DG2003/2004/2005

新产品

Vishay Siliconix公司

低电压双通道SPST模拟开关

特点

D

D

D

D

D

D

D

低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）

低导通电阻 - R的

DS （上

): 1.2

W

快速切换 - 14纳秒

低电荷注入 - Q

INJ

量：1件

低功耗

TTL / CMOS兼容

MSOP -8封装

好处

D

D

D

D

降低功耗

简单的逻辑接口

精度高

减少电路板空间

应用

D

D

D

D

D

手机

通信系统

便携式测试设备

电池供电系统

采样和保持电路

描述

该DG2003 / 2004 / 2005顷双路单刀/单掷

单片CMOS模拟开关专为高

模拟信号的开关性能。结合低

动力，快速开关，低导通电阻（R

DS （ ON）

: 1.2

W)

和

小的物理尺寸（ MSOP -8），所述DG2003 / 2004 / 2005顷

非常适用于便携式和电池供电的需要的应用

高性能和高效利用的电路板空间。

/ 2004 / 2005顷采用Vishay Siliconix公司的低DG2003

电压JI2过程。外延层可以防止闭锁。

每个开关进行同样在两个方向上时，

并阻止了电源电平的时候了。

功能框图及引脚配置

DG2003

NO

1

COM

1

IN

2

GND

V+

IN

1

COM

2

NO

2

NC

1

COM

1

IN

2

GND

DG2004

V+

IN

1

COM

2

NC

2

NO

1

COM

1

IN

2

GND

DG2005

V+

IN

1

COM

2

NC

2

1

2

3

4

8

7

6

5

1

2

3

4

8

7

6

5

1

2

3

4

8

7

6

5

顶视图

顶视图

顶视图

真值表 - DG2003

逻辑

0

1

真值表 - DG2004

逻辑

0

1

真值表 - DG2005

逻辑

0

1

NO

关闭

On

NC

On

关闭

NO

1

关闭

On

NC

2

On

关闭

订购信息

温度范围

-40到85°C

包

MSOP-8

产品型号

DG2003DQ

DG2004DQ

DG2005DQ

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

www.vishay.com

1

DG2003/2004/2005

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

参考GND

V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V

IN， COM ，NC ， NO

a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

-0.3到（V + + 0.3V）

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

"50

mA

峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

"200

mA

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）

存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃

功率耗散（包）

b

MSOP-8

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 320毫瓦

注意事项：

一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将受钳制

内部二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C

新产品

规格（ V + = 2.0 V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

d

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

I

NO （关闭） ，

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

f

I

COM（上）

V+ = 2.0 V, V

COM

= 1.0 V，I

NO

, I

NC

= 1毫安

V+ = 2.0 V, V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 1毫安

满

房间

满

d

房间

房间

满

d

房间

满

d

房间

满

d

–500

–4.0

–500

–4.0

–500

–4.0

0

7.0

12.5

5

500

4.0

500

4.0

500

4.0

pA

nA

pA

nA

pA

nA

V+

10.0

16.0

W

V

范围

-40到85°C

符号

V+ = 2.0 V,

"10%,

V

IN

= 0.4或1.6 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

关机漏电流

f

V+ = 2.2 V

V

NO ，

V

NC

= 0.5 V/1.5 V, V

COM

= 1.5 V/0.5 V

V+ = 2.2 V, V

NO ，

V

NC

= V

COM

= 0.5 V/1.5 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

d

输入电流

V

INH

满

满

满

V

IN

= 0或V +的

满

1.6

0.4

5

–1

1

V

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

NO ， NC关断电容

d

通道上

电容

d

t

ON

t

关闭

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

NO （关闭） ，

C

NC （关闭）

C

ON

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W,

科幻gure 3

R

L

= 50

W

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

W,

V

NO

或V

NC

= 1.5 V ，R

L

= 300

W,

C

L

= 35 pF的

图1和图2

房间

满

d

房间

满

d

房间

房间

房间

房间

V

IN

= 0或V + ， F = 1兆赫

房间

110

30

22

2

–61

–67

53

pF

dB

47

48

37

48

ns

pC

电源

电源电压范围

电源电流

d

耗电量

V+

I+

P

C

V

IN

= 0或V +的

1.8

0.02

2.2

1.0

2.2

V

mA

mW

www.vishay.com

2

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

DG2003/2004/2005

新产品

规格（ V + = 3.0 V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

d

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

I

NO （关闭） ，

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

f

I

COM（上）

V+ = 2.7 V, V

COM

= 1.5 V，I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 2.7 V, V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 10毫安

