号
V+ = 2.0 V,
"10%,
V
IN
= 0.4或1.6 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
f
V+ = 2.2 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 0.5 V/1.5 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
f
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
1.6
0.4
3
-1
1
V
pF
mA
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道导通电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W,
科幻gure 3
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 1 MHz的
W,
PF，
V
NO
或V
NC
1 = 5 V R
L
= 300
W
C
L
= 35 pF的
1.5 V,
W,
F
图1和图2
房间
满
d
房间
满
d
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
58
2
7
-63
-64
22
pF
dB
pC
43
23
63
65
45
46
ns
www.vishay.com
2
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
DG2012
新产品
规格（ V + = 3.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
r
ON
MatchFlat
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
I
COM（上）
V+ = 3.3 V
V
NO ，
V
NC
= 1 V/3 V, V
COM
= 3 V/1 V
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.2 V / 1.5 V，I
NO
I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
0.25
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
0
1.4
1.6
V+
2.1
2.3
0.85
W
V
Vishay Siliconix公司
范围
-40到85°C
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.6或2.0 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
f
V+ = 3.3 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 1 V/3 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
f
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
2
0.6
3
-1
1
V
pF
mA
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道上
电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W,
科幻gure 3
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 1 MHz的
W,
PF，
V
NO
或V
NC
2 = 0 V R
L
= 300
W
C
L
= 35 pF的
2.0 V,
W,
F
图1和图2
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
57
1
10
-63
-64
21
pF
dB
pC
27
17
47
48
37
38
ns
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
1.8
0.01
5.5
1.0
V
mA
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
www.vishay.com
3
DG2012
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
关机漏电流
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
I
COM（上）
V+ = 5.0 V
V
NO ，
V
NC
= 0.5 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/0.5 V
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0.5 V/2.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
0.25
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
0
1.0
1.2
V+
1.8
1.9
0.55
W
V
新产品
范围
-40到85°C
符号
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
V+ = 5.0 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 0.5 V/4.5 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
2.4
0.8
3
-1
1
V
pF
mA
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
通道上
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
通过设计保证，也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
5 -V泄漏检测保证，未经生产测试。
电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W,
科幻gure 3
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 1 MHz的
W,
PF，
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
W
C
L
= 35 pF的
V
W,
F
图1和图2
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
56
1
20
-63
-64
20
pF
dB
pC
17
13
38
39
32
33
ns
www.vishay.com
4
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
DG2012
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
ON
与V
COM
电源电压
6
I
S
= 10毫安
r
ON
- 导通电阻（
W
)
r
ON
- 导通电阻（
W
)
5
5
6
I
S
= 10毫安
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度
4
V+ = 1.8 V
3
V+ = 2 V
2
V+ = 3 V
V+ = 5 V
4
V+ = 2 V
3
85_C
25_C
-40_C
V+ = 3 V
85_C
25_C
-40_C
V+ = 5 V
85_C
25_C
2
1
1
-40_C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
电源电流与温度的关系
10000
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
I + - 电源电流（ NA）
1000
I + - 电源电流（ A）
10 m
1m
100
m
10
m
1
m
100 n
10 n
1n
1
-60
100 p
-40
-20
0
20
40
60
80
100
电源电流与输入开关频率
V+ = 3 V
100
10
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
漏电流与温度的关系
1000
V+ = 5 V
250
200
150
100
漏电流（PA ）
漏电流（PA ）
100
50
0
-50
-100
-150
I
COM （关闭）
0.1
-60
-200
-250
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0
泄漏与模拟电压
V+ = 5 V
中T = 25℃
I
COM （关闭）
10
I
否（关）
/I
NC （关闭）
I
COM（上）
I
COM（上）
I
否（关）
/I
NC （关闭）
1
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
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5
DG2012
新产品
Vishay Siliconix公司
低电压单SPDT模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 1
W
典型值。
快速切换 - 吨
ON
： 17纳秒，T
关闭
： 13纳秒
低漏
TTL / CMOS兼容
6引脚SC- 70封装
好处
D
D
D
D
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
D
D
D
D
D
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
采样和保持电路
描述
该DG2012是一个单刀/双掷单片CMOS
专为高性能开关模拟开关
模拟信号。结合低功耗，高速（T
ON
： 17纳秒，
t
关闭
