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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第402页 > DG200AK/883B
性S E M I C 0 N D ü (C T)
DG200 , DG201
CMOS双路/四路SPST模拟开关
描述
该DG200和DG201固态模拟的城门
使用一种改进的,高电压设计的CMOS单片
技术。它们提供了易于使用和性能
以前不能从固态优势
开关。破坏性的闩锁固态模拟门
已经由哈里斯公司的CMOS技术消除。
该DG200和DG201是完全特定网络连接和阳离子
引脚排列与业界标准的设备兼容。
1993年12月
特点
开关比28V大
P-P
与信号
±
15耗材
先开后合式开关吨
关闭
为250ns ,T
ON
700ns
典型
TTL , DTL , CMOS , PMOS兼容
非锁定与电源关断
完整的单片式结构
行业标准( DG200 , DG201 )
订购信息
应用
数据采集
采样和保持电路
运算放大器连接器增益切换网络
产品型号
DG200AA
DG200AK
DG200BA
DG200BK
DG200CJ
DG200AA/883B
DG200AK/883B
DG201AK
DG201BK
DG201CJ
DG201AK/883B
温度
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-25
o
C至+ 85
o
C
-25
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-25
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
10引脚金属罐
14引脚陶瓷DIP
10引脚金属罐
14引脚陶瓷DIP
14引脚塑料DIP
10引脚金属罐
14引脚陶瓷DIP
16引脚陶瓷DIP
16引脚陶瓷DIP
16引脚塑料DIP
16引脚陶瓷DIP
引脚配置
DG200
( CDIP , PDIP )
顶视图
DG200
( TO- 100金属罐)
顶视图
V+
(底物和案例)
IN
2
1
NC 2
GND 3
NC 4
S
2
5
D
2
6
V- 7
14
1
13 NC
12 V + (基板)
11 NC
GND
10 S
1
9 D
1
8 V
REF
S
2
4
5
D
2
6
V-
3
7
V
REF
IN
2
IN
1
2
1
10
9
S
1
8
D
1
IN
1
1
D
1
S
1
2
3
DG201
( CDIP , PDIP )
顶视图
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V + (基板)
12 V
REF
11 S
3
10 D
3
9
3
V- 4
GND 5
S
4
D
4
6
7
IN
4
8
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的I.C.处理程序。
版权
哈里斯公司1993年
网络文件编号
3115
9-13
DG200 , DG201
原理图
(
1
/
2
DG200,
1
/
4
DG201)
V+
V-
Q3
Q7
Q5
Q14
Q15
Q8
V+
Q1
V
REF
Q10
Q12
Q13
Q2
Q9
保护
电阻器
Q4
Q6
S
1
Q11
D
1
输入
V-
工作原理图
S
IN
N
P
D
DG200 , DG201开关单元
9-14
特定网络阳离子DG200
绝对最大额定值
V + , V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <36V
V+ - V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
D
- V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
D
- V
S
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <28V
V
IN
- GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <20V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
陶瓷DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
24
o
C / W
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
o
C / W
-
金属罐包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 136
o
C / W 65
o
C / W
工作温度范围
“A” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
“B” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25
o
C至+ 85
o
C
“C” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+70
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
(T
A
= +25
o
C,V + = + 15V ,V = -15V )
军事
商业/工业
+125
o
C
±10
±10
