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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第258页 > DG181
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
提供双通道SPST开关JFET高速驱动器
特点
D
恒定导通电阻
整个模拟范围
D
低漏
D
低串扰
D
拉德硬度
好处
D
D
D
D
D
低失真
消除大信号错误
精度高
高带宽能力
故障保护
应用
D
D
D
D
D
音频切换
视频切换
采样/保持
制导与控制系统
航天
描述
该DG180 /一百八十二分之一百八十一是精密双路单刀，
单掷（SPST ）模拟开关设计成提供
视频和音频信号的准确转换。该系列产品是
非常适用于需要一个恒定的应用
的导通电阻在整个模拟范围。
导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且
数据采集。
在设备的主要区别是在导通电阻
(DG180—10
W
， DG181-30
W
， DG182-75
W).
减少
误差通过低漏电流达到（我
D（上）
< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于
来实现快速和精确的开关性能，每个设备
包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL
兼容双极驱动器。在导通状态，每个开关导通
电流同样在任一方向。在关断状态下，
交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值，与穿通线
小于-60分贝在10 MHz 。
功能框图及引脚配置
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
双列直插式
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–
V
R
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
平
包11
顶视图10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–*
V
R
IN
1
D
1
2
3
4
请参阅JAN38510信息，军工板块
V+
S
1
S
2
D
2
9
IN
2
8
7
6
5
V
L
V
R
V–
10
1
金属罐
顶视图
*常见于基板和CASE
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.0 V
20
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
开关
ON
关闭
4-1
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
-25至+85 C
包
10引脚金属罐
14引脚Sidebraze
10引脚金属罐
10裨呒L C
DG181BA
DG180BP
产品型号
DG180AA / 883 ， 5962-8767301IA
DG181AA / 883 ， JM38510 / 11101BIA
DG182AA / 883 ， JM38510 / 11102BIA
DG180AP / 883 ， 5962-8767301CA
-55 125℃
55 125_C
14引脚Sidebraze
14皮希德B
DG181AP / 883 ， JM38510 / 11101BCA
DG182AP / 883 ， JM38510 / 11102BCA
5962-8767301XA
14针扁平pk信息
14皮FL包
JM38510/11101BXA
JM38510/11102BXA
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V +到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
V
D
到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
"22
V
V
L
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V
L
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
L
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
IN
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
R
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V
V
R
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V
电流（ S或D）的DG180 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
电流（S或D ） DG181 ， DG182 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
功耗
a
10引脚金属罐
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
14引脚Sidebraze
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
14引脚扁平封装
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免11毫瓦/ _C上述75°C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V
L
V+
IN
S
D
V
R
V–
图1 。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG180
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
I
DSS
V
D
= V
S
=
"7.5
