DG2002
Vishay Siliconix公司
低电压单SPDT模拟开关
描述
该DG2002是一个单刀/双掷单片CMOS
专为高性能开关模拟开关
模拟信号。结合低功耗，高速（T
ON
： 8纳秒，
t
关闭
6毫微秒） ，低导通电阻（R
DS （ ON）
: 7
Ω)
和小
物理尺寸（ SC70 ）中， DG2002是理想的便携式和
电池供电应用要求高性能
并有效地利用电路板空间。
该DG2002采用Vishay Siliconix公司的低电压JI2
流程。外延层可以防止闭锁。先开 -
让保用DG2002 。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
特点
低工作电压（ 1.8 V至5.5 V ）
低导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 7
Ω
快速切换 - 吨
ON
： 8纳秒，T
关闭
： 6纳秒
低电荷注入 - Q
INJ
： 5件
低功耗
TTL / CMOS兼容
6引脚SC70封装
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
降低功耗
简单的逻辑接口
精度高
减少电路板空间
应用
手机
通信系统
便携式测试设备
电池供电系统
采样和保持电路
功能框图及引脚配置
真值表
SC-70
IN
V+
GND
1
2
3
顶视图
6
5
4
NO （图片来源
1
)
COM
NC （图片来源
2
)
逻辑
0
1
NC
ON
关闭
NO
关闭
ON
订购信息
温度范围
包
SC70-6
- 4085 ℃下
产品型号
DG2002DL-T1
DG2002DL-T1-E3
器件标识： E2XX
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 71448
S- 72609 -REV 。 C， 24日-12月07
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1
DG2002
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
引用V +和GND
IN， COM ，NC ， NO
a
连续电流（任何终端）
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
极限
- 0.3 6
- 0.3 （V + + 0.3 ）
± 50
± 200
- 65至+ 150
6引脚SC70
c
单位
V
mA
°C
mW
250
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免3.1毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
V+ = 2.0 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 2.0 V, ± 10 %
V
IN
= 0.4或1.6 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 1.8 V, V
COM
= 1.0 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 1.8 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
房间
满
d
房间
房间
满
d
房间
满
d
房间
满
d
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
d
房间
满
d
房间
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω,
科幻gure 3
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
0
38
39.3
21
- 250
- 3.0
- 250
- 3.0
- 250
- 3.0
1.6
V+
46.1
47.1
V
Ω
关机漏电流
f
V+ = 2.2 V
V
NO
, V
NC
= 0.5 V/1.5 V, V
COM
= 1.5 V/0.5 V
250
3.0
250
3.0
250
3.0
pA
nA
pA
nA
pA
nA
通道渗漏
当前
f
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后合式时间
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道导通电容
电源
电源电压范围
电源电流
耗电量
d
d
I
COM（上）
V+ = 2.2 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 0.5 V/1.5 V
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.4
3
-1
22
10
1
12
5
- 67
- 71
5
29
1.8
2.2
0.01
1.0
2.2
10
1
31
32
17
18
V
pF
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
P
C
V
IN
= 0或V +的
V
NO
或V
NC
= 1.5 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
ns
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
V
A
W
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2
文档编号： 71448
S- 72609 -REV 。 C， 24日-12月07
DG2002
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
V+ = 3.0 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, ±10 %
V
IN
= 0.4或2.0 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
d
r
ON
平整度
d
符号
V
NO
, V
NC
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
I
否（关）
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 2.7 V, V
COM
= 1.5 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 2.7 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 3.3 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/3 V, V
COM
= 3 V/1 V
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
房间
满
房间
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω,
科幻gure 3
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
0
12.2
13
5
- 500
- 4.0
- 500
- 4.0
- 500
- 4.0
2
V+
14.8
15.8
V
Ω
关机漏电流
f
500
4.0
500
4.0
500
4.0
pA
nA
pA
nA
pA
nA
通道渗漏
当前
f
