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性S E M I C 0 N D ü (C T)
DG200 , DG201
CMOS双路/四路SPST模拟开关
描述
该DG200和DG201固态模拟的城门
使用一种改进的,高电压设计的CMOS单片
技术。它们提供了易于使用和性能
以前不能从固态优势
开关。破坏性的闩锁固态模拟门
已经由哈里斯公司的CMOS技术消除。
该DG200和DG201是完全特定网络连接和阳离子
引脚排列与业界标准的设备兼容。
1993年12月
特点
开关比28V大
P-P
与信号
±
15耗材
先开后合式开关吨
关闭
为250ns ,T
ON
700ns
典型
TTL , DTL , CMOS , PMOS兼容
非锁定与电源关断
完整的单片式结构
行业标准( DG200 , DG201 )
订购信息
应用
数据采集
采样和保持电路
运算放大器连接器增益切换网络
产品型号
DG200AA
DG200AK
DG200BA
DG200BK
DG200CJ
DG200AA/883B
DG200AK/883B
DG201AK
DG201BK
DG201CJ
DG201AK/883B
温度
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-25
o
C至+ 85
o
C
-25
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-25
o
C至+ 85
o
C
0
o
C至+70
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
10引脚金属罐
14引脚陶瓷DIP
10引脚金属罐
14引脚陶瓷DIP
14引脚塑料DIP
10引脚金属罐
14引脚陶瓷DIP
16引脚陶瓷DIP
16引脚陶瓷DIP
16引脚塑料DIP
16引脚陶瓷DIP
引脚配置
DG200
( CDIP , PDIP )
顶视图
DG200
( TO- 100金属罐)
顶视图
V+
(底物和案例)
IN
2
1
NC 2
GND 3
NC 4
S
2
5
D
2
6
V- 7
14
1
13 NC
12 V + (基板)
11 NC
GND
10 S
1
9 D
1
8 V
REF
S
2
4
5
D
2
6
V-
3
7
V
REF
IN
2
IN
1
2
1
10
9
S
1
8
D
1
IN
1
1
D
1
S
1
2
3
DG201
( CDIP , PDIP )
顶视图
16
2
15 D
2
14 S
2
13 V + (基板)
12 V
REF
11 S
3
10 D
3
9
3
V- 4
GND 5
S
4
D
4
6
7
IN
4
8
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的I.C.处理程序。
版权
哈里斯公司1993年
网络文件编号
3115
9-13
DG200 , DG201
原理图
(
1
/
2
DG200,
1
/
4
DG201)
V+
V-
Q3
Q7
Q5
Q14
Q15
Q8
V+
Q1
V
REF
Q10
Q12
Q13
Q2
Q9
保护
电阻器
Q4
Q6
S
1
Q11
D
1
输入
V-
工作原理图
S
IN
N
P
D
DG200 , DG201开关单元
9-14
特定网络阳离子DG200
绝对最大额定值
V + , V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <36V
V+ - V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
D
- V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
D
- V
S
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <28V
V
IN
- GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <20V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
陶瓷DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
24
o
C / W
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
o
C / W
-
金属罐包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 136
o
C / W 65
o
C / W
工作温度范围
“A” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
“B” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25
o
C至+ 85
o
C
“C” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+70
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
(T
A
= +25
o
C,V + = + 15V ,V = -15V )
军事
商业/工业
+125
o
C
±10
±10
100
-
-
0
o
C到
-25
o
C
-
-
80
-
-
+25
o
C
±10
±10
80
30 (典型值)
±15V
+70
o
C到
+85
o
C
±10
±10
100
-
-
单位
A
A
V
参数
输入逻辑电流,
I
IN(上)
输入逻辑电流,
I
N( OFF)
漏源电阻
tance ,R
DS ( ON)
通道到通道
r
DS ( ON)
比赛中,R
DS ( ON)
最小的模拟信号
处理能力,
V
类似物
关机泄漏
目前,我
D(关闭)
关机泄漏
目前,我
S( OFF)
测试条件
V
IN
= 0.8V (注2,注3 )
V
IN
= 2.4V (注2,注3 )
I
S
= 10毫安,V
类似物
=
±10V
-55
o
C
±
10
±10
70
-
-
+25
o
C
±1
±1
70
25 (典型值)
±15V
V
类似物
= -14V至+ 14V
V
类似物
= -14V至+ 14V
-
-
-
-
-
-
-
±2
±2
±2
1.0
0.5
15 (典型值)
54 (典型值)
100
100
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±
5
±
5
±10
1.0
0.5
20 (典型值)
50 (典型值)
100
100
200
-
-
-
-
nA
nA
nA
s
s
mV
dB
开关漏电电流V
D
= V
S
= -14V至+ 14V
租,我
D(上)
+ I
秒(上)
开关“开”的时间
(注1 ) ,T
ON
开关“ OFF”时,T
关闭
电荷注入,Q
( INJ )。
最小关断隔离
抑制比, OIRR
+电源
静态电流,I
V1
- 电源
静态电流,I
V2
最小信道来
通道交叉耦合
抑制比, CCRR
注意事项:
1.下拉电阻必须
2k
.