： 13毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
: 1
W)
和小
物理尺寸（ SC70 ）中， DG2012是理想的便携式和
电池供电应用要求高性能和
有效地利用电路板空间。
该DG2012采用Vishay Siliconix公司的低电压
亚微米CMOS工艺。外延层防止
闭锁。先开-make保证了DG2012 。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
功能框图及引脚配置
真值表
逻辑
SC-70
IN
V+
GND
1
2
3
顶视图
器件标识： E7xx
6
5
4
NO （图片来源
1
)
COM
NC （图片来源
2
)
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
订购信息
温度范围
-40到85°C
包
SC70-6
产品型号
DG2012DL
文档编号： 72176
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1
DG2012
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参考GND
V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V
IN， COM ，NC ， NO
a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-0.3到（V + + 0.3V）
连续电流（ NO ， NC和COM引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"100
mA
峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"300
mA
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃
功率耗散（包）
b
6引脚SO70
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫瓦
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将受钳制
内部二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免3.1毫瓦/ _C以上70_C
新产品
规格（ V + = 2.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
I
COM（上）
V+ = 2.2 V
V
NO ，
V
NC
= 0.5 V/1.5 V, V
COM
= 1.5 V/0.5 V
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0.2 V/0.9 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
d
房间
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
d
房间
满
d
房间
满
d
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
0.25
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
0
2.7
2.7
V+
5.3
5.3
3
W
V
范围
-40到85°C
符号
V+ = 2.0 V,
"10%,
V
IN
= 0.4或1.6 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
f
V+ = 2.2 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 0.5 V/1.5 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
f
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
1.6
0.4
3
-1
1
V
pF
mA
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道导通电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W,
科幻gure 3
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 1 MHz的
W,
PF，
V
NO
或V
NC
1 = 5 V R
L
= 300
W
C
L
= 35 pF的
1.5 V,
W,
F
图1和图2
房间
满
d
房间
满
d
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
58
2
7
-63
-64
22
pF
dB
pC
43
23
63
65
45
46
ns
www.vishay.com
2
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
DG2012
新产品
规格（ V + = 3.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
r
ON
MatchFlat
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
f
I
COM（上）
V+ = 3.3 V
V
NO ，
V
NC
= 1 V/3 V, V
COM
= 3 V/1 V
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.2 V / 1.5 V，I
NO
I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
0.25
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
0
1.4
1.6
V+
2.1
2.3
0.85
W
V
Vishay Siliconix公司
范围
-40到85°C
符号
V+ = 3 V,
"10%,
V
IN
= 0.6或2.0 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
关机漏电流
f
V+ = 3.3 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 1 V/3 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
f
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
2
0.6
3
-1
1
V
pF
mA
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道上
电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W,
科幻gure 3
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 1 MHz的
W,
PF，
V
NO
或V
NC
2 = 0 V R
L
= 300
W
C
L
= 35 pF的
2.0 V,
W,
F
图1和图2
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
57
1
10
-63
-64
21
pF
dB
pC
27
17
47
48
37
38
ns
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
1.8
0.01
5.5
1.0
V
mA
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
www.vishay.com
3
DG2012
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5.0 V）
测试条件
否则，除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
V
NO
, V
NC
,
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Dr
ON
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
关机漏电流
I
COM （关闭）
信道泄漏电流
I
COM（上）
V+ = 5.0 V
V
NO ，
V
NC
= 0.5 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/0.5 V
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0.5 V/2.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
满
房间
满
房间
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
房间
满
房间
满
房间
满
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
-0.5
-5.0
0.25
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
0
1.0
1.2
V+
1.8
1.9
0.55
W
V
新产品
范围
-40到85°C
符号
V+ = 5 V,
"10%,
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
V+ = 5.0 V, V
NO ，
V
NC
= V
COM
= 0.5 V/4.5 V
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
V
INH
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
2.4
0.8
3
-1
1
V
pF
mA
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
通道上
注意事项：
a.
b.
c.
d.
e.
f.