V
2毫秒脉冲持续时间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
7.5
0.05
0.05
0.04
0.03
–0.1
300
–2
–200
–7.5
15
10
20
10
1000
10
1000
10
1000
10
1000
–10
–200
mA
–7.5
15
15
25
15
300
15
300
15
300
15
300
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
饱和漏极电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道上
电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
MH
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
140
21
17
17
>55
dB
pF
200
250
240
400
600
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG181
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"7.5
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
18
0.05
0.07
0.5
0.6
–0.02
–2
–200
–7.5
15
30
60
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–7.5
15
50
75
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
MH
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
95
9
6
14
>50
dB
pF
F
130
150
85
150
180
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-4
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG182
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"10
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
35
0.05
0.07
0.4
0.5
–0.02
–2
–200
–10
15
75
150
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–10
15
100
150
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
民
d
最大
d
单位
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
MH
房间
见开关时间测试电路
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
房间
房间
房间
房间
120
100
9
6
14
>50
dB
pF
F
250
130
300
150
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-5
半导体
DG181通DG191
与JFET开关高速驱动器
描述
该DG181通DG191系列模拟门由2
或4个N沟道结型音响场效晶体管（JFET ）
旨在用作电子开关。电平转换
驱动使能低电平输入（ 0.8V至2V ），以控制
每个开关的ON-OFF状态。该驱动器被设计为
提供一个关断速度是快于接通速度，
这样突破前先采取行动实现时，
从一个信道切换到另一个。在接通状态中，每个
开关导通电流也同样在两个方向的。在
OFF状态时，交换机将高达块电压为20V
峰 - 峰值。关断输入输出隔离50分贝在
的10MHz时，由于场效应管栅极的低输出阻抗
驱动电路。
T
UCT
ROD RODUC
P
5
勒特
TE P
1999年4月
BSO BSTITU 9 ， HI- 5041
O
SU
515
504
IBLE 185 ： HI - 5051 ， IHH5043
S
POS
DG
0, I
，你好
184 ，： DG403 ， HI -039
特点
DG 90
43
DG1 91 ： HI- 50
恒定的导通电阻为信号
±10V
(DG182,
DG1
DG185 ， DG188 ， DG191 ） ，以
±7.5V
（所有设备）
±15V
电源
<2nA泄漏的信道在与日俱
关状态
TTL ， DTL ， RTL直接驱动兼容性
t
ON
, t
关闭
<150ns ，先开后做动作
串扰和开放式隔离开关>50分贝在10MHz
（ 75Ω负载）
功能图（典型频道）
DG186 ， DG187 ， DG188 - 一个和两个通道
SPDT和SPST电路配置
V
L
V+
DG183 ， DG184 ， DG185 - 双通道DPST
电路CON组fi guration
V
L
V+
IN
S
1
D
1
IN
S
D
S
2
D
2
S
D
GND
V-
GND
V-
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的I.C.处理程序。
版权
1999年哈里斯公司
网络文件编号
3114.4
1
DG181系列
产品编号信息
产品型号
DG181AA
DG181AA/883B
DG181AP
DG181AP/883B
DG181BA
DG181BP
DG182AA
DG182AA/883B
DG182AP
DG182AP/883B
DG182BA
DG182BP
DG184AP
DG184AP/883B
DG184BP
DG185AP
DG185AP/883B
DG185BP
TYPE
双SPST
双SPST
双SPST
双SPST
双SPST
双SPST
双SPST
双SPST
双SPST
双SPST
双SPST
双SPST
双DPST
双DPST
双DPST
双DPST
双DPST
双DPST
R
DS （ ON）
（最大）
30
30
30
30
30
30
75
75
75
75
75
75