满

房间

满

房间

房间

满

房间

满

房间

满

–500

–6.0

–500

–6.0

–500

–6.0

0

2.2

2.4

0.5

500

6.0

500

6.0

500

6.0

pA

nA

pA

nA

pA

nA

V+

3.5

3.7

W

V

Vishay Siliconix公司

范围

-40到85°C

符号

V+ = 3 V,

"10%,

V

IN

= 0.4或2.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

关机漏电流

f

V+ = 3.3 V

V

NO ，

V

NC

= 1 V/3 V, V

COM

= 3 V/1 V

V+ = 3.3 V, V

NO ，

V

NC

= V

COM

= 1 V/3 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

d

输入电流

V

INH

满

满

满

V

IN

= 0或V +的

满

2

0.4

5

–1

1

V

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

d

打开-O FF

时间

d

t

ON

t

关闭

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

NO （关闭） ，

C

NC （关闭）

C

ON

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W,

科幻gure 3

R

L

= 50

W

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

W,

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 300

W,

C

L

= 35 pF的

图1和图2

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

V

IN

= 0或V + ， F = 1兆赫

房间

110

19

17

1

–61

–67

53

pF

dB

35

36

31

34

ns

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

NO ， NC关断电容

d

通道上

电容

d

pC

电源

电源电压范围

电源电流

耗电量

V+

I+

P

C

V

IN

= 0或V +的

2.7

0.02

3.3

1.0

3.3

V

mA

mW

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

www.vishay.com

3

DG2003/2004/2005

Vishay Siliconix公司

规格（ V + = 5.0 V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

d

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

I

NO （关闭） ，

I

NC （关闭）

关机漏电流

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

I

COM（上）

V+ = 4.5 V, V

COM

= 3 V，I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 4.5 V, V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 10毫安

满

房间

满

房间

房间

满

房间

满

房间

满

–1.0

–8.0

–1.0

–8.0

–1.0

–8.0

0

1.2

1.6

0.2

1.0

8.0

1.0

8.0

1.0

8.0

nA

V+

2.5

2.7

W

V

新产品

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V,

"10%,

V

IN

= 0.8或2.4 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

V+ = 5.5 V

V

NO ，

V

NC

= 1 V/4.5 V, V

COM

= 4.5 V/1 V

V+ = 5.5 V, V+ = 5.5 V

V

NO ，

V

NC

= V

COM

= 1 V/4.5 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

满

满

满

V

IN

= 0或V +的

满

2.4

0.8

5

–1

1

V

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

d

打开-O FF

时间

d

t

ON

t

关闭

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

NO （关闭） ，

C

NC （关闭）

C

ON

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W,

科幻gure 3

R

L

= 50

W

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

W,

V

NO

或V

NC

= 3 V ，R

L

= 300

W,

C

L

= 35 pF的

图1和图2

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

V

IN

= 0或V + ， F = 1兆赫

房间

110

13

19

1

–61

–67

51

pF

dB

28

31

22

31

ns

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

源关断电容

d

通道上

电容

d

pC

电源

电源电压范围

电源电流

耗电量

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

f.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

5 -V泄漏检测保证，未经生产测试。

V+

I+

P

C

V

IN

= 0或V +的

4.5

0.02

5.5

1.0

5.5

V

mA

mW

www.vishay.com

4

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

DG2003/2004/2005

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

ON

与V

COM

电源电压

8

7

r

ON

- 导通电阻（

W

)

6

5

4

3

V + = 3 V / I

S

= 100毫安

2

1

0

0

1

2

3

4

5

V + = 5 V / I

S

= 100毫安

r

ON

- 导通电阻（

W

)