房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
通过设计保证，也不进行生产测试。
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
5 -V泄漏检测保证，未经生产测试。
电容
d
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W,
科幻gure 3
R
L
= 50
W
C
L
= 5 pF的F = 1 MHz的
W,
PF，
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
W
C
L
= 35 pF的
V
W,
F
图1和图2
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
房间
56
1
20
-63
-64
20
pF
dB
pC
17
13
38
39
32
33
ns
www.vishay.com
4
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
DG2012
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
ON
与V
COM
电源电压
6
I
S
= 10毫安
r
ON
- 导通电阻（
W
)
r
ON
- 导通电阻（
W
)
5
5
6
I
S
= 10毫安
Vishay Siliconix公司
r
ON
与模拟电压和温度
4
V+ = 1.8 V
3
V+ = 2 V
2
V+ = 3 V
V+ = 5 V
4
V+ = 2 V
3
85_C
25_C
-40_C
V+ = 3 V
85_C
25_C
-40_C
V+ = 5 V
85_C
25_C
2
1
1
-40_C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
电源电流与温度的关系
10000
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
I + - 电源电流（ NA）
1000
I + - 电源电流（ A）
10 m
1m
100
m
10
m
1
m
100 n
10 n
1n
1
-60
100 p
-40
-20
0
20
40
60
80
100
电源电流与输入开关频率
V+ = 3 V
100
10
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
漏电流与温度的关系
1000
V+ = 5 V
250
200
150
100
漏电流（PA ）
漏电流（PA ）
100
50
0
-50
-100
-150
I
COM （关闭）
0.1
-60
-200
-250
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0
泄漏与模拟电压
V+ = 5 V
中T = 25℃
I
COM （关闭）
10
I
否（关）
/I
NC （关闭）
I
COM（上）
I
COM（上）
I
否（关）
/I
NC （关闭）
1
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压
文档编号： 72176
S- 03723 -REV 。 A， 07 -APR- 03
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5
DG2012
Vishay Siliconix公司
低电压单SPDT模拟开关
描述
该DG2012是一个单刀/双掷单片CMOS
专为高性能开关模拟开关
模拟信号。结合低功耗，高速
(t
ON
： 17纳秒，T
关闭
： 13毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
: 1
Ω)
和
小的物理尺寸（ SC70 ）中， DG2012是理想的便携式
和电池供电应用要求高
性能和高效利用的电路板空间。
该DG2012采用Vishay Siliconix公司的低电压
亚微米CMOS工艺。外延层防止
闭锁。先开-make保证了DG2012 。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
特点
低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 1
Ω
典型值。
快速切换 - 吨
ON
： 17纳秒，T
关闭
： 13纳秒
低漏
TTL / CMOS兼容
6引脚SC- 70封装
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
采样和保持电路
功能框图及引脚配置
真值表
SC-70
IN
V+
GND
1
2
3
顶视图
器件标识：
E7xx
6
5
4
NO （图片来源
1
)
COM
NC （图片来源
2
)
逻辑
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
订购信息
温度范围
- 4085 ℃下
包
SC70-6
产品型号
DG2012DL-T1
DG2012DL-T1-E3
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 72176
S- 70852 -REV 。 B， 30 -APR- 07
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DG2012
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
引用V +和GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（ NO ， NC和COM引脚）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
功率耗散（包）
b
6引脚SO70
c
极限
- 0.3 + 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 100
± 300
- 65 150
250
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免3.1毫瓦/°C， 70°C以上。
规格（ V + = 2.0 V）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 2.0 V, ± 10 %, V
IN
= 0.4或1.6 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0.2 V/0.9 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
满
d
房间
房间
V+ = 2.2 V
V
NO
, V
NC
= 0.5 V/1.5 V, V
COM
= 1.5 V/0.5 V
房间
满
房间
满
d
房间
满
d
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
d
房间
满
d
房间
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω,
科幻gure 3
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
0
2.7
2.7
V+
5.3
5.3
3
0.25
V
Ω
关机漏电流
f
- 0.5
- 5.0
- 0.5
- 5.0
- 0.5
- 5.0
1.6
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
f
动态特性
开启时间
d
打开-O FF
时间
d
I
COM（上）
V+ = 2.2 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.5 V/1.5 V
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.4
3
-1
43
23
2
7
- 63
- 64
22
58
1
63
65
45
46
V
pF
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
