DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

高速驱动器和双DPST开关JFET

特点

D

恒定导通电阻

整个模拟范围

D

低漏

D

低串扰

D

先开后合式开关

D

拉德硬度

好处

D

D

D

D

D

低失真

消除大信号错误

精度高

改进的通道隔离度

消除无意卖空

通道之间

D

故障保护

应用

D

D

D

D

D

D

音频切换

精密开关

视频切换

视频路由

采样/保持

航天

描述

该DG183 / 185分之184是精密双双刀

单掷（ DPST），模拟开关设计成提供

视频和音频信号的准确转换。该系列产品是

非常适用于需要一个恒定的应用

的导通电阻在整个模拟范围。

导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且

数据采集。

在设备的主要区别是在导通电阻

(DG183—10

W

， DG184-30

W

， DG185-75

W).

减少

误差通过低漏电流达到（我

D（上）

< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于

来实现快速和精确的开关性能，每个设备

包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL

兼容双极驱动器。在导通状态，每个开关导通

电流同样在任一方向。在关断状态下，

交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值，与穿通线

小于-60分贝在10 MHz 。

功能框图及引脚配置

D

1

NC

D

3

S

3

S

4

D

4

NC

D

2

1

2

3

4

5

6

7

8

双列直插式

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

S

1

IN

1

V–

V

R

V

L

V+

IN

2

S

2

S

4

D

4

D

2

S

2

IN

2

V+

V

L

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

平

包11

顶视图10

9

8

S

3

D

3

D

1

S

1

IN

1

V–*

V

R

请参阅JAN38510信息，军工板块

*常见于基板和CASE

真值表

逻辑

0

1

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.0 V

20

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

开关

关闭

ON

4-1

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

订购信息

温度范围

-25至+85 C

包

16引脚Sidebraze

产品型号

DG183BP

DG184BP

DG183AP/883

DG184AP / 883 ， JM38510 / 11103BEA

DG185AP / 883 ， JM38510 / 11104BEA

JM38510/11103BXA

JM38510/11104BXA

16引脚Sidebraze

16皮希德B

-55 125℃

55 125_C

14引脚扁平封装

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V +到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V

V

D

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V

V

D

到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

"22

V

V

L

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V

L

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

L

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

IN

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

R

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V

V

R

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V

电流（ S或D）的DG183 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

注意事项：

一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

B 。减免12毫瓦/ _C上述75°C

。减免10毫瓦/ _C上述75°C

电流（S或D ） DG184 ， DG185 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C

功耗

a

16引脚Sidebraze

b

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

14引脚扁平封装

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

原理图（典型值CHANNEL ）

V

L

V+

IN

S

D

V

R

V–

图1 。

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-2

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

对于DG183

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

I

DSS

V

D

= V

S

=

"7.5

V

2毫秒脉冲持续时间

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

7.5

0.05

0.05

0.04

0.03

–0.1

300

–2

–200

–7.5

15

10

20

10

1000

10

1000

10

1000

10

1000

–10

–200

mA

–7.5

15

15

25

15

300

15

300

15

300

15

300

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

饱和漏极电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

140

21

17

17

>55

dB

pF

200

220

240

400

600

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5

4.5

–2

1.5

–5

mA

A

4.5

1.5

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-3

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

对于DG184

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"7.5

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

22

0.06

0.05

0.4

0.3

–0.02

–2

–200

–7.5

15

30

60

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–7.5

15

50

75

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

B后缀

-25至+85 C

民

d

最大

d

单位

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

95

9

6

14

>50

dB

pF

F

130

150

85

150

180

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5.5

4.5

–2

3

–5.5

mA

A

4.5

3

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-4

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

对于DG185

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"10

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

35

0.05

0.07

0.4

0.3

–0.03

–2

–200

–10

15

75

150

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–10

15

100

150

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

房间

见开关时间测试电路

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

房间

房间

房间

房间

120

100

9

6

14

>50

dB

pF

F

250

130

300

150

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5.5

4.5

–2

3

–5.5

mA

A

4.5

3

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-5

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

高速驱动器和双DPST开关JFET

特点

D

恒定导通电阻

整个模拟范围

D

低漏

D

低串扰

D

先开后合式开关

D

拉德硬度

好处

D

D

D

D

D

低失真

消除大信号错误

精度高

改进的通道隔离度

消除无意卖空

通道之间

D

故障保护

应用

D

D

D

D

D

D

音频切换

精密开关

视频切换

视频路由

采样/保持

航天

描述

该DG183 / 185分之184是精密双双刀

单掷（ DPST），模拟开关设计成提供

视频和音频信号的准确转换。该系列产品是

非常适用于需要一个恒定的应用

的导通电阻在整个模拟范围。

导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且

数据采集。

在设备的主要区别是在导通电阻

(DG183—10

W

， DG184-30

W

， DG185-75

W).

