DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

与双SPDT开关JFET高速驱动器

特点

D

恒定导通电阻

整个模拟范围

D

低漏

D

低串扰

D

拉德硬度

好处

D

D

D

D

D

低失真

消除大信号错误

精度高

高带宽能力

故障保护

应用

D

D

D

D

D

音频切换

视频切换

采样/保持

制导与控制系统

航天

描述

该DG189 /一百九十一分之一百九十是精密双路单刀，

双掷（SPDT）模拟开关设计成提供

视频和音频信号的准确转换。该系列产品是

非常适用于需要一个恒定的应用

的导通电阻在整个模拟范围。

来实现快速和精确的开关性能，每个设备

包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL

兼容双极驱动器。该驱动程序的设计实现

先开后合式开关动作，从而消除了

渠道和串扰无意间短路

这将导致。在导通状态，每个开关导通

电流同样在任一方向。在关断状态下，

交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值，与穿通线

小于-60分贝在10 MHz 。

在设备的主要区别是在导通电阻

(DG189—10

W

， DG190-30

W

， DG191-75

W).

减少

误差通过低漏电流达到（我

D（上）

< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于

导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且

数据采集。

功能框图及引脚配置

双列直插式

D

1

NC

D

3

S

3

S

4

D

4

NC

D

2

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

S

1

IN

1

V–

V

R

V

L

V+

IN

2

S

2

S

4

D

4

D

2

S

2

IN

2

V+

V

L

扁平封装

1

2

3

4

5

6

7

顶视图

请参阅JAN38510信息，军工板块

*常见于基板和CASE

14

13

12

11

10

9

8

S

3

D

3

D

1

S

1

IN

1

V–*

V

R

真值表

逻辑

0

1

SW

1

， SW

2

关闭

ON

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

24

SW

3

， SW

4

ON

关闭

文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-1

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

订购信息

温度范围

-25至85℃

25 85_C

包

DG189BP

16引脚Sidebraze

16皮希德B

DG190BP

DG191BP

产品型号

DG189AP / 883 ， 5962-9068901MEA

16引脚Sidebraze

16皮希德B

-55 125℃

55 125_C

14引脚扁平封装

JM38510/11108BXA

DG190AP / 883 ， JM38510 / 11107BEA

DG191AP / 883 ， JM38510 / 11108BEA

JM38510/11107BXA

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V +到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V

V

S

, V

D

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 33 V

V

D

到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

"22

V

V

L

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V

L

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

L

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

IN

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

R

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V

V

R

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V

电流（ S或D）的DG189 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

注意事项：

一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

B 。减免12毫瓦/ _C上述75°C

。减免10毫瓦/ _C上述75°C

电流（S或D ） DG190 ， DG191 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C

功耗

a

16引脚Sidebraze

b

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

14引脚扁平封装

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

原理图（典型值CHANNEL ）

V

L

V+

IN

S

D

V

R

V–

图1 。

www.vishay.com

S

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4-2

文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

FOR DG189

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

I

DSS

V

D

= V

S

=

"7.5

V

2毫秒脉冲持续时间

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

7.5

0.05

0.05

0.04

0.03

–0.1

300

–2

–200

–7.5

15

10

20

10

1000

10

1000

10

1000

10

1000

–10

–200

mA

–7.5

15

15

25

15

300

15

300

15

300

15

300

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

饱和漏极电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

140

21

17

17

>55

dB

pF

200

225

240

400

425

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5

4.5

–2

1.5

–5

mA

A

4.5

1.5

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

www.vishay.com

S

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4-3

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

FOR DG190

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"7.5

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

18

0.06

0.1

0.05

0.06

–0.02

–2

–200

–7.5

15

30

60

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–7.5

15

50

75

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

95

9

6

14

>50

dB

pF

F

130

150

85

150

180

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5

4.5

–2

1.5

–5

mA

A

4.5

1.5

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

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S

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文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

FOR DG191

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"10

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

35

0.05

0.07

0.04

0.05

–0.03

–2

–200

–10

15

75

150

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–10

15

100

150

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

100

9

6

14

>50

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5

4.5

–2

1.5

–5

mA

A

4.5

1.5

dB

pF

F

130

150

120

250

300

ns

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

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S

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与双SPDT开关JFET高速驱动器

特点

D

恒定导通电阻

整个模拟范围

D

低漏

D

低串扰

D

拉德硬度

好处

D

D

D

D

D

低失真

消除大信号错误

精度高

高带宽能力

故障保护

应用

D

D

D

D

D

音频切换

视频切换

采样/保持

制导与控制系统

航天

描述

该DG189 /一百九十一分之一百九十是精密双路单刀，

双掷（SPDT）模拟开关设计成提供

视频和音频信号的准确转换。该系列产品是

非常适用于需要一个恒定的应用

的导通电阻在整个模拟范围。

来实现快速和精确的开关性能，每个设备

包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL

兼容双极驱动器。该驱动程序的设计实现

先开后合式开关动作，从而消除了

渠道和串扰无意间短路

这将导致。在导通状态，每个开关导通

电流同样在任一方向。在关断状态下，

交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值，与穿通线

小于-60分贝在10 MHz 。

在设备的主要区别是在导通电阻

(DG189—10

W

， DG190-30

W

， DG191-75

W).