30
30
30
75
75
75
包
10铅可
10铅可
14铅SBDIP
14铅SBDIP
10铅可
14铅SBDIP
10铅可
10铅可
14铅SBDIP
14铅SBDIP
10铅可
14铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
产品编号信息
（续）
产品型号
DG187AA
DG187AA/883B
DG187AP
DG187AP/883B
DG187BA
DG187BP
DG188AA
DG188AA/883B
DG188AP
DG188AP/883B
DG188BA
DG188BP
DG190AP
DG190AP/883B
DG190BP
DG191AP
DG191AP/883B
DG191BP
TYPE
SPDT
SPDT
SPDT
SPDT
SPDT
SPDT
SPDT
SPDT
SPDT
SPDT
SPDT
SPDT
双路SPDT
双路SPDT
双路SPDT
双路SPDT
双路SPDT
双路SPDT
R
DS （ ON）
（最大）
30
30
30
30
30
30
75
75
75
75
75
75
30
30
30
75
75
75
包
10铅可
10铅可
14铅SBDIP
14铅SBDIP
10铅可
14铅SBDIP
10铅可
10铅可
14铅SBDIP
14铅SBDIP
10铅可
14铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
16铅SBDIP
2
DG181系列
引脚和开关状态图
双SPST - DG181 ， DG182
（ TO- 100金属罐）
顶视图
S
2
S
1
1
S
1
10
1
9
D
2
D
1
2
NC 3
D
1
2
8
IN
2
NC 4
IN
1
5
V+ 6
V+
4
5
V
L
6
GND
V
L
7
14 S
2
13 D
2
12 NC
11 NC
10
2
9 V-
8 GND
双SPST - DG181 ， DG182
（ CDIP ）
顶视图
IN
1
3
7
V-
双DPST - DG184 ， DG185
（ CDIP ）
顶视图
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
16 S
1
15
1
14 V-
13 GND
12 V
L
11 V+
10
2
9 S
2
IN
3
S
1
2
SPDT - DG187 ， DG188
（ TO- 100金属罐）
顶视图
D
2
D
1
10
1
9
S
2
8
NC
7
4
5
V
L
6
V-
V+
GND
SPDT - DG187 ， DG188
（ CDIP ）
顶视图
NC 1
NC 2
D
1
3
S
1
4
在5
V+ 6
V
L
7
14 NC
13 NC
12 D
2
11 S
2
10 NC
9 V-
8 GND
双路SPDT - DG190 ， DG191
（ CDIP ）
顶视图
D
1
NC
D
3
S
3
S
4
D
4
NC
D
2
1
2
3
4
5
6
7
8
16 S
1
15
1
14 V-
13 GND
12 V
L
11 V+
10
2
9 S
2
3
DG181系列
绝对最大额定值
V+ - V-. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
V+ - V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33V
V
D
- V-. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33V
V
D
- V
S
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±22V
V
L
- V- . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
V
L
- V
IN
, V
L
- GND ，V
IN
- GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8V
GND - V-。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27V
GND - V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
电流（ S或D） （注3） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
热信息
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
最大功率耗散=
金属罐包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为450mW
减免为6mW /
o
C以上+75
o
C
陶瓷DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825mW
减免11mW的/
o
C以上+75
o
C
设备安装与焊接，或焊接到印刷电路板的所有线索。
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
开关
I
S（ OFF）
DG181 ， DG182 ，
DG184 ， DG185 ，
DG187 ， DG188 ，
DG190 ， DG191
DG181 ， DG184 ，
DG187 ， DG190
DG182 ， DG185 ，
DG188 ， DG191
I
D（关闭）
DG181 ， DG182 ，
DG184 ， DG185 ，
DG187 ， DG188 ，
DG190 ， DG191
DG181 ， DG184 ，
DG187 ， DG190
DG182 ， DG185 ，
DG188 ， DG191
I
D（上）
+ I
秒（上）
DG181 ， DG184 ，
DG187 ， DG190
DG182 ， DG185 ，
DG188 ， DG191
输入
I
INL
I
INH
动态
t
ON
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（上）
+
C
秒（上）
关断隔离
30Ω开关
75Ω开关
30Ω和75Ω
开关
DG181 ， DG182 ，
DG184 ， DG185 ，