减少

误差通过低漏电流达到（我

D（上）

< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于

来实现快速和精确的开关性能，每个设备

包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL

兼容双极驱动器。在导通状态，每个开关导通

电流同样在任一方向。在关断状态下，

交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值，与穿通线

小于-60分贝在10 MHz 。

功能框图及引脚配置

D

1

NC

D

3

S

3

S

4

D

4

NC

D

2

1

2

3

4

5

6

7

8

双列直插式

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

S

1

IN

1

V–

V

R

V

L

V+

IN

2

S

2

S

4

D

4

D

2

S

2

IN

2

V+

V

L

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

平

包11

顶视图10

9

8

S

3

D

3

D

1

S

1

IN

1

V–*

V

R

请参阅JAN38510信息，军工板块

*常见于基板和CASE

真值表

逻辑

0

1

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.0 V

20

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

开关

关闭

ON

4-1

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

订购信息

温度范围

-25至+85 C

包

16引脚Sidebraze

产品型号

DG183BP

DG184BP

DG183AP/883

DG184AP / 883 ， JM38510 / 11103BEA

DG185AP / 883 ， JM38510 / 11104BEA

JM38510/11103BXA

JM38510/11104BXA

16引脚Sidebraze

16皮希德B

-55 125℃

55 125_C

14引脚扁平封装

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V +到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V

V

D

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V

V

D

到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

"22

V

V

L

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V

L

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

L

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

IN

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

R

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V

V

R

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V

电流（ S或D）的DG183 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

注意事项：

一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

B 。减免12毫瓦/ _C上述75°C

。减免10毫瓦/ _C上述75°C

电流（S或D ） DG184 ， DG185 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C

功耗

a

16引脚Sidebraze

b

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

14引脚扁平封装

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

原理图（典型值CHANNEL ）

V

L

V+

IN

S

D

V

R

V–

图1 。

www.vishay.com

S

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4-2

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

对于DG183

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

I

DSS

V

D

= V

S

=

"7.5

V

2毫秒脉冲持续时间

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

7.5

0.05

0.05

0.04

0.03

–0.1

300

–2

–200

–7.5

15

10

20

10

1000

10

1000

10

1000

10

1000

–10

–200

mA

–7.5

15

15

25

15

300

15

300

15

300

15

300

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

饱和漏极电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

140

21

17

17

>55

dB

pF

200

220

240

400

600

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5

4.5

–2

1.5

–5

mA

A

4.5

1.5

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

www.vishay.com

S

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4-3

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

对于DG184

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"7.5

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

22

0.06

0.05

0.4

0.3

–0.02

–2

–200

–7.5

15

30

60

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–7.5

15

50

75

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

B后缀

-25至+85 C

民

d

最大

d

单位

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

95

9

6

14

>50

dB

pF

F

130

150

85

150

180

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5.5

4.5

–2

3

–5.5

mA

A

4.5

3

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

www.vishay.com

S

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4-4

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

对于DG185

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"10

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

35

0.05

0.07

0.4

0.3

–0.03

–2

–200

–10

15

75

150

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–10

15

100

150

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

房间

见开关时间测试电路

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

房间

房间

房间

房间

120

100

9

6

14

>50

dB

pF

F

250

130

300

150

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5.5

4.5

–2

3

–5.5

mA

A

4.5

3

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-5

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

高速驱动器和双DPST开关JFET

特点

D

恒定导通电阻

整个模拟范围

D

低漏

D

低串扰

D

先开后合式开关

D

拉德硬度

好处

D

D

D

D

D

低失真

消除大信号错误

精度高

改进的通道隔离度

消除无意卖空

通道之间

D

故障保护

应用

D

D

D

D

D

D

音频切换

精密开关

视频切换

视频路由

采样/保持

航天

描述

该DG183 / 185分之184是精密双双刀

单掷（ DPST），模拟开关设计成提供

视频和音频信号的准确转换。该系列产品是

非常适用于需要一个恒定的应用

的导通电阻在整个模拟范围。

导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且

数据采集。

在设备的主要区别是在导通电阻

(DG183—10

W

， DG184-30

W

， DG185-75

W).

减少

误差通过低漏电流达到（我

D（上）

< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于

来实现快速和精确的开关性能，每个设备

包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL

兼容双极驱动器。在导通状态，每个开关导通

电流同样在任一方向。在关断状态下，

交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值，与穿通线

小于-60分贝在10 MHz 。

功能框图及引脚配置

D

1

NC

D

3

S

3

S

4

D

4

NC

D

2

1

2

3

4

5

6

7

8

双列直插式

顶视图

16

15

14

13

12

11

10

9

S

1

IN

1

V–

V

R

V

L

V+

IN

2

S

2

S

4

D

4

D

2

S

2

IN

2

V+

V

L

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

平

包11

顶视图10

9

8

S

3

D

3

D

1

S

1

IN

1

V–*

V

R

请参阅JAN38510信息，军工板块

*常见于基板和CASE

真值表

逻辑

0

1

逻辑“0”的

v

0.8 V

逻辑“1”的

w

2.0 V

20

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

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S

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开关

关闭

ON

4-1

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

订购信息

温度范围

-25至+85 C

包

16引脚Sidebraze

产品型号

DG183BP

DG184BP

DG183AP/883

DG184AP / 883 ， JM38510 / 11103BEA

DG185AP / 883 ， JM38510 / 11104BEA

JM38510/11103BXA

JM38510/11104BXA

16引脚Sidebraze

16皮希德B

-55 125℃

55 125_C

14引脚扁平封装

绝对最大额定值

V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V +到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V