减少

误差通过低漏电流达到（我

D（上）

< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于

导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且

数据采集。

功能框图及引脚配置

双列直插式

D

1

NC

D

3

S

3

S

4

D

4

NC

D

2

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

S

1

IN

1

V–

V

R

V

L

V+

IN

2

S

2

S

4

D

4

D

2

S

2

IN

2

V+

V

L

扁平封装

1

2

3

4

5

6

7

顶视图

请参阅JAN38510信息，军工板块

*常见于基板和CASE

14

13

12

11

10

9

8

S

3

D

3

D

1

S

1

IN

1

V–*

V

R

真值表

逻辑

0

1

SW

1

， SW

2

关闭

ON

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.4 V

24

SW

3

， SW

4

ON

关闭

文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-1

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

订购信息

温度范围

-25至85℃

25 85_C

包

DG189BP

16引脚Sidebraze

16皮希德B

DG190BP

DG191BP

产品型号

DG189AP / 883 ， 5962-9068901MEA

16引脚Sidebraze

16皮希德B

-55 125℃

55 125_C

14引脚扁平封装

JM38510/11108BXA

DG190AP / 883 ， JM38510 / 11107BEA

DG191AP / 883 ， JM38510 / 11108BEA

JM38510/11107BXA

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V +到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V

V

S

, V

D

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 33 V

V

D

到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

"22

V

V

L

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V

L

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

L

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

IN

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

R

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V

V

R

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V

电流（ S或D）的DG189 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

注意事项：

一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

B 。减免12毫瓦/ _C上述75°C

。减免10毫瓦/ _C上述75°C

电流（S或D ） DG190 ， DG191 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C

功耗

a

16引脚Sidebraze

b

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

14引脚扁平封装

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

原理图（典型值CHANNEL ）

V

L

V+

IN

S

D

V

R

V–

图1 。

www.vishay.com

S

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4-2

文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

FOR DG189

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

I

DSS

V

D

= V

S

=

"7.5

V

2毫秒脉冲持续时间

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

7.5

0.05

0.05

0.04

0.03

–0.1

300

–2

–200

–7.5

15

10

20

10

1000

10

1000

10

1000

10

1000

–10

–200

mA

–7.5

15

15

25

15

300

15

300

15

300

15

300

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

饱和漏极电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

140

21

17

17

>55

dB

pF

200

225

240

400

425

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5

4.5

–2

1.5

–5

mA

A

4.5

1.5

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

www.vishay.com

S

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DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

FOR DG190

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"7.5

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

18

0.06

0.1

0.05

0.06

–0.02

–2

–200

–7.5

15

30

60

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–7.5

15

50

75

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

95

9

6

14

>50

dB

pF

F

130

150

85

150

180

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5

4.5

–2

1.5

–5

mA

A

4.5

1.5

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

www.vishay.com

S

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4-4

文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

FOR DG191

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"10

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

35

0.05

0.07

0.04

0.05

–0.03

–2

–200

–10

15

75

150

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–10

15

100

150

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

100

9

6

14

>50

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5

4.5

–2

1.5

–5

mA

A

4.5

1.5

dB

pF

F

130

150

120

250

300

ns

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70034

S- 52880 -REV 。 C， 28 -APR- 97

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-5

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

与双SPDT开关JFET高速驱动器

特点

D

恒定导通电阻

整个模拟范围

D

低漏

D

低串扰

D

拉德硬度

好处

D

D

D

D

D

低失真

消除大信号错误

精度高

高带宽能力

故障保护

应用

D

D

D

D

D

音频切换

视频切换

采样/保持

制导与控制系统

航天

描述

该DG189 /一百九十一分之一百九十是精密双路单刀，

双掷（SPDT）模拟开关设计成提供

视频和音频信号的准确转换。该系列产品是

非常适用于需要一个恒定的应用

的导通电阻在整个模拟范围。

来实现快速和精确的开关性能，每个设备

包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL

兼容双极驱动器。该驱动程序的设计实现

先开后合式开关动作，从而消除了

渠道和串扰无意间短路

这将导致。在导通状态，每个开关导通

电流同样在任一方向。在关断状态下，

交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值，与穿通线

比少

60

分贝在10 MHz 。

在设备的主要区别是在导通电阻

(DG189—10

W

， DG190-30

W

， DG191-75

W).