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
d
输入电流
动态特性
开启时间
d
打开-O FF时间
d
I
COM（上）
V+ = 3.3 V, V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/3 V
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.4
3
-1
12
7
1
6
5
- 67
- 69
5
29
2.7
3.3
0.01
1.0
3.3
10
1
21
22
14
15
V
pF
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否（关）
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
P
C
V
IN
= 0或V +的
V
NO
或V
NC
= 2.0 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
ns
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
NO ， NC关断电容
d
通道上
电容
d
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
电源
电源电压范围
电源电流
耗电量
V
A
W
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DG2002
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
V+ = 5.0 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, ± 10 %
V
IN
= 0.8或2.4 V
e
范围
- 4085 ℃下
温度
a
民
b
典型值
c
最大
b
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
导通电阻
r
ON
平整度
d
符号
V
NO
, V
NC ，
V
COM
r
ON
r
ON
平整度
I
NO （关闭） ，
I
NC （关闭）
I
COM （关闭）
满
V+ = 4.5 V, V
COM
= 3 V，I
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 4.5 V, V
COM
= 0到V + ，我
NO
, I
NC
= 10毫安
V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= 1 V/4.5 V, V
COM
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V+ = 5.5 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 1 V/4.5 V
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
满
V
IN
= 0或V +的
满
房间
满
房间
满
房间
C
L
= 1 nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω,
科幻gure 3
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
房间
0
6.4
7.4
3
- 1.0
- 4.0
- 1.0
- 4.0
- 1.0
- 4.0
2.4
V+
7.8
8.8
V
Ω
关机漏电流
1.0
4.0
1.0
4.0
1.0
4.0
nA
信道泄漏电流
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电容
输入电流
动态特性
开启时间
d
打开-O FF
时间
d
I
COM（上）
V
INH
V
INL
C
in
I
INL
还是我
INH
0.8
3
-1
8
6
1
4
5
- 69
- 69
5
29
4.5
5.5
0.01
1.0
5.5
10
1
15
16
13
14
V
pF
A
t
ON
t
关闭
t
d
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
NO （关闭） ，
C
NC （关闭）
C
ON
V+
I+
P
C
V
IN
= 0或V +的
V
NO
或V
NC
= 3 V ，R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
图1和图2
ns
先开后合式时间
d
电荷注入
d
关断隔离
d
相声
d
源关断电容
d
通道导通电容
d
电源
电源电压范围
电源电流
耗电量
pC
dB
V
IN
= 0或V + ， F = 1兆赫
pF
V
A
W
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，也不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
F。由5 V泄漏检测保证，未经生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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DG2002
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
40
35
V+ = 1.8 V
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
r
ON
- 导通电阻（ Ω ）
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V+ = 2 V
V+ = 3 V
V+ = 5 V
35
30
25
V+ = 2 V
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
85 °C
25 °C
- 40 °C
V+ = 5 V
85 °C
25 °C
- 40 °C
V
COM
- 模拟电压（ V）
V
COM
- 模拟电压（ V）
r
ON
与V
COM
与电源电压
10
V+ = 5 V
V
IN
= 0 V
I + - 电源电流（ NA）
10 m
1m
100
10
1
100 n
10 n
0.01
- 60
1n
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
10
r
ON
与模拟电压和温度
1
0.1
I + - 电源电流（ A）
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
温度（℃）
输入开关频率（Hz ）
电源电流与温度的关系
10000
V+ = 5 V
100
漏电流（PA ）
漏电流（PA ）
1000
150
电源电流与输入开关频率
V+ = 5 V
吨= 25°C
50
100
I
否（关）
/I
NC （关闭）
0
I
否（关）
/I
NC （关闭）
- 50
I
COM （关闭）
I
COM（上）
10
I
COM （关闭）
1
- 60
I
COM（上）
- 100
- 150
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
温度（℃）
V
COM
, V
NO
, V
NC
- 模拟电压
漏电流与温度的关系
泄漏与模拟电压
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S- 72609 -REV 。 C， 24日-12月07
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