DG200A
单片双通道SPST CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
"15
V输入信号范围
44 - V最大电源范围
导通电阻： 45
W
TTL和CMOS兼容
好处
D
宽动态范围
D
简单接口
D
减少外部元件数量
应用
D
D
D
D
伺服控制开关
可编程增益放大器
音频切换
可编程滤波器
描述
该DG200A是一款双通道，单刀单掷模拟
开关设计成提供通用交换
模拟信号。该器件非常适合用于设计
需要宽的模拟电压范围加上低
导通电阻。
该DG200A设计上Siliconix的“改进PLUS- 40
CMOS工艺。外延层可以防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并阻止高达30 V峰至峰时关闭。在上
条件下，这种双向开关没有引入偏移
电压自身。
功能框图及引脚配置
双列直插式
IN
2
NC
GND
NC
S
2
D
2
V–
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
IN
1
NC
V +底
NC
S
1
D
1
NC
GND
IN
2
2
3
4
S
2
5
6
V–
IN
1
1
金属罐
V + （底物和案例）
10
S
1
9
8
7
D
1
NC
D
2
顶视图
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
g
逻辑
L I “1”的
w
2.4 V
24
开关
ON
关闭
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70035 。
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 B， 28 -APR- 97
1
DG200A
订购信息
温度范围
0至70℃
-25至+85 C
包
14引脚塑料DIP
14引脚CERDIP
10引脚金属罐
产品型号
DG200ACJ
DG200ABK
DG200ABA
DG200AAK
14引脚CERDIP
-55到125°C
10引脚金属罐
14引脚Sidebraze
DG200AAK/883,
JM38510/12301BCA
DG200AAA
DG200AAA/883,
JM38510/12301BIC
JM38510/12301BCC
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
, V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） 2 V或
30毫安，以先到为准
电流（任何终端）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流S或D
（脉冲在1毫秒，10％占空比的最大值）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AX ， BX后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ CJ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
10引脚金属罐
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
14引脚CERDIP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
14引脚塑料DIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将被夹持
内部二极管。限正向二极管电流最大电流
收视率。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免11毫瓦/ _C上述75°C
。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
V–
–
+
V+
GND
IN
X
D
V–
图1 。
2
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 B， 28 -APR- 97
DG200A
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
SOURCE OFF
漏电流
流掉
漏电流
通道上
漏电流
f
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V
D
=
"10
V，I
S
= -1毫安
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
45
–2
–100
–2
–100
–2
–200
–15
15
70
100
2
100
2
100
2
200
–5
–100
–5
–100
–5
–200
–15
15
80
100
5
100
5
100
5
200
nA
V
W
后缀
-55到125°C
B，C后缀
民
d
最大
d
符号
V = 15 V, V– = –15 V
VV
15
V+
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
单位
"0.01
"0.01
"0.1
数字控制
V
IN
= 2.4 V
I
INH
V
IN
= 15 V
输入电流
输入电压低
I
INL
V
IN
= 0 V
房间
满
房间
满
房间
满
0.0009
0.005
–0.0015
–0.5
–1
–0.5
–1
0.5
1
–1
–10
–1
–10
1
10
mA
输入电流
p
I
输入V升
电压嗨
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
相声
（通道 - 通道）
t
ON
t
关闭
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
+
C
秒（上）
OIRR
X
TALK
房间
见开关时间测试电路
C
L
= 1000 PF， V
g
= 0 V
R
g
= 0
W
F = 140千赫
V
IN
= 5 V
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
440
340
–10
9
9
25
75
90
dB
pF
1000
425
1000
425
ns
pC
V
D
= V
S
= 0 V, V
IN
= 0 V
V
IN
= 5 V R
L
= 75
W
V,
V
S
= 2 V ， F = 1兆赫
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I–
两个通道开或关
V
IN
= 0 V和2 4 V
d 2.4
房间
房间
0.8
–0.23
–1
2
–1
2
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是aminimum和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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3
DG200A
典型特征
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
+6
120
A:
B:
C:
D:
E:
"5
V
"10
V
"12
V
"15
V
"20
V
T
A
= 25_C
0
A
I
S
, I
D
（ PA ）
–6
I
D（上）
I
D（关闭）
还是我
S（ OFF）
漏电流与模拟电压
100
r
DS （ ON）
(
W
)
80
B
60
C
D
40
E
–12
–18
20
–15 –12 –9
–6
–3
0
3
6
9
12 15
V
D
- 漏极电压（ V）
–24
–15 –12 –9
–6
–3
0
3
6
9
12 15
V
类似物
- 模拟电压（ V）
输入开关阈值与V +和V-电源电压
2.5
电源电流与频率切换
2.0
V
T
(V)
1.5
1.0
0.5
0
0
"5
V + ， V-正负电源（ V）
4
"10
"15
"20
6
5
I + ， I- （毫安）
4
3
2
V+ = 15 V
V– = –15 V
这两个逻辑输入
切换simutaneously
I+
1
I–
0
1k
10 k
100 k
1M
切换频率（Hz ）
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DG200A
测试电路
V
O
与交换机上的稳态输出。通过栅极电容馈通可能导致尖峰前缘和后输出波形的边沿。
+15 V
逻辑
输入
开关
输入
开关
产量
3V
50%
0V
t
关闭
V
S
90%
V
O
t
ON
3V
GND
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
V
S
= +5 V
S
IN
V+
D
V
O
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
V–
–15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
图2中。
开关时间
+15 V
DV
O
R
g
V+
S
IN
3V
GND
V–
DV
O
=测得的电压误差，由于电荷注入
电荷注入库仑是
DQ
= C
L
x
DV
O
–15 V
D
V
O
C
L
1000 pF的
IN
X
ON
关闭
ON
V
O
V
g
网络连接gure 3 。
电荷注入
C
+15 V
C
V+
+15 V
V+
V
S
S
D
V
O
R
L
GND
V–
C
R
g
= 50
W
0V
S
1
IN
1
S
2
IN
2
GND
–15 V
–15 V
关断隔离= 20日志
V
S
V
O
X
TALK
= 20日志
C =射频旁路
V
S
V
O
V–
C
D
2
D
1
50
W
V
O
R
L
V
S
R
g
= 50
W
5V
IN
NC
0V
图4中。
关断隔离
图5中。
通道到通道的串扰
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5
QQ：2880707522 复制