V

D

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V

V

D

到V

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

"22

V

V

L

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V

V

L

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

L

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

IN

到V

R

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V

V

R

到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V

V

R

到V

IN

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V

电流（ S或D）的DG183 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安

注意事项：

一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。

B 。减免12毫瓦/ _C上述75°C

。减免10毫瓦/ _C上述75°C

电流（S或D ） DG184 ， DG185 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安

储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C

功耗

a

16引脚Sidebraze

b

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

14引脚扁平封装

c

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦

原理图（典型值CHANNEL ）

V

L

V+

IN

S

D

V

R

V–

图1 。

www.vishay.com

S

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4-2

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

对于DG183

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

I

DSS

V

D

= V

S

=

"7.5

V

2毫秒脉冲持续时间

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

7.5

0.05

0.05

0.04

0.03

–0.1

300

–2

–200

–7.5

15

10

20

10

1000

10

1000

10

1000

10

1000

–10

–200

mA

–7.5

15

15

25

15

300

15

300

15

300

15

300

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

饱和漏极电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

140

21

17

17

>55

dB

pF

200

220

240

400

600

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5

4.5

–2

1.5

–5

mA

A

4.5

1.5

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

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S

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4-3

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

对于DG184

测试条件

除非指定

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"7.5

V, V

D

=

#7.5

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"7.5

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

22

0.06

0.05

0.4

0.3

–0.02

–2

–200

–7.5

15

30

60

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–7.5

15

50

75

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

B后缀

-25至+85 C

民

d

最大

d

单位

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

见开关时间测试电路

房间

房间

房间

房间

房间

95

9

6

14

>50

dB

pF

F

130

150

85

150

180

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5.5

4.5

–2

3

–5.5

mA

A

4.5

3

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

www.vishay.com

S

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4-4

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

DG183/184/185

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

a

对于DG185

测试条件

除非另有说明

参数

模拟开关

模拟信号范围

e

漏源

导通电阻

V

类似物

r

DS （ ON）

I

S

= -10毫安，V

D

= –7.5 V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

S（ OFF）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

V+ = 10 V, V– = –20 V

I

D（关闭）

V

S

=

"10

V, V

D

=

#10

V

I

D（上）

V

D

= V

S

=

"10

V

满

房间

满

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

房间

热

35

0.05

0.07

0.4

0.3

–0.03

–2

–200

–10

15

75

150

1

100

1

100

1

100

1

100

–10

–200

–10

15

100

150

5

100

5

100

5

100

5

100

nA

A

V

W

后缀

-55到125°C

B后缀

-25至+85 C

符号

V+ = 15 V, V– = –15 V, V

L

= 5 V

V

R

= 0 V, V

IN

= 0.8 V或2 V

f

温度

b

典型值

c

民

d

最大

d

民

d

最大

d

单位

SOURCE OFF

漏电流

L·K

C

t

流掉

漏电流

L·K

C

t

通道上

漏电流

数字输入

输入电流

输入电压高

输入电流

输入电压低

I

INH

I

INL

V

IN

= 5 V

V

IN

= 0 V

房间

热

满

<0.01

10

20

–250

–250

10

20

mA

–30

动态特性

开启时间

打开-O FF时间

源关断电容

汲极关断电容

通道导通电容

关断隔离

t

on

t

关闭

C

S（ OFF）

C

D（关闭）

C

D（上）

OIRR

F = 1 MHz的

MH

房间

见开关时间测试电路

V

S

= -5 V，I

D

= 0

V

D

= -5 V，I

S

= 0

V

D

= V

S

= 0 V

F = 1 MHz时，R

L

= 75

W

房间

房间

房间

房间

房间

120

100

9

6

14

>50

dB

pF

F

250

130

300

150

ns

电源

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电流

参考电源电流

I+

I–

I

L

I

R

V

IN

= 0 V或5 V

V

房间

房间

房间

房间

0.6

–2.7

3.1

–1

–2

–5.5

4.5

–2

3

–5.5

mA

A

4.5

3

注意事项：

一。请参阅过程的期权流程图。

B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。

。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。

。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。

。通过设计保证，不受生产测试。

f.

V

IN

=输入电压来执行适当的功能。

文档编号： 70032

S- 52895 -REV 。 D， 16军97

www.vishay.com

S

FaxBack 408-970-5600

4-5