DG187 ， DG188 ，
DG190 ， DG191
所有
所有
设备
数
V+ = +15V, V- = -15V, V
L
= 5V ，除非另有规定编
（注1 ）
测试条件
V
S
= 10V, V
D
= -10V,
V+ = 10V, V- = -20V,
V
IN
= “关”
V
S
= 7.5V, V
D
= -7.5V,
V
IN
= “关”
V
S
= 10V, V
D
= -10V,
V
IN
= “关”
V
S
= 10V, V
D
= -10V,
V+ = 10V, V- = -20V,
V
IN
= “关”
V
S
= 7.5V, V
D
= -7.5V,
V
IN
= “关”
V
S
= 10V, V
D
= -10V,
V
IN
= “关”
V
D
= V
S
= -7.5V, V
IN
=“上”
V
D
= V
S
= -10V, V
IN
=“上”
A系列
-55
o
C
-
+25
o
C
±1
+125
o
C
100
-20
o
C
-
B系列
+25
o
C
±5
+85
o
C
100
单位
nA
-
-
-
±1
±1
±1
100
100
100
-
-
-
±5
±5
±5
100
100
100
nA
nA
nA
-
-
-
-
±1
±1
±2
±2
100
100
-200
-200
-
-
-
-
±5
±5
-10
-10
100
100
-200
-200
nA
nA
nA
nA
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
见开关时间
测试电路
-250
-
-
-
-
-250
10
150
250
130
-250
20
-
-
-
-250
-
-
-
-
-250
10
180
300
150
-250
20
-
-
-
A
A
ns
ns
ns
pF
pF
pF
-
V
S
= -5V ，我
D
= 0中，f = 1MHz的
V
D
= + 5V ，我
S
= 0中，f = 1MHz的
V
D
= V
S
= 0中，f = 1MHz的
R
L
= 75, C
L
≈ 3pF的
9典型
6典型
14典型
通常情况下>50分贝在10MHz
4
DG181系列
电气连接特定的阳离子
参数
供应
I+
DG181 ， DG182 ，
DG190 ， DG191
DG184 ， DG185
DG187 ， DG188
I-
DG181 ， DG182 ，
DG190 ， DG191
DG184 ， DG185
DG187 ， DG188
I
L
DG181 ， DG182 ，
DG184 ， DG185 ，
DG190 ， DG191
DG187 ， DG188
I
GND
I+
所有
DG181 ， DG182 ，
DG190 ， DG191
DG184 ， DG185
DG187 ， DG188
I-
DG181 ， DG182 ，
DG190 ， DG191
DG184 ， DG185
DG187 ， DG188
I
L
DG181 ， DG182 ，
DG184 ， DG185 ，
DG190 ， DG191
DG187 ， DG188
I
GND
注意：
1.请参阅开关状态图V
IN
“开”和V
IN
“OFF”测试条件。
所有
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
-
-
-
-
-
-
-
1.5
0.1
0.8
-5.0
-4.0
-3.0
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
0.1
0.8
-5.0
-4.0
-3.0
4.5
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
设备
数
V+ = +15V, V- = -15V, V
L
= 5V ，除非另有规定编
（续）
（注1 ）
测试条件
A系列
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-20
o
C
B系列
+25
o
C
+85
o
C
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.2
-2.0
1.5
3.0
0.8
-5.0
-5.5
-3.0
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.2
-2.0
1.5
3.0
0.8
-5.0
-5.5
-3.0
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
-
-
3.2
-2.0
-
-
-
-
3.2
-2.0
-
-
mA
mA
电气连接特定的阳离子
设备
数
DG181
DG182
DG184
DG185
DG187
DG188
DG190
DG191
注意事项：
最大的阻力（R
DS （ ON）
MAX ）
军事
温度
-55
o
C
30
75
30
75
30
75
30
75
+25
o
C
30
75
30
75
30
75
30
75
+125
o
C
60
100
60
150
60
150
60
150
50
100
50
100
50
100
50
100
产业
温度
-20
o
C
+25
o
C
50
100
50
100
50
100
50
100
+85
o
C
75
150
75
150
75
150
75
150
单位
测试条件
（注1 ）
V+ = 15V, V- = -15V, V
L
= 5V
V
D
= -7.5V
V
D
= -10V
V
D
= -7.5V
V
D
= -10V
V
D
= -7.5V
V
D
= -10V
V
D
= -7.5V
V
D
= -10V
I
S
= -10mA ，V
IN
=“上”
1.请参阅开关状态图V
IN
“开”和V
IN
“OFF”测试条件。
2.一般情况下， DG181通DG191系列的最小信号处理能力为20V的峰峰值为75Ω开关和15V峰值 -
- 峰值为30Ω （指我
D
我
S
测试以上） 。
3.对于其他模拟信号，下面的指南可用于：适当的开关关断要求V-
≤
V
类似物
（峰） - V
P
其中，V
P
=
7.5V为80Ω开关和V
P
= 5.0V ，适用于75Ω开关如， - 10V最小（ - 峰值）模拟信号和75Ω开关（V
P
= 5V ） ，需要
这V-
≤
-10V -5V = -15V.