V + = 2 V / I

S

= 1毫安

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0

1

2

3

4

5

85_C

V+ = 3 V

–40_C

0_C

25_C

Vishay Siliconix公司

r

ON

与模拟电压和温度

V

COM

- 模拟电压（ V）

V

COM

- 模拟电压（ V）

电源电流与温度的关系

10

V+ = 5 V

V

IN

= 0 V

I + - 电源电流（ NA）

10 m

1m

100

m

10

m

1

m

100 n

10 n

0.01

–60

1n

–40

–20

0

20

40

60

80

100

电源电流与输入开关频率

1

0.1

I + - 电源电流（ A）

10

100

1K

10 K

100 K

1M

10 M

温度（℃）

输入开关频率（Hz ）

漏电流与温度的关系

10000

V+ = 5 V

200

150

100

漏电流（PA ）

50

泄漏与模拟电压

V+ = 5 V

中T = 25℃

1000

漏电流（PA ）

100

I

否（关）

/I

NC （关闭）

I

COM（上）

I

COM（上）

0

I

COM （关闭）

–50

–100

I

否（关）

/I

NC （关闭）

10

I

COM （关闭）

1

–60

–150

–200

–40

–20

0

20

40

60

80

100

0

1

2

3

4

5

温度（℃）

V

COM

, V

NO

, V

NC

=模拟电压

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

www.vishay.com

5

DG2003/2004/2005

新产品

Vishay Siliconix公司

低电压双通道SPST模拟开关

特点

D

D

D

D

D

D

D

低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）

低导通电阻 - R的

DS （上

): 1.2

W

快速切换 - 14纳秒

低电荷注入 - Q

INJ

量：1件

低功耗

TTL / CMOS兼容

MSOP -8封装

好处

D

D

D

D

降低功耗

简单的逻辑接口

精度高

减少电路板空间

应用

D

D

D

D

D

手机

通信系统

便携式测试设备

电池供电系统

采样和保持电路

描述

该DG2003 / 2004 / 2005顷双路单刀/单掷

单片CMOS模拟开关专为高

模拟信号的开关性能。结合低

动力，快速开关，低导通电阻（R

DS （ ON）

: 1.2

W)