一个通道关闭
R
L
= 1kΩ的,V
类似物
=
-10V至+ 10V (图5 )
R
L
= 1kΩ的,V
类似物
=
-10V至+ 10V (图5 )
图6
F = 1MHz的,R
L
= 100,
C
L
5pF
(图7 ,注1)
V
IN
= 0V或V
IN
= 5V
1000
1000
-
1000
1000
54 (典型值)
2000
2000
-
1000
1000
-
1000
1000
50 (典型值)
2000
2000
-
A
A
dB
2.典型值是辅助设计参考,不保证,不受生产测试。
3.所有通道都被高“ 1 ”的逻辑输入关闭,所有通道都低“0”输入打开;然而, 0.8V至2.4V介绍
最小范围切换正常。需要过渡的峰值输入电流典型值为-120μA 。
9-15
特定网络阳离子DG201
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <36V
V +到V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
D
到V
S
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <28V
V
REF
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <33V
V
REF
到V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30V
V
REF
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <20V
V
IN
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <20V
电流(任何终端) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
陶瓷DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
80
24
o
C / W
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 145
o
C / W
-
工作温度范围
“A” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
“B” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25
o
C至+ 85
o
C
“C” SUF科幻X 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至+70
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
(T
A
= +25
o
C,V + = + 15V ,V = -15V )
军事
商业/工业
+125
o
C
10
10
125
-
-
0
o
C到
-25
o
C
±1
±1
100
-
-
+25
o
C
±1
±1
100
30 (典型值)
±15
(典型值)
+70
o
C到
+85
o
C
10
10
125
-
-
单位
A
A
V
参数
输入逻辑电流,
I
IN(上)
输入逻辑电流,
I
N( OFF)
漏源电阻
tance ,R
DS ( ON)
通道到通道
r
DS ( ON)
比赛中,R
DS ( ON)
最小的模拟信号
处理能力,
V
类似物
关机泄漏
目前,我
D(关闭)
关机泄漏
目前,我
S( OFF)
测试条件
V
IN
= 0.8V (注1 )
V
IN
= 2.4V (注1 )
I
S
= 10毫安,V
类似物
=
±10V
-55
o
C
+25
o
C
±1
±1
80
25 (典型值)
±15
(典型值)
10
10
80
-
-
V
类似物
= -14V至+ 14V
V
类似物
= -14V至+ 14V
-
-
-
-
-
-
-
2000
2000
±1
±1
±2
1.0
0.5
15 (典型值)
54 (典型值)
1000
1000
54 (典型值)
100
100
200
-
-
-
-
2000
2000
-
-
-
-
-
-
-
-
2000
2000
-
±
5
±
5
±5
1.0
0.5
20 (典型值)
50 (典型值)
1000
1000
50 (典型值)
100
100
200
-
-
-
-
2000
2000
-
nA
nA
nA
s
s
mV
dB
A
A
dB
开关漏电电流V
D
= V
S
= -14V至+ 14V
租,我
D(上)
+ I
秒(上)
开关“开”的时间
(注2 )中,T
ON
开关“关”的时间
(注2 )中,T
关闭
电荷注入,Q
( INJ )。
最小关断隔离
抑制比, OIRR
+电源
静态电流, I +
Q
- 电源
静态电流,I-
Q
最小信道来
通道交叉耦合
抑制比, CCRR
注意事项:
一个通道关闭
R
L
= 1kΩ的,V
类似物
=
-10V至+ 10V (图5 )
R
L
= 1kΩ的,V
类似物
=
-10V至+ 10V (图5 )
图6
F = 1MHz的,R
L
= 100,
C
L
5pF的, (图7)
V
IN
= 0V或V
IN
= 5V
-
1.典型值是辅助设计参考,不保证,不受生产测试。
2.所有通道都被高“ 1 ”的逻辑输入关闭,所有通道都低“0”输入打开;然而, 0.8V至2.4V介绍
最小范围切换正常。需要过渡的峰值输入电流典型值为-120μA 。
9-16
DG200 , DG201
性能曲线
漏源导通电阻(
)
100
漏源导通电阻(
)
V+ = +15V
V- = -15V
100
D
+125
o
C
C
B
50
50
+25
o
C
A
A:
B:
C:
D:
V+ = +15V, V- = -15V
V+ = +12V, V- = -12V
V+ = +10V, V- = -10V
V+ = +8V, V- = -8V
10
15
-55
o
C
0
-15
-10
-5
0
5
漏极电压( V)
10
15
0
-15
-10
-5
0
5
漏极电压( V)
图1。R
DS ( ON)
VS V
D
和温度
10