5
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
提供双通道SPST开关JFET高速驱动器
特点
D
恒定导通电阻
整个模拟范围
D
低漏
D
低串扰
D
拉德硬度
好处
D
D
D
D
D
低失真
消除大信号错误
精度高
高带宽能力
故障保护
应用
D
D
D
D
D
音频切换
视频切换
采样/保持
制导与控制系统
航天
描述
该DG180 /一百八十二分之一百八十一是精密双路单刀，
单掷（SPST ）模拟开关设计成提供
视频和音频信号的准确转换。该系列产品是
非常适用于需要一个恒定的应用
的导通电阻在整个模拟范围。
导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且
数据采集。
在设备的主要区别是在导通电阻
(DG180—10
W
， DG181-30
W
， DG182-75
W).
减少
误差通过低漏电流达到（我
D（上）
< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于
来实现快速和精确的开关性能，每个设备
包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL
兼容双极驱动器。在导通状态，每个开关导通
电流同样在任一方向。在关断状态下，
交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值，与穿通线
小于-60分贝在10 MHz 。
功能框图及引脚配置
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
双列直插式
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–
V
R
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
平
包11
顶视图10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–*
V
R
IN
1
D
1
2
3
4
请参阅JAN38510信息，军工板块
V+
S
1
S
2
D
2
9
IN
2
8
7
6
5
V
L
V
R
V–
10
1
金属罐
顶视图
*常见于基板和CASE
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.0 V
20
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
开关
ON
关闭
4-1
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
-25至+85 C
包
10引脚金属罐
14引脚Sidebraze
10引脚金属罐
10裨呒L C
DG181BA
DG180BP
产品型号
DG180AA / 883 ， 5962-8767301IA
DG181AA / 883 ， JM38510 / 11101BIA
DG182AA / 883 ， JM38510 / 11102BIA
DG180AP / 883 ， 5962-8767301CA
-55 125℃
55 125_C
14引脚Sidebraze
14皮希德B
DG181AP / 883 ， JM38510 / 11101BCA
DG182AP / 883 ， JM38510 / 11102BCA
5962-8767301XA
14针扁平pk信息
14皮FL包
JM38510/11101BXA
JM38510/11102BXA
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V +到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
V
D
到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
"22
V
V
L
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V
L
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
L
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
IN
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
R
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V
V
R
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V
电流（ S或D）的DG180 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
电流（S或D ） DG181 ， DG182 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
功耗
a
10引脚金属罐
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
14引脚Sidebraze
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
14引脚扁平封装
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免11毫瓦/ _C上述75°C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V
L
V+
IN
S
D
V
R
V–
图1 。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG180
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
I
DSS
V
D
= V
S
=
"7.5
V
2毫秒脉冲持续时间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
7.5
0.05
0.05
0.04
0.03
–0.1
300
–2
–200
–7.5
15
10
20
10
1000
10
1000
10
1000
10
1000
–10
–200
mA
–7.5
15
15
25
15
300
15
300
15
300
15
300
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
饱和漏极电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道上
电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
MH
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
140
21
17
17
>55
dB
pF
200
250
240
400
600
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-3
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG181
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"7.5
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
18
0.05
0.07
0.5
0.6
–0.02
–2
–200
–7.5
15
30
60
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–7.5
15
50
75
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
MH
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
95
9
6
14
>50
dB
pF
F
130
150
85
150
180
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-4
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG182
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"10
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
35
0.05
0.07
0.4
0.5
–0.02
–2
–200
–10
15
75
150
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–10
15
100
150
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
民
d
最大
d
单位
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
MH
房间
见开关时间测试电路
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
房间
房间
房间
房间
120
100
9
6
14
>50
dB
pF
F
250
130
300
150
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-5
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
提供双通道SPST开关JFET高速驱动器
特点
D
恒定导通电阻
整个模拟范围
D
低漏
D
低串扰
D
拉德硬度
好处
D
D
D
D
D
低失真
消除大信号错误
精度高
高带宽能力
故障保护
应用
D
D
D
D
D
音频切换
视频切换
采样/保持
制导与控制系统
航天
描述
该DG180 /一百八十二分之一百八十一是精密双路单刀，
单掷（SPST ）模拟开关设计成提供
视频和音频信号的准确转换。该系列产品是
非常适用于需要一个恒定的应用
的导通电阻在整个模拟范围。
导通电阻的包括音频切换，视频切换，并且
数据采集。
在设备的主要区别是在导通电阻
(DG180—10
W
， DG181-30
W
， DG182-75
W).