d
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
ns
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
N
O
, N
C
关断电容
d
通道导通电容
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
C
ON
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2
文档编号： 72176
S- 70852 -REV 。 B， 30 -APR- 07
DG2012
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 3.0 V）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 3 V, ± 10 %, V
IN
= 0.6或2.0 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
r
ON
MatchFlat
关机漏电流
f
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0.2 V / 1.5 V，I
NO
I
NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
满
房间
房间
V+ = 3.3 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/3 V, V
COM
= 3 V/1 V
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/3 V
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
房间
满
房间
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω,
科幻gure 3
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
0
1.4
1.6
V+
2.1
2.3
0.85
0.25
V
Ω
- 0.5
- 5.0
- 0.5
- 5.0
- 0.5
- 5.0
2
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
信道泄漏电流
f
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
f
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道导通电容
电源
电源电压范围
电源电流
d
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.6
3
-1
27
17
1
10
- 63
- 64
21
57
1.8
5.5
0.01
1.0
1
47
48
37
38
V
pF
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
ns
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
V
A
文档编号： 72176
S- 70852 -REV 。 B， 30 -APR- 07
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3
DG2012
Vishay Siliconix公司
规格（ V + = 5.0 V）
测试条件
否则，除非指定
V+ = 5 V, ± 10 %, V
IN
= 0.8或2.4 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
r
ON
MATCH
d
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
Δr
ON
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0.5 V/2.5 V
I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
满
房间
房间
V+ = 5.0 V
V
NO
, V
NC
= 0.5 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/0.5 V
V+ = 5.0 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.5 V/4.5 V
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
房间
满
房间
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω,
科幻gure 3
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
0
1.0
1.2
V+
1.8
1.9
0.55
0.25
V
Ω
关机漏电流
- 0.5
- 5.0
- 0.5
- 5.0
- 0.5
- 5.0
2.4
0.5
5.0
0.5
5.0
0.5
5.0
nA
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.8
3
-1
17
13
1
20
- 63
- 64
20
56
1
38
39
32
33
V
pF
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
ns
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
通道导通电容
d
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 72176
S- 70852 -REV 。 B， 30 -APR- 07
DG2012
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
6
I
S
= 10毫安
5
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
5
6
I
S
= 10毫安
4
V+ = 1.8 V
3
V+ = 2 V
2
V+ = 3 V
V+ = 5 V
4
V+ = 2 V
3
85
°C
25
°C
V+ = 3 V
85
°C
- 40
°C
25
°C
- 40
°C
V+ = 5 V
85
°C
25
°C
2
1
1
- 40
°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
与电源电压
10000
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
I + - 电源电流（ NA）
1000
I + - 电源电流（ A）
10 m
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
1
- 60
100 p
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
10
r
ON
与模拟电压和温度
V+ = 3 V
100
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
250
V+ = 5 V
200
150
漏电流（PA ）
100
漏电流（PA ）
电源电流与输入开关频率
1000
V+ = 5 V
T = 25
°C
I
COM （关闭）
100
50
0
- 50
- 100
- 150
I
否（关）
/I
NC （关闭）
I
COM（上）
10
I
否（关）
/I
NC （关闭）
I
COM（上）
1
I
COM （关闭）
0.1
- 60
- 200
- 250
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压
漏电流与温度的关系
泄漏与模拟电压
文档编号： 72176
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