CHANNEL泄漏电流( NA)
图2。R
DS ( ON)
VS V
D
与电源电压
源极或漏极关断漏电流( NA)
10
1
1
0.1
0.1
0.01
25
45
65
85
温度(
o
C)
105
125
0.01
25
45
65
85
温度(
o
C)
105
125
图3.我
D(上)
与温度
图4.我
S( OFF)
还是我
D(关闭)
与温度
引脚说明
DG200 ( 14引脚DIP )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
IN
2
NC
GND
NC
S
2
D
2
V-
V
REF
D
1
S
1
NC
V+
NC
IN
1
描述
用于开关2逻辑控制
无连接
接地端子(逻辑公用)
无连接
来源(输入)端子用于开关2
漏极(输出)端子用于开关2
负电源端
逻辑参考电压
漏极(输出)端子用于开关1
来源(输入)端子用于开关1
无连接
正电源端(基板)
无连接
来源(输入)端子用于开关1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
IN
3
D
3
S
3
V
REF
V+
S
2
D
2
IN
2
DG201 ( 16引脚DIP )
描述
开关1逻辑控制
漏极(输出)端子用于开关1
来源(输入)端子用于开关1
负电源端
接地端子(逻辑公用)
来源(输入)端子用于开关4
漏极(输出)端子用于开关4
用于开关4逻辑控制
用于开关3逻辑控制
漏极(输出)端子用于开关3
来源(输入)端子用于开关3
逻辑参考电压
正电源端(基板)
来源(输入)端子用于开关2
漏极(输出)端子用于开关2
用于开关2逻辑控制
9-17
DG200A
单片双通道SPST CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
"15
V输入信号范围
44 - V最大电源范围
导通电阻: 45
W
TTL和CMOS兼容
好处
D
宽动态范围
D
简单接口
D
减少外部元件数量
应用
D
D
D
D
伺服控制开关
可编程增益放大器
音频切换
可编程滤波器
描述
该DG200A是一款双通道,单刀单掷模拟
开关设计成提供通用交换
模拟信号。该器件非常适合用于设计
需要宽的模拟电压范围加上低
导通电阻。
该DG200A设计上Siliconix的“改进PLUS- 40
CMOS工艺。外延层可以防止闭锁。
每个开关导电性能相同,在两个方向的时候
上,并阻止高达30 V峰至峰时关闭。在上
条件下,这种双向开关没有引入偏移
电压自身。
功能框图及引脚配置
双列直插式
IN
2
NC
GND
NC
S
2
D
2
V–
1
2
3
4
5
6
7
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
IN
1
NC
V +底
NC
S
1
D
1
NC
GND
IN
2
2
3
4
S
2
5
6
V–
IN
1
1
金属罐
V + (底物和案例)
10
S
1
9
8
7
D
1
NC
D
2
顶视图
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
g
逻辑
L I “1”的
w
2.4 V
24
开关
ON
关闭
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack , 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档# 70035 。
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 B, 28 -APR- 97
1
DG200A
订购信息
温度范围
0至70℃
-25至+85 C
14引脚塑料DIP
14引脚CERDIP
10引脚金属罐
产品型号
DG200ACJ
DG200ABK
DG200ABA
DG200AAK
14引脚CERDIP
-55到125°C
10引脚金属罐
14引脚Sidebraze
DG200AAK/883,
JM38510/12301BCA
DG200AAA
DG200AAA/883,
JM38510/12301BIC
JM38510/12301BCC
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44 V
GND到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
, V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -2 V至(V +) 2 V或
30毫安,以先到为准
电流(任何终端)连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流S或D
(脉冲在1毫秒,10%占空比的最大值)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
( AX , BX后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
( CJ后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散(包)
b
10引脚金属罐
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
14引脚CERDIP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
14引脚塑料DIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将被夹持
内部二极管。限正向二极管电流最大电流
收视率。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免11毫瓦/ _C上述75°C
。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C
原理图(典型值CHANNEL )
V+
S
V–
+
V+
GND
IN
X
D
V–
图1 。
2
