DG183/184/185
与双DPST开关JFET高速驱动器
特点
D
恒定导通电阻
整个模拟范围
D
低漏
D
低串扰
D
先开后合式开关
D
拉德硬度
好处
D
D
D
D
D
低失真
消除大信号错误
精度高
改进的通道隔离度
消除无意卖空
通道之间
D
故障保护
应用
D
D
D
D
D
D
音频切换
精密开关
视频切换
视频路由
采样/保持
航天
描述
该DG183 / 185分之184是精密双双刀
单掷（ DPST），模拟开关设计成提供
视频和音频信号的准确转换。本系列
非常适合于需要恒定的应用
的导通电阻在整个模拟范围。
在设备的主要区别是在导通电阻
(DG183—10
W
， DG184-30
W
， DG185-75
W).
减少
误差通过低漏电流达到（我
D（上）
< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于
导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且
数据采集。
来实现快速和精确的开关性能，每个
装置包括四个n沟道JFET晶体管和一个
TTL兼容双极驱动器。在导通状态，每个开关
传导电流同样在任一方向。在关
状态时，开关将阻止高达20伏峰 - 峰，
具有小于-60分贝的馈通在10 MHz 。
功能框图及引脚配置
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
S
1
IN
1
V–
V
R
V
L
V+
IN
2
S
2
S
4
D
4
D
2
S
2
IN
2
V+
V
L
1
2
3
4
6
7
14
13
12
平
包
11
9
8
S
3
D
3
D
1
S
1
IN
1
V–*
V
R
双列直插式
顶视图
13
12
11
10
9
5顶视图10
请参阅JAN38510信息，军工板块
*常见于基板和CASE
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
0
逻辑“1”的
w
2.0 V
20
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70032 。
开关
关闭
ON
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
1
DG183/184/185
订购信息
温度范围
-25至+85 C
85
_C
包
16引脚Sidebraze
产品型号
DG183BP
DG184BP
DG183AP/883
DG184AP/883,
JM38510/11103BEA
DG185AP/883,
JM38510/11104BEA
16引脚Sidebraze
-55到125°C
14引脚扁平封装
JM38510/11103BXA
JM38510/11104BXA
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V +到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
V
D
到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
"22
V
V
L
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V
L
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
L
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
IN
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
R
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V
V
R
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V
电流（ S或D）的DG183 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
电流（S或D ） DG184 ， DG185 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
功耗
a
16引脚Sidebraze
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
14引脚扁平封装
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免12毫瓦/ _C上述75°C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V
L
V+
IN
S
D
V
R
V–
图1 。
2
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG183/184/185
特定网络阳离子
a
对于DG183
测试条件
除非另有说明
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V+ = 15 V V = –15 V V
L
= 5 V
15 V,
V, V–
V
R
= 0 V, V
IN
= 0.8 V或2 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
I
DSS
V
D
= V
S
=
"7.5
V
2毫秒脉冲持续时间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
7.5
0.05
0.05
0.04
0.03
–0.1
300
–7.5
15
10
20
10
1000
10
1000
10
1000
10
1000
–7.5
15
15
25
15
300
15
300
15
300
15
300
V
W
SOURCE OFF
泄漏
L·K
当前
nA
流掉
泄漏
L·K
当前
通道上
漏电流
饱和漏极电流
–2
–200
–10
–200
mA
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
房间
240
140
21
17
17
>55
dB
pF
400
200
600
220
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V,
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
4.5
mA
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
3
DG183/184/185
特定网络阳离子
a
对于DG184
测试条件
除非另有说明
后缀
-55到125°C
典型值
c
民
d
最大
d
B后缀
-25至+85 C
民
d
最大
d
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V+ = 15 V V– = –15 V, V
L
= 5 V
15 V
V, V
V
R
= 0 V, V
IN
= 0.8 V或2 V
f
温度
b
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"7.5
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
22
0.06
0.05
0.4
0.3
–0.02
–7.5
15
30
60
1
100
1
100
1
100
1
100
–7.5
15
50
75
5
100
5
100
5
100
5
100
V
W
SOURCE OFF
泄漏
L·K
当前
nA
流掉
泄漏
L·K
当前
通道上
漏电流
–2
–200
–10
–200
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
95
9
6
14
>50
dB
pF
130
150
85
150
180
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5.5
4.5
–2
3
–5.5
mA
4.5
3
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
4
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG183/184/185
特定网络阳离子
a
对于DG185
测试条件
除非另有说明
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V+
V = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
VV
15 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 0.8 V或2 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"10
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
35
0.05
0.07
0.4
0.3
–0.03
–10
15
75
150
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
15
100
150
5
100
5
100
5
100
5
100
V
W
SOURCE OFF
泄漏
L·K
当前
nA
流掉
泄漏
L·K
当前
通道上
漏电流
–2
–200
–10
–200
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
100
9
6
14
>50
dB
pF
130
150
120
250
300
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
租金
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5.5
4.5
–2
3
–5.5
4.5
mA
3
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
5
DG183/184/185
与双DPST开关JFET高速驱动器
特点
D
恒定导通电阻
整个模拟范围
D
低漏
D
低串扰
D
先开后合式开关
D
拉德硬度
好处
D
D
D
D
D
低失真
消除大信号错误
精度高
改进的通道隔离度
消除无意卖空
通道之间
D
故障保护
应用
D
D
D
D
D
D
音频切换
精密开关
视频切换
视频路由
采样/保持
航天
描述
该DG183 / 185分之184是精密双双刀
单掷（ DPST），模拟开关设计成提供
视频和音频信号的准确转换。本系列
非常适合于需要恒定的应用
的导通电阻在整个模拟范围。
在设备的主要区别是在导通电阻
(DG183—10
W
， DG184-30
W
， DG185-75
W).