和

小的物理尺寸（ MSOP -8），所述DG2003 / 2004 / 2005顷

非常适用于便携式和电池供电的需要的应用

高性能和高效利用的电路板空间。

/ 2004 / 2005顷采用Vishay Siliconix公司的低DG2003

电压JI2过程。外延层可以防止闭锁。

每个开关进行同样在两个方向上时，

并阻止了电源电平的时候了。

功能框图及引脚配置

DG2003

NO

1

COM

1

IN

2

GND

V+

IN

1

COM

2

NO

2

NC

1

COM

1

IN

2

GND

DG2004

V+

IN

1

COM

2

NC

2

NO

1

COM

1

IN

2

GND

DG2005

V+

IN

1

COM

2

NC

2

1

2

3

4

8

7

6

5

1

2

3

4

8

7

6

5

1

2

3

4

8

7

6

5

顶视图

顶视图

顶视图

真值表 - DG2003

逻辑

0

1

真值表 - DG2004

逻辑

0

1

真值表 - DG2005

逻辑

0

1

NO

关闭

On

NC

On

关闭

NO

1

关闭

On

NC

2

On

关闭

订购信息

温度范围

-40到85°C

包

MSOP-8

产品型号

DG2003DQ

DG2004DQ

DG2005DQ

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

www.vishay.com

1

DG2003/2004/2005

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

参考GND

V + 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V

IN， COM ，NC ， NO

a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

-0.3到（V + + 0.3V）

连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

"50

mA

峰值电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

"200

mA

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）

存储温度（D后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150℃

功率耗散（包）

b

MSOP-8

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 320毫瓦

注意事项：

一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将受钳制

内部二极管。限正向二极管电流最大额定电流。

B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C

新产品

规格（ V + = 2.0 V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

d

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

I

NO （关闭） ，

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

f

I

COM（上）

V+ = 2.0 V, V

COM

= 1.0 V，I

NO

, I

NC

= 1毫安

V+ = 2.0 V, V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 1毫安

满

房间

满

d

房间

房间

满

d

房间

满

d

房间

满

d

–500

–4.0

–500

–4.0

–500

–4.0

0

7.0

12.5

5

500

4.0

500

4.0

500

4.0

pA

nA

pA

nA

pA

nA

V+

10.0

16.0

W

V

范围

-40到85°C

符号

V+ = 2.0 V,

"10%,

V

IN

= 0.4或1.6 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

关机漏电流

f

V+ = 2.2 V

V

NO ，

V

NC

= 0.5 V/1.5 V, V

COM

= 1.5 V/0.5 V

V+ = 2.2 V, V

NO ，

V

NC

= V

COM

= 0.5 V/1.5 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

d

输入电流

V

INH

满

满

满

V

IN

= 0或V +的

满

1.6

0.4

5

–1

1

V

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

NO ， NC关断电容

d

通道上

电容

d

t

ON

t

关闭

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

NO （关闭） ，

C

NC （关闭）

C

ON

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W,

科幻gure 3

R

L

= 50

W

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

W,

V

NO

或V

NC

= 1.5 V ，R

L

= 300

W,

C

L

= 35 pF的

图1和图2

房间

满

d

房间

满

d

房间

房间

房间

房间

V

IN

= 0或V + ， F = 1兆赫

房间

110

30

22

2

–61

–67

53

pF

dB

47

48

37

48

ns

pC

电源

电源电压范围

电源电流

d

耗电量

V+

I+

P

C

V

IN

= 0或V +的

1.8

0.02

2.2

1.0

2.2

V

mA

mW

www.vishay.com

2

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

DG2003/2004/2005

新产品

规格（ V + = 3.0 V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

d

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

I

NO （关闭） ，

I

NC （关闭）

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

f

I

COM（上）

V+ = 2.7 V, V

COM

= 1.5 V，I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 2.7 V, V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 10毫安