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DG200A
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
SOURCE OFF
漏电流
流掉
漏电流
通道上
漏电流
f
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S( OFF)
I
D(关闭)
I
D(上)
V
D
=
"10
V,I
S
= -1毫安
V
S
=
"14
V, V
D
=
#14
V
V
D
=
"14
V, V
S
=
#14
V
V
S
= V
D
=
"14
V
房间
房间
房间
房间
45
–2
–100
–2
–100
–2
–200
–15
15
70
100
2
100
2
100
2
200
–5
–100
–5
–100
–5
–200
–15
15
80
100
5
100
5
100
5
200
nA
V
W
后缀
-55到125°C
B,C后缀
d
最大
d
符号
V = 15 V, V– = –15 V
VV
15
V+
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
单位
"0.01
"0.01
"0.1
数字控制
V
IN
= 2.4 V
I
INH
V
IN
= 15 V
输入电流
输入电压低
I
INL
V
IN
= 0 V
房间
房间
房间
0.0009
0.005
–0.0015
–0.5
–1
–0.5
–1
0.5
1
–1
–10
–1
–10
1
10
mA
输入电流
p
I
输入V升
电压嗨
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
相声
(通道 - 通道)
t
ON
t
关闭
Q
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
+
C
秒(上)
OIRR
X
TALK
房间
见开关时间测试电路
C
L
= 1000 PF, V
g
= 0 V
R
g
= 0
W
F = 140千赫
V
IN
= 5 V
V
S
= 0 V
V
D
= 0 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
440
340
–10
9
9
25
75
90
dB
pF
1000
425
1000
425
ns
pC
V
D
= V
S
= 0 V, V
IN
= 0 V
V
IN
= 5 V R
L
= 75
W
V,
V
S
= 2 V , F = 1兆赫
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I–
两个通道开或关
V
IN
= 0 V和2 4 V
d 2.4
房间
房间
0.8
–0.23
–1
2
–1
2
mA
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是aminimum和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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3
DG200A
典型特征
r
DS ( ON)
与V
D
与电源电压
+6
120
A:
B:
C:
D:
E:
"5
V
"10
V
"12
V
"15
V
"20
V
T
A
= 25_C
0
A
I
S
, I
D
( PA )
–6
I
D(上)
I
D(关闭)
还是我
S( OFF)
漏电流与模拟电压
100
r
DS ( ON)
(
W
)
80
B
60
C
D
40
E
–12
–18
20
–15 –12 –9
–6
–3
0
3
6
9
12 15
V
D
- 漏极电压( V)
–24
–15 –12 –9
–6
–3
0
3
6
9
12 15
V
类似物
- 模拟电压( V)
输入开关阈值与V +和V-电源电压
2.5
电源电流与频率切换
2.0
V
T
(V)
1.5
1.0
0.5
0
0
"5
V + , V-正负电源( V)
4
"10
"15
"20
6
5
I + , I- (毫安)
4
3
2
V+ = 15 V
V– = –15 V
这两个逻辑输入
切换simutaneously
I+
1
I–
0
1k
10 k
100 k
1M
切换频率(Hz )
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测试电路
V
O
与交换机上的稳态输出。通过栅极电容馈通可能导致尖峰前缘和后输出波形的边沿。
+15 V
逻辑
输入
开关
输入
开关
产量
3V
50%
0V
t
关闭
V
S
90%
V
O
t
ON
3V
GND
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
V
S
= +5 V
S
IN
V+
D
V
O
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
V–
–15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS ( ON)
图2中。
开关时间
+15 V
DV
O
R
g
V+
S
IN
3V
GND
V–
DV
O
=测得的电压误差,由于电荷注入
电荷注入库仑是
DQ
= C
L
x
DV
O
–15 V
D
V
O
C
L
1000 pF的
IN
X
ON
关闭
ON
V
O
V
g
网络连接gure 3 。
电荷注入
C
+15 V
C
V+
+15 V
V+
V
S
S
D
V
O
R
L
GND
V–
C
R
g
= 50
W
0V
S
1
IN
1
S
2
IN
2
GND
–15 V
–15 V
关断隔离= 20日志
V
S
V
O
X
TALK
= 20日志
C =射频旁路
V
S
V
O
V–
C
D
2
D
1
50
W
V
O
R
L
V
S
R
g
= 50
W
5V
IN
NC
0V
图4中。
关断隔离
图5中。
通道到通道的串扰
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