减少
误差通过低漏电流达到（我
D（上）
< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于
导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且
数据采集。
来实现快速和精确的开关性能，每个
装置包括四个n沟道JFET晶体管和一个
TTL兼容双极驱动器。在导通状态，每个开关
传导电流同样在任一方向。在关
状态时，开关将阻止高达20伏峰 - 峰，
具有小于-60分贝的馈通在10 MHz 。
功能框图及引脚配置
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
S
1
IN
1
V–
V
R
V
L
V+
IN
2
S
2
S
4
D
4
D
2
S
2
IN
2
V+
V
L
1
2
3
4
6
7
14
13
12
平
包
11
9
8
S
3
D
3
D
1
S
1
IN
1
V–*
V
R
双列直插式
顶视图
13
12
11
10
9
5顶视图10
请参阅JAN38510信息，军工板块
*常见于基板和CASE
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
0
逻辑“1”的
w
2.0 V
20
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70032 。
开关
关闭
ON
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
1
DG183/184/185
订购信息
温度范围
-25至+85 C
85
_C
包
16引脚Sidebraze
产品型号
DG183BP
DG184BP
DG183AP/883
DG184AP/883,
JM38510/11103BEA
DG185AP/883,
JM38510/11104BEA
16引脚Sidebraze
-55到125°C
14引脚扁平封装
JM38510/11103BXA
JM38510/11104BXA
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V +到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
V
D
到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
"22
V
V
L
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V
L
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
L
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
IN
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
R
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V
V
R
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V
电流（ S或D）的DG183 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
电流（S或D ） DG184 ， DG185 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
功耗
a
16引脚Sidebraze
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
14引脚扁平封装
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免12毫瓦/ _C上述75°C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V
L
V+
IN
S
D
V
R
V–
图1 。
2
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG183/184/185
特定网络阳离子
a
对于DG183
测试条件
除非另有说明
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V+ = 15 V V = –15 V V
L
= 5 V
15 V,
V, V–
V
R
= 0 V, V
IN
= 0.8 V或2 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
I
DSS
V
D
= V
S
=
"7.5
V
2毫秒脉冲持续时间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
7.5
0.05
0.05
0.04
0.03
–0.1
300
–7.5
15
10
20
10
1000
10
1000
10
1000
10
1000
–7.5
15
15
25
15
300
15
300
15
300
15
300
V
W
SOURCE OFF
泄漏
L·K
当前
nA
流掉
泄漏
L·K
当前
通道上
漏电流
饱和漏极电流
–2
–200
–10
–200
mA
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
房间
240
140
21
17
17
>55
dB
pF
400
200
600
220
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V,
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
4.5
mA
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
3
DG183/184/185
特定网络阳离子
a
对于DG184
测试条件
除非另有说明
后缀
-55到125°C
典型值
c
民
d
最大
d
B后缀
-25至+85 C
民
d
最大
d
单位
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V+ = 15 V V– = –15 V, V
L
= 5 V
15 V
V, V
V
R
= 0 V, V
IN
= 0.8 V或2 V
f
温度
b
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"7.5
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
22
0.06
0.05
0.4
0.3
–0.02
–7.5
15
30
60
1
100
1
100
1
100
1
100
–7.5
15
50
75
5
100
5
100
5
100
5
100
V
W
SOURCE OFF
泄漏
L·K
当前
nA
流掉
泄漏
L·K
当前
通道上
漏电流
–2
–200
–10
–200
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
95
9
6
14
>50
dB
pF
130
150
85
150
180
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5.5
4.5
–2
3
–5.5
mA
4.5
3
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
4
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG183/184/185
特定网络阳离子
a
对于DG185
测试条件
除非另有说明
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
符号
V+
V = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
VV
15 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 0.8 V或2 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"10
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
35
0.05
0.07
0.4
0.3
–0.03
–10
15
75
150
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
15
100
150
5
100
5
100
5
100
5
100
V
W
SOURCE OFF
泄漏
L·K
当前
nA
流掉
泄漏
L·K
当前
通道上
漏电流
–2
–200
–10
–200
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
100
9
6
14
>50
dB
pF
130
150
120
250
300
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
租金
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5.5
4.5
–2
3
–5.5
4.5
mA
3
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
Siliconix公司
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
5
QQ：2880707522 复制