减少
误差通过低漏电流达到（我
D（上）
< 2 NA） 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于
来实现快速和精确的开关性能，每个设备
包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL
兼容双极驱动器。在导通状态，每个开关导通
电流同样在任一方向。在关断状态下，
交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值，与穿通线
小于-60分贝在10 MHz 。
功能框图及引脚配置
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
双列直插式
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–
V
R
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
平
包11
顶视图10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–*
V
R
IN
1
D
1
2
3
4
请参阅JAN38510信息，军工板块
V+
S
1
S
2
D
2
9
IN
2
8
7
6
5
V
L
V
R
V–
10
1
金属罐
顶视图
*常见于基板和CASE
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.0 V
20
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
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开关
ON
关闭
4-1
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
-25至+85 C
包
10引脚金属罐
14引脚Sidebraze
10引脚金属罐
10裨呒L C
DG181BA
DG180BP
产品型号
DG180AA / 883 ， 5962-8767301IA
DG181AA / 883 ， JM38510 / 11101BIA
DG182AA / 883 ， JM38510 / 11102BIA
DG180AP / 883 ， 5962-8767301CA
-55 125℃
55 125_C
14引脚Sidebraze
14皮希德B
DG181AP / 883 ， JM38510 / 11101BCA
DG182AP / 883 ， JM38510 / 11102BCA
5962-8767301XA
14针扁平pk信息
14皮FL包
JM38510/11101BXA
JM38510/11102BXA
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V +到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
V
D
到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
"22
V
V
L
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V
L
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
L
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
IN
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
R
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V
V
R
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V
电流（ S或D）的DG180 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
电流（S或D ） DG181 ， DG182 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流（所有其他引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
功耗
a
10引脚金属罐
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
14引脚Sidebraze
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
14引脚扁平封装
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项：
一。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
B 。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免11毫瓦/ _C上述75°C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V
L
V+
IN
S
D
V
R
V–
图1 。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
4-2
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG180
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
I
DSS
V
D
= V
S
=
"7.5
V
2毫秒脉冲持续时间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
7.5
0.05
0.05
0.04
0.03
–0.1
300
–2
–200
–7.5
15
10
20
10
1000
10
1000
10
1000
10
1000
–10
–200
mA
–7.5
15
15
25
15
300
15
300
15
300
15
300
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
饱和漏极电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道上
电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
MH
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
140
21
17
17
>55
dB
pF
200
250
240
400
600
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
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DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG181
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"7.5
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
18
0.05
0.07
0.5
0.6
–0.02
–2
–200
–7.5
15
30
60
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–7.5
15
50
75
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
MH
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
95
9
6
14
>50
dB
pF
F
130
150
85
150
180
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.vishay.com
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4-4
文档编号： 70031
S- 52895 -REV 。 D， 16军97
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG182
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= -10毫安，V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S（ OFF）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D（关闭）
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
I
D（上）
V
D
= V
S
=
"10
V
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
35
0.05
0.07
0.4
0.5
–0.02
–2
–200
–10
15
75
150
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–10
15
100
150
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
民
d
最大
d
单位
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
热
满
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
F = 1 MHz的
MH
房间
见开关时间测试电路
V
S
= -5 V，I
D
= 0
V
D
= -5 V，I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时，R
L
= 75
W
房间
房间
房间
房间
房间
120
100
9
6
14
>50
dB
pF
F
250
130
300
150
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
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=输入电压来执行适当的功能。
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DX20A-28P-CR3
DM54S472
DBCDMPHLC4525
DP78H8B-2.50KHZ
DX31A-50P-LNA
DMN26D0UFB4
DA01S0509A
DV74HCT32AD
DM74H20J
DF20F-50DP-1C
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