100
-
-
0
o
C到
-25
o
C
-
-
80
-
-
+25
o
C
±10
±10
80
30 (典型值)
±15V
+70
o
C到
+85
o
C
±10
±10
100
-
-
单位
A
A
V
参数
输入逻辑电流,
I
IN(上)
输入逻辑电流,
I
N( OFF)
漏源电阻
tance ,R
DS ( ON)
通道到通道
r
DS ( ON)
比赛中,R
DS ( ON)
最小的模拟信号
处理能力,
V
类似物
关机泄漏
目前,我
D(关闭)
关机泄漏
目前,我
S( OFF)
测试条件
V
IN
= 0.8V (注2,注3 )
V
IN
= 2.4V (注2,注3 )
I
S
= 10毫安,V
类似物
=
±10V
-55
o
C
±
10
±10
70
-
-
+25
o
C
±1
±1
70
25 (典型值)
±15V
V
类似物
= -14V至+ 14V
V
类似物
= -14V至+ 14V
-
-
-
-
-
-
-
±2
±2
±2
1.0
0.5
15 (典型值)
54 (典型值)
100
100
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±
5
±
5
±10
1.0
0.5
20 (典型值)
50 (典型值)
100
100
200
-
-
-
-
nA
nA
nA
s
s
mV
dB
开关漏电电流V
D
= V
S
= -14V至+ 14V
租,我
D(上)
+ I
秒(上)
开关“开”的时间
(注1 ) ,T
ON
开关“ OFF”时,T
关闭
电荷注入,Q
( INJ )。
最小关断隔离
抑制比, OIRR
+电源
静态电流,I
V1
- 电源
静态电流,I
V2
最小信道来
通道交叉耦合
抑制比, CCRR
注意事项:
1.下拉电阻必须
2k
.
一个通道关闭
R
L
= 1kΩ的,V
类似物
=
-10V至+ 10V (图5 )
R
L
= 1kΩ的,V
类似物
=
-10V至+ 10V (图5 )
图6
F = 1MHz的,R
L
= 100,
C
L
5pF
(图7 ,注1)
V
IN
= 0V或V
IN
= 5V
1000
1000
-
1000
1000
54 (典型值)
2000
2000
-
1000
1000
-
1000
1000
50 (典型值)
2000
2000
-
A
A
dB
2.典型值是辅助设计参考,不保证,不受生产测试。
3.所有通道都被高“ 1 ”的逻辑输入关闭,所有通道都低“0”输入打开;然而, 0.8V至2.4V介绍
最小范围切换正常。需要过渡的峰值输入电流典型值为-120μA 。
9-15
特定网络阳离子DG201
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <36V
V +到V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
D
到V
S
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <28V
V
REF
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <33V
V
REF
到V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
REF
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <20V
V
IN
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <20V
电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
陶瓷DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
24
o
C / W
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145
o
C / W
-
工作温度范围
“A” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
“B” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25
o
C至+ 85
o
C
“C” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+70
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
(T
A
= +25
o
C,V + = + 15V ,V = -15V )
军事
商业/工业
+125
o
C
10
10
125
-
-
0
o
C到
-25
o
C
±1
±1
100
-
-
+25
o
C
±1
±1
100
30 (典型值)
±15
(典型值)
+70
o
C到
+85
o
C
10
10
125
-
-
单位
A
A
V
参数
输入逻辑电流,
I
IN(上)
输入逻辑电流,
I
N( OFF)
漏源电阻
tance ,R
DS ( ON)
通道到通道
r
DS ( ON)
比赛中,R
DS ( ON)
最小的模拟信号
处理能力,
V
类似物
关机泄漏
目前,我
D(关闭)
关机泄漏
目前,我
S( OFF)
测试条件
V
IN
= 0.8V (注1 )
V
IN
= 2.4V (注1 )
I
S
= 10毫安,V
类似物
=
±10V
-55
o
C
+25
o
C
±1
±1
80
25 (典型值)
±15
(典型值)
10
10
80