减少

误差通过低漏电流达到（我

D（上）

< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于

导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且

数据采集。

功能框图及引脚配置

双列直插式

D

1

NC

D

3

S

3

S

4

D

4

NC

D

2

1

2

3

4

5

6

7

8

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

S

1

IN

1

V

V

R

V

L

V+

IN

2

S

2

S

4

D

4

D

2

S

2

IN

2

V+

V

L

扁平封装

1

2

3

4

5

6

7

顶视图

请参阅JAN38510信息，军工板块

*常见于基板和CASE

14

13

12

11

10

9

8

S

3

D

3

D

1

S

1

IN

1

V*

V

R

真值表

逻辑

0

1

SW

1

， SW

2

关闭

ON

逻辑“0”的

v

0.8 V

08

g

逻辑“1”的

w

2 4 V

2.4

SW

3

， SW

4

ON

关闭

文档编号： 70034

S- 51140 -REV 。 D， 20军05

www.vishay.com

1

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

订购信息

温度范围

25

至85℃

包

DG189BP

16引脚Sidebraze

DG190BP

DG191BP

DG189AP

DG190AP

16-Pin

16引脚Sidebraze

DG191AP

产品型号

55

55

至125℃

DG189AP ， DG189AP / 883 ， 5962-9068901MEA

DG190AP ， DG190AP / 883 ， JM38510 / 11107BEA

DG191AP ， DG191AP / 883 ， JM38510 / 11108BEA

14-Pin

14引脚扁平封装

JM38510/11107BXA

JM38510/11108BXA

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V +到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V

V

S

, V

D

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

0.3

至33 V

V

D

到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

"22

V

V

L

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V

L

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

L

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

IN

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

R

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V

V

R

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V

电流（ S或D）的DG189 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

电流（S或D ） DG190 ， DG191 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

65

至150℃

功耗

a

16引脚Sidebraze

b

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

14引脚扁平封装

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

注意事项：

一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

B 。减免12毫瓦/ _C上述75°C

。减免10毫瓦/ _C上述75°C

原理图（典型值CHANNEL ）

V

L

V+

IN

S

D

V

R

V

图1 。

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2

文档编号： 70034

S- 51140 -REV 。 D， 20军05

DG189/190/191

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

FOR DG189

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

=

10

毫安，V

D

=

7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V =

20

V

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V =

20

V

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

D

= V

S

=

"7.5

V

2毫秒脉冲持续时间

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

7.5

0.05

0.05

0.04

0.03

0.1

300

2

200

7.5

15

10

20

10

1000

10

1000

10

1000

10

1000

10

200

mA

7.5

15

15

25

15

300

15

300

15

300

15

300

nA

V

W

后缀

55

至125℃

B后缀

25

至85℃

符号

V+ = 15 V, V =

15

V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

I

S（ FF）

S（ OFF）

流掉

漏电流

通道上

漏电流

饱和漏极电流

I

D（ FF）

D（关闭）

I

D（上）

I

DSS

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

30

250

10

20

250

10

20

mA

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

见开关时间测试电路

V

S

=

5

V，I

D

= 0

V

D

=

5

V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

房间

房间

房间

房间

房间

240

140

21

17

17

>55

dB

pF

400

200

425

225

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V,

房间

房间

房间

房间

0.6

2.7

3.1

1

2

5

4.5

2

1.5

5

4.5

1.5

mA

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

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Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

FOR DG190

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

=

10

毫安，V

D

=

7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V =

20

V

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V =

20

V

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"7.5

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

18

0.06

0.1

0.05

0.06

0.02

2

200

7.5

15

30

60

1

100

1

100

1

100

1

100

10

200

7.5

15

50

75

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

V

W

后缀

55

至125℃

B后缀

25

至85℃

符号

V+ = 15 V, V =

15

V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

SOURCE OFF

漏电流

I

S（ FF）

S（ OFF）

流掉

漏电流

通道上

漏电流

I

D（ FF）

D（关闭）

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

30

250

10

20

250

10

20

mA

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

见开关时间测试电路

V

S

=

5

V，I

D

= 0

V

D

=

5

V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

房间

房间

房间

房间

房间

85

95

9

6

14

>50

dB

pF

150

130

180

150

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V,

房间

房间

房间

房间

0.6

2.7

3.1

1

2

5

4.5

2

1.5

5

4.5

1.5

mA

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

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S- 51140 -REV 。 D， 20军05

DG189/190/191

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特定网络阳离子

a

FOR DG191

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

=

10

毫安，V

D

=

7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V =

20

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V =

20

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V

D

= V

S

=

"10

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

35

0.05

0.07

0.04

0.05

0.03

2

200

10

15

75

150

1

100

1

100

1

100

1

100

10

200

10

15

100

150

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

V

W

后缀

55

至125℃

B后缀

25

至85℃

符号

V+ = 15 V, V =

15

V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

I

S（ FF）

S（ OFF）

流掉

漏电流

通道上

漏电流

I

D（ FF）

D（关闭）

I

D（上）

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

30

250

10

20

250

10

20

mA

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

I+

I

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V,

F = 1 MHz的

见开关时间测试电路

V

S

=

5

V，I

D

= 0

V

D

=

5

V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

房间

120

100

9

6

14

>50

0.6

2.7

3.1

1

2

5

4.5

2

1.5

5

4.5

1.5

mA

dB

p

pF

250

130

300

150

ns

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70034

S- 51140 -REV 。 D， 20军05

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