满

房间

满

房间

房间

满

房间

满

房间

满

–500

–6.0

–500

–6.0

–500

–6.0

0

2.2

2.4

0.5

500

6.0

500

6.0

500

6.0

pA

nA

pA

nA

pA

nA

V+

3.5

3.7

W

V

Vishay Siliconix公司

范围

-40到85°C

符号

V+ = 3 V,

"10%,

V

IN

= 0.4或2.0 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

关机漏电流

f

V+ = 3.3 V

V

NO ，

V

NC

= 1 V/3 V, V

COM

= 3 V/1 V

V+ = 3.3 V, V

NO ，

V

NC

= V

COM

= 1 V/3 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

d

输入电流

V

INH

满

满

满

V

IN

= 0或V +的

满

2

0.4

5

–1

1

V

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

d

打开-O FF

时间

d

t

ON

t

关闭

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

NO （关闭） ，

C

NC （关闭）

C

ON

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W,

科幻gure 3

R

L

= 50

W

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

W,

V

NO

或V

NC

= 2.0 V ，R

L

= 300

W,

C

L

= 35 pF的

图1和图2

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

V

IN

= 0或V + ， F = 1兆赫

房间

110

19

17

1

–61

–67

53

pF

dB

35

36

31

34

ns

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

NO ， NC关断电容

d

通道上

电容

d

pC

电源

电源电压范围

电源电流

耗电量

V+

I+

P

C

V

IN

= 0或V +的

2.7

0.02

3.3

1.0

3.3

V

mA

mW

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

www.vishay.com

3

DG2003/2004/2005

Vishay Siliconix公司

规格（ V + = 5.0 V）

测试条件

否则，除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

d

导通电阻

r

ON

平整度

d

V

NO

, V

NC

,

V

COM

r

ON

r

ON

平整度

I

NO （关闭） ，

I

NC （关闭）

关机漏电流

I

COM （关闭）

信道泄漏电流

I

COM（上）

V+ = 4.5 V, V

COM

= 3 V，I

NO

, I

NC

= 10毫安

V+ = 4.5 V, V

COM

= 0到V + ，我

NO

, I

NC

= 10毫安

满

房间

满

房间

房间

满

房间

满

房间

满

–1.0

–8.0

–1.0

–8.0

–1.0

–8.0

0

1.2

1.6

0.2

1.0

8.0

1.0

8.0

1.0

8.0

nA

V+

2.5

2.7

W

V

新产品

范围

-40到85°C

符号

V+ = 5 V,

"10%,

V

IN

= 0.8或2.4 V

e

温度

a

民

b

典型值

c

最大

b

单位

V+ = 5.5 V

V

NO ，

V

NC

= 1 V/4.5 V, V

COM

= 4.5 V/1 V

V+ = 5.5 V, V+ = 5.5 V

V

NO ，

V

NC

= V

COM

= 1 V/4.5 V

数字控制

输入高电压

输入低电压

输入电容

输入电流

V

INH

满

满

满

V

IN

= 0或V +的

满

2.4

0.8

5

–1

1

V

pF

mA

V

INL

C

in

I

INL

还是我

INH

动态特性

开启时间

d

打开-O FF

时间

d

t

ON

t

关闭

Q

INJ

OIRR

X

TALK

C

NO （关闭） ，

C

NC （关闭）

C

ON

C

L

= 1 nF的，V

根

= 0 V ，R

根

= 0

W,

科幻gure 3

R

L

= 50

W

C

L

= 5 PF， F = 1兆赫

W,

V

NO

或V

NC

= 3 V ，R

L

= 300

W,

C

L

= 35 pF的

图1和图2

房间

满

房间

满

房间

房间

房间

房间

V

IN

= 0或V + ， F = 1兆赫

房间

110

13

19

1

–61

–67

51

pF

dB

28

31

22

31

ns

电荷注入

d

关断隔离

d

相声

d

源关断电容

d

通道上

电容

d

pC

电源

电源电压范围

电源电流

耗电量

注意事项：

a.

b.

c.

d.

e.

f.

房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。

代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

通过设计保证，也不进行生产测试。

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

5 -V泄漏检测保证，未经生产测试。

V+

I+

P

C

V

IN

= 0或V +的

4.5

0.02

5.5

1.0

5.5

V

mA

mW

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4

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

DG2003/2004/2005

新产品

典型特征（ 25_C除非另有说明）

r

ON

与V

COM

电源电压

8

7

r

ON

- 导通电阻（

W

)

6

5

4

3

V + = 3 V / I

S

= 100毫安

2

1

0

0

1

2

3

4

5

V + = 5 V / I

S

= 100毫安

r

ON

- 导通电阻（

W

)

V + = 2 V / I

S

= 1毫安

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0

1

2

3

4

5

85_C

V+ = 3 V

–40_C

0_C

25_C

Vishay Siliconix公司

r

ON

与模拟电压和温度

V

COM

- 模拟电压（ V）

V

COM

- 模拟电压（ V）

电源电流与温度的关系

10

V+ = 5 V

V

IN

= 0 V

I + - 电源电流（ NA）

10 m

1m

100

m

10

m

1

m

100 n

10 n

0.01

–60

1n

–40

–20

0

20

40

60

80

100

电源电流与输入开关频率

1

0.1

I + - 电源电流（ A）

10

100

1K

10 K

100 K

1M

10 M

温度（℃）

输入开关频率（Hz ）

漏电流与温度的关系

10000

V+ = 5 V

200

150

100

漏电流（PA ）

50

泄漏与模拟电压

V+ = 5 V

中T = 25℃

1000

漏电流（PA ）

100

I

否（关）

/I

NC （关闭）

I

COM（上）

I

COM（上）

0

I

COM （关闭）

–50

–100

I

否（关）

/I

NC （关闭）

10

I

COM （关闭）

1

–60

–150

–200

–40

–20

0

20

40

60

80

100

0

1

2

3

4

5

温度（℃）

V

COM

, V

NO

, V

NC

=模拟电压

文档编号： 71754

S- 05298 -REV 。 B， 17日-12月01

www.vishay.com

5