-
-
V
类似物
= -14V至+ 14V
V
类似物
= -14V至+ 14V
-
-
-
-
-
-
-
2000
2000
±1
±1
±2
1.0
0.5
15 (典型值)
54 (典型值)
1000
1000
54 (典型值)
100
100
200
-
-
-
-
2000
2000
-
-
-
-
-
-
-
-
2000
2000
-
±
5
±
5
±5
1.0
0.5
20 (典型值)
50 (典型值)
1000
1000
50 (典型值)
100
100
200
-
-
-
-
2000
2000
-
nA
nA
nA
s
s
mV
dB
A
A
dB
开关漏电电流V
D
= V
S
= -14V至+ 14V
租,我
D(上)
+ I
秒(上)
开关“开”的时间
(注2 )中,T
ON
开关“关”的时间
(注2 )中,T
关闭
电荷注入,Q
( INJ )。
最小关断隔离
抑制比, OIRR
+电源
静态电流, I +
Q
- 电源
静态电流,I-
Q
最小信道来
通道交叉耦合
抑制比, CCRR
注意事项:
一个通道关闭
R
L
= 1kΩ的,V
类似物
=
-10V至+ 10V (图5 )
R
L
= 1kΩ的,V
类似物
=
-10V至+ 10V (图5 )
图6
F = 1MHz的,R
L
= 100,
C
L
5pF的, (图7)
V
IN
= 0V或V
IN
= 5V
-
1.典型值是辅助设计参考,不保证,不受生产测试。
2.所有通道都被高“ 1 ”的逻辑输入关闭,所有通道都低“0”输入打开;然而, 0.8V至2.4V介绍
最小范围切换正常。需要过渡的峰值输入电流典型值为-120μA 。
9-16
DG200 , DG201
性能曲线
漏源导通电阻(
)
100
漏源导通电阻(
)
V+ = +15V
V- = -15V
100
D
+125
o
C
C
B
50
50
+25
o
C
A
A:
B:
C:
D:
V+ = +15V, V- = -15V
V+ = +12V, V- = -12V
V+ = +10V, V- = -10V
V+ = +8V, V- = -8V
10
15
-55
o
C
0
-15
-10
-5
0
5
漏极电压( V)
10
15
0
-15
-10
-5
0
5
漏极电压( V)
图1。R
DS ( ON)
VS V
D
和温度
10
CHANNEL泄漏电流( NA)
图2。R
DS ( ON)
VS V
D
与电源电压
源极或漏极关断漏电流( NA)
10
1
1
0.1
0.1
0.01
25
45
65
85
温度(
o
C)
105
125
0.01
25
45
65
85
温度(
o
C)
105
125
图3.我
D(上)
与温度
图4.我
S( OFF)
还是我
D(关闭)
与温度
引脚说明
DG200 ( 14引脚DIP )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
IN
2
NC
GND
NC
S
2
D
2
V-
V
REF
D
1
S
1
NC
V+
NC
IN
1
描述
用于开关2逻辑控制
无连接
接地端子(逻辑公用)
无连接
来源(输入)端子用于开关2
漏极(输出)端子用于开关2
负电源端
逻辑参考电压
漏极(输出)端子用于开关1
来源(输入)端子用于开关1
无连接
正电源端(基板)
无连接
来源(输入)端子用于开关1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
3
D
3
S
3
V
REF
V+
S
2
D
2
IN
2
DG201 ( 16引脚DIP )
描述
开关1逻辑控制
漏极(输出)端子用于开关1
来源(输入)端子用于开关1
负电源端
接地端子(逻辑公用)
来源(输入)端子用于开关4
漏极(输出)端子用于开关4
用于开关4逻辑控制
用于开关3逻辑控制
漏极(输出)端子用于开关3
来源(输入)端子用于开关3
逻辑参考电压
正电源端(基板)
来源(输入)端子用于开关2
漏极(输出)端子用于开关2
用于开关2逻辑控制
9-17
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DG200AK/883B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
DG200AK/883B
HAR
24+
18650
CDIP
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
DG200AK/883B
HAR
9916+
49
CDIP
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885659455 复制

电话:0755-83951431
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
DG200AK/883B
HAR
22+
12245
CDIP
现货,原厂原装假一罚十!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DG200AK/883B
HAR
21+
13410
CDIP
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
DG200AK/883B
HAR
21+
5049
CDIP
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
DG200AK/883B
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